JP5887760B2 - 半導体装置の検査方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図7は、第1実施形態に係る半導体装置の検査方法に用いる検査装置の図である。
以下、本願発明者らが評価を行った実験例及び比較例について説明する。
第2実施形態では、上記の半導体装置の検査方法を用いた半導体装置の製造方法について説明する。
図13(a)は、第3実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いる半導体ウエハの平面図であり、図13(b)は図13(a)のII−II線に沿った断面図である。
前記X線の照射により前記薄膜表面の付着物質から放出される蛍光X線を検出するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の検査方法。
前記薄膜の表面に、前記反射膜の臨界角よりも小さい入射角でX線を照射する工程と、
前記X線の照射により前記薄膜表面の付着物質から放出される蛍光X線を検出する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
半導体装置の製造ラインにおいて所定数の半導体ウエハの処理が完了する毎に前記基板を前記製造ラインに供給する工程を更に有し、
前記製造ラインで処理された前記基板の前記蛍光X線の検出結果に基づいて、前記製造ラインの管理を行うことを特徴とする付記8に記載の半導体装置の製造方法。
Claims (4)
- 基板の上方に下層から反射膜と前記反射膜より密度が低い薄膜とを順に形成してなる試料の前記薄膜の表面に、前記反射膜の臨界角よりも小さい入射角でX線を照射するステップと、
前記X線の照射により前記薄膜表面の付着物質から放出される蛍光X線を検出するステップとを有し、
前記薄膜の材料は、有機材料又は多孔質材料であることを特徴とする半導体装置の検査方法。 - 前記反射膜の蛍光X線のピーク波長は、前記付着物質に含まれる元素の蛍光X線のピーク波長と異なることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の検査方法。
- 基板の上方に、下層から反射膜と前記反射膜より密度が低い薄膜とを順に形成する工程と、
前記薄膜の表面に、前記反射膜の臨界角よりも小さい入射角でX線を照射する工程と、
前記X線の照射により前記薄膜表面の付着物質から放出される蛍光X線を検出する工程とを有し、
前記薄膜の材料は、有機材料又は多孔質材料であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記基板は、前記薄膜で覆われた半導体チップを備え、前記反射膜は前記半導体チップの横に設けられていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011182583A JP5887760B2 (ja) | 2011-08-24 | 2011-08-24 | 半導体装置の検査方法及び半導体装置の製造方法 |
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JP2013044644A JP2013044644A (ja) | 2013-03-04 |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5887760B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110057842A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-07-26 | 苏州大学 | 一种用于探测半导体材料x射线性能的装置 |
WO2023145101A1 (ja) * | 2022-01-31 | 2023-08-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | 検査装置および検査方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05206240A (ja) * | 1992-01-30 | 1993-08-13 | Matsushita Electron Corp | 蛍光x線分析用半導体基板 |
JP3457378B2 (ja) * | 1994-04-27 | 2003-10-14 | 株式会社ピュアレックス | 分析用試料板 |
JPH0943171A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Nec Corp | 全反射蛍光x線分析用ウエハ |
JP2000055841A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-02-25 | Fujitsu Ltd | X線分析方法 |
JP3730636B2 (ja) * | 2003-05-19 | 2006-01-05 | Tdk株式会社 | 分析方法および表示素子の製造方法 |
JP4089580B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2008-05-28 | Jfeスチール株式会社 | 薄膜の厚さ及び厚さ分布の評価方法 |
JP4137065B2 (ja) * | 2005-02-09 | 2008-08-20 | 富士通株式会社 | 半導体装置、デバイス形成基板、配線接続試験方法、および半導体装置の製造方法 |
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Publication number | Publication date |
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JP2013044644A (ja) | 2013-03-04 |
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A977 | Report on retrieval |
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