JP3323042B2 - 三次元元素濃度分布測定方法及び装置 - Google Patents

三次元元素濃度分布測定方法及び装置

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JP3323042B2 JP27595195A JP27595195A JP3323042B2 JP 3323042 B2 JP3323042 B2 JP 3323042B2 JP 27595195 A JP27595195 A JP 27595195A JP 27595195 A JP27595195 A JP 27595195A JP 3323042 B2 JP3323042 B2 JP 3323042B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高い空間分解能を
有する元素濃度分布測定方法及び装置に関し、特に、分
析電子顕微鏡を用いて三次元(膜厚)方向の元素濃度分
布を測定する方法及び装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子中の元素濃度分布は素子の基
本特性を決め、また、半導体素子中に重金属などがある
と欠陥生成の原因となる。従って、半導体素子の歩留ま
り向上とも関連して、半導体素子中の元素濃度分布を精
密に測定することが求められている。
【0003】従来、膜の厚さ方向の元素濃度分布を測定
する手法として二次イオン質量分析法(Secondary Ion
Mass Spectroscopy、略してSIMS)があるが、SI
MSで用いられるプローブ径は約1μmであり、0.5
μm以下の加工寸法で製造される半導体素子中の元素濃
度分布測定には適用できない。そこで、半導体素子中の
元素分析には、高い空間分解能を有する分析電子顕微鏡
−特性X線分析法(Energy Dispersive X-ray Spectros
copy、略してEDX)が用いられている。また、主とし
て軽元素の分析を行うには、分析電子顕微鏡−電子エネ
ルギ損失分光(Electron Energy Loss Spectroscop
y、略してEELS)法も用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】分析電子顕微鏡−ED
X法により半導体素子中の元素濃度分布を求める場合、
理論的には、平面薄膜試料を作成することによりx−y
方向の分布が測定でき、断面薄膜試料を作成することに
よりx−z、あるいはy−z方向の分布が測定できる。
【0005】分析電子顕微鏡のプローブ径は普通、1n
mから10nmである。一方、薄膜試料の膜厚は、0.
1μmから0.2μmであるため、測定領域は、長さ/
直径の比が100以上のきわめて細長い円柱状であり、
基本的にこの長さ(膜厚)方向で元素濃度は一定である
と仮定している。しかし、実際の試料では、この長さ
(膜厚)方向に濃度分布があり、これが精密な元素濃度
分布測定の障害となっている。このことは、分析電子顕
微鏡−EELS法においても全く同じである。膜厚方向
の元素濃度分布を計測する手段として、試料を傾斜させ
て分析を行い、最終的に膜厚方向の元素濃度分布を算出
する手法も提案されている。しかし、この方法は、x−
y平面上での位置精度が悪くなるだけでなく、試料傾斜
に伴ってx−y平面上での測定位置が広がるとともに変
化し、結局、プローブ径に比べてx−y平面上では広範
囲の領域で均一な濃度分布が要求されることになり、精
密な元素濃度分布測定から逸脱してしまう。
【0006】本発明は、分析電子顕微鏡による計測にお
いて、試料の平面方向で高い空間分解能を維持しなが
ら、膜厚方向の元素濃度分布を精密に評価することので
きる方法及び装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明では、分析電子顕
微鏡におけるEDXとEELSの信号を演算することで
膜厚方向の元素濃度分布を求める。EELSの信号の代
わりに、複数のEDX信号を用いることも可能である。
単一のEDX検出器を用いた場合でも、EDXの検出角
を走査して計測したり、形状が非対称である試料を電子
線照射軸の回りに回転することで、試料による遮蔽状態
を変えて複数回計測することで膜厚方向の元素濃度分布
測定が可能となる。
【0008】EELS検出器と単一のEDX検出器を用
いた場合には、電子エネルギー損失スペクトル強度から
試料の膜厚方向の平均元素濃度を求めることができ、特
性X線信号と電子エネルギー損失スペクトル信号との差
から試料膜厚方向の元素濃度分布の濃度勾配を求めるこ
とができる。複数のEDX検出器を用いたり、単一のE
DX検出器でもその検出角度を走査して多くの計測値を
得ると、それらの計測値を演算することにより、試料膜
厚方向の元素濃度分布を2次以上の多項式で近似するこ
とができる。
【0009】また、本発明による三次元元素濃度分布測
定装置は、電子線発生手段と、電子線発生手段により発
生した電子線を試料に照射する手段と、試料から発生し
た特性X線を検出する第1の検出器と、試料を透過した
電子線の電子エネルギー損失スペクトルを検出する第2
の検出器と、第1の検出器及び第2の検出器の出力を演
算して試料の膜厚方向の元素分布を求める演算手段とを
含むことを特徴とする。
【0010】以下、図面を参照して、より詳細に説明す
る。図1は、計測領域からの信号をEDXとEELSで
取り込む分析電子顕微鏡の模式図である。電子銃6から
放出された電子線4は収束レンズ7によって試料1上に
収束される。このとき電子線照射によって試料1から発
せられた特性X線5はEDX検出器2によって検出され
る。一方、試料1を透過した電子線は、対物レンズ8及
び投射レンズ9によって像10として結像され、スリッ
ト11の後方に配置されたEELS検出器3は試料計測
領域を透過した電子線をエネルギー分析して電子のエネ
ルギー損失スペクトルを求める。EDX検出器2の出力
信号とEELS検出器3の出力信号は、演算装置12に
入力されて演算される。
【0011】EELSに関しては、試料1を透過する電
子線は、試料中の各元素で固有のエネルギー損失を生じ
てEELS検出器3に入り、電子のエネルギー損失量と
その強度から元素の種類と濃度が算出できる。この場
合、透過電子線はほぼ全量が検出器に入るため、試料の
膜厚方向の元素濃度分布には無関係に、各元素は平均濃
度が検出される。一方、EDX測定では、試料1を透過
する電子線は、試料中の各元素に固有の特性X線を放出
させ、このX線のエネルギーと強度を検出して、元素の
種類と濃度を算出する。このとき、特性X線5は試料1
から等方的に放出されるが、EDX検出器2に取り込ま
れるのはその一部である。そして、試料の膜厚方向に元
素濃度分布があると、試料自身の遮蔽効果により信号強
度に変化が生じる。
【0012】すなわち、図2に示すように、ある元素が
膜試料1の上部領域に存在すると、放出されたX線5a
はEDX検出器2の立体角にほぼ等しい割合で取り込ま
れる。しかし、その元素が膜の下部領域にあると、放出
されたX線5bは膜試料1自体で吸収されるため、ED
X検出器2の立体角に比べて低い割合でしか取り込まれ
ない。
【0013】このことから、平均の元素濃度を与えるE
ELS信号と、膜厚方向の元素濃度分布に依存するED
X信号を組合せて演算装置12で演算することにより、
試料の膜厚方向の元素濃度分布を算出することが可能と
なる。なお、従来、分析電子顕微鏡に備付けられたED
XとEELSとを用いて、分析結果の確認をした例はあ
る(日本電子顕微鏡学会第51回学術講演会予稿集、
p.33,1995年5月)。しかし、両者の信号の差
を演算することにより、新たな情報を得ようとした試み
はこれまでにない。
【0014】図3(a),(b)は、Si中のW元素濃
度分布が膜厚方向で異なる場合のEDX検出効率の差を
示す。図中、実線はSi中の実際のW元素濃度を表し、
破線は実線で示されるような元素濃度勾配がある試料か
ら発せられるX線をEDX検出器で検出するとき、膜厚
方向各位置のW元素から発せられたX線がEDX検出器
の総カウント数に対して寄与する寄与度を表す。図の横
軸は、図2の配置で膜試料1の底面から測った膜厚方向
の距離z(μm)を表し、縦軸の左の目盛りはW元素の
濃度を、右の目盛りはEDX検出器のカウント数に対す
る寄与度を任意尺度で表す。
【0015】図3(a)はW元素が試料の膜厚方向に直
線的な濃度勾配をもって上部領域に多く存在する場合を
表し、図3(b)はW元素が試料の膜厚方向に直線的な
濃度勾配をもって逆に下部領域に多く存在する場合を表
す。なお、EDX検出器の総カウント数は、図中の破線
の下側領域を積分したものに相当する。W元素が膜の上
部領域に多く存在する図3(a)の場合に比べ、図3
(b)のようにW元素が膜の下部領域に多く存在するほ
ど、W元素から放出される8.4eVのX線が膜を構成
しているSi元素によって吸収、散乱される割合が増加
し、検出効率は低下する。従って、EELSとEDX各
々1台からの信号を用いると、膜厚方向に直線(一次
式)で近似した元素濃度分布が得られることになる。す
なわち、EDX信号から算出した見かけ上の元素濃度
と、EELS信号による元素濃度が等しい場合、この元
素濃度は膜厚方向で一様である。しかし、EDX信号に
よる見かけ上の元素濃度がEELS信号による元素濃度
よりも小(大)のとき、この元素濃度は膜厚方向に下部
から上部に向かって減少(増加)している。言いかえれ
ば、EELSの信号は濃度直線の切片(厚さ方向中央部
での濃度)を与え、EELSとEDXの信号強度の差は
濃度直線の傾きを与える。
【0016】さらに、EDX検出器を試料面に対して異
なった角度で2台設置すると、2つの膜厚方向情報が得
られるため、膜厚方向の元素濃度分布を二次曲線で近似
することが可能になる。同様に、図4に示すように、E
DX検出器を試料面に対する角度で走査して多数の信号
を取り込むと、図5に示すように、膜厚方向に多次曲線
で近似した元素濃度分布曲線が得られる。
【0017】検出器の数を増やすかわりに、試料形状を
工夫する方法もある。すなわち、収束イオンビーム(Fo
cused Ion Beam、略してFIB)を用いて、図6に示す
ように膜厚がステップ状に変化している形状に試料を加
工すれば(あるいは、膜厚方向にステップ状に加工され
た試料部位を利用してもよい)、固定した取り込み角を
持つ単一のEDX検出器とEELSを使用しても、試料
をx−y面上で例えば180°回転して2回信号を取り
込むことにより、膜厚方向に二次曲線で近似した元素濃
度分布を得ることが可能である。
【0018】本発明の原理を一般化して説明する。膜厚
がtである試料の膜厚方向(z方向)の元素濃度分布を
f(z)、試料面に対して角度θで設置されたEDX検出
器による検出信号をCEDX(θ)、試料中の膜厚方向位置
zから放出されたX線がX線発生点とEDX検出器の間
に介在する試料で吸収、散乱を受けることを考慮した検
出効率をg(θ,z)とすると、以下の関係が成立する。
【0019】CEDX(θ)=∫f(z)g(θ,z)dz ここでg(θ,z)は、試料による既知のX線減衰係数、
試料の形状、試料とEDX検出器の位置関係から求める
ことができ、典型的には図9のようになる。図9は膜厚
方向の距離zを横軸とし、膜厚が0.1μmのとき試料
表面から発せられたX線を検出するときの検出効率を1
としたEDX検出器の検出効率を縦軸として、検出角度
が30°の時の検出効率曲線g(30°,z)と検出角度
が60°の時の検出効率曲線g(60°,z)を示したも
のである。
【0020】いま、元素濃度分布f(z)を次のn次の多
項式で近似する。 f(z)=a0+a1z+a22+…+ann EELS信号CEELSはf(z)の平均値を表し、Aを比例
係数として次式が成立する。 CEELS=A∫f(z)dz/t 試料面に対して角度θ1,θ2,…,θnで設置したED
X検出器の検出信号CE DX1),CEDX2),…,C
EDXn)を検出すると、(n+1)個の未知数a0
1,a2,…,anに対してEELS信号CEELSと合わ
せて(n+1)個の関係式が得られるため、連立方程式
を解いて係数a0,a1,a2,…,anの値を決定するこ
と、すなわち膜厚方向の元素濃度分布f(z)を求めるこ
とができる。
【0021】EELS検出器を用いない場合であって
も、EDX検出器の検出角度を変えた検出信号をもう一
つ増やすことにより、同様にして(n+1)個の連立方
程式を解いて係数a0,a1,a2,…,anを求めること
が可能である。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について説
明する。ただし、以下に記載した数値や数式はあくまで
も説明の便宜のためのものであり、これによって本発明
が限定されるものではない。第1の実施例について説明
する。試料は半導体シリコン素子のコンタクト部であ
り、合金Al−Cu−Siとシリコンの間には、アルミ
ニウムとシリコンとの反応を避けるために、バリアメタ
ルと呼ばれるタングステンが使われている。FIBを用
いてTEM用断面試料を作成した。膜厚は約0.1μm
である。
【0023】図7に試料の断面構造を模式的に示す。シ
リコン基板21上に部分的に酸化膜22(LOCOS)
を形成した後、ボロンリンガラス膜(BPSG)23を
気相成長法により堆積する。ホトエッチング工程により
コンタクト部分を開口した後、バリアメタルであるタン
グステン24をDCマグネトロンスパッタ法により形成
する。次に、700℃、30分間の熱処理を行ってシリ
サイド膜26を形成する。続いて、Al−Cu−Si合
金をスパッタ法により形成し、ホトエッチング工程によ
りアルミニウム配線25を完成させる。タングステンシ
リサイド領域26で、図中に示した丸印は、電子ビーム
を当てて元素分析を行う位置を示している。
【0024】従来は、膜厚方向(z軸方向)の元素濃度
は一定と仮定して、x−y面上での元素濃度分布を測定
していた。実際には膜厚方向に濃度分布があるため、各
点のz軸方向の濃度分布計測について述べる。検出器
は、試料面すなわちx−y面に対して60°の角度で設
置したEDXと、EELSを用いた。EELSスペクト
ルでは、SiとWは、それぞれ99eV、1897eV
の位置にピークが観察され、ピーク強度比からWの平均
濃度は14.8at%となった。次に、EDX測定で
は、SiとWは、それぞれ1.74eVと8.40eVの
位置に特性X線のピークが観察され、ピーク強度比から
Wの見かけ上の濃度は5.14at%となった。EDX
によるWの見かけ上の濃度が、EELSによるWの平均
濃度より大であるため、定性的には、Wは膜の上面から
下面方向に減少していることがわかる。
【0025】z軸方向のWの濃度分布f(z)を次の一次
式で近似する場合は以下のようになる。 f(z)=a0+a1z 膜厚0.1μmの試料におけるEDXの検出効率g(60
°,z)は、経験的に次式で与えられる。
【0026】g(60°,z)=exp30(z−0.1) 従って、次式でzを0と0.1μmの間で積分して CEDX(60°)=∫f(z)g(60°,z)dz =∫(a0+a1z){exp30(z−0.1)}dz =3.16×10-20+4.39×10-31 一方、EELSによる測定値から次式が得られる。ただ
し、zの積分は0と0.1μmの間で行う。
【0027】CEELS=∫f(z)dz=0.1a0+5×
10-31=1.48×10-2 この連立方程式を解くと、a0=0.140、a1=0.1
65となる。よって、膜厚方向の元素濃度分布は下式で
表される。 f(z)=0.140+0.165z 以上のようにして各点のz軸方向の分布を求め、最終的
にx−y−z三次元空間におけるW元素濃度分布を示す
と、例えば図8のようになる。図8は、x−y面上のコ
ンタクト端部で、W濃度は大きなz軸依存性を示すこと
を表している。
【0028】次に、第2の実施例を示す。ここでは、E
ELSは用いずに、2台のEDX検出器を使用し、試料
面に対する検出角は0°と60°に設定してある。ED
X検出器の取り出し角が0°の場合、検出効率に対する
膜厚方向の元素濃度分布の影響はほとんどなくなる。す
なわち、第1の実施例におけるEELS検出器と同様の
役割を果たす。従って、この信号強度から平均元素濃度
を算出し、両者の信号強度の差から濃度勾配を算出する
ことができる。
【0029】次に、第3の実施例について説明する。試
料としては図7に断面構造を示す第1の実施例の場合と
同じ半導体シリコン素子のコンタクト部を用いた。検出
器としては検出角度を60°及び30°とした2台のE
DXと1台のEELSを用いた。すなわち、第1の実施
例の場合に比較して検出角度が30°のEDX検出器を
1台増やして測定を行った。
【0030】前述のように、検出角度が60°のEDX
によるW元素濃度の実測値CEDX(60°)は5.14at
%、EESLによるW元素濃度の測定値CEELSは14.
8at%であり、本実施例で新たに測定した検出角度が
30°のEDXによるW元素濃度の実測値CEDX(30
°)は3.80at%であった。いま、試料のz方向の元
素濃度分布は次の2次の多項式で表されるとする。
【0031】f(z)=a0+a1z+a22 2台のEDXによる見かけの検出濃度CEDX(60°),
EDX(30°)は各々次式で表される。 CEDX(60°)=∫f(z)g(60°,z)dz CEDX(30°)=∫f(z)g(30°,z)dz 検出角度がそれぞれ60°と30°の時のEDXの検出
効率g(60°,z),g(30°,z)は経験的に次式で与
えられる。
【0032】g(60°,z)=exp30(z−0.1) g(30°,z)=exp40(z−0.1) これらの関係式を用いると次の連立方程式が得られる。 CEDX(60°)=0.317a0+2.28×10-31+1.81×10-4
2=5.14×10-3EDX(30°)=0.0246a0+1.89×10-31+1.56×10-4
2=3.80×10-3EELS=0.1a0+5×10-21+3.33×10-42=1.48×10
-2 これを解くことによりa0,a1,a2が求められ、次式
で表されるW元素の濃度分布f(z)が得られる。
【0033】f(z)=6.66z−55.5z2 図10は、この濃度分布を図示したものである。図10
と図8を比較すると明らかなように、EDX検出器の数
を増やすことで試料の厚さ方向の濃度分布の測定精度が
向上する。次に、第4の実施例について説明する。本実
施例では、図4に示すように、EDX検出器の検出角度
θを試料面に対して+45°から−45°まで走査して
信号を取り込むことで、WとSiに対する信号を各検出
角度の関数として得る。各検出角度θにおけるEDX検
出器の検出効率g(θ,z)は、計算によりあるいは経験
的に知ることができるので、前述の方法と同様にして元
素の膜厚方向濃度分布を演算することができる。この場
合、データ数が増えた分だけ測定精度を上げることがで
きる。
【0034】
【発明の効果】本発明によれば、試料の平面方向で高い
空間分解能を維持したまま、試料の膜厚(三次元)方向
の元素濃度分布を求めることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】分析電子顕微鏡の概略図。
【図2】特性X線発生の模式図。
【図3】膜厚方向の元素濃度分布の違いによるEDX検
出効率の差を説明する図。
【図4】EDX検出器を角度走査する例の説明図。
【図5】膜厚方向の元素濃度分布の説明図。
【図6】試料形状を利用して膜厚方向の元素濃度分布を
求める例の説明図。
【図7】試料の断面模式図。
【図8】x−y−z方向の元素濃度分布実測例。
【図9】EDX検出効率の膜厚及び検出角度依存性を説
明する図。
【図10】膜厚方向の元素濃度分布を示す図。
【符号の説明】
1…試料、2…EDX検出器、3…EELS検出器、4
…電子線、5…特性X線、6…電子銃、7…収束レン
ズ、8…対物レンズ、9…投射レンズ、10…電子顕微
鏡像、11…スリット、12…演算装置、21…シリコ
ン(Si)、22…シリコン酸化膜(SiO2)、23
…ボロホスホシリケートガラス(BPSG)、24…タ
ングステン膜、25…Al−Cu−Si膜、26…シリ
サイド領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斎藤 雅和 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株式会社 日立製作所 日立研究所内 (72)発明者 砂子澤 成人 茨城県ひたちなか市市毛882番地 株式 会社 日立製作所 計測器事業部内 (56)参考文献 特開 平5−340898(JP,A) 特開 昭52−113152(JP,A) 特開 昭63−279549(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 23/225 H01J 37/252

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子線照射によって試料から発生する目
    的元素の特性X線を試料面から見て異なる角度で設置し
    たn個のX線検出器で測定した試料の膜厚方向の目的元
    素の濃度分布に依存するn個の計測値と、試料を透過し
    た電子線の電子エネルギー損失スペクトルから得られる
    試料の膜厚方向の目的元素の平均濃度を与える計測値と
    を含む合計(n+1)個の計測値を用い、試料の膜厚方
    向の目的元素の濃度分布を近似するn次の多項式の(n
    +1)個の係数を算出することにより試料の膜厚方向の
    目的元素の濃度分布を求めることを特徴とする三次元元
    素濃度分布測定方法。
  2. 【請求項2】 電子線照射によって試料から発生する目
    的元素の特性X線を検出角度を異にする(n+1)個の
    検出器で計測し、前記計測値が試料の膜厚方向の目的元
    素の濃度分布と前記検出角度に依存する関係を用いて、
    試料の膜厚方向の目的元素の濃度分布を近似するn次の
    多項式の(n+1)個の係数を算出することにより試料
    の膜厚方向の目的元素の濃度分布を求めることを特徴と
    する三次元元素濃度分布測定方法。
  3. 【請求項3】 電子線照射によって試料から発生する目
    的元素の特性X線を検出角度を変化させて(n+1)回
    計測し、前記計測値が試料の膜厚方向の目的元素の濃度
    分布と前記検出角度に依存する関係を用いて、試料の膜
    厚方向の目的元素の濃度分布を近似するn次の多項式の
    (n+1)個の係数を算出することにより試料の膜厚方
    向の目的元素の濃度分布を求めることを特徴とする三次
    元元素濃度分布測定方法。
  4. 【請求項4】 電子線照射によって試料から発生する目
    的元素の特性X線を、試料による遮蔽状態の異なる(n
    +1)個の方向から計測し、前記計測値が試料の膜厚方
    向の目的元素の濃度分布と前記方向に依存する関係を用
    いて、試料の膜厚方向の目的元素の濃度分布を近似する
    n次の多項式の(n+1)個の係数を算出することによ
    り試料の膜厚方向の目的元素の濃度分布を求めることを
    特徴とする三次元元素濃度分布測定方法。
  5. 【請求項5】 形状が非対称な試料を用い、試料を電子
    線照射軸の回りに回転して試料から発生する目的元素の
    特性X線を複数回計測し、前記計測値が試料の膜厚方向
    の目的元素の濃度分布と試料の回転位置に依存する関係
    を用いて、試料の膜厚方向の目的元素の濃度分布を近似
    するn次の多項式の(n+1)個の係数を算出すること
    により試料の膜厚方向の目的元素の濃度分布を求めるこ
    とを特徴とする三次元元素濃度分布測定方法。
  6. 【請求項6】 分析電子顕微鏡を用いる元素分析方法に
    おいて、試料に電子線を照射し、試料から発生する目的
    元素の特性X線を試料面に対して角度θで設置した検出
    器で検出すると共に試料を透過した電子線の電子エネル
    ギー損失スペクトルを検出し、前記目的元素の特性X線
    強度をCEDX(θ)、試料中の膜厚方向位置zから放出さ
    れたX線が前記検出器で検出される際の検出効率をg
    (θ,z)、電子エネルギー損失スペクトルのうち目的元
    素に対応する信号強度をCEELS、一次式で近似した時の
    試料膜厚方向の目的元素の濃度分布をf(z)=a0+a1
    z、Aを比例係数、tを試料の膜厚とするとき、 CEDX(θ)=∫f(z) g(θ,z)dz CEELS=A∫f(z)dz/t から、一次式で近似した時の試料膜厚方向の目的元素の
    濃度分布f(z)を求めることを特徴とする元素分析方
    法。
  7. 【請求項7】 電子線発生手段と、前記電子線発生手段
    により発生した電子線を試料に照射する手段と、試料か
    ら発生した特性X線を検出するために試料面から見て異
    なる角度で設置したn個の特性X線検出器と、試料を透
    過した電子線の電子エネルギー損失スペクトルを検出す
    る電子エネルギー損失スペクトル検出器と、前記電子エ
    ネルギー損失スペクトル検出器の出力から試料の膜厚方
    向の目的元素の平均濃度を演算すると共に当該平均元素
    濃度と前記n個の特性X線検出器による試料の膜厚方向
    の目的元素の濃度分布に依存するn個の計測値を用い、
    試料の膜厚方向の目的元素の濃度分布を近似するn次の
    多項式の(n+1)個の係数を算出して試料の膜厚方向
    の目的元素の分布を求める演算手段とを含むことを特徴
    とする三次元元素濃度分布測定装置。
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