JP3323042B2 - 三次元元素濃度分布測定方法及び装置 - Google Patents
三次元元素濃度分布測定方法及び装置Info
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- JP3323042B2 JP3323042B2 JP27595195A JP27595195A JP3323042B2 JP 3323042 B2 JP3323042 B2 JP 3323042B2 JP 27595195 A JP27595195 A JP 27595195A JP 27595195 A JP27595195 A JP 27595195A JP 3323042 B2 JP3323042 B2 JP 3323042B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高い空間分解能を
有する元素濃度分布測定方法及び装置に関し、特に、分
析電子顕微鏡を用いて三次元（膜厚）方向の元素濃度分
布を測定する方法及び装置に関するものである。
有する元素濃度分布測定方法及び装置に関し、特に、分
析電子顕微鏡を用いて三次元（膜厚）方向の元素濃度分
布を測定する方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子中の元素濃度分布は素子の基
本特性を決め、また、半導体素子中に重金属などがある
と欠陥生成の原因となる。従って、半導体素子の歩留ま
り向上とも関連して、半導体素子中の元素濃度分布を精
密に測定することが求められている。
本特性を決め、また、半導体素子中に重金属などがある
と欠陥生成の原因となる。従って、半導体素子の歩留ま
り向上とも関連して、半導体素子中の元素濃度分布を精
密に測定することが求められている。
【０００３】従来、膜の厚さ方向の元素濃度分布を測定
する手法として二次イオン質量分析法（Secondary Ion
Mass Spectroscopy、略してＳＩＭＳ）があるが、ＳＩ
ＭＳで用いられるプローブ径は約１μｍであり、０.５
μｍ以下の加工寸法で製造される半導体素子中の元素濃
度分布測定には適用できない。そこで、半導体素子中の
元素分析には、高い空間分解能を有する分析電子顕微鏡
−特性Ｘ線分析法（Energy Dispersive X-ray Spectros
copy、略してＥＤＸ）が用いられている。また、主とし
て軽元素の分析を行うには、分析電子顕微鏡−電子エネ
ルギー損失分光（Electron Energy Loss Spectroscop
y、略してＥＥＬＳ）法も用いられている。
する手法として二次イオン質量分析法（Secondary Ion
Mass Spectroscopy、略してＳＩＭＳ）があるが、ＳＩ
ＭＳで用いられるプローブ径は約１μｍであり、０.５
μｍ以下の加工寸法で製造される半導体素子中の元素濃
度分布測定には適用できない。そこで、半導体素子中の
元素分析には、高い空間分解能を有する分析電子顕微鏡
−特性Ｘ線分析法（Energy Dispersive X-ray Spectros
copy、略してＥＤＸ）が用いられている。また、主とし
て軽元素の分析を行うには、分析電子顕微鏡−電子エネ
ルギー損失分光（Electron Energy Loss Spectroscop
y、略してＥＥＬＳ）法も用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】分析電子顕微鏡−ＥＤ
Ｘ法により半導体素子中の元素濃度分布を求める場合、
理論的には、平面薄膜試料を作成することによりｘ−ｙ
方向の分布が測定でき、断面薄膜試料を作成することに
よりｘ−ｚ、あるいはｙ−ｚ方向の分布が測定できる。
Ｘ法により半導体素子中の元素濃度分布を求める場合、
理論的には、平面薄膜試料を作成することによりｘ−ｙ
方向の分布が測定でき、断面薄膜試料を作成することに
よりｘ−ｚ、あるいはｙ−ｚ方向の分布が測定できる。
【０００５】分析電子顕微鏡のプローブ径は普通、１ｎ
ｍから１０ｎｍである。一方、薄膜試料の膜厚は、０.
１μｍから０.２μｍであるため、測定領域は、長さ／
直径の比が１００以上のきわめて細長い円柱状であり、
基本的にこの長さ（膜厚）方向で元素濃度は一定である
と仮定している。しかし、実際の試料では、この長さ
（膜厚）方向に濃度分布があり、これが精密な元素濃度
分布測定の障害となっている。このことは、分析電子顕
微鏡−ＥＥＬＳ法においても全く同じである。膜厚方向
の元素濃度分布を計測する手段として、試料を傾斜させ
て分析を行い、最終的に膜厚方向の元素濃度分布を算出
する手法も提案されている。しかし、この方法は、ｘ−
ｙ平面上での位置精度が悪くなるだけでなく、試料傾斜
に伴ってｘ−ｙ平面上での測定位置が広がるとともに変
化し、結局、プローブ径に比べてｘ−ｙ平面上では広範
囲の領域で均一な濃度分布が要求されることになり、精
密な元素濃度分布測定から逸脱してしまう。
ｍから１０ｎｍである。一方、薄膜試料の膜厚は、０.
１μｍから０.２μｍであるため、測定領域は、長さ／
直径の比が１００以上のきわめて細長い円柱状であり、
基本的にこの長さ（膜厚）方向で元素濃度は一定である
と仮定している。しかし、実際の試料では、この長さ
（膜厚）方向に濃度分布があり、これが精密な元素濃度
分布測定の障害となっている。このことは、分析電子顕
微鏡−ＥＥＬＳ法においても全く同じである。膜厚方向
の元素濃度分布を計測する手段として、試料を傾斜させ
て分析を行い、最終的に膜厚方向の元素濃度分布を算出
する手法も提案されている。しかし、この方法は、ｘ−
ｙ平面上での位置精度が悪くなるだけでなく、試料傾斜
に伴ってｘ−ｙ平面上での測定位置が広がるとともに変
化し、結局、プローブ径に比べてｘ−ｙ平面上では広範
囲の領域で均一な濃度分布が要求されることになり、精
密な元素濃度分布測定から逸脱してしまう。
【０００６】本発明は、分析電子顕微鏡による計測にお
いて、試料の平面方向で高い空間分解能を維持しなが
ら、膜厚方向の元素濃度分布を精密に評価することので
きる方法及び装置を提供することを目的とする。
いて、試料の平面方向で高い空間分解能を維持しなが
ら、膜厚方向の元素濃度分布を精密に評価することので
きる方法及び装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では、分析電子顕
微鏡におけるＥＤＸとＥＥＬＳの信号を演算することで
膜厚方向の元素濃度分布を求める。ＥＥＬＳの信号の代
わりに、複数のＥＤＸ信号を用いることも可能である。
単一のＥＤＸ検出器を用いた場合でも、ＥＤＸの検出角
を走査して計測したり、形状が非対称である試料を電子
線照射軸の回りに回転することで、試料による遮蔽状態
を変えて複数回計測することで膜厚方向の元素濃度分布
測定が可能となる。
微鏡におけるＥＤＸとＥＥＬＳの信号を演算することで
膜厚方向の元素濃度分布を求める。ＥＥＬＳの信号の代
わりに、複数のＥＤＸ信号を用いることも可能である。
単一のＥＤＸ検出器を用いた場合でも、ＥＤＸの検出角
を走査して計測したり、形状が非対称である試料を電子
線照射軸の回りに回転することで、試料による遮蔽状態
を変えて複数回計測することで膜厚方向の元素濃度分布
測定が可能となる。
【０００８】ＥＥＬＳ検出器と単一のＥＤＸ検出器を用
いた場合には、電子エネルギー損失スペクトル強度から
試料の膜厚方向の平均元素濃度を求めることができ、特
性Ｘ線信号と電子エネルギー損失スペクトル信号との差
から試料膜厚方向の元素濃度分布の濃度勾配を求めるこ
とができる。複数のＥＤＸ検出器を用いたり、単一のＥ
ＤＸ検出器でもその検出角度を走査して多くの計測値を
得ると、それらの計測値を演算することにより、試料膜
厚方向の元素濃度分布を２次以上の多項式で近似するこ
とができる。
いた場合には、電子エネルギー損失スペクトル強度から
試料の膜厚方向の平均元素濃度を求めることができ、特
性Ｘ線信号と電子エネルギー損失スペクトル信号との差
から試料膜厚方向の元素濃度分布の濃度勾配を求めるこ
とができる。複数のＥＤＸ検出器を用いたり、単一のＥ
ＤＸ検出器でもその検出角度を走査して多くの計測値を
得ると、それらの計測値を演算することにより、試料膜
厚方向の元素濃度分布を２次以上の多項式で近似するこ
とができる。
【０００９】また、本発明による三次元元素濃度分布測
定装置は、電子線発生手段と、電子線発生手段により発
生した電子線を試料に照射する手段と、試料から発生し
た特性Ｘ線を検出する第１の検出器と、試料を透過した
電子線の電子エネルギー損失スペクトルを検出する第２
の検出器と、第１の検出器及び第２の検出器の出力を演
算して試料の膜厚方向の元素分布を求める演算手段とを
含むことを特徴とする。
定装置は、電子線発生手段と、電子線発生手段により発
生した電子線を試料に照射する手段と、試料から発生し
た特性Ｘ線を検出する第１の検出器と、試料を透過した
電子線の電子エネルギー損失スペクトルを検出する第２
の検出器と、第１の検出器及び第２の検出器の出力を演
算して試料の膜厚方向の元素分布を求める演算手段とを
含むことを特徴とする。
【００１０】以下、図面を参照して、より詳細に説明す
る。図１は、計測領域からの信号をＥＤＸとＥＥＬＳで
取り込む分析電子顕微鏡の模式図である。電子銃６から
放出された電子線４は収束レンズ７によって試料１上に
収束される。このとき電子線照射によって試料１から発
せられた特性Ｘ線５はＥＤＸ検出器２によって検出され
る。一方、試料１を透過した電子線は、対物レンズ８及
び投射レンズ９によって像１０として結像され、スリッ
ト１１の後方に配置されたＥＥＬＳ検出器３は試料計測
領域を透過した電子線をエネルギー分析して電子のエネ
ルギー損失スペクトルを求める。ＥＤＸ検出器２の出力
信号とＥＥＬＳ検出器３の出力信号は、演算装置１２に
入力されて演算される。
る。図１は、計測領域からの信号をＥＤＸとＥＥＬＳで
取り込む分析電子顕微鏡の模式図である。電子銃６から
放出された電子線４は収束レンズ７によって試料１上に
収束される。このとき電子線照射によって試料１から発
せられた特性Ｘ線５はＥＤＸ検出器２によって検出され
る。一方、試料１を透過した電子線は、対物レンズ８及
び投射レンズ９によって像１０として結像され、スリッ
ト１１の後方に配置されたＥＥＬＳ検出器３は試料計測
領域を透過した電子線をエネルギー分析して電子のエネ
ルギー損失スペクトルを求める。ＥＤＸ検出器２の出力
信号とＥＥＬＳ検出器３の出力信号は、演算装置１２に
入力されて演算される。
【００１１】ＥＥＬＳに関しては、試料１を透過する電
子線は、試料中の各元素で固有のエネルギー損失を生じ
てＥＥＬＳ検出器３に入り、電子のエネルギー損失量と
その強度から元素の種類と濃度が算出できる。この場
合、透過電子線はほぼ全量が検出器に入るため、試料の
膜厚方向の元素濃度分布には無関係に、各元素は平均濃
度が検出される。一方、ＥＤＸ測定では、試料１を透過
する電子線は、試料中の各元素に固有の特性Ｘ線を放出
させ、このＸ線のエネルギーと強度を検出して、元素の
種類と濃度を算出する。このとき、特性Ｘ線５は試料１
から等方的に放出されるが、ＥＤＸ検出器２に取り込ま
れるのはその一部である。そして、試料の膜厚方向に元
素濃度分布があると、試料自身の遮蔽効果により信号強
度に変化が生じる。
子線は、試料中の各元素で固有のエネルギー損失を生じ
てＥＥＬＳ検出器３に入り、電子のエネルギー損失量と
その強度から元素の種類と濃度が算出できる。この場
合、透過電子線はほぼ全量が検出器に入るため、試料の
膜厚方向の元素濃度分布には無関係に、各元素は平均濃
度が検出される。一方、ＥＤＸ測定では、試料１を透過
する電子線は、試料中の各元素に固有の特性Ｘ線を放出
させ、このＸ線のエネルギーと強度を検出して、元素の
種類と濃度を算出する。このとき、特性Ｘ線５は試料１
から等方的に放出されるが、ＥＤＸ検出器２に取り込ま
れるのはその一部である。そして、試料の膜厚方向に元
素濃度分布があると、試料自身の遮蔽効果により信号強
度に変化が生じる。
【００１２】すなわち、図２に示すように、ある元素が
膜試料１の上部領域に存在すると、放出されたＸ線５ａ
はＥＤＸ検出器２の立体角にほぼ等しい割合で取り込ま
れる。しかし、その元素が膜の下部領域にあると、放出
されたＸ線５ｂは膜試料１自体で吸収されるため、ＥＤ
Ｘ検出器２の立体角に比べて低い割合でしか取り込まれ
ない。
膜試料１の上部領域に存在すると、放出されたＸ線５ａ
はＥＤＸ検出器２の立体角にほぼ等しい割合で取り込ま
れる。しかし、その元素が膜の下部領域にあると、放出
されたＸ線５ｂは膜試料１自体で吸収されるため、ＥＤ
Ｘ検出器２の立体角に比べて低い割合でしか取り込まれ
ない。
【００１３】このことから、平均の元素濃度を与えるＥ
ＥＬＳ信号と、膜厚方向の元素濃度分布に依存するＥＤ
Ｘ信号を組合せて演算装置１２で演算することにより、
試料の膜厚方向の元素濃度分布を算出することが可能と
なる。なお、従来、分析電子顕微鏡に備付けられたＥＤ
ＸとＥＥＬＳとを用いて、分析結果の確認をした例はあ
る（日本電子顕微鏡学会第５１回学術講演会予稿集、
ｐ．３３，１９９５年５月）。しかし、両者の信号の差
を演算することにより、新たな情報を得ようとした試み
はこれまでにない。
ＥＬＳ信号と、膜厚方向の元素濃度分布に依存するＥＤ
Ｘ信号を組合せて演算装置１２で演算することにより、
試料の膜厚方向の元素濃度分布を算出することが可能と
なる。なお、従来、分析電子顕微鏡に備付けられたＥＤ
ＸとＥＥＬＳとを用いて、分析結果の確認をした例はあ
る（日本電子顕微鏡学会第５１回学術講演会予稿集、
ｐ．３３，１９９５年５月）。しかし、両者の信号の差
を演算することにより、新たな情報を得ようとした試み
はこれまでにない。
【００１４】図３（ａ），（ｂ）は、Ｓｉ中のＷ元素濃
度分布が膜厚方向で異なる場合のＥＤＸ検出効率の差を
示す。図中、実線はＳｉ中の実際のＷ元素濃度を表し、
破線は実線で示されるような元素濃度勾配がある試料か
ら発せられるＸ線をＥＤＸ検出器で検出するとき、膜厚
方向各位置のＷ元素から発せられたＸ線がＥＤＸ検出器
の総カウント数に対して寄与する寄与度を表す。図の横
軸は、図２の配置で膜試料１の底面から測った膜厚方向
の距離ｚ（μｍ）を表し、縦軸の左の目盛りはＷ元素の
濃度を、右の目盛りはＥＤＸ検出器のカウント数に対す
る寄与度を任意尺度で表す。
度分布が膜厚方向で異なる場合のＥＤＸ検出効率の差を
示す。図中、実線はＳｉ中の実際のＷ元素濃度を表し、
破線は実線で示されるような元素濃度勾配がある試料か
ら発せられるＸ線をＥＤＸ検出器で検出するとき、膜厚
方向各位置のＷ元素から発せられたＸ線がＥＤＸ検出器
の総カウント数に対して寄与する寄与度を表す。図の横
軸は、図２の配置で膜試料１の底面から測った膜厚方向
の距離ｚ（μｍ）を表し、縦軸の左の目盛りはＷ元素の
濃度を、右の目盛りはＥＤＸ検出器のカウント数に対す
る寄与度を任意尺度で表す。
【００１５】図３（ａ）はＷ元素が試料の膜厚方向に直
線的な濃度勾配をもって上部領域に多く存在する場合を
表し、図３（ｂ）はＷ元素が試料の膜厚方向に直線的な
濃度勾配をもって逆に下部領域に多く存在する場合を表
す。なお、ＥＤＸ検出器の総カウント数は、図中の破線
の下側領域を積分したものに相当する。Ｗ元素が膜の上
部領域に多く存在する図３（ａ）の場合に比べ、図３
（ｂ）のようにＷ元素が膜の下部領域に多く存在するほ
ど、Ｗ元素から放出される８.４ｅＶのＸ線が膜を構成
しているＳｉ元素によって吸収、散乱される割合が増加
し、検出効率は低下する。従って、ＥＥＬＳとＥＤＸ各
々１台からの信号を用いると、膜厚方向に直線（一次
式）で近似した元素濃度分布が得られることになる。す
なわち、ＥＤＸ信号から算出した見かけ上の元素濃度
と、ＥＥＬＳ信号による元素濃度が等しい場合、この元
素濃度は膜厚方向で一様である。しかし、ＥＤＸ信号に
よる見かけ上の元素濃度がＥＥＬＳ信号による元素濃度
よりも小（大）のとき、この元素濃度は膜厚方向に下部
から上部に向かって減少（増加）している。言いかえれ
ば、ＥＥＬＳの信号は濃度直線の切片（厚さ方向中央部
での濃度）を与え、ＥＥＬＳとＥＤＸの信号強度の差は
濃度直線の傾きを与える。
線的な濃度勾配をもって上部領域に多く存在する場合を
表し、図３（ｂ）はＷ元素が試料の膜厚方向に直線的な
濃度勾配をもって逆に下部領域に多く存在する場合を表
す。なお、ＥＤＸ検出器の総カウント数は、図中の破線
の下側領域を積分したものに相当する。Ｗ元素が膜の上
部領域に多く存在する図３（ａ）の場合に比べ、図３
（ｂ）のようにＷ元素が膜の下部領域に多く存在するほ
ど、Ｗ元素から放出される８.４ｅＶのＸ線が膜を構成
しているＳｉ元素によって吸収、散乱される割合が増加
し、検出効率は低下する。従って、ＥＥＬＳとＥＤＸ各
々１台からの信号を用いると、膜厚方向に直線（一次
式）で近似した元素濃度分布が得られることになる。す
なわち、ＥＤＸ信号から算出した見かけ上の元素濃度
と、ＥＥＬＳ信号による元素濃度が等しい場合、この元
素濃度は膜厚方向で一様である。しかし、ＥＤＸ信号に
よる見かけ上の元素濃度がＥＥＬＳ信号による元素濃度
よりも小（大）のとき、この元素濃度は膜厚方向に下部
から上部に向かって減少（増加）している。言いかえれ
ば、ＥＥＬＳの信号は濃度直線の切片（厚さ方向中央部
での濃度）を与え、ＥＥＬＳとＥＤＸの信号強度の差は
濃度直線の傾きを与える。
【００１６】さらに、ＥＤＸ検出器を試料面に対して異
なった角度で２台設置すると、２つの膜厚方向情報が得
られるため、膜厚方向の元素濃度分布を二次曲線で近似
することが可能になる。同様に、図４に示すように、Ｅ
ＤＸ検出器を試料面に対する角度で走査して多数の信号
を取り込むと、図５に示すように、膜厚方向に多次曲線
で近似した元素濃度分布曲線が得られる。
なった角度で２台設置すると、２つの膜厚方向情報が得
られるため、膜厚方向の元素濃度分布を二次曲線で近似
することが可能になる。同様に、図４に示すように、Ｅ
ＤＸ検出器を試料面に対する角度で走査して多数の信号
を取り込むと、図５に示すように、膜厚方向に多次曲線
で近似した元素濃度分布曲線が得られる。
【００１７】検出器の数を増やすかわりに、試料形状を
工夫する方法もある。すなわち、収束イオンビーム（Fo
cused Ion Beam、略してＦＩＢ）を用いて、図６に示す
ように膜厚がステップ状に変化している形状に試料を加
工すれば（あるいは、膜厚方向にステップ状に加工され
た試料部位を利用してもよい）、固定した取り込み角を
持つ単一のＥＤＸ検出器とＥＥＬＳを使用しても、試料
をｘ−ｙ面上で例えば１８０°回転して２回信号を取り
込むことにより、膜厚方向に二次曲線で近似した元素濃
度分布を得ることが可能である。
工夫する方法もある。すなわち、収束イオンビーム（Fo
cused Ion Beam、略してＦＩＢ）を用いて、図６に示す
ように膜厚がステップ状に変化している形状に試料を加
工すれば（あるいは、膜厚方向にステップ状に加工され
た試料部位を利用してもよい）、固定した取り込み角を
持つ単一のＥＤＸ検出器とＥＥＬＳを使用しても、試料
をｘ−ｙ面上で例えば１８０°回転して２回信号を取り
込むことにより、膜厚方向に二次曲線で近似した元素濃
度分布を得ることが可能である。
【００１８】本発明の原理を一般化して説明する。膜厚
がｔである試料の膜厚方向（ｚ方向）の元素濃度分布を
ｆ(ｚ)、試料面に対して角度θで設置されたＥＤＸ検出
器による検出信号をＣEDX(θ)、試料中の膜厚方向位置
ｚから放出されたＸ線がＸ線発生点とＥＤＸ検出器の間
に介在する試料で吸収、散乱を受けることを考慮した検
出効率をｇ(θ,ｚ)とすると、以下の関係が成立する。
がｔである試料の膜厚方向（ｚ方向）の元素濃度分布を
ｆ(ｚ)、試料面に対して角度θで設置されたＥＤＸ検出
器による検出信号をＣEDX(θ)、試料中の膜厚方向位置
ｚから放出されたＸ線がＸ線発生点とＥＤＸ検出器の間
に介在する試料で吸収、散乱を受けることを考慮した検
出効率をｇ(θ,ｚ)とすると、以下の関係が成立する。
【００１９】ＣEDX(θ)＝∫ｆ(ｚ)ｇ(θ,ｚ)ｄｚ ここでｇ(θ,ｚ)は、試料による既知のＸ線減衰係数、
試料の形状、試料とＥＤＸ検出器の位置関係から求める
ことができ、典型的には図９のようになる。図９は膜厚
方向の距離ｚを横軸とし、膜厚が０.１μｍのとき試料
表面から発せられたＸ線を検出するときの検出効率を１
としたＥＤＸ検出器の検出効率を縦軸として、検出角度
が３０°の時の検出効率曲線ｇ(３０°,ｚ)と検出角度
が６０°の時の検出効率曲線ｇ(６０°,ｚ)を示したも
のである。
試料の形状、試料とＥＤＸ検出器の位置関係から求める
ことができ、典型的には図９のようになる。図９は膜厚
方向の距離ｚを横軸とし、膜厚が０.１μｍのとき試料
表面から発せられたＸ線を検出するときの検出効率を１
としたＥＤＸ検出器の検出効率を縦軸として、検出角度
が３０°の時の検出効率曲線ｇ(３０°,ｚ)と検出角度
が６０°の時の検出効率曲線ｇ(６０°,ｚ)を示したも
のである。
【００２０】いま、元素濃度分布ｆ(ｚ)を次のｎ次の多
項式で近似する。 ｆ(ｚ)＝ａ0＋ａ1ｚ＋ａ2ｚ2＋…＋ａnｚn ＥＥＬＳ信号ＣEELSはｆ(ｚ)の平均値を表し、Ａを比例
係数として次式が成立する。 ＣEELS＝Ａ∫ｆ(ｚ)ｄｚ／ｔ 試料面に対して角度θ1，θ2，…，θnで設置したＥＤ
Ｘ検出器の検出信号ＣE DX(θ1)，ＣEDX(θ2)，…，Ｃ
EDX(θn)を検出すると、（ｎ＋１）個の未知数ａ0，
ａ1，ａ2，…，ａnに対してＥＥＬＳ信号ＣEELSと合わ
せて（ｎ＋１）個の関係式が得られるため、連立方程式
を解いて係数ａ0，ａ1，ａ2，…，ａnの値を決定するこ
と、すなわち膜厚方向の元素濃度分布ｆ(ｚ)を求めるこ
とができる。
項式で近似する。 ｆ(ｚ)＝ａ0＋ａ1ｚ＋ａ2ｚ2＋…＋ａnｚn ＥＥＬＳ信号ＣEELSはｆ(ｚ)の平均値を表し、Ａを比例
係数として次式が成立する。 ＣEELS＝Ａ∫ｆ(ｚ)ｄｚ／ｔ 試料面に対して角度θ1，θ2，…，θnで設置したＥＤ
Ｘ検出器の検出信号ＣE DX(θ1)，ＣEDX(θ2)，…，Ｃ
EDX(θn)を検出すると、（ｎ＋１）個の未知数ａ0，
ａ1，ａ2，…，ａnに対してＥＥＬＳ信号ＣEELSと合わ
せて（ｎ＋１）個の関係式が得られるため、連立方程式
を解いて係数ａ0，ａ1，ａ2，…，ａnの値を決定するこ
と、すなわち膜厚方向の元素濃度分布ｆ(ｚ)を求めるこ
とができる。
【００２１】ＥＥＬＳ検出器を用いない場合であって
も、ＥＤＸ検出器の検出角度を変えた検出信号をもう一
つ増やすことにより、同様にして（ｎ＋１）個の連立方
程式を解いて係数ａ0，ａ1，ａ2，…，ａnを求めること
が可能である。
も、ＥＤＸ検出器の検出角度を変えた検出信号をもう一
つ増やすことにより、同様にして（ｎ＋１）個の連立方
程式を解いて係数ａ0，ａ1，ａ2，…，ａnを求めること
が可能である。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について説
明する。ただし、以下に記載した数値や数式はあくまで
も説明の便宜のためのものであり、これによって本発明
が限定されるものではない。第１の実施例について説明
する。試料は半導体シリコン素子のコンタクト部であ
り、合金Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉとシリコンの間には、アルミ
ニウムとシリコンとの反応を避けるために、バリアメタ
ルと呼ばれるタングステンが使われている。ＦＩＢを用
いてＴＥＭ用断面試料を作成した。膜厚は約０.１μｍ
である。
明する。ただし、以下に記載した数値や数式はあくまで
も説明の便宜のためのものであり、これによって本発明
が限定されるものではない。第１の実施例について説明
する。試料は半導体シリコン素子のコンタクト部であ
り、合金Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉとシリコンの間には、アルミ
ニウムとシリコンとの反応を避けるために、バリアメタ
ルと呼ばれるタングステンが使われている。ＦＩＢを用
いてＴＥＭ用断面試料を作成した。膜厚は約０.１μｍ
である。
【００２３】図７に試料の断面構造を模式的に示す。シ
リコン基板２１上に部分的に酸化膜２２（ＬＯＣＯＳ）
を形成した後、ボロンリンガラス膜（ＢＰＳＧ）２３を
気相成長法により堆積する。ホトエッチング工程により
コンタクト部分を開口した後、バリアメタルであるタン
グステン２４をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成
する。次に、７００℃、３０分間の熱処理を行ってシリ
サイド膜２６を形成する。続いて、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合
金をスパッタ法により形成し、ホトエッチング工程によ
りアルミニウム配線２５を完成させる。タングステンシ
リサイド領域２６で、図中に示した丸印は、電子ビーム
を当てて元素分析を行う位置を示している。
リコン基板２１上に部分的に酸化膜２２（ＬＯＣＯＳ）
を形成した後、ボロンリンガラス膜（ＢＰＳＧ）２３を
気相成長法により堆積する。ホトエッチング工程により
コンタクト部分を開口した後、バリアメタルであるタン
グステン２４をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成
する。次に、７００℃、３０分間の熱処理を行ってシリ
サイド膜２６を形成する。続いて、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合
金をスパッタ法により形成し、ホトエッチング工程によ
りアルミニウム配線２５を完成させる。タングステンシ
リサイド領域２６で、図中に示した丸印は、電子ビーム
を当てて元素分析を行う位置を示している。
【００２４】従来は、膜厚方向（ｚ軸方向）の元素濃度
は一定と仮定して、ｘ−ｙ面上での元素濃度分布を測定
していた。実際には膜厚方向に濃度分布があるため、各
点のｚ軸方向の濃度分布計測について述べる。検出器
は、試料面すなわちｘ−ｙ面に対して６０°の角度で設
置したＥＤＸと、ＥＥＬＳを用いた。ＥＥＬＳスペクト
ルでは、ＳｉとＷは、それぞれ９９ｅＶ、１８９７ｅＶ
の位置にピークが観察され、ピーク強度比からＷの平均
濃度は１４.８ａｔ％となった。次に、ＥＤＸ測定で
は、ＳｉとＷは、それぞれ１.７４ｅＶと８.４０ｅＶの
位置に特性Ｘ線のピークが観察され、ピーク強度比から
Ｗの見かけ上の濃度は５.１４ａｔ％となった。ＥＤＸ
によるＷの見かけ上の濃度が、ＥＥＬＳによるＷの平均
濃度より大であるため、定性的には、Ｗは膜の上面から
下面方向に減少していることがわかる。
は一定と仮定して、ｘ−ｙ面上での元素濃度分布を測定
していた。実際には膜厚方向に濃度分布があるため、各
点のｚ軸方向の濃度分布計測について述べる。検出器
は、試料面すなわちｘ−ｙ面に対して６０°の角度で設
置したＥＤＸと、ＥＥＬＳを用いた。ＥＥＬＳスペクト
ルでは、ＳｉとＷは、それぞれ９９ｅＶ、１８９７ｅＶ
の位置にピークが観察され、ピーク強度比からＷの平均
濃度は１４.８ａｔ％となった。次に、ＥＤＸ測定で
は、ＳｉとＷは、それぞれ１.７４ｅＶと８.４０ｅＶの
位置に特性Ｘ線のピークが観察され、ピーク強度比から
Ｗの見かけ上の濃度は５.１４ａｔ％となった。ＥＤＸ
によるＷの見かけ上の濃度が、ＥＥＬＳによるＷの平均
濃度より大であるため、定性的には、Ｗは膜の上面から
下面方向に減少していることがわかる。
【００２５】ｚ軸方向のＷの濃度分布ｆ(ｚ)を次の一次
式で近似する場合は以下のようになる。 ｆ(ｚ)＝ａ0＋ａ1ｚ 膜厚０.１μｍの試料におけるＥＤＸの検出効率ｇ(６０
°,ｚ)は、経験的に次式で与えられる。
式で近似する場合は以下のようになる。 ｆ(ｚ)＝ａ0＋ａ1ｚ 膜厚０.１μｍの試料におけるＥＤＸの検出効率ｇ(６０
°,ｚ)は、経験的に次式で与えられる。
【００２６】ｇ(６０°,ｚ)＝exp３０(ｚ−０.１) 従って、次式でｚを０と０.１μｍの間で積分して ＣEDX(６０°)＝∫ｆ(ｚ)ｇ(６０°,ｚ)ｄｚ ＝∫（ａ0＋ａ1ｚ）｛exp３０(ｚ−０.１)｝ｄｚ ＝３.１６×１０-2ａ0＋４.３９×１０-3ａ1 一方、ＥＥＬＳによる測定値から次式が得られる。ただ
し、ｚの積分は０と０.１μｍの間で行う。
し、ｚの積分は０と０.１μｍの間で行う。
【００２７】ＣEELS＝∫ｆ（ｚ）ｄｚ＝０.１ａ0＋５×
１０-3ａ1＝１.４８×１０-2 この連立方程式を解くと、ａ0＝０.１４０、ａ1＝０.１
６５となる。よって、膜厚方向の元素濃度分布は下式で
表される。 ｆ(ｚ)＝０.１４０＋０.１６５ｚ 以上のようにして各点のｚ軸方向の分布を求め、最終的
にｘ−ｙ−ｚ三次元空間におけるＷ元素濃度分布を示す
と、例えば図８のようになる。図８は、ｘ−ｙ面上のコ
ンタクト端部で、Ｗ濃度は大きなｚ軸依存性を示すこと
を表している。
１０-3ａ1＝１.４８×１０-2 この連立方程式を解くと、ａ0＝０.１４０、ａ1＝０.１
６５となる。よって、膜厚方向の元素濃度分布は下式で
表される。 ｆ(ｚ)＝０.１４０＋０.１６５ｚ 以上のようにして各点のｚ軸方向の分布を求め、最終的
にｘ−ｙ−ｚ三次元空間におけるＷ元素濃度分布を示す
と、例えば図８のようになる。図８は、ｘ−ｙ面上のコ
ンタクト端部で、Ｗ濃度は大きなｚ軸依存性を示すこと
を表している。
【００２８】次に、第２の実施例を示す。ここでは、Ｅ
ＥＬＳは用いずに、２台のＥＤＸ検出器を使用し、試料
面に対する検出角は０°と６０°に設定してある。ＥＤ
Ｘ検出器の取り出し角が０°の場合、検出効率に対する
膜厚方向の元素濃度分布の影響はほとんどなくなる。す
なわち、第１の実施例におけるＥＥＬＳ検出器と同様の
役割を果たす。従って、この信号強度から平均元素濃度
を算出し、両者の信号強度の差から濃度勾配を算出する
ことができる。
ＥＬＳは用いずに、２台のＥＤＸ検出器を使用し、試料
面に対する検出角は０°と６０°に設定してある。ＥＤ
Ｘ検出器の取り出し角が０°の場合、検出効率に対する
膜厚方向の元素濃度分布の影響はほとんどなくなる。す
なわち、第１の実施例におけるＥＥＬＳ検出器と同様の
役割を果たす。従って、この信号強度から平均元素濃度
を算出し、両者の信号強度の差から濃度勾配を算出する
ことができる。
【００２９】次に、第３の実施例について説明する。試
料としては図７に断面構造を示す第１の実施例の場合と
同じ半導体シリコン素子のコンタクト部を用いた。検出
器としては検出角度を６０°及び３０°とした２台のＥ
ＤＸと１台のＥＥＬＳを用いた。すなわち、第１の実施
例の場合に比較して検出角度が３０°のＥＤＸ検出器を
１台増やして測定を行った。
料としては図７に断面構造を示す第１の実施例の場合と
同じ半導体シリコン素子のコンタクト部を用いた。検出
器としては検出角度を６０°及び３０°とした２台のＥ
ＤＸと１台のＥＥＬＳを用いた。すなわち、第１の実施
例の場合に比較して検出角度が３０°のＥＤＸ検出器を
１台増やして測定を行った。
【００３０】前述のように、検出角度が６０°のＥＤＸ
によるＷ元素濃度の実測値ＣEDX(６０°)は５.１４ａｔ
％、ＥＥＳＬによるＷ元素濃度の測定値ＣEELSは１４.
８ａｔ％であり、本実施例で新たに測定した検出角度が
３０°のＥＤＸによるＷ元素濃度の実測値ＣEDX(３０
°)は３.８０ａｔ％であった。いま、試料のｚ方向の元
素濃度分布は次の２次の多項式で表されるとする。
によるＷ元素濃度の実測値ＣEDX(６０°)は５.１４ａｔ
％、ＥＥＳＬによるＷ元素濃度の測定値ＣEELSは１４.
８ａｔ％であり、本実施例で新たに測定した検出角度が
３０°のＥＤＸによるＷ元素濃度の実測値ＣEDX(３０
°)は３.８０ａｔ％であった。いま、試料のｚ方向の元
素濃度分布は次の２次の多項式で表されるとする。
【００３１】ｆ(ｚ)＝ａ0＋ａ1ｚ＋ａ2ｚ2 ２台のＥＤＸによる見かけの検出濃度ＣEDX(６０°)，
ＣEDX(３０°)は各々次式で表される。 ＣEDX(６０°)＝∫ｆ(ｚ)ｇ(６０°,ｚ)ｄｚ ＣEDX(３０°)＝∫ｆ(ｚ)ｇ(３０°,ｚ)ｄｚ 検出角度がそれぞれ６０°と３０°の時のＥＤＸの検出
効率ｇ(６０°,ｚ)，ｇ(３０°,ｚ)は経験的に次式で与
えられる。
ＣEDX(３０°)は各々次式で表される。 ＣEDX(６０°)＝∫ｆ(ｚ)ｇ(６０°,ｚ)ｄｚ ＣEDX(３０°)＝∫ｆ(ｚ)ｇ(３０°,ｚ)ｄｚ 検出角度がそれぞれ６０°と３０°の時のＥＤＸの検出
効率ｇ(６０°,ｚ)，ｇ(３０°,ｚ)は経験的に次式で与
えられる。
【００３２】ｇ(６０°,ｚ)＝exp３０(ｚ−０.１) ｇ(３０°,ｚ)＝exp４０(ｚ−０.１) これらの関係式を用いると次の連立方程式が得られる。 ＣEDX(６０°)＝0.317ａ0+2.28×10-3ａ1+1.81×10-4ａ
2＝5.14×10-3 ＣEDX(３０°)＝0.0246ａ0+1.89×10-3ａ1+1.56×10-4
ａ2＝3.80×10-3 ＣEELS＝0.1ａ0+5×10-2ａ1+3.33×10-4ａ2＝1.48×10
-2 これを解くことによりａ0，ａ1，ａ2が求められ、次式
で表されるＷ元素の濃度分布ｆ(ｚ)が得られる。
2＝5.14×10-3 ＣEDX(３０°)＝0.0246ａ0+1.89×10-3ａ1+1.56×10-4
ａ2＝3.80×10-3 ＣEELS＝0.1ａ0+5×10-2ａ1+3.33×10-4ａ2＝1.48×10
-2 これを解くことによりａ0，ａ1，ａ2が求められ、次式
で表されるＷ元素の濃度分布ｆ(ｚ)が得られる。
【００３３】ｆ(ｚ)＝６.６６ｚ−５５.５ｚ2 図１０は、この濃度分布を図示したものである。図１０
と図８を比較すると明らかなように、ＥＤＸ検出器の数
を増やすことで試料の厚さ方向の濃度分布の測定精度が
向上する。次に、第４の実施例について説明する。本実
施例では、図４に示すように、ＥＤＸ検出器の検出角度
θを試料面に対して＋４５°から−４５°まで走査して
信号を取り込むことで、ＷとＳｉに対する信号を各検出
角度の関数として得る。各検出角度θにおけるＥＤＸ検
出器の検出効率ｇ(θ,ｚ)は、計算によりあるいは経験
的に知ることができるので、前述の方法と同様にして元
素の膜厚方向濃度分布を演算することができる。この場
合、データ数が増えた分だけ測定精度を上げることがで
きる。
と図８を比較すると明らかなように、ＥＤＸ検出器の数
を増やすことで試料の厚さ方向の濃度分布の測定精度が
向上する。次に、第４の実施例について説明する。本実
施例では、図４に示すように、ＥＤＸ検出器の検出角度
θを試料面に対して＋４５°から−４５°まで走査して
信号を取り込むことで、ＷとＳｉに対する信号を各検出
角度の関数として得る。各検出角度θにおけるＥＤＸ検
出器の検出効率ｇ(θ,ｚ)は、計算によりあるいは経験
的に知ることができるので、前述の方法と同様にして元
素の膜厚方向濃度分布を演算することができる。この場
合、データ数が増えた分だけ測定精度を上げることがで
きる。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、試料の平面方向で高い
空間分解能を維持したまま、試料の膜厚（三次元）方向
の元素濃度分布を求めることが可能になる。
空間分解能を維持したまま、試料の膜厚（三次元）方向
の元素濃度分布を求めることが可能になる。
【図１】分析電子顕微鏡の概略図。
【図２】特性Ｘ線発生の模式図。
【図３】膜厚方向の元素濃度分布の違いによるＥＤＸ検
出効率の差を説明する図。
出効率の差を説明する図。
【図４】ＥＤＸ検出器を角度走査する例の説明図。
【図５】膜厚方向の元素濃度分布の説明図。
【図６】試料形状を利用して膜厚方向の元素濃度分布を
求める例の説明図。
求める例の説明図。
【図７】試料の断面模式図。
【図８】ｘ−ｙ−ｚ方向の元素濃度分布実測例。
【図９】ＥＤＸ検出効率の膜厚及び検出角度依存性を説
明する図。
明する図。
【図１０】膜厚方向の元素濃度分布を示す図。
１…試料、２…ＥＤＸ検出器、３…ＥＥＬＳ検出器、４
…電子線、５…特性Ｘ線、６…電子銃、７…収束レン
ズ、８…対物レンズ、９…投射レンズ、１０…電子顕微
鏡像、１１…スリット、１２…演算装置、２１…シリコ
ン（Ｓｉ）、２２…シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、２３
…ボロホスホシリケートガラス（ＢＰＳＧ）、２４…タ
ングステン膜、２５…Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ膜、２６…シリ
サイド領域
…電子線、５…特性Ｘ線、６…電子銃、７…収束レン
ズ、８…対物レンズ、９…投射レンズ、１０…電子顕微
鏡像、１１…スリット、１２…演算装置、２１…シリコ
ン（Ｓｉ）、２２…シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、２３
…ボロホスホシリケートガラス（ＢＰＳＧ）、２４…タ
ングステン膜、２５…Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ膜、２６…シリ
サイド領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斎藤 雅和 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株式会社 日立製作所 日立研究所内 (72)発明者 砂子澤 成人 茨城県ひたちなか市市毛882番地 株式 会社 日立製作所 計測器事業部内 (56)参考文献 特開 平５−340898（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−113152（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−279549（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 23/225 H01J 37/252
Claims (7)
- 【請求項１】 電子線照射によって試料から発生する目
的元素の特性Ｘ線を試料面から見て異なる角度で設置し
たｎ個のＸ線検出器で測定した試料の膜厚方向の目的元
素の濃度分布に依存するｎ個の計測値と、試料を透過し
た電子線の電子エネルギー損失スペクトルから得られる
試料の膜厚方向の目的元素の平均濃度を与える計測値と
を含む合計（ｎ＋１）個の計測値を用い、試料の膜厚方
向の目的元素の濃度分布を近似するｎ次の多項式の（ｎ
＋１）個の係数を算出することにより試料の膜厚方向の
目的元素の濃度分布を求めることを特徴とする三次元元
素濃度分布測定方法。 - 【請求項２】 電子線照射によって試料から発生する目
的元素の特性Ｘ線を検出角度を異にする（ｎ＋１）個の
検出器で計測し、前記計測値が試料の膜厚方向の目的元
素の濃度分布と前記検出角度に依存する関係を用いて、
試料の膜厚方向の目的元素の濃度分布を近似するｎ次の
多項式の（ｎ＋１）個の係数を算出することにより試料
の膜厚方向の目的元素の濃度分布を求めることを特徴と
する三次元元素濃度分布測定方法。 - 【請求項３】 電子線照射によって試料から発生する目
的元素の特性Ｘ線を検出角度を変化させて（ｎ＋１）回
計測し、前記計測値が試料の膜厚方向の目的元素の濃度
分布と前記検出角度に依存する関係を用いて、試料の膜
厚方向の目的元素の濃度分布を近似するｎ次の多項式の
（ｎ＋１）個の係数を算出することにより試料の膜厚方
向の目的元素の濃度分布を求めることを特徴とする三次
元元素濃度分布測定方法。 - 【請求項４】 電子線照射によって試料から発生する目
的元素の特性Ｘ線を、試料による遮蔽状態の異なる（ｎ
＋１）個の方向から計測し、前記計測値が試料の膜厚方
向の目的元素の濃度分布と前記方向に依存する関係を用
いて、試料の膜厚方向の目的元素の濃度分布を近似する
ｎ次の多項式の（ｎ＋１）個の係数を算出することによ
り試料の膜厚方向の目的元素の濃度分布を求めることを
特徴とする三次元元素濃度分布測定方法。 - 【請求項５】 形状が非対称な試料を用い、試料を電子
線照射軸の回りに回転して試料から発生する目的元素の
特性Ｘ線を複数回計測し、前記計測値が試料の膜厚方向
の目的元素の濃度分布と試料の回転位置に依存する関係
を用いて、試料の膜厚方向の目的元素の濃度分布を近似
するｎ次の多項式の（ｎ＋１）個の係数を算出すること
により試料の膜厚方向の目的元素の濃度分布を求めるこ
とを特徴とする三次元元素濃度分布測定方法。 - 【請求項６】 分析電子顕微鏡を用いる元素分析方法に
おいて、試料に電子線を照射し、試料から発生する目的
元素の特性Ｘ線を試料面に対して角度θで設置した検出
器で検出すると共に試料を透過した電子線の電子エネル
ギー損失スペクトルを検出し、前記目的元素の特性Ｘ線
強度をＣEDX(θ)、試料中の膜厚方向位置ｚから放出さ
れたＸ線が前記検出器で検出される際の検出効率をｇ
(θ,ｚ)、電子エネルギー損失スペクトルのうち目的元
素に対応する信号強度をＣEELS、一次式で近似した時の
試料膜厚方向の目的元素の濃度分布をｆ(ｚ)＝ａ0＋ａ1
ｚ、Ａを比例係数、ｔを試料の膜厚とするとき、 ＣEDX(θ)＝∫f(ｚ) ｇ(θ,ｚ)ｄｚ ＣEELS＝Ａ∫f(ｚ)ｄｚ／ｔ から、一次式で近似した時の試料膜厚方向の目的元素の
濃度分布ｆ(ｚ)を求めることを特徴とする元素分析方
法。 - 【請求項７】 電子線発生手段と、前記電子線発生手段
により発生した電子線を試料に照射する手段と、試料か
ら発生した特性Ｘ線を検出するために試料面から見て異
なる角度で設置したｎ個の特性Ｘ線検出器と、試料を透
過した電子線の電子エネルギー損失スペクトルを検出す
る電子エネルギー損失スペクトル検出器と、前記電子エ
ネルギー損失スペクトル検出器の出力から試料の膜厚方
向の目的元素の平均濃度を演算すると共に当該平均元素
濃度と前記ｎ個の特性Ｘ線検出器による試料の膜厚方向
の目的元素の濃度分布に依存するｎ個の計測値を用い、
試料の膜厚方向の目的元素の濃度分布を近似するｎ次の
多項式の（ｎ＋１）個の係数を算出して試料の膜厚方向
の目的元素の分布を求める演算手段とを含むことを特徴
とする三次元元素濃度分布測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27595195A JP3323042B2 (ja) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | 三次元元素濃度分布測定方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27595195A JP3323042B2 (ja) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | 三次元元素濃度分布測定方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09119907A JPH09119907A (ja) | 1997-05-06 |
| JP3323042B2 true JP3323042B2 (ja) | 2002-09-09 |
Family
ID=17562707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27595195A Expired - Fee Related JP3323042B2 (ja) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | 三次元元素濃度分布測定方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3323042B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160049124A (ko) * | 2014-10-24 | 2016-05-09 | 주식회사 포스코 | 금속 포일의 두께/성분 측정 장치 및 방법 |
| KR102495839B1 (ko) * | 2021-11-30 | 2023-02-06 | 한국기초과학지원연구원 | 전자 에너지 손실 분광 분석법을 활용한 유기 반도체 재료의 구조 이미징 방법 및 그 장치 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030055841A (ko) * | 2001-12-27 | 2003-07-04 | 삼성전자주식회사 | 비피에스지막의 두께 및 도핑된 불순물의 농도 측정 방법 |
| WO2008099501A1 (ja) | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Fujitsu Limited | 電子顕微鏡及び観察方法 |
| US8080791B2 (en) | 2008-12-12 | 2011-12-20 | Fei Company | X-ray detector for electron microscope |
| JP2015011018A (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-19 | 株式会社東芝 | 試料分析方法、プログラムおよび試料分析装置 |
| CN114018760A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-02-08 | 长江存储科技有限责任公司 | 半导体结构的检测方法及其检测装置 |
-
1995
- 1995-10-24 JP JP27595195A patent/JP3323042B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160049124A (ko) * | 2014-10-24 | 2016-05-09 | 주식회사 포스코 | 금속 포일의 두께/성분 측정 장치 및 방법 |
| KR101639882B1 (ko) | 2014-10-24 | 2016-07-25 | 주식회사 포스코 | 금속 포일의 두께/성분 측정 장치 및 방법 |
| KR102495839B1 (ko) * | 2021-11-30 | 2023-02-06 | 한국기초과학지원연구원 | 전자 에너지 손실 분광 분석법을 활용한 유기 반도체 재료의 구조 이미징 방법 및 그 장치 |
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|---|---|
| JPH09119907A (ja) | 1997-05-06 |
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| Markoulidis | A Review on Surface Analysis Techniques |
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