JP3457378B2 - 分析用試料板 - Google Patents
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- G01N2223/07—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
- G01N2223/076—X-ray fluorescence
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハに付着する
微量不純物の分析に関する。
微量不純物の分析に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェハに付着する微量の不
純物を分析する方法の一つとして、蛍光Ｘ線分析方法が
知られている。図３に示すように、半導体ウェハ、例え
ばシリコンウェハ３１に入射Ｘ線３２を入射すると、シ
リコンウェハ１１上に付着した不純物３３から蛍光Ｘ線
（実線により図示）３４が生ずる。その蛍光Ｘ線３４の
波長と強度を分析することにより、不純物３３を判明す
ることができる。通常、入射Ｘ線３２の入射角度φは全
反射臨界角φcrit（全反射現象が起こり得る入射角度）
より大きく、その場合入射Ｘ線３２はシリコンウェハ３
１の内部にまで侵入する。そのため、シリコンウェハ３
１自体から蛍光Ｘ線（破線により図示）３４が生じる。
このように通常の蛍光Ｘ線分析方法では、母材からの蛍
光Ｘ線によるバックグランド上昇を招き問題であった。
純物を分析する方法の一つとして、蛍光Ｘ線分析方法が
知られている。図３に示すように、半導体ウェハ、例え
ばシリコンウェハ３１に入射Ｘ線３２を入射すると、シ
リコンウェハ１１上に付着した不純物３３から蛍光Ｘ線
（実線により図示）３４が生ずる。その蛍光Ｘ線３４の
波長と強度を分析することにより、不純物３３を判明す
ることができる。通常、入射Ｘ線３２の入射角度φは全
反射臨界角φcrit（全反射現象が起こり得る入射角度）
より大きく、その場合入射Ｘ線３２はシリコンウェハ３
１の内部にまで侵入する。そのため、シリコンウェハ３
１自体から蛍光Ｘ線（破線により図示）３４が生じる。
このように通常の蛍光Ｘ線分析方法では、母材からの蛍
光Ｘ線によるバックグランド上昇を招き問題であった。
【０００３】そこで、図４に示すように、全反射蛍光Ｘ
線分析方法が提案されている。この方法では、入射Ｘ線
３２を非常に低い角度でシリコンウェハ１１表面に入射
すると、シリコンウェハ３１内部にまで侵入せず、シリ
コンウェハ３１表面で反射するという全反射現象を利用
する。このときの入射角度φは全反射臨界角φcrit以下
である。全反射蛍光Ｘ線分析装置内部に組み込まれてい
る半導体検出器をシリコンウェハ表面上に対して真上に
固定し、半導体検出器により、任意の座標でφ１８〜２
０ｍｍ範囲の蛍光Ｘ線を検出する。その際の感度ＥはＥ
＝１０ atoms／ｃｍ2程度である。この方法によれば、
通常の蛍光Ｘ線分析方法に比べて、入射Ｘ線の散乱及び
母材からの蛍光Ｘ線によるバックグランド上昇を抑制す
ることができ、より高感度な分析が可能である。
線分析方法が提案されている。この方法では、入射Ｘ線
３２を非常に低い角度でシリコンウェハ１１表面に入射
すると、シリコンウェハ３１内部にまで侵入せず、シリ
コンウェハ３１表面で反射するという全反射現象を利用
する。このときの入射角度φは全反射臨界角φcrit以下
である。全反射蛍光Ｘ線分析装置内部に組み込まれてい
る半導体検出器をシリコンウェハ表面上に対して真上に
固定し、半導体検出器により、任意の座標でφ１８〜２
０ｍｍ範囲の蛍光Ｘ線を検出する。その際の感度ＥはＥ
＝１０ atoms／ｃｍ2程度である。この方法によれば、
通常の蛍光Ｘ線分析方法に比べて、入射Ｘ線の散乱及び
母材からの蛍光Ｘ線によるバックグランド上昇を抑制す
ることができ、より高感度な分析が可能である。
【０００４】更に，より一層の高感度分析が必要な場合
には、シリコンウェハ表面をフッ酸処理した後に、上述
した全反射蛍光Ｘ線分析を行う。まず、シリコンウェハ
表面に付着した金属不純物を気相のフッ酸で分解後、表
面上を希フッ酸の液滴で走査して液滴中に金属不純物を
回収し、その金属不純物を含む液滴をシリコンウェハ表
面で蒸発乾固させる。この部分を全反射蛍光Ｘ線分析装
置を用いて分析する。このように、分析面積／液滴の乾
固面積の比を大きくすることで分析感度を向上させる技
術が提案されている。
には、シリコンウェハ表面をフッ酸処理した後に、上述
した全反射蛍光Ｘ線分析を行う。まず、シリコンウェハ
表面に付着した金属不純物を気相のフッ酸で分解後、表
面上を希フッ酸の液滴で走査して液滴中に金属不純物を
回収し、その金属不純物を含む液滴をシリコンウェハ表
面で蒸発乾固させる。この部分を全反射蛍光Ｘ線分析装
置を用いて分析する。このように、分析面積／液滴の乾
固面積の比を大きくすることで分析感度を向上させる技
術が提案されている。
【０００５】しかしながら、上記方法による分析であっ
ても、図５に示すように、シリコンの蛍光Ｘ線がメイン
ピ−クとして必ず現れる。高感度型の全反射蛍光Ｘ線の
検出器として、通常エネルギ−分散型の半導体検出器が
用いられるが、この検出器がもつエネルギ−分解能は百
数十ｅＶである。そのため１．７４ＫｅＶにシリコンの
大きなピ−クが現れると、このエネルギ−位置から０．
２５ＫｅＶあるいは０．２７ＫｅＶしか離れていないア
ルミニウム（Ａｌ）あるいはリン（Ｐ）のピ−クに重な
り、これらの元素は分析不可能となる。また、検出器の
Ｓ／Ｎ比によって、シリコンのピ−クが大きいとバック
グラウンドが高くなり、他の金属不純物のバックグラウ
ンドも高くなるため、高感度分析は困難である。
ても、図５に示すように、シリコンの蛍光Ｘ線がメイン
ピ−クとして必ず現れる。高感度型の全反射蛍光Ｘ線の
検出器として、通常エネルギ−分散型の半導体検出器が
用いられるが、この検出器がもつエネルギ−分解能は百
数十ｅＶである。そのため１．７４ＫｅＶにシリコンの
大きなピ−クが現れると、このエネルギ−位置から０．
２５ＫｅＶあるいは０．２７ＫｅＶしか離れていないア
ルミニウム（Ａｌ）あるいはリン（Ｐ）のピ−クに重な
り、これらの元素は分析不可能となる。また、検出器の
Ｓ／Ｎ比によって、シリコンのピ−クが大きいとバック
グラウンドが高くなり、他の金属不純物のバックグラウ
ンドも高くなるため、高感度分析は困難である。
【０００６】そこで、金属不純物を含む液滴をシリコン
ウェハの表面で蒸発させる代りに、アモルファスフッ素
樹脂のコ−ティング薄膜層を設けることが試みられてい
る。しかし、上記コ−ティング薄膜層の表面は、活性薬
液との熱反応で変質の危険があり、全反射蛍光Ｘ線分析
に必要な平坦度の点で問題がある。また、熱伝導が悪く
て乾固形状の再現性が良くない。そのため、アモルファ
スフッ素樹脂のコ−ティング薄膜層上での高感度分析は
難しい。
ウェハの表面で蒸発させる代りに、アモルファスフッ素
樹脂のコ−ティング薄膜層を設けることが試みられてい
る。しかし、上記コ−ティング薄膜層の表面は、活性薬
液との熱反応で変質の危険があり、全反射蛍光Ｘ線分析
に必要な平坦度の点で問題がある。また、熱伝導が悪く
て乾固形状の再現性が良くない。そのため、アモルファ
スフッ素樹脂のコ−ティング薄膜層上での高感度分析は
難しい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、全反射
蛍光Ｘ線分析方法によれば、半導体ウェハ上に付着する
微量不純物を多元素同時に分析することができる。しか
し、半導体ウェハ表面の任意の部分にＸ線を照射して生
じた蛍光Ｘ線を分析する場合、または半導体ウェハ表面
をフッ酸処理して液滴を蒸発乾固させた部分にＸ線を照
射して生じた蛍光Ｘ線を分析する場合のいずれの場合で
あっても、母材である半導体ウェハからの蛍光Ｘ線がメ
インピ−クとして現れ、上記母材のエネルギ−の近傍に
位置するＡｌ及びＰ等の分析は不可能である。
蛍光Ｘ線分析方法によれば、半導体ウェハ上に付着する
微量不純物を多元素同時に分析することができる。しか
し、半導体ウェハ表面の任意の部分にＸ線を照射して生
じた蛍光Ｘ線を分析する場合、または半導体ウェハ表面
をフッ酸処理して液滴を蒸発乾固させた部分にＸ線を照
射して生じた蛍光Ｘ線を分析する場合のいずれの場合で
あっても、母材である半導体ウェハからの蛍光Ｘ線がメ
インピ−クとして現れ、上記母材のエネルギ−の近傍に
位置するＡｌ及びＰ等の分析は不可能である。
【０００８】それ故に、本発明は、半導体ウェハ上に付
着する微量の不純物を全反射蛍光Ｘ線分析装置を用いて
分析する際に、半導体ウェハ自身の蛍光Ｘ線のエネルギ
−の発生を抑制し、Ａｌ及びＰ等の分析を高感度で行う
ことが可能な分析用試料板を提供することを目的とす
る。
着する微量の不純物を全反射蛍光Ｘ線分析装置を用いて
分析する際に、半導体ウェハ自身の蛍光Ｘ線のエネルギ
−の発生を抑制し、Ａｌ及びＰ等の分析を高感度で行う
ことが可能な分析用試料板を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による分析用試料
板は、全反射蛍光Ｘ線分析において検出されない元素か
らなる第１の板状支持体、又は上記元素からなる薄膜層
に表面を被覆された第２の板状支持体である。上記元素
は、Ｎａ〜Ｚｎ（原子番号：１１〜３０）以外の元素で
あり、特にＨ，Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｏ，
Ｆ，Ｎｅを主成分とするか、又はこれらの元素の化合物
である。上記第１及び第２の板状支持体の各表面は耐熱
性、疎水性及び耐酸性であると共に、全反射鏡面であ
る。
板は、全反射蛍光Ｘ線分析において検出されない元素か
らなる第１の板状支持体、又は上記元素からなる薄膜層
に表面を被覆された第２の板状支持体である。上記元素
は、Ｎａ〜Ｚｎ（原子番号：１１〜３０）以外の元素で
あり、特にＨ，Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｏ，
Ｆ，Ｎｅを主成分とするか、又はこれらの元素の化合物
である。上記第１及び第２の板状支持体の各表面は耐熱
性、疎水性及び耐酸性であると共に、全反射鏡面であ
る。
【００１０】
【作用】上記分析用試料板の表面に、分析対象である半
導体ウェハ上に付着した不純物を含む液滴を滴下する
と、上記表面は疎水性であるため、上記液滴は点滴状に
なる。そのまま、上記液滴を蒸発乾固し、この部分にＸ
線を入射して生じる蛍光Ｘ線を分析する。その際、上記
表面は全反射蛍光Ｘ線分析にて検出されない元素から形
成されているため、上記液滴に含まれる不純物を高感度
に分析することができる。
導体ウェハ上に付着した不純物を含む液滴を滴下する
と、上記表面は疎水性であるため、上記液滴は点滴状に
なる。そのまま、上記液滴を蒸発乾固し、この部分にＸ
線を入射して生じる蛍光Ｘ線を分析する。その際、上記
表面は全反射蛍光Ｘ線分析にて検出されない元素から形
成されているため、上記液滴に含まれる不純物を高感度
に分析することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明による一実施例を図面を参照し
て説明する。図１（ａ）によれば、第１の分析用試料板
１０は、板状支持体、例えば半導体ウェハ１１上とその
表面を被覆する薄膜層１２とからなる。半導体ウェハ１
１は直径１２５mm，厚さ１mmの鏡面シリコンウェハであ
る。薄膜層１２は全反射蛍光Ｘ線分析にて検出されない
元素を主成分とする耐熱性の薄膜層である。また，その
表面は疎水性あるいは疎水性化処理されており、更に耐
酸性であると共に全反射鏡面である。具体的には、全反
射蛍光Ｘ線分析にて検出されるＮａ〜Ｚｎ（原子番号：
１１〜３０）を除く元素、特にＨ，Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂｅ，
Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｆ，Ｎｅの各元素を主成分とする単体
若しくは化合物、例えばグラファイト、無定形炭素ある
いはボロンナイトライドを用いて形成する。薄膜層１２
を無定形炭素から形成する場合、例えばスパッタ法によ
り約１０００Ａ（Ａ：オングストロ−ム）の厚さに形成
する。
て説明する。図１（ａ）によれば、第１の分析用試料板
１０は、板状支持体、例えば半導体ウェハ１１上とその
表面を被覆する薄膜層１２とからなる。半導体ウェハ１
１は直径１２５mm，厚さ１mmの鏡面シリコンウェハであ
る。薄膜層１２は全反射蛍光Ｘ線分析にて検出されない
元素を主成分とする耐熱性の薄膜層である。また，その
表面は疎水性あるいは疎水性化処理されており、更に耐
酸性であると共に全反射鏡面である。具体的には、全反
射蛍光Ｘ線分析にて検出されるＮａ〜Ｚｎ（原子番号：
１１〜３０）を除く元素、特にＨ，Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂｅ，
Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｆ，Ｎｅの各元素を主成分とする単体
若しくは化合物、例えばグラファイト、無定形炭素ある
いはボロンナイトライドを用いて形成する。薄膜層１２
を無定形炭素から形成する場合、例えばスパッタ法によ
り約１０００Ａ（Ａ：オングストロ−ム）の厚さに形成
する。
【００１２】また、薄膜層１２の厚さは１０００Ａに限
定することなく全反射現象が生じる膜厚であればよく、
形成方法もＰＶＤ法あるいはＣＶＤ法あるいは熱による
変成法でも構わない。尚、薄膜層１２を無機質とする
と、より高感度な分析をするこが可能である。
定することなく全反射現象が生じる膜厚であればよく、
形成方法もＰＶＤ法あるいはＣＶＤ法あるいは熱による
変成法でも構わない。尚、薄膜層１２を無機質とする
と、より高感度な分析をするこが可能である。
【００１３】同図（ｂ）によれば、第２の分析用試料板
１０´は薄膜層１２のみからなる板状支持体である。こ
の場合の薄膜層１２は、第１の分析用試料板１０に相当
する厚さに形成され、上述と同様の元素を主成分とする
単体若しくは化合物を用いて形成される。
１０´は薄膜層１２のみからなる板状支持体である。こ
の場合の薄膜層１２は、第１の分析用試料板１０に相当
する厚さに形成され、上述と同様の元素を主成分とする
単体若しくは化合物を用いて形成される。
【００１４】以下、第１の分析用試料板１０を用いた全
反射蛍光Ｘ線分析方法を説明する。但し、薄膜層１２を
無定形炭素から形成した場合とする。まず、半導体ウェ
ハ表面に付着する金属不純物を気相のフッ酸で分解し、
半導体ウェハ表面を疎水性とする。その後、半導体ウェ
ハ表面上を希フッ酸の液滴で走査し、その液滴中に上記
金属不純物を回収する。次に、上記金属不純物を含む液
滴（以下、液滴Ａ）を第１の分析用試料板１０の薄膜層
１２上に滴下する。その際、薄膜層１２は疎水性である
ため液滴Ａとの接触角は非常に大きく、液滴Ａは点滴状
になる。この状態のまま液滴Ａを蒸発乾固して濃縮す
る。その部分にＸ線を非常に低い角度で入射して、それ
により生じた蛍光Ｘ線を全反射蛍光Ｘ線装置を用いて測
定する。
反射蛍光Ｘ線分析方法を説明する。但し、薄膜層１２を
無定形炭素から形成した場合とする。まず、半導体ウェ
ハ表面に付着する金属不純物を気相のフッ酸で分解し、
半導体ウェハ表面を疎水性とする。その後、半導体ウェ
ハ表面上を希フッ酸の液滴で走査し、その液滴中に上記
金属不純物を回収する。次に、上記金属不純物を含む液
滴（以下、液滴Ａ）を第１の分析用試料板１０の薄膜層
１２上に滴下する。その際、薄膜層１２は疎水性である
ため液滴Ａとの接触角は非常に大きく、液滴Ａは点滴状
になる。この状態のまま液滴Ａを蒸発乾固して濃縮す
る。その部分にＸ線を非常に低い角度で入射して、それ
により生じた蛍光Ｘ線を全反射蛍光Ｘ線装置を用いて測
定する。
【００１５】尚、液滴Ａを蒸発乾固するため、薄膜層１
２の表面は耐熱性であることが望ましい。また、本発明
による薄膜層１２であると、薄膜層１２と液滴Ａとの反
応も生じないため、薄膜層１２の表面は変質しない。従
って、全反射蛍光Ｘ線分析に必要な平坦度は確保され
る。更に、薄膜層１２の熱伝導はよいため、液滴Ａの乾
固形状の再現性は良好である。
２の表面は耐熱性であることが望ましい。また、本発明
による薄膜層１２であると、薄膜層１２と液滴Ａとの反
応も生じないため、薄膜層１２の表面は変質しない。従
って、全反射蛍光Ｘ線分析に必要な平坦度は確保され
る。更に、薄膜層１２の熱伝導はよいため、液滴Ａの乾
固形状の再現性は良好である。
【００１６】図２は、その分析結果を示している。同図
によれば、シリコンの蛍光Ｘ線強度を非常に低下させる
ことができる。それにより、シリコンのエネルギ−位置
から０．２５ｋｅＶあるいは０．２７ＫｅＶしか離れて
いないＡｌあるいはＰであっても、それらのピ−クがは
っきりするので、ＡｌあるいはＰを検出することができ
る。但し、同図ではＰのピ−クは確認されず、Ｐは存在
していないことが判明する。
によれば、シリコンの蛍光Ｘ線強度を非常に低下させる
ことができる。それにより、シリコンのエネルギ−位置
から０．２５ｋｅＶあるいは０．２７ＫｅＶしか離れて
いないＡｌあるいはＰであっても、それらのピ−クがは
っきりするので、ＡｌあるいはＰを検出することができ
る。但し、同図ではＰのピ−クは確認されず、Ｐは存在
していないことが判明する。
【００１７】このように、第１の分析用試料板１０で
は、母材となる薄膜層１２からの蛍光Ｘ線は生じないた
め、液滴Ａの蒸発乾固したものを高精度に分析すること
ができる。従来、シリコンウェハ上にて分析した際に
は、分析不可能であったＡｌ、あるいはＰ等のようなシ
リコンのエネルギ−位置の近傍の金属不純物分析が可能
となる。
は、母材となる薄膜層１２からの蛍光Ｘ線は生じないた
め、液滴Ａの蒸発乾固したものを高精度に分析すること
ができる。従来、シリコンウェハ上にて分析した際に
は、分析不可能であったＡｌ、あるいはＰ等のようなシ
リコンのエネルギ−位置の近傍の金属不純物分析が可能
となる。
【００１８】尚、第２の分析用試料板１０´を用いた場
合も第１の分析用試料板１０と同様の効果を得ることが
できる。薄膜層１２のみの構成であるので、第１の分析
用試料板１０に比べて、よりいっそうシリコンの蛍光Ｘ
線強度を低下させることが可能であり、分析感度あるい
は分析精度の向上が可能となる。
合も第１の分析用試料板１０と同様の効果を得ることが
できる。薄膜層１２のみの構成であるので、第１の分析
用試料板１０に比べて、よりいっそうシリコンの蛍光Ｘ
線強度を低下させることが可能であり、分析感度あるい
は分析精度の向上が可能となる。
【００１９】また、検出器のＳ／Ｎ比は変更できないた
め、メインピ−クであるシリコンピ−クが低く抑制され
ると全体のバックグラウンドが非常に低下する。つま
り、他の測定対象元素のエネルギ−位置のバックグラウ
ンドも低下するため、これらの元素の高感度分析も可能
となる。特に、低エネルギ−位置に現れるＮａ，Ｍｇ等
のバックグラウンド低下には効果があり、通常用いられ
ているエネルギ−分散型の半導体検出器を使用した場合
でも、低エネルギ−から高エネルギ−までの金属不純物
の分析感度、及び分析精度を著しく向上させることが可
能となる。
め、メインピ−クであるシリコンピ−クが低く抑制され
ると全体のバックグラウンドが非常に低下する。つま
り、他の測定対象元素のエネルギ−位置のバックグラウ
ンドも低下するため、これらの元素の高感度分析も可能
となる。特に、低エネルギ−位置に現れるＮａ，Ｍｇ等
のバックグラウンド低下には効果があり、通常用いられ
ているエネルギ−分散型の半導体検出器を使用した場合
でも、低エネルギ−から高エネルギ−までの金属不純物
の分析感度、及び分析精度を著しく向上させることが可
能となる。
【００２０】
【発明の効果】本発明による分析試料板の表面は全反射
蛍光Ｘ線分析にて検出されない元素から形成されてお
り、その上に分析対象である半導体ウェハ上を走査した
液滴を滴下及び蒸発乾固させる。つまり、分析試料板上
は上記液滴を分析するためのものであり、分析時に母材
である分析試料板からの蛍光Ｘ線は検出されず、上記液
滴に含まれる元素を高感度に分析することができる。
蛍光Ｘ線分析にて検出されない元素から形成されてお
り、その上に分析対象である半導体ウェハ上を走査した
液滴を滴下及び蒸発乾固させる。つまり、分析試料板上
は上記液滴を分析するためのものであり、分析時に母材
である分析試料板からの蛍光Ｘ線は検出されず、上記液
滴に含まれる元素を高感度に分析することができる。
【図１】本発明による分析試料板を示す断面図であり、
（ａ）は第１の分析試料板、（ｂ）は第２の分析試料板
を示す。
（ａ）は第１の分析試料板、（ｂ）は第２の分析試料板
を示す。
【図２】第１の分析試料板を用いて全反射蛍光Ｘ線分析
をした分析結果を示す。
をした分析結果を示す。
【図３】通常の蛍光Ｘ線分析を示す断面図である。
【図４】全反射蛍光Ｘ線分析を示す断面図である。
【図５】従来のシリコンウェハ上で全反射蛍光Ｘ線分析
をした分析結果を示す。
をした分析結果を示す。
１０…第１の分析用試料板、１０´…第２の分析用試料
板 １１…半導体ウェハ、１２…薄膜層
板 １１…半導体ウェハ、１２…薄膜層
フロントページの続き
(72)発明者 村岡 久志
神奈川県横浜市港北区新羽町735番地
株式会社ピュアレックス内
(56)参考文献 特開 平６−21186（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/66
G01N 23/223
G01R 31/26
Claims (7)
- 【請求項１】 液滴状の分析試料を全反射蛍光Ｘ線分析
する際に用いられる板状の分析用試料板において、 少なくとも上記分析用試料板の表面は、全反射蛍光Ｘ線
分析にて検出されないＨ、Ｈｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、
Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｎｅの元素又はこれら元素の化合物からな
る耐熱性の薄膜層であることを特徴とする分析用試料
板。 - 【請求項２】 上記分析用試料板の表面は、疎水性であ
ることを特徴とする請求項１記載の分析用試料板。 - 【請求項３】 上記分析用試料板の表面は、耐酸性であ
ることを特徴とする請求項１記載の分析用試料板。 - 【請求項４】 液滴状の分析試料を全反射蛍光Ｘ線分析
する際に用いられる板状の分析用試料板において、 少なくとも上記分析用試料板の表面は、全反射蛍光Ｘ線
分析にて検出されないグラファイト、無定形炭素、又は
ボロンナイトライドからなる耐熱性の薄膜層であること
を特徴とする分析用試料板。 - 【請求項５】 液滴状の分析試料を全反射蛍光Ｘ線分析
する際に用いられる板状の分析用試料板は、 シリコン基板と、上記シリコン基板上に設けられた全反
射蛍光Ｘ線分析にて検出されないＨ、Ｈｅ、Ｌｉ、Ｂ
ｅ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｎｅの元素又はこれら元素の
化合物からなる耐熱性の薄膜層とからなることを特徴と
する分析用試料板。 - 【請求項６】 液滴状の分析試料を全反射蛍光Ｘ線分析
する際に用いられる板状の分析用試料板は、 全反射蛍光Ｘ線分析にて検出されないＨ、Ｈｅ、Ｌｉ、
Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｎｅの元素又はこれら元素
の化合物からなる耐熱性の薄板からなることを特徴とす
る分析用試料板。 - 【請求項７】 液滴状の分析試料を全反射蛍光Ｘ線分析
する際に用いられる板状の分析用試料板は、 全反射蛍光Ｘ線分析にて検出されないグラファイト、無
定形炭素、又はボロンナイトライドからなる耐熱性の薄
板からなることを特徴とする分析用試料板。
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