TW200533599A - Method and apparatus for purifying inorganic halides and oxyhalides using zeolites - Google Patents

Description

200533599 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於無機鹵化物及齒氧化物的純化。在一具體 態樣中，本發明關於四氯化矽、四氯化鍺及三氯氧化鱗的 純化。 【先前技術】 先前技術 無機鹵化物及鹵氧化物如四氯化矽（Sicij、四氯化鍺 (GeCU及三氯氧化磷（pocw在許多工業中係特別令人感 興趣的，該工業包括光學纖維製造業及半導體襞置製造 業。這些物質中的雜質含量對於最終產品的外觀及/或1 = 常常係有決定性的影響。 曰“在用於製造電子級矽@ Sicl4巾，弃隹質含4會影響單 晶矽晶圓的純度及限制晶圓上所形成的電路之密度。在甩 於改善多晶矽導電率的半導體裝置加工中所用的Μ。〗

土屬污木物的存在可能在多晶石夕層中產生缺陷，及不 利地影響半導體裝置的電氣特性。

……電路的短路結果’被金屬雜質污染到不能 接納程度的半導體I置甚至可能變成無法H p。在光學纖維的製造中，液體化合物士口 slCl4、GeCl4及 r:3係用於形成光學纖維及影響其特性，例如玻璃膨脹 ;二、溶融黏度及折射率。這些液體化合物中的某些雜質 光^害光學纖維的光傳輸。帶有雜質的氧和烴可能造成 干、'滅維之光傳輸的損失。光學纖維中的金屬雜質可能增 6 200533599 加纖維中信號的衰減、減少有效纖維長度及因此需要使用 放大為。光學纖維中的金屬雜質亦可能產生高吸收區域， 其可能影響纖維的光傳輸。I 0_H鍵的分子雜質可能干擾 y專輸資訊的波長且可能減少纖維的帶寬。結果，在傳輸 備士放大态内’典型上需要額外的投資，以補償所降低 的性能。 ^為二避免由於雜質所可能導致的上述和其它問題，製 八商目別係使用叩貝的咼純度級無機卣化物及鹵氧化物化 合物、。再者，高純度級化合物可能再收集雜質，例如在它 二的運輸、儲存及/或最終產品製造商的設施之使用中。雜 :來源包括例如·化合物暴露於空氣中，及由儲存及/或 傳輸裝置的瀝濾出。 a目W用於純化無機函化物及函氧化物化合物的方法包 =相純化。然而’氣相純化典型上需要相當大的能量輸 出來蒸發化合物及將它們維持在氣相。此外，氣相純化季 ^典型不適用於針對無制化物及㈣化物化合物的純 匕：例如’在無機鹵化物或由氧化物化合物如sici4 :版如02被汽化後，應維持氣相中無機鹵化 的:農度。然而，位於汽化步驟下游的氣相= =成風流中無機鹵化物或齒氧化物化合物的漠度 。而且，當置於無機齒化物或齒氧化物化 之後時’氣相純化系統可能具有令人不可接受_降^化 【發明内容】 本么月仏針對用於純化無機鹵化物及/或鹵氡化物的方 -200533599 法及裝置。在—具體態樣中，本發明的 化物或齒氧化物進料液體 祜便…、枝ώ 1…… 弗石，以產生-種經純化的 然機鹵化物或4氧化物液體。 ^ ^ ^ ν ^ 仕具肢悲樣中，沸石係氫 ^式的Υ型沸石。在另一翻 —^^ 、 隹力硯點中，本發明包括一用於純化 然機鹵化物或1¾氧化物；隹斗Α、六 乳化物進枓液體的裝置。該裝置包括：⑷ 液體過濾罩，其包含液體入口 叹欣肢出口，及（b) —種氫形 式的Y型彿石。在一且辦能样士 〆 /、肢怨樣中，液體過濾罩係由全氟烷

乳基（PFA)或聚四氟乙烯（pTFE)所構成。 、可使用-含沸石的過濾介質，由無機齒化物或幽氧化 物進料液體中去除分子及/或離子（例如金屬離子）雜質。在 較佳具體悲樣中，使用一含沸石的過濾介質由進料液體 十去除分子及離子雜質兩者。 在某些具體態樣中，本發明中所用的沸石係酸性或質 子形式，具有矽石·對-氧化鋁的比例為至少約5，且含有 低濃度的驗金屬或驗土金屬。在_具體態樣中，在沸石與 無機齒化物及/或鹵氧化物進料液體接觸之前，沸石係被加 熱以去除揮發物，然後再予冷卻。 有利地，本發明的實施可簡單且有效地純化液體無機 鹵化物及/或鹵氧化物，尤其在它們的使用點或製造點。藉 由實施本文中所述的方法，可避免與氣相純化有關的困 難’如維持氣相無機鹵化物及鹵氧化物化合物進料物流中 的壓力及濃度。 【貫施方式】 本發明係針對用於純化無機鹵化物及/或鹵氧化物的方 8 200533599 法及裝置。在-具體態樣中，本發明的方法包括使無機齒 化物或函氧化物進料液體接觸沸石以產生一種經純化的益 機*化物或鹵氧化物液體。本發明係基於以下發現：可使 用-含沸石的過渡介質由進料液體中去除分子及/或離子 (例如金屬料）雜質。在—較佳具體態樣中，使用一含沸 石的過滤介質由進料液體中去除分子及離子雜質兩者。' 由於可能不能達成或無法偵測到個別雜質的完全去 除，故在本文中措辭「純化」、「去除」、「移除」、「清 :」等係意欲指從進料液體中去除明顯比例之可谓測的： 貝口p分。可去除的雜質之明顯比例或可偵測的部分將視個 別雜質及加工條件而定。例如，無機處化物或齒氧化物液 體的雜質濃度可被減低到少於約1G、8、6、4、2、或少於 ?分/每十億⑽(ppb)。在某些具體態樣中’無機虐化物或 嫩物液體的雜質濃度可被減低到偵測極限以下。 在一具體態樣令，本發明的方法所去除的分子雜質可 包括脂族烴及化合物如那些含有選自由C-H、S]_H、Si_〇H、 Ο Η、C-C1及C-0所組成族群的化學鍵者。 八子:二’雖然實質減少液體無機齒化物及/或由氧化物中 石刀=的濃度，但是本文中所述的純化方法中所用的沸 :亦本可方去二屬雜“金屬離子雜質。在某些具體態樣 :之貫施可減少金屬的濃度’該金屬如(但不限於） :、：及、妈、鉻、-、銅、鐵、·、"、卸、納、 “鎮及辞。減少許多這些金制濃 體無機齒化物及函氧化物。 H純化的液 9 200533599 本發明的方法和裝置之優點之一為可有效地由液體益 機f化物及鹵氧化物中去除分子和離子雜質兩者。在一且' ==中：於—個步驟中由無機齒化物或南氧化物進料液 月豆中去除分子和金屬雜質。一 们毹，，，、έ為本發明的方法和 :、;：谷易被整合在目前的無編物和南氧化物之純化 工業方法：可被整合在使用液體無機鹵化物和鹵氧化物的 心將'化物和^氧化物純化，而因此可減少 =二的製造成本。例如，製造商可講 和*氧化物’它們典型上係較不昂責的。： 有利地，本發明的實施，當應用於使用點時，: 和鹵氧化物中的雜質$ 物 雜貝/辰度減低到更一致的程度 除雜質濃度的波動。雜質農 ' 南仆物，^ 雅貝/辰度的波動可能肩因為：例如， 鹵化物和鹵氧化物製造程序的 忐於必4、AA疋在先前經純化的 ό物或幽乳化物液體中雜質的任意再 ^ ζέ： rb /t $ H 由減少在 衣4序中的純化與使用點之間的時間及 使用點的純化可、、成w、外人^ 工間距離，在 ,+ 、 合物對雜質源的暴露。藉由改差細 、、化的液體無機齒化物和齒氧化物 ：： 體暴露於雜質源，在使用點純化，則n由減少液 性的最終產品。 衣k具有較再現特 相較於傳統的氣相純化方案 於純化盔機忐仆私n上t 知月的只施可減少用 …、枝齒化物及齒氧化物的能量 述的本發明方法可為本質卜A曰H 例如，此處所 不需要能量輸入(:了 ？广5被動的方法，需要报少或 (除了任何必須的泵送能量外）來純化所感 10 200533599 (的化口 4勿目此’可在室溫實施本發明。本發明包括用 、、屯化為液脰的無機鹵化物及鹵氧化物之方法及裝置。許 f工業方法要求從液體組成物中去除雜質，因此在使用點 氣相、、屯化係不μ用的，而因此本發明幫助在使用點的無機 鹵化物及函氧化物之純化。 一適用方；貝轭本發明的沸石包括合成沸石以及天然發生 和：成沸石兩者之經改質的變體。用於純化液體齒化物及 鹵氧化物的特別有效沸石包括那些具有高的矽石-對·氧化 鋁之莫耳比及/或低濃度的鹼金屬或鹼土金屬者。 例如，特別適用於本發明之實施的沸石係包括具有矽 石-對-氧化鋁（Si〇2對Α!2〇3)的莫耳比為至少約5的沸石。 在某些具體態樣中，沸石具有矽石-對-氧化鋁妁莫耳比為 '' 〇 20、40、或至少約80。例如，沸石可為具有 ^石-對-氧化鋁的莫耳比為51的cbv 4〇〇或是矽石·對- 氧化鋁的莫耳比為80的CBV 780。沸石CBV 400及cBV 780 先 σ y寻自 Zeolyst internati〇nal (Valley F〇rge，pA)。具有適 田之矽石_對_氧化鋁的莫耳比之沸石係可由商業上取得 的’或者可使用熟習該項技術者所知道的技術來製備。例 藉由攸/弗石的結構骨架中去除铭，而增加所選的沸 之矽石_對_氧化鋁的莫耳比。用於從沸石的結構骨架中 理*鋁的方法係技藝中已知的且可包括例如化學及水熱處 沸石所具有的鹼金屬或鹼土金屬之濃度較佳為係能防 、、屯化的齒化物或鹵氧化物被鹼金屬或鹼土金屬所污 11 -200533599 染。例如，沸石所具有的鹼金屬及鹼土金屬濃度可為少於 約3、2、卜0.1或少於約0_05重量％的鹼金屬及鹼土金屬。 驗金屬及驗土金屬包括鋰（Li)、鈉（Na)、鉀（κ)、鍵（Be)、 鎂（Mg)及鈣（Ca)。在某些以下將更進一步討論的具體態樣 中，無機鹵化物及/或鹵氧化物液體可含有與沸石接觸後的 鹼金屬或鹼土金屬之濃度，且可直接通過另一過濾介質， 例如矽凝膠，以減低液體中的鹼金屬或鹼土金屬濃度。

經純化的無機i化物或鹵氧化物被鹼金屬或鹼土全屬 的"實質污染，，係包含在適當的製造程序中，例如在半導體 ^置或光學纖維的製造中，使用幽化物或鹵氧化物時，不 能接受的鹼金屬或鹼土金屬之濃度。 在具肢您樣中，用於實施本發明的沸石係具有鹼金 ^或驗土金屬含量，例如叫〇形式的納，其防止液體產 口口被驗金屬或驗土金屬的實f污染及/或其促進從液體進料 ^ 1除金屬或鹼土金屬。例如，沸石可含有少於約5、4、 1 ο.1或是少於約0·05重量❻/。的一含鹼金屬或鹼土 =化合物，例如沸石含有少於約3重量％的氧化納 2、例如少於約2、卜〇·卜或少於約0.05重量％的Na2〇。 白、、，適田4双金屬《驗土金屬含量的沸石係可由商業上取得 一且=Ϊ可使用热習該項技術者所知道的技術來製備。在 二Si之it藉由繼的溶液作離子交換，以減 離子六抵〜、""金屬或鹼土金屬含量（例如鈉）。適當的 又、心液係為熟習該項技術者所知道的。 、用方、本發明的沸石包括（但不限於）八面沸石、沸石 12 200533599 ΥΓ型Y"或”Y型"沸石）及 m 风弗石起穩定Y(”USY”)。在一具體 恶枚中，用於實施本發明的 击^土 s麵& W 係為風或質子形式。在一 較佺具肢恶樣中，沸石係γ型 ^ . ，例如，氫形式的Υ型 沸石。在一具體態樣中，可人 ΝΗ及带 S ΝΗ4的沸石加熱以去除 随3及形成_適用於本發明的氫形式沸石。 適合的沸石之孔徑可為多變 ^ ^ ^ ΟΛ 夕义的。在一具體態樣中，沸 石具有約20至約30埃的平均 从^ J札仫例如約22至約28埃， 、，、勺24至約26埃，或約24至約25埃。 適合的沸石之具體例子包括(但不限於)CBV 400、CBV 6⑼、咖720、_76〇、咖78〇及咖9〇1，在商業 上皆可由ZeGlyst InternatiGnal〜队pA)取得。這 些彿石皆為氫形式、沸石，具有_至78^2/克的布 魯特-艾米特-特勒_)表面積，5」至8〇的Si〇2_對為〇 莫=比，〇.〇3至2.8重量％的心2〇，及24 24至24 5〇埃 的早元格子大小。 用於實施本發明的沸石較佳係為氫（即質子或酸性）形 式。可使用熟習該項技術者所知道的技術之任一種來製造 具有氫形式的沸石。例如，銨陽子形式的沸石，例如 300、CBV 500及CBV 512 (銨形式γ型沸石，其具有73〇 至925ηι2/克的BET表面積，5·1至12的Si02-對-Α12〇3莫 耳比，0.05至2.8重量％的Na20，及24.35至24.68的單 元才σ子大小）’在商業上係可由Zeolyst International取得， 它們可被加熱以充分去除氨，然後冷卻以用於實施本發 明。亦可使用沸石離子交換來製造氫形式沸石。 13 200533599 令人意外地，本發明中所用的沸石係不需要高溫預熱 或其它比較複雜的預調節步驟。例如，在進料液體與沸石 接觸^前，本發明中所用的沸石不需要被加熱到約400。〇 或更高的溫度，如約5〇〇〇c、6〇〇〇c、約7〇〇〇c或更高。在 較佳具體態樣中，本發明中所用的沸石係實質上不含揮 發物。為了去除揮發物’可在惰性氣氛下加熱沸石。例如，

可在經純化的氮氣下料石加熱到約鮮至約鹰。C :至少約15〇°C，歷-段時間以足以驅除其内所含有的揮 發物（例如，大氣的氣體如N2、〇2、c〇 二的揮 如，可在經純化的氮氣 2 5 2 )。例 至少約3、4、5、或至少約± M C’歷 發物。較件地.旗 小％，以驅除其内所含有揮 H ^ 、、皮〜部，例如到或接近室溫或周 度’為在與進料液體接觸之前。然而，本發明的= 視需要可包括⑴使進料液 本“的方法 卻冻石，例如海石的、”…弗石接觸，而沒有分開地冷 與進料液體接觸之前，將沸石餘50 4較低；或是⑺在 1 50°C。在一且能 、，、持在尚溫度，例如在約 例如在一密封的容 在…〜的環境中， 化物進料液體接觸為止直到沸石與齒化物或齒氧 可藉由篩選沸石的粒子 化效率。可減少濟石的粒 寸來錯影響使用沸石的純 在上述的沸石加熱之前、二導致增加的效率。例如， 藉由減低沸石的粒子尺寸，可^弗石的粒子尺寸。茲相信 料液體接觸沸石粒子。 I在母單位時間内使更多的進 丁 用於減少满X , 弗石的粒子尺寸之方法係 14 200533599 為熟習該項技術者所知道的，且包括（但不限於）研磨、篩 分及碾磨，可使用碾磨機如Quaker City Grinding M⑴M〇dei F-4 (Straub 公司，為 Clinton Separators 公司之一部門

Philadelphia，PA)來減小沸石粒子的尺寸。在—具體態樣 中，本發明的沸石具有實質上均勻的粒度。例如，沸石可 筛選分類，例如使用篩選分類術。在一具體態樣中，沸石 粒子可具有最小尺寸為大於約9〇微米，例如，沸石粒子 係約90至約180微米（例如，約9〇至約18〇微米的⑽78〇 粒子）。具有最小尺寸大於約4〇〇微米、例 Π::約425微米—粒子)亦可對= =物，化物產生有效的純化。在一可選擇的具體 j用冑具有不同粒度的沸石之混合物。 二:觀點中’本發明係針對用於純化 ::化物的裝置及方法。在-具體態樣中，進料液體= 質上全部為編化物及/峨 =係： 物存在。 1里，、有痕置的万染 、土中戶tr點中，本發明係針對用於純化半導❹置之制 以中所用的化合物之裝置及方法。在另一觀 包括用於純化光學 ：另I點中，本發明 法。例如，此處戶… 的化合物之裝置及方 該進料液體二=二方法可用於純化進料液體， (―氯化錯;=合?」如(但不限於)四氯- 在一具體態❹，=及;;氧化卵⑽士 程序、光學纖維製切序，例如半導體製造 …序或任何需要經純化的無機“物 15 200533599 及/或函氧化物之程序之前，可將無機齒化物及/或函氧化 物純化。例如’無機鹵化物及/或齒氧化物可被總體化學製 造程序所純化，且然後可被包袭或儲存以供應續使用於產 品製造程序中。在一具體態樣中，液體無機i化物及/或函 氧化物可在使用點被純化。例如，在使用於製造程序令的 緊鄰之前，半導體裝置或光學纖維製造程序可採用該用於 純化液體無機處化物及/或_氧化物的方法及裝置。在—且 體態樣中’於導入製造程序之前’液體無機函化物及/或函 氧化物可被至少部分純化，㈣後可在使用於製造程序中 的I、鄰之前，被更進一步純化。 可使用本文中所述的方法，以分批、連續、及/或半連 續方法來純化液體無機齒化物及/或函氧化物。在某些呈體 態樣中，可在分批方法中，„化物或_化物㈣= 石上，以將液體無機鹵化物及/或_氧化物純化。在其它具 體態樣中’可採用流通式裝置，例如其中液體被導入裝置:、 而漸漸地從裝置取出經純化的液體者，以將液體無機函化 物及/或_氧化物純化。例如，一種用於製造產品⑼如光 學纖維）的方法可包括-種用於純化液體無機_化物及/或 鹵氧化物的流通裝置當作製造程序的一整 項技術者可決定流通裝置在任—特定料中的位置1 如丄!L通裝置可位於起泡器之前或在任何儲存、滯留或運 达合為之珂。有利地，本發明的實施可簡單地且有效地在 使用點或製造點純化液體無機_化物及/或鹵氧化物。 無機南化物及鹵氧化物被鹼金屬或鹼土金屬如鋰、鈉、 16 200533599 鉀鈹、鎂、及/或鈣的污染可合 鹵氧化物的某些用途。例如曰貝。使用無機由化物或 面上，抽从十 在丰導體裝置的石夕層内或界 〜、子在可能會造成裝置的電氣特性之劣化。 猎使進料液體接觸妙凝 體中之驗金屬及驗土金心m ，可將經純化的液 質上消除它。在一具體態樣中低到最小程度或實 或是用沸石然後石夕凝膠，以將液凝㈣後沸石， 中，使含無機“物❹氧:：純化。例如，在-方法 去除，與石夕凝谬接觸液體接觸彿石，由沸石 可為連續、半連續或程:凝Γ除。該？序的純化 由與矽凝谬㈣石的以 1 '樣中’藉 吧σ物接觸，而將液體純化。 金屬的2具Π樣中：可藉由使用低濃度驗金屬或鹼土 土全屬“厂成由進料液體中有效地去除鹼金屬及鹼 工孟屬如鈉。例如难 ^

Na2〇 〇 °八ν於約0·1或少於約0.05 南氧點中’本發明包括—㈣於純化無㈣化物或 液^物的裝置。該裝置包括：⑷—液體過 履體入口及液髀ψπ· 男 沸石 ，及(b) Υ型沸石，例如氫形式的γ型 印石。在一具體態 主 其含有 该衣置包括··（a)—液體過濾罩， 式的ϋ及液體出口；及（b)氣形式彿石，例如氫形 L弗石。該裝置可更包括-種過濾介質滯留裝置， 例如沸石滯留驻罢 ^ 、置，以將過濾介質保留在液體過濾罩内。 某=態樣中’過編滞留裝置包含過渡 車乂‘地，液體過濾罩及過滤介質滯留裝置係由—種能 17 *200533599 液=機“物她化_化學性材料所構 攻月且過濾罩及過濾介質滯留裝置可由全氟r & 土（PFA)或聚四敦乙烯（PTFE)所構成。在另—具體 4 液體過濾罩可由不銹鋼所 〜，中， 錄鋼所構成且過、产… 體過濾罩可由不 成。在-^ 可由PFA或咖所構 山、Μ、 置匕括一可替換的液體過濾罩（例 如其含有濟石過濾介質。例如，該裝置可包括—種

用於過渡介質的可拋棄式液體過濾罩(例如據筒）。在—且 體態樣中，該裝置包括一種如上述已經被處理以去除揮； 物的濟石。較佳地’裝置的使用壽命係至少約3到至少約 6個月。在某些具體態樣中，可如上述地去除揮發物，以 ^生裝置中所含有的沸石。例如，可在第一次使用裝置之 前，，是在-或多次使用於純化無機“物或齒氧化物之 後，藉由去除揮發物以再生裝置中所含有的沸石。 第1圖顯示適用於實施本文中所述的液體無機鹵化物 及/或鹵氧化物之純化的裝置的一個例子。純化裝置10包 含一具有蓋子14和16的液體過濾罩12。液體過濾罩12 及所含有的蓋子14和16之功能為將液體和過濾介質18 含於裝置内及有助於防止液體的污染，例如防止過濾介質 18或鹵化物及鹵氧化物暴露於大氣空氣中或使將該暴露減 到最低程度。 介質滯留裝置20和22的功能為有助於將過濾介質J 8 保留在裝置内。在一具體態樣中，介質滯留裝置係為具有 網目大小為小於約50微米的過濾器，例如小於約4〇、3〇、 18 -200533599 20、或小於約丨〇微米。在某些具體態樣中，介質滯留裝 置係多孔聚四氟乙烯（PTFE)及/或ΗΕΡΑ型過濾器。 較佳地，暴露於液體和過濾介質丨8中的液體過濾罩 12，包括盍子14和16，及介質滯留裝置2〇和。之表面， 係由-種化學上穩定的、耐溫的且不會將不想要的污染物 今到液體内的材料所構成。例如，在—具體態樣中，暴露 於液體和過濾介質18中的液體過濾罩12，包括蓋子14和 16,及介質滞留農置2()和22之表面，係由全敦燒氧基^㈤ 或聚I氟乙烯（PTFE)。在另一具體態樣中，液體過濾罩Η， 包括蓋子14和16，及/或介質滯留裝置2〇和，係完全 由全氟烷氧基（PFA)或聚四氟乙烯（pTFE)所構成。例如， 液體過濾罩可為CHEMGARDTM In_line罩，商業上可由 Mykrohs公司（BiUerica，MA)取得。在另—具體態樣中， 液體過:慮罩丨2’包括蓋子14和16，係由不銹二構成。 ，過濾介質18包含如上述的沸石。例如，沸石可為γ 型、氫形式拂石如CBV 400或CBV 78〇。除了沸石，過滤 介質18亦可含有一或多種其它材料，例如，過劃Η :可含有石夕凝膠、額外的沸石、及/或過遽材料，’例如、玻 埚纖維。例如，在某些具體態樣中，過濾介質Η可含有 海石及石夕凝膠，以沸石-對·石夕凝膠的重量比為包括（但不限 於）約 60:40、70:30、80:20、90:1〇、及約 95:5。 蓋子14和16各含有液體口 24和％。液體口以和％ 可充當被純化的液體之入口或出口。如圖示， 有液體口 24以充當液體入口，而苗子皿 ^ 阳皿于16含有液體口 26 19 -200533599 以充當液體出口。力一 .., 一杈4具體態樣中，液體口 24和26 係由一種化學上藉中从 α 、 ^ $、耐溫的且不會將不想要的污染物 參到液體内的材料所椹 籌成’例如由全氟烷氧基（PFA)或聚 四氟乙烯（PTFE)。在一較 … m 1土具體恶樣中，使液體導管連接（未 圖不）至液體口 24和26，直中、广辨、曾# 所一 ，、中液體¥管亦由一種防止液體 的貝貝5氷之材料所構成。 >月洗口 28可用於由冬菩z - 、由3盍子14和16的液體過濾罩12 之内部表面、介質;、帶留

、 衣置2〇和22的表面及由過濾介質 1 8移除正被純化的液靜 、 h夜版之殘渣。排除口 28可用於裝置的 β洗’以供各種程序需求’此為熟習該項技術者所知悉的。 例如，可進行裝置的清洗以當作定期維護或移除殘留的液 體以準備替換純化裝置1〇。可用於清洗裝置的物質之例子 包括〇2、n2、Ar、及特別乾淨的乾空氣（xcda^以加他

Corporation; Billerica, ΜΑ)。 通氣口 30的功能為由純化裝置1〇移除一或多種氣體。 例如，通氣口 30可用於排氣，藉由在純化裝置1〇的開始 操作間以進料液體來置換。通氣口 3〇可被牽引的適當的 氣體排放控制裝置，例如務氣器。 在第i圖中所未顯示的一具體態樣中，含蓋子_ Μ 的液體過濾罩12係僅含有液體口 24和％及清洗口 μ， 但通氣口 30係'不存在的。例如’在—具體態樣中，含苗 子Μ和16的液體過濾罩12係由不銹鋼所構成且僅含有 一個液體入口和一個液體出口（液體口 24和26)。 在裝置之操作的-個例子中’將含無機南化物及/或函 20 200533599 氧化物的進料液體物流32經由液體口 24導入純化裝置 1 〇。無機鹵化物及/或鹵氧化物然後移動通過過濾介質18 ’屯化衣置1 0的相反端。含經純化的無機齒化物及/或鹵 氧化物之、、，二純化的液體物流34然後經由液體口％離開純 化衣置纟一具體態樣中，純化裝f 10彳在周圍溫度操 作，例如在室溫，如約21γ至約23oc。例如，可在周圍 :度，例如在室溫，如約至約抓，將進料液體物 * 32導引至純化裝置1〇。在某些具體態樣中，純化裝置 1〇可在壓力下操作，例如在少於約7巴。例如，純化裝置 10可在少於6、5、4、3 '少於約2巴、或在約大氣壓力 操作。 可藉由改又入口及/或出口流速，純化裝置1〇可用於 :批、钱續、或連續純化程序。可以分批模式操作該裝 ...由液體口 24將進料液體 物机32 u人m液料留在料介質18上一段時 間，然後打開液體口26以取出經純化的液體物流。或者， Γ連續流通模式操作該裝置，例如經由液體口 24一連續 蛉入進料液體物流32，經由液體口 液體物流34。 連、·，貝取出經純化的 、夜二於特定品質的進料液體所需要的沸石量將視因辛如 :夜體中的雜質濃度、產品純度要求、過渡 广 括所選的沸石之特徵、及加工條件如溫产、段寺徵、、匕 滤介質的、4雕、六、* 嚴又 I力及通過過 心"貝的級肢k逮而變化。熟習該項技術 實驗，而可決定姓& 不而要過度的 而叮决疋特疋的操作參數，如沸石的 21 •200533599 壓力、通過過濾介質的流體流速、及過濾介質的替換頻率。 在某些具體悲樣中，可藉由如上述地去除揮發物以再生沸 石。例如，在使用於純化無機鹵化物或鹵氧化物後，可再 生沸石。 現將參照以下非用以限制的實施例來說明本發明。 範例

實施例1A 以下實施例說明使用由Zeolyst International (Vaiiey

Forge，PA)所得到的特殊沸石CBV 4〇〇從液體四氯化矽 (SiCl4)中去除雜質。 CBV 400係質子形式、γ型沸石，具有73〇m2/克的布 魯特-艾米特-特勒（BET)表面積，的Sicv對-Al2〇3莫耳 比，及 2.8 重里 /〇的 Na2〇。使用 Quaker City Grinding Min Model F-4 (Straub 公司 5 為 clint〇n Separat〇rs 公司之一部 門，Philadelphia，PA)來減小沸石的尺寸，及藉由篩選以將 尺寸分類’而產生大於425微米的沸石粒子。 然後在經純化的氮氣下，於約15〇。(：將尺寸經分類的 CBV 4GG乾燥約6小時。由液態氮大杜瓦瓶來供應氮氣， 及使用MYKR0LIS®惰氣純化器型號WPGV202TI (MYKROLISl Mykrohs 公司的商標名；Billerica，ma)來 純化它。 將如上述製備的10毫升CBV 4⑽置於一具有全氟烷 氧基（PFA)活栓的50毫升滴定管中。用pYREx@ (c⑽mg 公司的商標名，Cormng，NY)破璃棉來保持CBV彻在適 22 200533599 當位置。然後將25毫升的SiCl4 (99.998%，由Sigma-Aldrich 公司取得，St. Louis, MO)加到滴定管及靜置2_3分鐘。然 後由滴定管分配幾毫升的SiC!4，及用於沖洗樣品瓶 (ChemTrace公司，Fremont，CA)，然後丟棄。然後由滴定 管分配20毫升的SiC14及將其補捉在樣品瓶内。保存此樣 品以供後續的痕量金屬分析，如下述。. 然後將額外的25毫升SiCU加到滴定管，及靜置2-3 为麵。然後由滴定管分配幾毫升的§iCi4，及用於雙倍沖洗 I-CHEM 牌樣品瓿（Nalga Nunc International，Rochester， NY) ’然後丟棄。然後由滴定管分配2〇毫升的Sic丨4及將 其補捉在I-CHEM瓶内。保存此樣品以供後續的傅立葉轉 換紅外（FT-IR)光譜分析，如下述。 在上述的兩種案例中，通過沸石床的SiC 14之流速係 每秒約1毫升。

實施例1B 此貫施例說明使用傅立葉轉換紅外光譜分析於 測里使用沸石CBV 4〇〇由液體Sici4中去除分子雜質的效 率 〇 使用 Nicolet Magna 560 FT-IR 光譜儀（Therm〇 Nicolet 公司，Madison，WI)於測量Sicl4樣品的光譜。測量由wilmad (SP工業公司的一部門，Buena，Nj)所得到的空1〇〇毫米石 英谷為的背景光譜’及儲存它以用當作譜sic丨4樣品光譜 的为景。然後將石英容器移到手套箱$。由體積瓶内取出 疋置的 SiC14(99.998%，由 sigma-Aldrich 取得），及使用 23 200533599 它來沖洗移液針筒和石英容器。然該由體積瓶中取出更多 的S:lC14，及裝填和蓋住石英容器。然後將經填的石英容 為由手套相移4 ，用高性能液相層析術⑴PLC)級里丙萨 (罐沖洗，及用Klm-Wlpe來乾燥。快速地將石英容： 置於FTI光譜儀之經氮氣沖洗過的空穴内。該空穴被二 洗、、勺3刀4里。使用0 5cnr】解析度來取得sic 光譜(平均64掃描)，且其如第2圖中所示。 ’、、、樣°° -然後使用FT_IR光譜來測量如實施例ia所述而獲得 的…弗石純化0 SlCl4樣品。使用相同於上述為對照樣品 所作的程序，將經濟石純化# Sici4之樣品裝載於石英: 器内’但是將使用經彿石純化的W來沖洗 容器除外。 兴 ，•第3圖顯示經CBV 400沸石純化的siCl4相對於SlC1 對照樣品的FT-IR光譜差显。差昱氺 一 4 /、 差八光5曰的負峰顯示污染物 白^去除。SlCl4的沸石純化係減小位於366wi的峰，其 歸因於含0-H鍵的污染。在3咖⑽.】左邊（在2㈣⑽】及 在助⑽七其歸因於c_H拉伸區；及在加⑽，盆歸 因於Η·α拉伸)所顯示的峰減小係象徵CBv _ $弗石㈣ 含C-H鍵的污染物如脂族烴和 的旎力。經沸石純化的 、:cl4亦減小位於2295cm、蜂，其歸因於s“H拉伸，且 增大位於233 7cnr]的峰，盆辕认、〜 因於溶解的二氧化碳（c〇2)。

實施例1 C 此實施例說明使用感應轉合電浆質譜分析（ICP_MS)來 及里使用心CBV 400由液體SiCl4中去除金屬的效率。 24 •200533599 經沸石純化的SiCl4t金屬含量的分析係如實施例ΙΑ 中所述，及使用 ChemTrace公司（Fremont，CA)製的對照 SiCl4樣品。 表1中顯示SiCl4樣品的金屬分析結果。使用CBV 400 對液體SiCl4的純化顯示減少或維持所有的金屬（鈉例外）濃 度。在鈉的情況係觀察到從1.6增加到6.6份/每十億（109) (ppb) 〇 表1 ··對照組SiCl4及經沸石純化的液體SiCl4之金屬含量

金屬 偵測極限 (ppb) SiCl4 對照組(ppb) SiCl4， 在 CBV 400 處理後(ppb) SiCl4， 在矽凝膠處理 後_) SiCl4， 在 CBV 780 處理後(ppb) 鋁(A1) 0.05 7.2 1.2 <0.05 0.37 銻(Sb) 0.05 0.96 <0.05 <0.05 <0.05 珅(As) 0.10 <0.1 <0.1 <0.1 <0.1 鋇(Ba) 0.01 0.16 <0.01 <0.01 <0.01 鈹(Be) 0.05 <0.05 <0.05 <0.05 <0.05 鉍(Bi) 0.05 <0.05 <0.05 <0.05 <0.05 硼(B) 0.10 <0.1 <0.1 0.17 <0.1 鎘(Cd) 0.01 <0.01 <0.01 <0.01 <0.01 鈣(Ca) 0.10 3.1 0.61 0.31 0.43 鉻(Cr) 0.05 0.41 <0.05 <0.05 <0.05 銘(Co) 0.01 0.014 <0.01 <0.01 <0.01 銅(Cu) 0.05 0.90 <0.05 <0.05 <0.05 鎵(Ga) 0.01 <0.01 <0.01 <0.01 <0.01 鍺(Ge) 0.05 <0.05 <0.05 <0.05 <0.05 金(Au) 0.10 <0.1 <0.1 <0.1 <0.1 鐵(Fe) 0.10 5.6 0.40 0.43 0.42 鉛(Pb) 0.05 <0.05 <0.05 <0.05 <0.05 鋰(Li) 0.05 <0.05 <0.05 <0.05 <0.05 25 •200533599 鎂(Mg) 0.05 3.4 <0.05 0.10 0.070 锰(Mn) 0.05 0.067 <0.05 <0.05 <0.05 鉬(Mo) 0.05 <0.05 <0.05 0.11 <0.05 鎳(Ni) 0.05 0.37 <0.05 <0.05 <0.05 鈮(Nb) 0.05 <0.05 <0.05 <0.05 <0.05 鉀(K) 0.10 0.69 0.35 <0.1 0.81 銀(Ag) 0.05 <0.05 <0.05 <0.05 <0.05 納(Na) 0.10 1.6 6.6 0.68 0.92 锶(Sr) 0.01 0.019 <0.01 <0.01 <0.01 钽(Ta) 0.05 <0.05 <0.05 <0.05 <0.05 鉈(T1) 0.01 <0.01 <0.01 <0:01 <0.01 錫(Sn) 0.05 0.10 <0.05 <0.05 <0.05 鈦(Ti) 0.05 <0.05 <0.05 <0.05 <0.05 釩(V) 0.05 <0.05 <0.05 <0.05 <0.05 鋅(Zn) 0.05 2.5 <0.05 0.089 0.16 锆(Zr) 0.01 <0.01 <0.01 <0.01 <0.01 CBV 400有效地從液體siCl4移除分子和金屬雜質。 茲認為所觀察到的鈉濃度增加係起因於CBV 400沸石中之 比較高的氧化納含量。

實施例2A 以下實施例說明使用由Zeolyst International (Valley Forge, PA)所得到的特殊沸石CBV 780從液體四氯化矽中 去除雜質。 CBV 7 80係質子形式、γ型沸石，具有78〇ηι2/克的bet 表面積，80的Si02-對-Al2〇3莫耳比，及〇·03重量％的Na2〇。 在使用 Quaker City Giinding Mill Model F-4 來減小尺寸及

藉由篩選以作尺寸分類後，CBV 78〇的粒度為約9〇微米 至約1 8 0微米。然後於經純化的氮氣下，在约1 $ 〇。〔將c B V 26 •200533599 780乾燥@ 6小時。由液態氮大杜瓦甑來供應氮氣，及使 用MYKROLIS惰氣純化器型號wpGV2〇2TI來純化它。 將如上述製備的25毫升CBV 780置於一具有全氟烷 氧基（PFA)活栓的50毫升滴定管中。用pYREf玻璃棉Z 保持CBV 780在適當位置。然後將sic丨4(99·998%，由 Sigma-Aldrich公司取得，St· L〇uis，Μ〇)加到滴定管，及 讓其通過沸石床。通過沸石床的Sici4i流速係每分鐘 0.4毫升。 25毛升的SiC 14由滴定管分配出，及被用於沖洗和填 充來自Wllmad的100毫来^_汛石英容器，以供後續的 分析，如下述。然後，另外25毫升的sici4由滴定 吕分配出，及用於雙倍沖洗和填充一經預先清淨的 牌樣品瓶。保存此樣品以供後續的痕量金屬分析。

實施例2B 此貫施例說明使用傅立葉轉換紅外線（FT_IR)光譜分析 於測量使用沸石CBV 780由液體SlCl4中去除分子雜質的 效率。 使用相同於實施例1B中所述的程序來測量Sici4 FT_ 光瑨，但將使用如實施例2A中所述而製造的經沸石純 化的SiCI4來沖洗針筒和石英容器除外，以供後續的測量。 第4圖顯示經CBV 78〇沸石純化的siCu相對於sicu 對照樣品的FT-IR光譜差異。差異光譜的負峰顯示污染物 的去除。 經彿石純化的Sici4減少位於3663cm·1、2960cm-1、 27 200533599 2929cm-1、2855cm·1 及 2295^11」沾 n 的峰，此象徵使用CBV 780 的純化作用，其減少含〇_H、Γ u τ C-H、Η-Cl和Si-H鍵的污染 物。位於2337cnr】的峰（銹田认0 w • 年（辦因於已溶解的C02)在使用沸石 將SiCl4純化後係增大了。

實施例2C 此實施例說明使用感庫叙人+將 Ί祸合電漿質譜分析（ICP-MS)來 測量使用沸石CBV 780由液妒丄丄 ^田履脰S〗C14中去除金屬的效率。 經沸石純化的SiCl4之今屬人曰ΛΑ八^〜 4 孟屬含I的分析係如實施例2Α 中所述，及使用 ChemTrace Α … ce a司（Fremont, CA)製的對照 S i C 14樣品。

上述表1中顯示SiC〗4樣品的金屬分析結果。使用CBV 780對液體SiCl4的純化顯示減少所有的金屬（鉀例外）。在 鉀的情況係觀察到從0.69增加到〇·81份/每十億（1〇9) (ppb) 〇

使用CBV 780來純化係會有效地由液體Sicl4中移除 金屬雜質，但是會稍微增加鉀濃度。茲認為減低的鈉濃度 係至少部分起因於CBV 780沸石之減低的氧化鈉含量。 實施例3A 以下實施例說明使用由Sigma-Aldrich公司（St. Louis， MO)所取得的矽凝膠（Davisil 38，60-100網目，99 + %)從液 體四氯化矽去除雜質。 將10毫升矽凝膠置於一具有全氟烷氧基（PFA)活栓的 50毫升滴定管中。用PYREX® (Coming公司的商標名， c〇rning，NY)玻璃棉來保持矽凝膠在適當位置。然後將25 28 -200533599 耄升的 SiCl4 (99.998%，由 Sigma-Aldrich 公司取得，St.

Louis，MO)加到滴定管及靜置2-3分鐘。然後由滴定管分 配幾宅升的SiC】4 ’及用於沖洗樣品瓶（chemTrace公司， Fremont，CA)，然後丟棄。然後由滴定管分配2〇毫升的siCi4 及將其補捉在樣品瓶内。保存此樣品以供後續的痕量金屬 分析，如下述。 然後將額外的25毫升SiCl4加到滴定管，及靜置2-3 分4里。然後由滴定管分配幾毫升的sici4，及用於沖洗I-CHEM 牌樣品瓶（Nalga Nunc Internati〇nal，以^以如， NY) ’然後丢棄。然後由滴定管分配2〇毫升的sici4及將 其補捉在Ι-CHEM瓶内。保存此樣品以供後續的傅立葉轉 換紅外（FT-IR)光譜分析，如下述。 在上述的兩種案例中，通過沸石床的SiCl4之流速係 每秒約0 · 5毫升。

實施例3 B 此實施例說明使用傅立葉轉換紅外（FT-IR)光譜分析於 測量使用矽凝膠由液體siC14中去除分子雜質的效率。 使用相同於實施例1B中所述的程序來測量Sicl4 FT_ R光μ，但將使用如貫施例3A中所述而製造的經矽凝膠 純化的SlCl4來沖洗針筒和石英容器除外，以供後續的測 量 ° 第5圖顯示經矽凝膠純化的SiCl4相對於sic^對照樣 品的f=ir光譜差異。差異光譜的負峰表示污染物的去除。 與第3和4圖有關聯，在 29 200533599 2855cm_1及2295cm」的峰之較小減少係表示：SiCl4的石夕 凝膠純化以減低含O-H、C-H、Η-Cl及Si-H鍵的污染物濃 度之效果係較低於使用沸石CBV 400和CBV 780的純化 效果者。雖然SiCl4與矽凝膠的接觸時間係比實施例1A中 液體SiCl4與沸石的接觸時間長，但是在3663cm·1、 2960cm·1、2929(:111-1、2855(:111-1 和 2295cm-1 的峰之減小係 不與使用CBV 400沸石之純化所產生者同樣大。此外，在 3663cm_1、2960cm_1、2929cm·1、2855cm-】and 2295cm·1 的 _ 峰之減小係不與如實施例2A中所述的使用CBV 780沸石 之純化所產生者同樣大。

實施例3C 實施例說明使用感應耦合電漿質譜分析（ICP-MS)來測 量使用矽凝膠由液體SiCl4中去除金屬的效率。 經矽凝膠純化的SiCl4之金屬含量的分析係如實施例 3A中所述，及使用ChemTrace公司（Fremont，CA)製的對 照SiCl4樣品。 _ 上述表1中顯示SiCl4樣品的金屬分析結果。與如上 述使用沸石CBV 400和CBV 780所獲得者比較下，經石夕 凝膠所處理的S i C 14顯示類似的較佳的金屬雜質減少。然 而，分別檢測出〇.17ppb和O.llppb的硼和鉬，但是在對 照樣品中沒有檢測到這些雜質。 如實施例3B中所討論的，石夕凝膠係不能如CBV 400 和CBV 780沸石地有效地去除污染物。此證明石夕凝膠去除 I呂、妈及钟的能力，可允許使用石夕凝膠和沸石如CBV 400 30 -200533599 及/或 CBV 780 氧化物。 於純化無機_化物， 例如四氯化矽及/或鹵

雖然已經參照鲂杜U 明，但是熟習該項技:者，體態樣來詳細顯示和說明本發 式和細節，而不脫離T ”解可在其中作出不同變化形 之範圍。 相附的巾請專利範圍所涵蓋的本發明 【圖式簡單說明】 由以上本發明較佳且 一豆怨樣的更詳細說明，伴隨著 圖，將更明瞭本發明的卜H # 卞通有 〇 ★ 月的上述和其它目白勺、特徵及優點，其 中在所有不同的視圖中，鈿 相同的荼知號數係指相同的零 件。這些圖式未必按照比 』1衣的’而者重於說明本發明 的原理。 第 1 圖係一適合於眚2义。α 、汽知本舍明的方法之裝置的示意 圖0 第2圖係液體SiCl,的對照樣品之ft_ir光譜。 第3圖顯示在使沸石⑽400接觸液體無機曰鹵化物而 純化之前及之後的液體Sic丨4的FT_IR光譜之差異。 第4圖顯示在使沸石CBV 78〇接觸液體無機鹵化物而 純化之前及之後的液體SiC I4的FT-IR光譜之差異。 第5圖顯示在使矽凝膠接觸液體無機函化物而純化之 前及之後的液體SiCU的FUr光譜之差異。 【主要元件符號說明】 10 純化裝置 12 液體過濾罩 31 200533599 14 蓋子 16 蓋子 18 過渡介質 20 介質滞留裝置 22 介質滯留裝置 24 液體口 26 液體口 28 清洗口 30 通氣口 32 進料液體物流 34 經純化的液體物流

32

Claims (1)

1. 200533599 十、申請專利範圍·· 1 · 一種用於純化無機鹵化物或鹵氧化物進料液體之方 法，包括使進料液體接觸沸石以產生一種經純化的無機齒 化物或鹵氧化物液體。 2·如㈡㈣範圍帛1項之方法’其中沸石係氫形式 的Y型沸石。 約5的石夕石-對-氧化鋁比。

   =申請專利範圍第i項之方法，其中彿石含有的驗 :麴或 玉屬之/辰度係能防止經純化的無機鹵化物或鹵 氧化物液體被鹼金屬或鹼土金屬所實質污染。 < 5.如申請專利範圍第1項之方法'，其中沸石含有少於 約3重量％的Na2〇。 ^於 〇·如τ請專利範圍第 約0.05%重量％的Na2〇。 7·如申凊專利範圍第1 大於約90微米的沸石粒子 8. 如申請專利範圍第7 大於約400微米的沸石粒子 9. 如申請專利範圍第1 約5的矽石-對-氧化鋁比。 ，<方法，其中沸石含有d 項之方法，其中沸石包含尺寸 項之方法，其中沸石包含尺寸 項之方法，其中沸石具有至少 ίο.如申請專利範圍第9項 約80的矽石-對·氧化鋁比。 / ，/、中沸石具有至少 Π.如申請專利範圍第丨項 、方法，其中沸石具有約2〇 33 200533599 至約3 0埃的平均孔徑。 12. 如申請專利範圍f U項之方法，其中沸石具有約 2 4至約2 6埃的平均孔徑。 13. 如申請專利範圍第i項之方法，其中沸石係氮形式 的γ型沸石且具有約u的Sl〇2iAi2〇3莫耳比，約2 8 重量％的Na2〇i 24.5埃的單元格子大小，及約他2/ 克的BET表面積。 14·如中請專利範圍第u之方法，其中沸石係氮形式 的—Y型4石且具有約8Q的•對·AH莫耳比，約〇 ，置％的Na2〇,、約24.2埃的單元格子大小及約7版2/ 克的BET表面積。 15.如申請專利範圍第1 ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 貝之方法，其中沸石已經在.惰 乳風下被加熱處理以去除其内所存在的揮發物。 16·如申請專利範圍第15項之 ^ Μ ^ ^ ^ ^ 7 ’石丹Τ沸石已經在 軋巩下被加熱到至少約15〇cc的溫度。 17.如申請專利範㈣】項之方法 鹵氧化物係選自由Sicl 、Γ Γ1 …、械_化物或 4 6 4及P0C13所組成族群。 .如申請專利範圍f !項之方法， 去除金屬雜質。 八由進枓液體中 1 9.如申清專利範圍第1 8項之方苴 金屬離子。 、 /八中金屬雜質係 2〇·如申請專利範圍f 18項之方法， 選自由銘、銻、_ 〃 i屬雜質係 , 弓絡、話、銅、H H ^ 鉀納、銷、錫及鋅所組成族群。 錄 34 ，200533599 21.如申請專利範圍第丨 只心力/夭’具中由進料液髀φ 去除分子雜質。 運討救to f 22·如申凊專利範圍第21 有選自由c_H、SlH、Si⑽員之方法其中分子雜質含 w 、S卜OH、CUH、C-〇 族群的化學鍵。 Η-Cl所、、且成 23.如申請專利範圍第1 去除金屬雜質和分子雜質兩者。法/、中由進料液體中 體接觸：：；專利軌㈣1項之方法，其更包括使進料液 月丑钱觸矽破膠之步驟。 25·如申請專利範圍第丨 至少係一種、、昧π /、中進料液體係與 ’、種/弗石和矽凝膠的混合物接觸。 2 6 ·如r申請專利範 :成夕從 _弟1項之方法’其中進料液體係與 —或夕種沸石的混合物接觸。 遠/7.如巾請專利範則1歡方法，其中進料液體係在 連、屬程序中與沸石接觸。 28·如申請專利範圍帛1項之方法，其中沸石係含於可 丟棄的液體過濾罩中。 2 9 •種用於純化無機鹵化物或鹵氧化物進料液體之裝 置，包括： 、 a) 液體過濾罩，其含有液體入口及液體出口；及 b) 氫形式的Y型沸石。 30·如申請專利範圍第29項之裝置，其更包括 留裝置。 3 1 ·如申請專利範圍第29項之裝置，其中液體過濾罩 35 • 200533599 係由 '一種台各古）L、- 、士 I方止巧朱無機鹵化物或鹵氧化物液體的 性材料所構成。 予 32·如申請專利範圍第29 少約5 “ # y貞之衣置，其中沸石具有至 /、，々5的矽石_對_氧化鋁比。 33·如申請專利範圍第29 驗金屬或驗土金屬之濃声η^衣置，其中濟石含有的 齒氧化物好被於八rf 純化的無機齒化物或 物液肢被驗金屬或鹼土金屬所實質污染。 34.如申請專利範圍第29項之 於約1 2重量％的Na2〇。 八中/弗石含有少 35·如申請專利範圍第34 於約。·。作重量―。之4置’其中濟石含有少 其中沸石包含尺 其中〉弗石包含尺 其中沸石具有至 其中沸石具有至 其中沸石具有約 其中沸石具有約 6·如申請專利範圍第29項之裝置 寸大於約90微米的沸石粒子。 37.如申請專利範圍第36項之裝置 寸大於約4〇〇微米的沸石粒子。 8 ’如申睛專利範圍第2 9項之裝置 少約 s 又且 / 〕的矽石-對-氧化鋁比。 39.如申請專利範圍第38項之裝 少約S π 、的矽石-對-氧化鋁比。 4〇·如申請專利範圍第29項之裝置 2〇至約3〇埃的平均孔徑。 41 ·如申請專利範圍第40項之裝置 2 4 辛 A 26埃的平均孔徑。 36 1 ·如申凊專利範圍弟2 9項之步晋 ^ 2 "，其中沸石具有約 200533599 5·1的Si02-對-Al2〇3莫耳比，約2.8重量％的Na20，約24·5 埃的單元格子大小，及約730m2/克的BET表面積。 43·如申請專利範圍第29項之裝置，其中沸石具有約 80的Si02_對-八12〇3莫耳比，約〇·〇3重量％的Na20,約24.2 埃的單元格子大小，及約780m2/克的BET表面積。 44·如申請專利範圍第29項之裝置，其中沸石係實質 上不含揮發物。 45·如申請專利範圍第29項之裝置，其中沸石已經在 惰性氣氛下被加熱處理以去除其内所存在的揮發物。 46·如申請專利範圍第45項之裝置，其中沸石已經在 惰性氣氛下被加熱到至少約丨5〇〇c的温度。 47. 如申請專利範圍第29項之裝置，其中液體過濾罩 係可丢棄的。 48. 如申請專利範圍第29項之裝置，其中液體過濾罩 A由王氟燒氧基（PFA)所構成。 49·如申請專利範圍第29項之裝置，其中液體過濾罩 係由聚四氟乙烯（PTFE)所構成。 ^ 5〇·如申請專利範圍第29項之裝置，其更包括一將液 體過濾罩連接至製造程序的液體導管。 5 h如申請專利範圍第5〇項之裝置，其中液體導管係 由王氟烷氧基（PFA)或聚四氟乙烯（p丁FE)所構成。 十一、圖式： 如次頁 37