TW200530730A - Wavelength plate - Google Patents

Description

200530730 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明有關可用於雷射光學系的波長板（wave length plate )。詳言之。有關使用具有能對透射光賦與相位差功 能的透明樹脂薄膜（以下，簡稱「相位差薄膜」）至少2 片以上的波長板。 > 【先前技術】 φ 近年來，由於非接觸，對每單位體積的資訊量之多， 高速存取性、低成本等的理由，光碟裝置係其利用領域大 幅成長的一種光學資訊記錄·再生裝置，而爲發揮其特長 起見，正在開發各種記錄媒。例如，開發有將預先所記錄 的資訊作成聲音或影像或者電腦程式加以再生的光碟（CD )、雷射磁碟（註冊商標）（LD) 、CD - ROM(.唯讀光 碟記憶體）、DVD - ROM (多功能數位影音光碟）等，使 用雷射僅寫入資訊，並能再生有關資訊的CD - R (可錄型 β 光碟）或DVD - R (可錄型多功能數位影音光碟）、能重 複資訊之記錄·再生的可讀寫式光碟機（MO)或DVD - ， RAM (隨機存取記錄型多功能數位影音光碟）、DVD — . RW (可重寫型多功能數位影音光碟）等。 能實施此種光學資訊記錄•再生裝置上的資料之記錄 及/或再生用的光學系裝置而言，周知有種種裝置，而作 爲其中之1種，廣泛周知有可重寫型光碟機裝置。在可重 寫式光碟機裝置，周知有來自雷射光源的照射光通過偏光 -5- 200530730 (2) 極鏡（polarizer)、偏振光束分光器（polarized beam splitter、PBS)而照射於可讀寫式光碟機上，被可讀寫式 光碟機所反射的送回光（return light)再度通過PBS，至 光檢測器（optical detector)的光程（optical path)之中 途位置具有配置有1 /2 λ波長板（以下，簡稱「1 /2波長板 」）的光拾取裝置（optical pick up divice)，或具有配 置有1 /4 A波長板（以下，簡稱^ 1 /4波長板」）的光拾取 裝置者等。 在此，1 /2波長板，係指於特定波長垂直相交的2個 偏光成分之間賦與λ /2之光程差（因而，係之相位差） 者，而1 /4波長板，係指於特定波長垂直相交的2個偏光 成分之間賦與λ /2之光程差（因而，係7Γ /2之相位差）者 〇 又，用於液晶投影器的波長板，係例如，作爲偏光轉 化元件（polarized light converter)發揮功能，而具有將 入射於該偏光轉化的自然光分離爲偏光面互相垂直相交的 P偏光光線及S偏光光線，使所分離的P偏光光線及S偏 光光線之任一方之偏光面實質上旋轉90度，以使該偏光 光線的偏光面之角度與另一方之偏光光線的偏光面一致的 功能者。如採用此種偏光轉化元件，則所得的偏光光線之 大部分會成爲實質上具有單一之偏光面者之故，在液晶投 影器中可得較高的光之利用效率。在此種偏光轉化元件中 ，使所入射的偏光光線的偏光面實質上旋轉9 0度的手段 而言，一般在採用1 /2波長板。又，在液晶投影器中，經 -6- 200530730 (3) 由分色鏡（dichroic mirror)分光爲光之二原色（紅、綠 、藍）後，分別透射至所對應的液晶面板’並經由十字稜 鏡（cross prism )所合成而從投射鏡出光，惟有時，以提 升輝度爲目的，在液晶面板與十字稜鏡之間使用1 /4波長 板，惟由於所分光的光之波長具有相當程度的見度之故’ 有時需要不僅在特定之短波長，尙在廣寬的頻帶中作成 1/4波長的波長板。 用於此等用途的波長板而言，在來使用：從具備雙折 射性的雲母、石英、水晶、方解石、LiNb03 (鋰鈮氧化物 )、LiTa03 (鋰鉅氧化物）等的單結晶所形成的波長板； 從對玻璃基板等的底子基板由斜向沈積無機材料所得的底 子基板之表面具有雙折射膜的波長板；具有雙折射性的 LB (Langmuir - Blodget，藍牟耳·補樂奇特）膜的波長 板；等無機系者。 又’將聚碳酸酯（PC)、三乙醯基乙酸酯（TAC )、 聚乙烯醇（PVA)、聚乙烯基丁縮醛（PVB)、聚對苯二 甲酸乙二醇酯（PET )、聚丙烯（PP)、聚芳酯、聚碾、 聚醚® '丙烯酸樹脂等的透明樹脂薄膜拉伸並定向，以賦 與雙折射性（對透射光賦與相位差的功能）的有機物薄膜 之相位差薄膜，爲維持平坦性、定型性起見而黏接於玻璃 基板上、或經以2片玻璃基板所夾持的波長板亦在使用。 再者’將高分子液晶膜，爲維持平坦性、定型性以及分子 定向起見而形成於玻璃基板上，或使用2片玻璃基板等方 式賦與有雙折射性的波長板亦在使用。 -7- 200530730 (4) 又’最近’作爲高密度之資訊記錄媒體，DVD正在急 速普及，惟另一方面，由於已經在市面上廣泛普及有CD 、CD - ROM、CD - R等再生專用或可錄型光碟之故，盼 望光碟機裝置亦能兼用對此等方式不同的多種光碟上的記 錄或再生的功能，又，隨著應用領域之擴大，亦有對小型 化、低價格化之需求。因而，爲對應此種要求起見，提案 有爲能對應複數次讀寫用之雷射用的寬頻帶波長板（相位 差板）之使用（專利文獻1至3 )。此中，例如，在專利 文獻3 (日本專利特開2002 — 14228號公報）中，提案有 一種偏振面（plane of polarization)互相平行之2種入射 直線偏光在通過波長板後，2種出射直線偏光之偏振面會 垂直相交化的波長板。在此種波長板中，由於爲獲得所期 望之光學特性而使用有相位差薄膜2片以上之故，不僅經 黏接固定於玻璃基板上，通常相位差薄膜互相間亦經黏接 固定。然而，如在經黏接薄膜互相間的構成之波長板，則 因長期之連續使用而面內像差（in plane aberration)會發 生變化，以致有不能保持初期所具有的良好的特性之問題 。又，由於相位差薄膜之物性會成爲波長板之特性而顯現 之故，存在有由於所使用的環境，因長期之連續使用而波 長板之相位差値（retardation，延遲）逐漸變化，或因薄 膜厚度不均勻以致面內像差增大，結果發生不能保持初期 所得的良好的特性的情形的問題。 抑制上述問題的方法而言，可考慮不實施相位差薄膜 互相間之黏接，而將各薄膜獨立採用雷射光學系之作法’ -8- 200530730 (5) 惟此時’需要精細地調整各相位差薄膜之光軸後再行實施 之故，不僅在機器之製造上頗費工夫，尙會發生因使用時 之震動而產生各相位差薄膜之光軸之互相關係之錯位以致 特性會降低等問題。 專利文獻1:日本專利特開2001— 101700號公報 專利文獻2 :日本專利特開2 0 0 1 — 2 0 8 9 1 3號公報 專利文獻3 :日本專利特開2 0 0 2 — 1 4 2 2 8號公報 【發明內容】 發明所欲解決之課題 本發明之課題乃以解決上述先前技術之課題所開發者 ，係以提供初期特性優異，不易受使用環境或製造環境之 影響且長期可靠性優異的光學資訊記錄·再生裝置用、液 晶投影機用之波長板。 用以解決課題之手段 本發明人等，爲解決上述先前技術之課題而盡心硏究 之結果’發現一種波長板（以下簡稱「第1波長板」）， 係由2片以上之相位差薄膜所成波長板，其特徵爲：在雷 射光之透射部分，相位差薄膜互相間係未經黏接者，再者 ，在除雷射光之透射部分的部分之至少一部分，相位差薄 膜互相間係經黏接者，初期特性優異，不易受使用環境或 製造環境之影響，適合作爲長期可靠性優異的光學資訊記 錄·再生裝置用，液晶投影機用之波長板之事實。 200530730 (6) 又，即使在雷射光之透射部分，相位差薄膜互相間係 經黏接的波長板，發現一種波長板（以下，簡稱「第2波 長板」），係層合有至少2片相位差薄膜，而於該經層合 的相位差薄膜之至少單面上層合有玻璃基板的波長板，其 特徵爲，相位差薄膜互相間，及相位差薄膜與玻璃基板間 ，係經由選自下述黏接劑（A ) 、 ( B )，且分別以不相同 的黏接劑層合固定所成。 黏接劑（A ):係玻璃化溫度在01以下，且在2 0 t 時的楊氏撓曲模量爲1 0 Μ P a以下的黏接劑。 黏接劑（B ):係玻璃化溫度在40°C以上，且在23。(： 時的楊氏撓曲模量爲3 0 Μ P a以上的黏接劑。 (但，黏接劑（A )與黏接劑（B )的玻璃化溫度之差 爲6 0 °C以上，且在2 3 t時的黏接劑（A )與黏接劑（B ) 的楊氏撓曲模量之差爲40 MPa以上。）者，初期特性優異 ’不易受使用環境或製造環境之影響，適合作爲長期可靠 性優異的光學資訊記錄·再生裝置用，液晶投影機用之波 長板之事實。 再者，本發明人等發現一種使將耐熱性優異，爲低吸 濕性者’相位差之安定性優異且相位差之波長依賴性小的 環狀烯烴系樹脂作爲原料的薄膜（以下，簡稱「環狀烯烴 系樹脂薄膜」）拉伸定向的相位差薄膜，特別初期特性優 異’不易受使用環境或製造環境之影響，適合作爲長期可 靠性優異的光學資訊記錄·再生裝置用、液晶投影機用之 波長板之事實。 -10- 200530730 (7) 發明之效果 本發明之第1波長板係一種2片以上之相位差薄膜之 雷射光之透射部分爲未經黏接而留有間隙，且，需要時按 不使用支持體之方式經固定於雷射光之透射部分者，故此 種波長板之長期間波面像差之變化極小而能維持高性能。 如使用本發明之第1波長板，則可製造長期間維持高性能 的光學資訊記錄·再生裝置、液晶投影機裝置。 本發明之第2波長板，係一種層合有至少2片之相位 差薄膜，而於該經層合的相位差薄膜之至少一面上層合有 玻璃基板的波長板，由於相位差薄膜互相間，及相位差薄 膜與玻璃基板間，係經由選自黏接劑（A ) ， ( B )，且分 別以不相同的黏接劑所層合固定者，故此種波長板爲廉價 ，且長時期波前像差（wave front aberration)之變化極少 而能維持高性能。如使用本發明之第2波長板，則可製造 廉價，且長時間維持高性能的光學資訊記錄·再生裝置、 液晶投影機裝置。 發明之最佳實施形態 以下，就本發明之內容，加以更具體說明。 可用於本發明之第1及第2波長板的相位差薄膜而言 ，可例舉：使聚碳酸酯（PC )、三乙醯基乙酸酯（TAC ) 、聚乙烯醇（PVA)、聚乙烯基丁縮醛（PVB)、聚對苯 二甲酸乙二醇酯（PET )、聚丙烯（PP )、聚芳酯、聚硕 -11 - 200530730 (8) 、聚醚硕、丙烯酸樹脂、環狀傭煙系樹脂等的透明樹脂薄 膜拉伸並定向者。其中’使環狀燦煙系樹脂薄膜拉伸並定 向者較好用。 本發明中較好用於相位差薄膜用途的環狀烯烴系樹脂 而言，可舉如下列的（共）聚合物。 (i )可以下述一般式（1 )所表示的環狀烯烴（以下 ，簡稱「特定單體」）之開環聚合物。 (2 )特定單量體與共聚合性單體的開環共聚合物。 (3) 上述（1)或（2)之開環（共）聚合物之加氫 (共）聚合物。 (4) 依夫里得一夸夫特反應（Friedel-Craft reaction )使上述（1)或（2)之開環（共）聚合物環化後’實施 加氫的（共）聚合物。 (5) 特定單體與含有不飽和雙鍵的化合物的飽和共 聚合物。 (6) 選自特定單體、乙烯系環狀烴系單體以及環戊 二烯系單體中的至少1種以上之單體之加成型（共）聚合 物及其加氫（共）聚合物。 (7)特定單體與丙烯酸酯的交替共聚合物（ alternating copalgmer ) ° 一般式（I )

-12- 200530730 (9) 一般式 (I ) 〔式中’ R1至R4分別爲氫原子、鹵原子、碳數 30之烴基、或者其他1元之有機基，而可爲相同或不相同 。R1與R2或者R3與R4，可爲一體化而形成2元之烴基 ，R1或者R2與R3或R4可互相結合以形成單環或多環構 造。m爲0或者正之整數，而p爲〇或者正之整數^〕 <特定單體> 上述特定單體之具體例而言，可舉如下的化合物’ 本發明並不因此等具體例而有所限定。 二環〔2.2.1〕庚一 2-烯、 三環〔4·3·0.I2,5〕一 8—癸烯、 三環〔4.4.0.12’5〕一 3 —十一燒、 四環〔4.4.0.12,5.17’1()〕— 3- 十二烯、 五環〔6.5.1.13,6.〇2,7.〇9’13〕— 4一十五烯、 5 —甲基二環〔2.2.1〕庚—2-烯、 5—乙基二環〔2.2.1〕庚一 2—烯、 5 一甲氧羰基二環〔2.2.1〕庚一 2—烯、 5一甲基一 5 —甲氧羰基二環〔2.2.1〕庚一 2—烯、 5-氰基二環〔2.2.1〕庚—2—烯、 8 —甲氧羰基四環〔4·4·0·12’5·17’10〕— 3—十二烯、 8 —乙氧羰基四環〔4·4·〇.1 U.l7’1 °〕一 3 —十二嫌、 8—正丙氧羰基四環〔4.4.0.12’5.17，ig〕— 3 —十二烯 -13- 200530730 (10) 8 —異丙氧羰基四環〔4.4.0.I2’5.17’1Q〕—3 -十二烯 8 —正丁氧羰基四環〔4.4.0 . 1 2 ’5. Γ ’1 G〕一 3 -十二烯 8 —甲基一8 —甲氧羰基四環〔4.4 · 0 · 1 2 ’5. Γ ’1 G〕一 3 — 十二烯、 8 —甲基一8 —乙氧羰基四環〔4.4.0 · 1 2 ’5. 1 7 ’1G〕— 3 —

8—甲基—8—正丙氧羰基四環〔4·4.0.12’5·17’1()〕一 3 一十二烯、 8 一甲基—8—異丙氧羰基四環_3 一十二烯、 8 —甲基—8—正 丁氧羰基四環〔4.4.0.I2’5.1 7’1G〕— 3 一十二烯、 5 —伸乙基二環〔2.2.1〕庚—2 —烯、 8-伸乙基四環〔4.4.0·12,5.I7,1(3〕— 3 -十二烯、 鲁 5-苯基二環〔2.2.1〕庚—2 —烯、 8 —苯基四環〔4·4.0·12’5.17’μ〕— 3 —十二烯、 · 5—氟代二環〔2.2.1〕庚—2_燒、 5 —氟代甲基二環〔2.2.1〕庚—2 —烯、 5 —三氟代甲基二環〔2.2.1〕庚一 2 —烯、 5 —五氟代乙基二環〔2.2.1〕庚一 2-烯、 5，5 —二氟代二環〔2.2.1〕庚一 2 —烯、 5，6 —二氟代二環〔2.2.1〕庚—2- 烯、 -14- 200530730 (11) 5，5 -雙（三氟代甲基）二環〔2.2.1〕庚一 2-烯、 5，6 —雙（三氟代甲基）二環〔2.2.1〕庚—2 —烯、 5—甲基一5 —三氟代甲基二環〔2.2.1〕庚—2 —烯、 5，5，6 —三氟代二環〔2.2.1〕庚—2-烯、 5，5，6-參（氟代甲基）二環〔2.2.1〕庚—2 —烯、 5，5，6，6 —四氟代二環〔2.2.1〕庚—2 —烯、 5，5，6，6 —肆（三氟代甲基）二環〔2.2.1〕庚一 2

-烯、 5，5 —二氟代—6，6_雙（三氟代甲基）二環〔2.2.1 〕庚一 2-烯、 5，6 —二氟代一 5，6 —雙（三氟代甲基）二環〔2.2.1 〕庚一 2 —嫌、 5，5，6 —三氟代—5 —三氟代甲基二環〔2.2.1〕庚一 2 —烯、 5 —氟代一5 —五氟代乙基一 6，6—雙（三氟代甲基） 二環〔2·2·1〕庚-2-烯、 φ 5，6 —二氟代一 5 —五氟代—異丙基—6 —三氟代甲基 一環〔2.2.1〕庚—2 —燒、 · 5 —氯代—5，6，6-三氟代二環〔2.2.1〕庚—2-烯 5，6 —二氯代—5，6 —雙（三氟代甲基）二環〔2, 2.1〕庚—2- 嫌、 5，5，6—三氟代一 6 —三氟代甲氧二環〔2.2.1〕庚一 2 -嫌、 -15- 200530730 (12) 5，5，6—三氟代—6-七氟代丙氧二環〔2.2.1〕庚— 2 —烯、 8 —氟代四環〔4·4.0·12,5.Γ，1()〕一 3 —十二烯、 8 — 氟代甲基四環〔4.4.0.12,5·Γ，1(3〕一 3 —十二烯、 8—二氟代甲基四環〔4·4.0·12,5.17，]()〕— 3—十二烯 8 —三氟代甲基四環〔4.4.0.I2,5.17，1()〕一3—十二烯 8—五氟代乙基四環〔4.4.0.I2,5.17，1G〕一 3 —十二烯 8，8 —二氟代四環〔4·4.0·12,5·Γ，1{)〕— 3 —十二烯、 8，9 —二氟代四環〔4.4.0.12,5.17，1()〕一 3 —十二烯、 8，8 —雙（三氟代甲基）四環〔4·4.0·12,5·17，1()〕一 3 —十二烯、 8，9 —雙（三氟代甲基）四環〔4.4.0.12’5.17’1()〕一 3 -十二烯、 φ 8 —甲基一 8 —三氟代甲基四環〔4·4·0.12,5·17，1()〕一 3 一十二烯、 · 8，8，9 —三氟代四環〔4.4.0.12,5.17，1()〕— 3 —十二 嫌、 8，8，9 —參（三氟代甲基）四環〔4·4·0.I2,1I7,10〕 —3 -十二烯、 8，8，9，9 —四氟代四環〔4.4·0·12,5·17，1()〕一 3 —十 -16- 200530730 (13) 8，8，9，9 —肆（三氟代甲基）四環〔4,4.0.I。 17’1()〕— 3 —十二烯、 8，8 —二氟代一 9，9 —雙（三氟代甲基）四環〔 4.4.0. 12’5.17，1()〕一 3 —十二烯、 8，9 —二氟代一 9，9 —雙（三氟代甲基）四環〔 4.4.0. 12’5.17’1()〕一 3 —十二烯、

8，8，9 一三氟代一 9 —三氟代甲基四環〔4.4.0.I2’5 I7’1” — 3 —十二烯、 8，8，9 —三氟代一 9 —三氟代甲基四環〔4.4.0.I2’5 I7’10〕— 3 —十二烯、 8，8，9 —三氟代—9 一五氟代丙氧四環〔4.4.0.12’5 17’1()〕一 3 -十二烯、 8—氟代一 8-五氟代乙基一 9，9一雙（三氟代甲基） 四環〔4.4.0.12,5.17，1G〕— 3 —十二烯、

8，9一二氟代一 8-七氟代一異丙基一 9一二代甲基 四環〔4·4.0·12,5·17，1()〕一 3 —十二烯、 8 —氯代一8，9，9 一三氟代四環〔4.4.0.I2,5.I7,10〕 —3 -十二烯、 8，9 一二氯代一8，9 —雙（三氟代甲基）四環〔 4.4.0 . 1 2，5 · 1 7，1G〕— 3 —十二烯、 8 — （2，2，2 —三氟代乙氧羰基）四環〔 4.4.0 · 1 2，5. 1 7，1 G〕— 3 —十二烯' 8 —甲基—8一 （2，2，2 —三氟代乙氧羰基）四環〔 4.4.0 · 1 2 ’5 · 1 7 ’1 G〕— 3 —十二烯 -17- 200530730 (14) 等。 此等化合物可以單獨1種之方式，或倂用2種 方式使用。 特定單體之中，較佳者爲，上述一般式（1) 及R3爲氫原子或碳數1至10之烴基，更佳者爲碳 4之羥基，特佳者爲碳數1至2之烴基，R2及R4 子或一元之有機基，而R2及R4之至少一個表示氫 烴基以外之具有極性的極性基，m爲〇至3之整數 〇至3之整數，更佳爲m + p = 0至4，再佳爲〇至2 爲m=l、p = 0者。m = l、p = 0的特定單體，係由於 環狀嫌烴系樹脂之玻璃化溫度較局且能成爲機械性 異者之故較佳。 上述特定單體之極性基而言，可例舉：羧基、 烷氧羰基、烯丙氧羰基、胺基、醯胺基、氰基等， 性基亦可介由亞甲基等的連結基加以結合。又，亦 極性基而例舉：羰基、醚基、矽烷醚基、硫醚基、 等具有極性的2元之有機基成爲連結基所結合的烴 此中，較佳爲羧基、羥基、烷氧羰基或烯丙氧羰基 爲烷烷羰基或烯丙氧羰基。 再者，R2及R4之至少一個爲可以式一（CH2 ) 表示的極性基的單體，由於所得的環狀烯烴系樹脂 具有高的玻璃化溫度及低的吸濕性、與各種材料間 的密接性之故較佳。有關上述之特定極性基的式中 碳原子數1至12之烴基、更佳爲碳原子數1至4 以上之 中，R1 數1至 爲氫原 原子及 、P爲 ，特佳 所得的 強度優 羥基、 此等極 可作爲 亞胺基 基等。 ，較佳 nCOOR 將成爲 的優異 ，R爲 之烴基 -18- 200530730 (15) 、特佳爲碳原子1至2之烴基，較佳爲烷基。又，η通常 爲0至5 ’惟由於η之値愈小者，所得的環狀烯烴系樹脂 之玻璃化溫度會愈高之故較佳，再者，η爲〇的特定單體 ;係由於其合成較容易之故較佳。 又，上述一般式（1 )中，R1或R3較佳爲烷基，碳數 1至4之烷基，更佳爲碳數1至2之烷基，特佳爲甲基， 而由於能降低所得的環狀烯烴系樹脂之吸濕性之故，特佳 爲該烷基係經結合於與上述以式一（C H2 ) n C 0 0 R表示的 特定之極性基所結合的碳原子同一碳原子。 <共聚合性單體> 共聚合性單體之具體例而言，可舉：環丁烯、環戊烯 、環庚烯、環辛烯、二戊二烯等的環烯烴。環烯烴之碳數 而言，較佳爲4至20、更佳爲5至12。此等共聚合性單 體可以單獨1種之方式，或倂用2種以上之方式使用。 特定單體/共聚合性單體之較佳使用範圍，係以重量 比計爲100/0至5 0/5 0，而更佳爲100/0至60/40。 <開環聚合觸媒> 本發明中，爲製得（1)特定單體之開環聚合物、及 (2 )特定單體與共聚合性單體的開環共聚合物的開環聚 合反應，係在複分解觸媒（metathesis catalyst)之存在下 實施。 該複分解觸媒，係由，（a )選自 W (鎢）、Mo (鉬 -19- 200530730 (16) )以及Re (銶）之化合物的至少1種、與（b )屬於黛明 氏（Deming )之周期律表IA族元素（例如，L i (鋰）、

Na (鈉）、K (鉀）等），IIA族元素（例如，Mg (錶） 、Ca (鈣）等）、IIB族元素（例如，Zn (鋅）、Cd (鑛 )、Hg (汞）等）、IIIA族元素（例如’ B (硼）、幻（ 鋁）等）、IV A族元素（例如’ s 1 (矽）、S η (鍚）、 J ^ b (鉛）等），或IV B族元素（例如’ T i (鈦）、Z r (伊：） 等）之化合物，而選自至少具有1個該元素一碳結合 元素-氫結合者的至少1種的組合所成觸媒。又，此時， 爲提升觸媒之活性起見，可爲添加有後述之（c )添加齊^ 者。 作爲（a)成分適當的W、Mo或Re之化合物之代表 例而言，可例舉：WC16、MoC16、Re〇Cl3等日本專利特開 平1— 132626號公報第8頁左下欄第6行至第8頁右上欄 第1 7行所記載之化合物。 (b )成分之具體例而言，可例舉：正 C4H9Li、（ C2H5) 3A1 > (C2H5) 2A1C1 > (C2H5) 1.5A1C115 ' (C2H5) A1C12、甲喃 u定四酮（methyl alloxan) 、LiH 等 曰本專利開平1 — 1 3 2 62 6號公報第8頁右上欄第18行至 第8頁右下欄第3行所記載之化合物。 作爲添加劑的（c )成分之代表例而言，可適用醇類 、醛類、酮類、胺類等，亦可使用日本專利特開平1 一 1 3 2 626號公報第8頁右下欄第16行至第9頁左上欄第17 行所表示的化合物。 -20- 200530730 (17) 複分解觸媒之使用量而言，按上述（a )成分與特定 單體的旲耳比計’可爲「（a)成分：特定單體」通常1: 5 0 0 至 1 : 5〇,0 00 的範圍，較佳爲 1 : ][,〇〇〇 至 1 : 1〇,〇〇〇 的範圍。 (a )成分與（b )成分的比例，按金屬原子比計，可 爲（a) · (b)在 1:1 至 1:50，較佳爲 1:2 至 1:30 之範圍。 (a )成分與（c )成分的比例，按莫耳比計，可爲（ c ) : ( a )在 〇. 0 0 5 : 1 至 1 5 : 1，較佳爲 0.0 5 : 1 至 7 : 1 之範圍。 <聚合反應用溶媒> 在開環聚合反應中所用的溶劑（構成分子量調節劑溶 液的溶劑’特定單體及/或複分解觸媒之溶劑）而言，可 例舉：戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷等的烷烴類 ;環己院、環庚烷、環辛烷、萘烷、降冰片烷等的環烷烴 類；苯、甲苯、二甲苯、乙基苯、異丙苯等的芳香族烴； 氯代丁烷、溴代己烷、二氯甲烷、二氯乙烷、六亞甲二溴 、氯苯、氯仿、四氯乙烯等的鹵化烷烴、芳基鹵；乙酸乙 酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、丙酸甲酯、二甲氧乙烷等 的飽和羧酯類；二丁醚、四氫呋喃、二甲氧乙烷等的醚類 ，而此等化合物可以單獨或混合之方式使用。此中，較佳 爲芳香族烴。 溶劑之使用量而言，「溶劑：特定單體（重量比）」 -21 - 200530730 (18) 可爲通常，i : 1至10 : 1的量，較佳爲l :丨至 <分子量調節劑〉 所得開環（共）聚合物之分子量之調節亦可依聚合溫 度、觸媒之種類、溶劑之種類實施，惟本發明中，則依將 分子量調節劑共存於反應系中之方式調節。 在此，較佳的分子量調節劑而言，可例舉··乙嫌、丙 烯、1 一 丁烯、1—戊烯、1 一己烯、1〜庚烯、〗一辛烯、；[ 一壬儲、1一癸燃等的α -燃烴類及苯乙嫌，此中，特佳 爲1 一 丁烯、1 一己烯。 此等分子量調節劑，可以單獨或混合2種以上使用。 分子量調節劑之使用量而言，對供於開環聚合反應的特定 單體1.莫耳，作成0.005至0.6莫耳、較佳爲0.02至0.5 莫耳。 爲製得（2 )開環共聚合物時，在開環聚合過程中， 可使特定單體與共聚合性單體進行開環共聚合，惟可再於 聚丁二烯、聚異戊二烯等的共軛二烯化合物、苯乙烯-丁 二烯共聚合物、乙烯-非共軛二烯共聚合物、聚降冰片烷 等的主鏈上，在含有碳-碳間雙鍵2個以上的不飽和烴系 聚合物等的存在下，使特定單體進行開環聚合。 如上述方式所得的開環（共）聚合物，雖然可直接使 用，惟由於將此（共）聚合物之分子中之烯烴性不飽和鍵 進行氫添加所得的（3 )加氫（共）聚合物，係耐熱著色 -22- 200530730 (19) 性或耐光性優異，且可改善相位差薄膜之耐久性之故較佳 <加氫觸媒> 加氫反應，可適用通常之烯烴性不飽和鍵進行氫添加 的方法。亦即，於開環聚合物之溶液中添加加氫觸媒，對 此在常壓至300氣壓下，較佳爲將3至200氣壓之氫氣在 〇至200°C下，較佳爲在20至18(TC下使其作用之方式實 施。 加氫觸媒而言，可使用通常之烯烴性化合物之加氫反 應所用者。此種加氫觸媒而言，可例舉：不均系觸媒（ h e t e I* 〇 g e n e 〇 u s c a t a 1 y s t )及均勻系觸媒（h 〇 m 〇 g e n e 〇 u s catalyst ) 。 不均系觸媒而言，可例舉：使鈀、鉑、鎳、铑、釕等 的貴金屬觸媒物質，載持於碳、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦 等的擔體上的固態觸媒。又，均勻系觸媒而言，可例舉： 環烷酸鎳/三乙基鋁、鎳乙醯基丙酮化物/三乙基鋁：辛酸 鈷/正丁基鋰、氯化貳環戊二烯鈦/一氯化二乙基鋁、乙酸 铑、一氯參（三苯基膦）铑、二氯參（三苯基膦）釕、一 氯氫基羰基參（三苯基膦）釕、二氯羰基參（三苯基膦） 釕等。觸媒之形態，可爲粉末，亦可爲粒狀。 此等加氫觸媒，可按開環（共）聚合物：加氣觸媒（ 重量比）能成爲1 ·· 1 X 1 0 — 6至1 : 2之比例使用。 加氫（共）聚合物之加氫率，係依5 00MHz、— -23- 200530730 (20) NMR所測定的値爲5 0%以上，較佳爲9〇%以上，更佳爲 9 8 %以上’最佳爲9 9 %以上。加氫率愈高，愈成爲對熱或 光的安定性優異者，如作爲本發明之波長板使用時能得長 期間安定的特性。 在此’如開環（共）聚合物分子中具有芳香族基時， 此種芳香族基不致於降低耐熱著色性或耐光性，相反地， 例如，在折射率或波長分散等方面可能會呈現有利的特性 之故不一定需要加氫。 又，作爲本發明中所用的環狀烯烴系樹脂，亦可使用 (4)將上述（1)或（2)之開環（共）聚合物藉由夫里 得-夸夫特反應使其環化之後加氫的（共）聚合物。 <夫里得-夸夫特反應的環化> 藉由夫里得-夸夫將反應而使上述（1 )或（2 )之開 環（共）聚合物環化的方法並非特別加以限定者，惟可採 用使用日本專利特開昭5 0 - 1 5 4 3 9 9號公報所記載之酸性 化合物的周知之方法。酸性化合物而言，具體上，可採用 A1C13、BF3、FeCl3、Al2〇3、HC1、CH3C1C00H、沸石、 活性白土等的路易斯酸（L e w i s ’ s a c i d )、布朗斯台德酸。 經環化的開環（共）聚合物，可與上述（1 )或（2 ) 之開環（共）聚合物同樣方式加氫。 再者，作爲本發明中所用的環狀烯烴系樹脂，亦可使 用（5)上述特定單體與含有不飽和雙鍵之化合物的飽和 共聚合物。 -24- 200530730 (21) <含有不飽和雙鍵之化合物> 含有不飽和雙鍵之化合物而言，可例舉：乙烯、丙烯 、丁烯等，較佳爲碳數2至12，更佳爲碳數2至8之烯烴 系化合物。 特定單體/含有不飽和雙鍵之化合物之較佳使用範圍 ，以重量比計，爲90/10至40/60，更佳爲85/5至50/50 〇 本發明中’如欲製得（5)特定單體與含有不飽和雙 鍵之化合物的飽和共聚合物時，可使用通常之加成聚合法 〇 <加成聚合觸媒> 爲合成上述（5)飽和共聚合物用的觸媒而言，可使 用選自鈦化合物、锆化合物以及釩化合物的至少一種、及 作爲助觸媒的有機鋁化合物。 在此，鈦化合物而言，可例舉：四氯化鈦、三氯化鈦 等，又，鉻化合物而言，可例舉：氯化雙（環戊二烯基） 鉻、氯化雙（環戊二烯基）鉻等。 再者，釩化合物而言，可使#可以一般式 VO(OR) aXb、或者 V(OR) cXd 〔在此，R爲烴基、X爲鹵原子，而0gaS3、0$b S3、2S (a + b) S3、0$c^4、〇$d€4、3$ (c + d) ^ 4 〇 〕 -25- 200530730 (22) 表示的釩化合物、或此等化合物之給電子加成物。 上述給電子加成物而言，可例舉：醇、酚類、酮、醛 、羧酸、有機酸或無機酸之酯、醚、醯胺、酸酐、烷氧矽 烷等的含氧給電子體、氨、胺、腈、異氰酸酯等的含氮給 電子物等。 再者’作爲助觸媒的有機鋁化合物而言，可使用選自 至少具有1個鋁一碳鍵或鋁一氫鍵者中的至少一種。 上述中，例如，使用釩化合物時的釩化合物與有機鋁 化合物之比例，係對釩原子的鋁原子之比（Ai/ν )爲2以 上，較佳爲2至50，特佳爲3至20之範圍。 爲加成聚合所使用的聚合反應用溶劑，可使用與開環 聚合反應所用的溶劑同樣者。又，所得（5 )飽和共聚合 物之分子量之調節，通常使用氫氧而實施。 再者’作爲本發明中所用的環狀烯烴系樹脂，亦可使 用選自（6)上述特定單體、及乙烯系環狀烴系單體或者 環戊二烯系單體中的1種以上之單體之加成型共聚物及其 加氫共聚合物。 <乙烯系環狀烴系單體> 乙烯系環狀烴系單體而言，可例舉··如4 -乙烯基環 戊烯、2 -甲基一 4 一異烯丙基環戊烯等的乙烯基環戊烯系 單體、如4-乙烯基環戊烷、4-異烯丙基環戊烷等的乙烯 基環戊烷系單體等的乙烯基化5員環烴系烴系單體、如4 —乙烯基環己烯、4 一異烯丙基環己烯、1—甲基一 4 一異 -26- 200530730 (23) 烯丙基環己烯、2 —甲基一 4 一乙烯基環己烯、2—甲基一4 一異烯丙基環己烯等的乙烯基環己烯系單體、如4一乙烯 基環己烷、2 -甲基一 4一異烯丙基環己烷等的乙烯基環己 烷系單體、如苯乙烯、α —甲基苯乙烯、2—甲基苯乙烯 、3 —甲基苯乙烯、4 一甲基苯乙烯、1—乙烯基萘、2 一乙 烯基萘、4-苯基苯乙烯、對甲氧苯乙烯等的苯乙烯系單 體、如右旋萜烯、左旋萜烯、雙萜烯、右旋檸檬烯（ limonene )、左旋檸檬烯、雙戊烯等的萜烯系單體、如4 -乙烯基環庚烯、4 -異烯丙基環庚烯等的乙烯基環庚烯 單體、4-乙烯基環庚烷、4 -異烯丙基環庚烷等的乙烯基 環庚烷系單體等。較佳爲苯乙烯、α -甲基苯乙烯。此等 可以單獨1種使用或倂用2種以上。 <環戊二烯系單體> 作爲（6)加成型共聚合物之單體所使用的環戊二烯 系單體而言，可例舉：環戊二烯、：1·一甲基環戊二烯、2一 甲基環戊二烯、2 —乙基環戊二烯、5 —甲基環戊二烯、5 ，5-甲基環戊二烯等。較佳爲環戊二烯。此種可以單獨1 種使用或倂用2種以上。 選自上述特定單體、乙烯基系環狀烴系單體以及環戊 二烯系單體中的1種以上之單體之加成型（共）聚合物， 可依與上述（5)特定單體和含有不飽和雙鍵之化合物同 樣的加成聚合法製得。 又，上述加成型（共）聚合物之加氫（共）聚合物， -27- 200530730 (24) 可依與上述（3 )開環（共）聚合物之加氫（共）聚合物 同樣之加氫法而製得。 再者’作爲本發明中所用的環狀烯烴系樹脂，亦可使 用（7)上述特定單體與丙烯酸酯的交替共聚合物。 <丙烯酸酯> 爲（7)上述特定單體與丙烯酸酯的交替共聚物之製 造所用的丙烯酸酯而言，可例舉：甲基丙烯酸酯、2-乙 基己基丙烯酸酯、環己基丙烯酸酯等的碳原子數1至20 之直鏈狀、分枝狀或環狀烷基丙烯酸酯、縮水甘油基丙烯 酸酯、2-四氫糠基丙烯酸酯等的碳原子數2至20之含有 雜環基之丙烯酸酯、苄基丙烯酸酯等的碳原子數6至20 之含有芳香族環基之丙烯酸酯、異冰片基丙烯酸酯、雙環 戊基丙烯酸酯等的碳數7至30之具有多環構造的丙烯酸 酯。 本發明中，爲製得（7)上述特定單體與丙烯酸酯的 交替共聚物時，在路易斯酸之存在下，將上述特定單體和 丙烯酸酯的合計作成1〇〇莫耳時，通常按上述特定單體爲 30至70莫耳、丙烯酸酯爲70至30之比例，較佳爲上述 特定單體爲40至60莫耳、丙烯酸酯爲60至40莫耳之比 例，特佳爲上述特定單體爲45至55莫耳、丙烯酸酯爲55 至45莫耳之比例進行自由基聚合（radical polymerization )° 爲製得（7)上述特定單體與丙烯酸酯的交替共聚合 -28- 200530730 (25) 物所使用的路易斯酸之量，係作成對丙烯酸酯1 〇〇莫耳爲 0.001至1莫耳的量。又，亦可使用周知之能產生自由基 的有機過氧化物或者偶氮系之自由基聚合起始劑，聚合反 應溫度通常爲一 2 0 °c至8 0 °c，較佳爲5 t至6 0 °C。又，聚 合反應用溶劑，則使用與開環聚合反應時所用的溶劑同樣 者。 在此，本發明中所指「交替共聚合物」，係指具有來 自上述特定單體的構造單元不會相鄰接，亦即，與來自上 述特定單體的構造單元相鄰接著必定係來自丙烯酸酯的構 造單元的構造的共聚合物之意，而並不否定來自丙烯酸酯 之構造單元會互相鄰接而存在的構造者。 本發明所用的環狀烯烴系樹脂，係選自如上述的（1 )至（2 )開環（共）聚合物、（3 )至（4 )加氫（共） 聚合物、（5 )飽和共聚合物、（6 )加成型（共）聚合物 、或加氫（共）聚合物、以及（7)交替共聚合物者，惟 可對此添加周知之氧化防止劑、紫外線吸收劑等以使其更 安定化。 具體而言’添加氧化防止劑，例如，2，6 —二第三丁 基一 4 一甲基酚、2，2’一二氧代一 3，3，—二第三丁基一 5 ，5·—二甲基二苯基甲烷、肆〔亞甲基—3 一 （3，5 一二第 三丁基一 4 一羥苯基）丙烯酸酯〕甲烷；紫外線吸收劑， 例如2，4一二羥基二苯基酮、2 —羥基一 4 一甲氧二苯基酮 等，即可使其安定法。又，以改善加工性爲目的，亦可添 加潤滑劑等的添加劑。 -29- 200530730 (26) 本發明中所用的環狀烯烴系樹脂之較佳分子量，以固 有黏度〔π〕inh ( inherent viscositg)計，爲 〇.2 至 5dl/g ’更佳爲〇·3至3dl/g，特佳爲0.4至i.5(n/g，而依凝膠 滲透色譜法（G P C )所測定的聚苯乙烯換算之數平均分子 量（Μη)爲 8,000 至 100,000，更佳爲 1〇,〇〇〇 至 8〇,〇〇〇、 特佳爲12,000至50，000,000，而重量平均分子量（Mw) 爲 20,000 至 300,000、更佳爲 30,000 至 250,000、特佳爲 40,000至200,000之範圍者好用。 如固有黏度〔7?〕inh、數平均分子量以及重量平均分 子量在上述範圍’即可使環狀烯烴系樹脂之耐熱性、耐水 性、耐藥品性、機械特性、與作爲本發明之波長板使用時 的相位差之安定性之間的平衡會成爲良好。 本發明中所用的環狀烯烴系樹脂之玻璃化溫度（丁g ) 而言’通常爲12(TC以上，較佳爲120至350 °C，更佳爲 130至250 °C，特佳爲140至200°C。如Tg爲120°C以下 時，則由於因雷射光源或來自相鄰接零件的熱而增大所得 環狀烯烴系樹脂薄膜之光學特性變化之故不宜。另一方面 ，如Tg超過3 5 0 t，則在拉伸加工等，加熱至Tg附近加 工時，樹脂會熱劣化的可能性增高。 本發明中所用的環狀烯烴系樹脂中所含的凝膠含量， 較佳爲儘量少，通常爲5重量％以下，較佳爲1重量°/。以 下。如凝膠含量多，則在作成波長板時，可能會成爲光學 缺陷。 本發明中所用的環狀烯烴系樹脂在2 3 °C下的飽和吸水 -30- 200530730 (27) 率，較佳爲在〇 . 〇 5至2重量％，更佳爲在0. 1至1重量％ 之範圍。如飽和吸水率在此種範圍內’則相位差均勻’則 所得的環狀烯烴系樹脂薄膜與玻璃基板間的密接性優異’ 不會在使用中發生剝離，又’與酸化防止劑的相丨谷性優異 ，而能多量添加。如飽和吸水率在0.0 5重量°/()以下’則與 玻璃基板或透明支持體等的支持體間的密接性遽降以致容 易發生剝離，另一方面，如飽和吸水率超過2重量％ ’則 環狀烯烴系樹脂薄膜會因吸水而容易發生尺寸變化。 在此，上述之飽和吸水率，係依照ASTM (美國材料 試驗學會）D 5 7 0，由在2 3 °C水中浸漬1星期後測定所增 加重量所得的値。 本發明中所用的環狀烯烴系樹脂而言，能符合其光彈 性係數（Cp )爲0至100 ( X 10 - 12pa_ 1 )，且應力光學係 數（CR)爲 1，5 00 〜4,000 (xl0- 12pa-】）者很好用。 在此’就光彈性係數（cP)及應力光學係數（cR)， 經記載於種種文獻（聚合物期刊，2 7卷，9號，第9 4 3至 950頁（ 1995年出版），日本流變學（rheology)學會刊 ’ 1 9卷，2號’第9 3至9 7頁（1 9 9 1年出版），光彈性實 驗法’日刊工業新聞社，昭和5 0年第7版）的周知之事 實’前者表示聚合物因玻璃狀態下之應力所引起的相位差 之產生程度’而後者則表示因流動狀態下之應力所引起的 相位差之產生程度。 光彈性係數（CP )大，表示在玻璃狀態下使用聚合物 時’在從外在因數或本身所凍結的變形所發生的變形而發 -31 - 200530730 (28) 生的應力之下，容易敏感產生相位差之意，例 明之方式加以層合或固定於支持體上時之貼合時 留變形，或因溫度變化或濕度變化所引起的材料 發生的微小應力而容易產生不必要的相位差之意 光彈性係數（CP)愈小愈佳。 另一方面，應力光學係數（CR)大，表示例 狀烯烴系樹脂賦與相位差之顯現性時能以低拉伸 所期望的相位差，或容易製得能賦·與大的相位差 而如欲獲得同樣相位差時，則有較應力光學係數 者能使薄膜薄片化的很大好處。 從如上述觀點，光彈性係數（CP )較佳爲0 xlO—Upa—1)、更佳爲 0 至 80( xl〇-12Pa-1) 0 至 50(xl〇- Upa—1)、再更佳爲 0 至 30(xl )、最佳爲0至20 ( X 1 12Pa· 1 )。如光彈性 )超過100( xlO~12Pa_1)時，由於在相位差薄 合時所發生的應力，將相位差薄膜固定於支持體 的應力，或在使用時因環境變化所發生的相位差 致發生超出最適貼合光軸角度之容許誤差範圍的 有作爲波長板使用時會降低穿透光量的情形之故； 又，本發明中所用的環狀烯烴系樹脂之水蒸 ，如在40 °C，90%RH (相對濕度）之條件下作ί 厚之薄膜時，通常爲1至4 00g/m2 · 24小時，較 350g/m2· 24 小時，更佳爲 1〇 至 300g/m2· 24 小 水蒸氣穿透度作成該範圍，則由於能降低或避免 丨，如本發 所產生殘 之收縮所 。因此， 如，對環 倍率獲.得 的薄膜， (CR)小 至 100 ( 、特佳爲 〇- 12Pa- 1 係數（Cp 膜互相貼 時所發生 變化，以 錯位，而 F宜。 氣穿透度 ^ 25 β m 佳爲5至 時。如使 使用爲玻 -32- 200530730 (29) 璃板或透明支持體等的支持體與相位差薄膜的貼合的黏接 劑（A )或黏接劑（B )之所含水分或者波長板所使用的環 境之濕度所引起的特性變化之故較佳。 可用於本發明之第1及第2波長板的環狀稀烴系樹脂 薄膜，係將上述環狀烯烴系樹脂依熔融成型法或溶液流延 法（溶劑澆鑄法）而作成薄膜或片材即可製得。此中，由 於膜厚之均勻性及表面平滑性會良好來看，較佳爲溶劑澆 鑄法。又從製造成本方面來看，較佳爲熔融成型法。 依溶劑澆鑄法而製得環狀烯烴系樹脂薄膜的方法而言 ，並不特別限定而可適用周知之方法，惟可例舉··使上述 環狀烯烴系樹脂溶解或分散於溶劑中而作成適當濃度，於 適當載體上流注或塗佈並加以乾燥後，從載體剝離的方法 〇 以下’表示依溶劑澆鑄法以製得環狀烯烴系樹脂薄膜 的方法的各種條件，惟本發明並不因此種各種條件而有所 限定。 如使環狀烯烴系樹脂溶解或分散於溶劑中時，將該樹 脂濃度作成通常爲0 . 1至9 0重量。/〇，較佳爲1至5 0重量。/〇 ，更佳爲1 〇至3 5重量％。如使該樹脂濃度爲上述者以下 時，則會發生難於確保薄膜厚度、或隨著溶劑蒸發所.引起 的發泡等而難於獲得薄膜表面之平滑性等的問題，另一方 面，如使該樹脂濃度爲超過上述濃度時，則由於溶液黏度 過高以致所得環狀烯烴系樹脂薄膜之厚度或表面難於成爲 均勻之故不宜。 -33- 200530730 (30) 又，在室溫L下的上述溶液黏度，通常爲1至 l,000,000mPa· s，較佳爲 10 至 100,000mPa· s，更佳爲 100 至 50,000mPa· s’ 特佳爲 l000 至 40,000mPa· s。 所使用的溶劑而言’可例舉：如苯、甲苯、二甲苯等 的芳香族系溶劑、如甲基溶纖素、乙基溶纖素、1 -甲氧 一 2 —丙醇等的溶纖素系溶劑’如二丙酮醇、丙酮、環己 酮、甲基乙基甲酮、4 一甲基—2 —戊酮等的酮系溶劑，如 乳酸甲酯、乳酸乙酯等的醋系溶劑’如環己烷、乙基環己 烷、1，2 —二甲基環己烷等的環烯烴系溶劑，如2，2，3 ，3 —四氟代一 1 一丙醇、二氯甲烷、氯仿等的含鹵溶劑、 如四氫呋喃、二Df烷等的醚系溶劑、1 -戊醇、1 - 丁醇等 的醇系溶劑。 又，除上述者以外’如使用SP値（溶解度參數， Solubilitg parameter )通常爲 10 至 30(MPa】/2)，較佳 爲 10 至 25(MPa1/2)，更佳爲 15 至 25(MPa1/2)，特佳 爲15至20 ( MPain )之範圍之溶劑時，則可得表面均勻 性及光學特性良好的環狀烯烴系樹脂薄膜。 上述溶劑，可以單獨或混合複數種使用。此時，作成 混合系時的S P値之範圍，較佳爲作成上述範圍內。此時 ’混合系時的s P値之大小可依重量比預測，例如，在兩 種混合下，如設各重量分率爲Wl，W2，該SP値爲SP1、 SP2時，則混合系之SP値可作爲由下述式： SP 値= W1· SP1+W2 · SP2 所計算的値而求得。 -34- 200530730 (31) 依溶劑澆鑄法製造環狀烯烴系樹脂薄膜 一般可舉：使用模頭或塗佈器將上述溶液塗 、鋼帶、如聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET ) 乙二醇酯（Ρ ΕΝ )等的聚酯薄膜，如聚四氟 :特夫綸（Teflon )(註冊商標））帶等的 ，乾燥溶劑以使薄膜從基材剝離的方法。又 、刷子、輥旋塗佈、浸漬等方式將溶液塗佈 燥所得塗膜後從基材剝離薄膜以製造。在此 佈之方式以控制厚度或表面平滑性等。 上述溶劑澆鑄法之乾燥過程而言，並不 依一般所用的方法，例如，介由多數個輥子 中的方法實施，惟如在乾燥過程中，由於隨 而發生氣泡時會顯著降低薄膜之特性之故， 形起見，較佳爲將乾燥過程作成2段以上的 制各過程下的溫度或風量。 又，環狀烯烴系樹脂薄膜中之殘留溶劑： 重量％以下，較佳爲5重量％以下，更佳爲1 特佳爲〇 . 5重量％以下。在此，如殘留溶劑量 %時，則實際使用時因經時所引起的尺寸變 。又，因殘留溶劑之存在而降低Tg，耐熱' 故不宜。 另外，爲順利進行後述的拉伸過程起見 當調節上述殘留溶劑量爲上述範圍內。具體 定並均勻顯現拉伸定向時之相位差起見，有 :的方法而言， 佈於金屬輥筒 或聚萘二甲酸 乙烯（商品名 基材上，然後 ，亦可依噴霧 於基材上，乾 ，可由重複塗 特別限定而可 以通過乾燥爐 著溶劑之蒸發 爲避免此種情 複數過程以控 量，通常爲10 重量％以下， t超過10重量 化增大而不宜 性亦會降低之 ，有時需要適 而言，爲能安 時將殘留溶劑 -35- 200530730 (32) 量作成通常爲10至0.1重量％，較佳爲5至0.1重量％， 更佳爲1至0. 1重量°/。。 如使溶劑微量殘留，則有時拉伸加工能容易進行，或 相位差之控制能容易進行。 本發明中所用的環狀烯烴系樹脂薄膜之厚度，通常爲 0.1至500//m，較佳爲0.1至300/zm，更佳爲1至250 //m。如厚度在以下時，實質上難於處理。另一方 面，如超過5 0 0 // m時，則除難於捲取爲輥子狀之外，作 爲以雷射光等的光之高穿透度爲目的之本發明之波長板而 言，由於穿透率之降低之故不宜。 本發明中所用的環狀烯烴系樹脂薄膜之厚度分佈，通 常對平均値爲± 2 0 %以內，較佳爲土 1 0 %以內，更佳爲± 5 % 以內，特佳爲± 3%以內。又，對每lcm的厚度之變動，通 常爲10%以下，較佳爲5%以下，更佳爲1%以下，特佳爲 0.5%以下爲宜。由於此種厚度控制之實施。而可防止經拉 伸定向時之相位差不均勻情況。 由本發明之第1及第2波長板所使用的環狀烯烴系樹 脂所成相位差薄膜而言，將依上述方法所得環狀烯烴系樹 脂薄膜加以拉伸加工者很好用。具體而言，可依周知之單 軸拉伸法或雙軸拉伸法製造。亦即，可採用依拉幅機法的 橫向單軸拉伸法、輥子間壓縮拉伸法、利用邊緣（edge ) 不相同的輥子的縱向單軸拉伸法等，或者經組合橫向單軸 與縱向單軸的雙軸拉伸法、依薄膜吹塑成型法的拉伸法等 -36- 200530730 (33) 在單軸拉伸法的情形，拉伸速度通常爲1至 分鐘，較佳爲50至1，000 %/分鐘，更佳爲100 3 分鐘，特佳爲100至500%/分鐘。 在雙軸拉伸法的情形，有同時往2方向實施 形及在單軸拉伸後往與最初之拉伸方向不相同的 處理的情形。在此等情形，兩個拉伸軸之相交角 120至60度之範圍。又，拉伸速度可爲在各拉伸 ，亦可爲不相同’通常爲1至5,000%/分鐘’較仓 1，00 0%/分鐘，更佳爲100至1，〇〇〇%/分鐘，特佳 500%/分鐘。 拉伸加工溫度，並不特別限定，惟以本發明 烴系樹脂之玻璃化溫度（Tg )作爲基準，通常爲 ，較佳爲Tg 土 l〇°C ，更佳爲Tg— 5至Tg+10°c之 作爲上述範圍內，則由於能抑制相位差不均勻之 ，能容易控制折射率橢圓體（index elliPsoid) ο 拉伸倍率，係由所期望之特性而決定之故並 定，惟通常爲1.0 1至1 0倍’較佳爲1 ·5至5倍 1 . 1至3 . 5倍。如拉伸倍率超過1 0倍時’則有時 控制會有困難。 •經拉伸的薄膜，可直接冷卻，惟在Tg — 20 °c 溫度氣氛下至少靜置1 〇秒鐘以上’較佳爲3 0 ^ 分鐘，更佳爲〗分鐘至60分鐘爲宜。由此，可 位差特性之經時變化少且安定的環狀烯烴系樹脂: ^ 5,0 0 0 %/ 1 1,0 0 0 %/ 拉伸的情 方向拉伸 度通常爲 方向相同 g爲50至 爲100至 之環狀烯 T g ± 3 0 °c 範圍。如 發生，又 之故較宜 不特別限 ，更佳爲 相位差之 至Tg之 卜'鐘至60 製得由相 薄膜所成 -37- 200530730 (34) 的相位差薄膜。 又’本發明中所用環狀烯烴系樹脂薄膜之線膨脹係數 ，在溫度20°C至l〇〇°C之範圍下，較佳爲ixi〇~4(1/t; )以下’更佳爲9x10 - (1/ C)以下，特佳爲8χ1〇 - 5( 1 / °C )以下，最佳爲7 X 1 〇 _ 5 ( 1 / °C )以下。又，在相位 差薄膜之情形，拉伸方向與對此垂直方向之間之線膨脹係 數差較佳爲5 X 1CT 5 ( Ι/t )以下，更佳爲3 X 10 — 5 ( 1/°C )以下’特佳爲1 X 1 0 — 5 ( 1 /°C )以下。如作成線膨脹係 數爲上述範圍內，則在將由上述環狀烯烴系樹脂薄膜所成 的相位差薄膜作成本發明之波長板時，則可抑制因使用時 之溫度及濕度等影響所致應力變化所引起的相位差之變化 ，而在作爲本發明之波長板使用時可得長期之特性之安定 〇 經上述方式拉伸的薄膜，因拉伸而分子即定向而對穿 透光賦與相位差，惟該相位差，可藉由拉伸前之薄膜之相 位差値與拉伸倍率、拉伸溫度、拉伸定向後之薄膜之厚度 而加以控制。在此，相位差可定義爲雙折射光之折射率差 (△η)與厚度（d)之乘積（△nd)。 如拉伸前之薄膜爲一定厚度時，則由於拉伸率愈大的 薄膜，其相位差之絕對値有愈大的傾向之故，藉由拉伸倍 率之變更，即可得所期望之相位差値之相位差薄膜。 於本發明之第1及第2波長板中將使用至少2片之相 位差薄膜，惟如欲製得作爲波長板的所期望之光學特性， 各相位差薄膜之相位差値可爲相同，亦可爲不相同。對每 -38- 200530730 (35) 一片的相位差値’視所期望的波長板之光學特性而有所不 同，惟一般較佳爲2,〇〇〇nm以下，更佳爲l，500nm以下， 再佳爲l，0 0 0nm以下。如對每—片的相位差値較 爲·大時，則由於拉伸倍率過大而增大薄膜之厚度不均勻、 相位差値不均勻之故不宜。如需要相位差値較2，0 0 〇nm爲 大的相位差薄膜時，則將相位差値在2 5 Q 0 0 n m以下的複數 片相位差薄膜，按各相位差薄膜之光軸作成平行層合之方 式，即能避免上述問題。 本發明之第1及第2波長板之光學特性，可由所期望 而決定，而並不特別限定，惟周知有，例如，光之波長在 4 0 0至8 0 0 n m之範圍時能作爲「1 / 4波長板」發揮功能者 ，或能作爲「1 /2波長板」發揮功能者。如欲製得能在此 種寬頻帶中顯現特定的功能的波長板時，則例如，將2片 相位差薄膜之光軸按交叉方式相貼合即可’而使其交差的 光軸角度之精確度較佳爲對理論値之±5°以內，更佳爲 土 3 °以內，再佳爲土 1 °以內。如從上述光軸角度之理論 値的錯位大於5 °時，則有時不能獲得所期望的光學特性 〇 使用2片相位差薄膜，而在寬頻帶中能作爲「1 /4波 長板」發揮功能者而言’按一方之相位差薄膜能對由下述 式（1 )所定義的波長λ ( nm )之光賦與Λ /2之相位差， 而另一方之相位差薄膜能對由下述式（1 )所定義的波長 λ ( nm )之光賦與λ Μ之相位差’並經層合爲此等2片 相位差薄膜之光軸能交叉之方式者很好用。 -39- 200530730 (36) [(λ s+λ L)/2] — 200$ λ S [(λ s+A L)/2] + 200 …式（1) 在此，λ s :最短波長側之單色光之波長（nm ) λ l :最長波長側之單色光之波長（nm ) 此時，2片相位差薄膜之各光軸所成角度，係例如， 設從雷射光等的光所入射方向的第1片之薄膜爲「R 1」、 設第2片薄膜爲「R2」時，在作成R1之相位差爲315至 345nm、較佳爲320至340nm、更佳爲325至335nm，而 R2之相位差爲150至180nm，較佳爲155至175nm，更佳 爲160至17 0 nm的方式的組合中，通常爲46至70度，較 佳爲52至64度，更佳爲56至60度。又，此時，如雷射 光等的入射光爲直線偏光時，則該入射光之直線偏光之偏 振面（以下簡稱「入射直線偏光偏振面」。），與R1之 光軸所成角度，通常爲+70至+82度，較佳爲+72至+ 80度 ，更佳爲+ 74至+78度，而與R2之光軸所成角度，通常爲 + 12至+ 24度，較佳爲+14至+ 22度，更佳爲+16至+ 20度 。如作成上述範圍，即可作成偏光轉化功能良好的寬頻帶 「1 /4波長板」。在此，角度之符號，係將從光之入射側 觀看薄膜時，將反時針方向的角度作爲正、將順時針方向 之角度作爲負之方式加以定義者（以下，相同。）。 又，在將 R1之相位差作成 230至 260nm，較佳爲 2 3 5至2 5 5 nm，更佳爲240至2 5 0nm，將R2之相位差作成 110至 140nm，較佳爲115至135nm，更佳爲 120至 1 3 Onm的組合中，亦可作成通常爲45至69度，較佳爲51 至63度’更佳爲55至59度。又，此時，如雷射光等的 -40- 200530730 (37) 入射光爲直線偏光時，入射直線偏光偏振面、與r 1之光 軸所成角度’通常爲+6 8至+80度，較佳爲+70至+78度， 更佳爲+ 72至+ 76度，而與R2之光軸所成角度，通常爲 + Π至+ 23度，較佳爲+13至+ 21度，更佳爲·Μ5至+19度 。如作成上述範圍，即可作成偏光轉化功能良好的寬頻帶 「1 / 4波長板」。 又，使用2片相位差薄膜，而在寬頻帶中能作爲「 1//4波長板」發揮功能者而言，按一方之相位差薄膜能對 由上述式（1 )所定義的波長λ ( nm )之光賦與λ之相位 差’而另一方之相位差薄膜能對由上述式（1)所定義的 波長λ之賦與λ /4或（3 λ ) /4之相位差，並經層合爲此 等2片相位差薄膜之光能交叉之方式者亦很好用。 此時，2片相位差薄膜之各光軸所成角度，係在作成 R1之相位差爲690至750 nm，較佳爲700至740 nm，更佳 爲710至730nm，而R2之相位差爲165至195nm，較佳 爲170至190nm，更佳爲175至185nm的方式的組合中， 通常爲39至63度，更佳爲45至57度，更佳爲49至53 度。又，此時，如雷射光等的入射光爲直線偏光時，則入 射直線偏光偏振面、與R1之光軸所成角度，通常爲- 1 至一 13度，較佳爲—3至一 11度，更佳爲一5至一 9度， 而與R2之光軸所成角度，通常爲+ 38至+ 50度，較佳爲 + 40至+48度，更佳爲+42至+46度。如作成上述範圍，即 可作成偏光轉化功能良好的寬頻帶「W4波長帶」。 使用2片相位差薄膜，而在寬頻帶中能作爲「1 /2波 -41 - 200530730 (38) 長板」發揮功能者而言，按雙方之相位差薄膜能對由上述 式（1 )所定義的波長λ ( nm )之光賦與λ /2之相位差， 並經層合爲此等2片相位差薄膜之光軸能交叉之方式者很 好用。 此時’ 2片相位差薄膜之各光軸所成角度，係在作成 R1及R2之相位差爲260至290nm，較佳爲265至285nm ，更佳爲2 7 0至28 Onm的方式的組合中，通常爲33至57 度，較佳爲39至51度，更佳爲43至47度。又，此時， 如雷射光等的入射光爲直線偏光時，則入射直線偏光偏振 面、與R1之光軸所成角度，通常爲+15至+ 27度，較佳爲 + 17至+25度，更佳爲+19至+ 23度，而與R2之光軸所成 角度，通常爲+ 59至+ 71度，較佳爲+ 61至+ 69度，更佳爲 + 6 3至+6 7度。如作成上述範圍，即可作成偏光轉化功能 良好的k頻帶「1/2波長板」。 又，在作成R1及R2之相位差爲2 3 5至26 5nm，較佳 爲24〇至2 60nm，更佳爲2C至2 5 5 nm之方式的組合中， 通常爲33至57度，較佳爲39至51度，更佳爲43至47 度。又，此時，如雷射光等的入射光爲直線偏光時，則入 射直線偏光偏振面、與R 1之光軸所成角度，.通常爲+ 1 9 至+ 31度，較佳爲+2 1至+29度，更佳爲+23至+ 27度，而 與R2之光軸所成角度，通常爲+ 63至+ 75度，較佳爲+ 65 至+73度，更佳爲+67至+71度。如作成上述範圍，即可 作成偏光轉化功能良好的寬頻帶「1/2波長板」。 再者，使用2片相位差薄膜，而在寬頻帶中能作爲「 -42- 200530730 (39) 1 /2波長板」發揮功能者而言’按一方之相位差薄膜能對 由上述式（1 )所定義的波長λ ( nm )之光賦與λ之相位 差，而另一方之相位差薄膜能對由上述式（1 )所定義的 波長λ ( nm )之光賦與λ /2之相位差’並經層合爲此等2 片相位差之光軸能交叉之方式者亦很好用。 此時，2片相位差薄膜之各光軸所成角度，係在作成 R1之相位差爲690至750nm，較佳爲700至740nm，更佳 爲710至730nm，而R2之相位差爲345至375nm，較佳 爲35〇至37〇nm，更佳爲355至365nm的方式的組合中， 通常爲50至73度，較佳爲54至67度，更佳爲59至63 度。又，此時’如雷射光等的入射光爲直線偏光時，則入 射直線偏光偏振面與R 1之光軸所成角度，通常爲+ 6 7至 + 79度，較佳爲+ 69至+77，更佳爲+ 71至+ 75度，而與R2 之光軸所成角度，通常爲一 40至一 52度，較佳爲一 42至 ~ 50度，更佳爲一 44至—48。如作成上述範圍，即可作 成偏光轉化功能良好的寬頻帶| 1 / 2波長板」。 本發明之第1波長板，係由2片以上之相位差薄膜所 成波長板，而在雷射光之穿透部分，相位差薄膜互相間並 未黏接’並在各相位差薄膜之間通常具有間隙。此時的間 隙厚度並無特別限制’惟較佳爲imm以下，更佳爲 0 · 5 m m以下，特佳爲〇 .丨m m以下。此時，爲設置此種間隙 起見，視需要，可在不影響光學特性的範圍內，於薄膜互 相重營的面上形成有凹凸。此時之薄膜面之面粗糙度（ Rmax) ’較佳爲1〇/i m以下’更佳爲$ # m以下，特佳爲 -43- 200530730 (40) 5至0.1//m，最佳爲1至〇.l//m。由於在雷射光之穿透 部分，相位差薄膜互相間存在有間隙之故，能使在各薄膜 所發生之因使用環境下的溫度或濕度變化所引起的變形或 收縮止於各薄膜單元，而使互相間之影響降低爲最低限度 ，結果能使本發明之波長板之光行差特性或相位差之特性 從初期涵蓋至長期之使用中良好地顯現。 又，雷射光之穿透部分以外者，可使用接著劑或黏接 劑黏接相位差薄膜互相間，亦可僅藉由夾合以保持，惟從 能抑制組裝在設備上時的振動等所引起之對各相位差薄膜 之光軸間之相互關係上之影響來看，較佳爲加以黏接者。 如黏接相位差薄膜互相間時，可形成能使各相位差薄膜之 間隙所存在的空氣自由往外出入的方式的路徑。如設置此 種此種路徑，即能長期維持對因使用時之溫度或濕度變化 等的環境變化安定且良好的特性。 在此，本發明中所稱「相位差薄膜互相間之黏接」中 ，除經直接黏接相位差薄膜互相間之外，尙包含介由間隔 片（s p a c e r )而經互相黏接的情形。 本發明之第1波長板，從防止因製造環境或使用環境 所引起的特性之降低來看，係較佳爲被支持體所固定者。 此種波長板之固定，可使用市售的接著劑或黏接劑實施， 亦可使用針銷（p i η )或螺絲釘（v i s )等的機械性方式實 施。 支持體之形狀而言，惟由所期望之特性或設計而決定 者故不加以特別限定，惟如在雷射光之穿透部分不存在支 -44- 200530730 (41) 持體的形狀之情形，並無對材質的限制而除可視成本、製 造環境或使用環境等而適當選擇材質之外’如與在雷射光 之穿透部分亦存在有支持體的情形比較，尙由於能抑制支 持體本體所具有的光行差之影響或使支持體與相位差薄膜 固定時新產生的光行差或相位差之變化的影響之故較佳。 在此，如雷射光之穿透部分亦存在有支持體的形狀的 情形，當然需要光學上透明者，玻璃或透明樹脂等的材質 上亦有所限定。又，在此種情形下，較佳爲光學上均勻， 亦即，不具有雙折射性的支持體。如支持體具有雙折射性 時，可能產生不能獲得所期望的特性，即使獲得，仍需要 微細的校正的問題。再者，在雷射光之穿透部分，較佳爲 支持體與相位差薄膜間未經黏接。特別是，在介由支持體 而相位差薄膜互相經層合的構造之情形，如在雷射光之穿 透部分經黏接有各相位差薄膜與支持體，則有時不能獲得 本發明之效果。 在上述雷射光之穿透部分不存在支持體的形狀之具體 例而言’可例舉：「ϋ」音標型或僵型、或有一個缺口的 圓型支持體，此種支持體之厚度，通常爲0.01至5 mm， 較佳爲0.05至3mm、更佳爲0.05至1mm。如在〇.01mm 以下，則剛性不足之同時，處理性較差，另一方面，如超 過5 mm時’則作爲波長板的尺寸過大，結果難於光學系 裝置之小型化。 又’支持體’可使其存在於相位差薄膜之間，或使其 存在各相位差溥膜之單面或兩面，或者經層合的相位差 -45- 200530730 (42) 薄膜之單面或兩面。以相位差薄膜之間形成安定的間隙爲 目的’亦即，較佳爲使其作爲所謂的間隔片而存在於相位 差薄膜之間。 本發明之第1波長板，可於相位差薄膜之單面或兩面 上，層合防止反射用膜。 防止反射用膜之形成方法而言，可例舉：將氟系共聚 合物溶解於有機溶劑中，並使用鑲條塗佈機（bar co ate r )等’依澆鑄法等將其溶液塗佈形成於上述相位差薄膜上 ，加熱以使其硬化的方法。加熱溫度通常爲8 0至1 6 5。(：， 較佳爲100至150°C之溫度，而加熱時間通常爲1〇分鐘至 3小時，較佳爲3 0分鐘至2小時。 防止反射用膜之厚度，通常爲5至2,000nm，較佳爲 1〇至l，000nm，更佳爲50至200nm。如在5nm以下，則 不能發揮防止反射效果，另一方面，如超過2,0 00 nm，則 容易發生塗膜之厚度的不均勻，外觀等會惡化之故不宜。 又，亦可採用沈積法或濺散（sputtering )法，設置 鋁、鎂或矽等的透明無機氧化物之被覆層以形成防止反射 用膜。 在此種無機系防止反射用膜之情形，透明無機氧化物. 被覆層之厚度，一般爲特定之光波長之1/4。再者，如將 此種透明無機氧化物被覆層作成多層層合，即可提升防止 反射性能。 本發明之第1波長板中，爲黏接相位差薄膜互相間或 相位差薄膜與支持體間所使用的黏接劑或膠黏劑而言，可 -46 - 200530730 (43) 適當選自周知之天然橡膠系、合成橡膠系、乙酸乙烯/氯 化乙烯共聚合物系、有機矽聚合物系、聚乙烯醚系、丙烯 酸酯系、改性聚烯烴系、環氧系或聚胺基甲酸酯系等者中 。其中，由於丙烯酸酯系之黏接劑與被黏接物間的密接性 優異之故很好.用。在此，當黏接時，亦可對相位差薄膜或 支持體表面實施電暈處理、電漿處理、偶合劑處理或增黏 塗層（anchor coating)處理等的基底處理。 使用黏接劑或膠黏劑時的黏接劑層或膠黏劑層之厚度 ，較佳爲至100//m，更佳爲2//m至70//m，特佳 爲3//m至50/zm，最佳爲4//m至30#m。如將黏接劑層 或膠黏劑層之厚度作成本範圍內之厚度，即可容易獲得良 好的光行差或相位差特性之同時，可長期維持安定性。 又，本發明之第1波長板之面內像差（穿透波前像差 )，當然愈小愈佳，通常爲5 0 ( m λ )以內，較佳爲3 0 ( m又）以內，更佳爲2 0 ( m λ )以內，如將波長板之面內 像差作成上述範圍內，即可作成良好的 S/N比（ Signal/Noise ratio，信號/噪音比）或可容許的抖動（ jitter)範圍之故較宜。在此，λ表示穿透光之波長，而一 般採用所使用的雷射光之波長。 本發明之第1波長板中之異物數而言’儘可能少爲佳 ，粒徑l〇gm以上者，通常爲5(個/mm2 )以下，較佳爲 1 (個/mm2 )以下，更佳爲〇 (個/mm2 )以下。如波長板 中存在有10//Π1以上之異物5(個/mm2 )以上’則噪音信 號會增多’以致S/N比降低之故不宜。在此’波長板中之 -47- 200530730 (44) 異物，係包含會降低雷射光之穿透率者或因其異物之存在 而大爲改變雷射光之進行方向者。前者之例而言，可舉： 塵埃、樹脂燒焦物或金屬粉末、礦物等的粉末等，而後者 之例而言，可舉：他種樹脂之污染或折射率不相同的透明 物質等。 另外，本發明之第1波長板，視降低噪音等的需要而 爲遮斷或降低所期望的波長以外的光之穿透起見，可爲施 加有使用周知之著色劑等的著色者。 本發明之弟1波長板’除將2片以上之相位差薄膜互 相間在雷射光之穿透部位不實施相位差薄膜互相間之黏接 以外，其餘則可採用在來周知之方法製造。 本發明之第1波長板，係將2片以上之相位差薄膜互 相間在雷射光之穿透部位未經實施相位差薄膜互相間之黏 接，並於各相位差薄膜之間具有間隙，再者，視需要使用 支持體固定有除雷射光之穿透部分以外的部分之故，如使 用本發明之波長板，即可製造長期耐久性優異的高性能之 光學資訊記錄·再生裝置。 本發明之第2波長板，係經層合至少2片相位差薄膜 ’而於該經層合的相位差薄膜之至少單面層合有玻璃基板 的波長板，而相位差薄膜互相間、以及相位差薄膜與玻璃 基板間，係由選自下述黏接劑（A ) 、 ( B )，且分別使用 不相同的黏接劑所層合固定者。本發明中，較佳爲於經層 合的相位差薄膜兩面上層合有玻璃基板（亦即，經層合的 相位差薄膜爲被2片玻璃基板所夾介的構造），相位差薄 -48- 200530730 (45) 膜互相間爲被接著劑（A )所層合固定，而相位差薄膜與 玻璃基板間爲被黏接劑（B )所固定者。 本發明之第2波長板中所使用的玻璃基板而言，較佳 爲實質上不具有雙折射者。如透明支持體具有雙折射，則 由於會對作爲波長板的特性上有惡影響之故不宜。又，玻 璃基板之形狀並不等別限定，可爲平板狀，可爲方格形狀 或稜鏡形狀等具有光學性功能的形狀。又，厚度通常爲 0.01至5mm，較佳爲0.05至mm，更佳爲0.05至lmm。 如在〇 . 〇 1 mm以下，則剛性會不足夠之同時，處理性較差 ，另一方面，如超過5 m m ’則作爲波長板的尺寸增大，以 致難以光學系裝置之小型化。 本發明之第2波長板，可於玻璃基板之單面或兩面上 ，按與上述第1波長板同樣方法層合防止反射用膜。 防止反射用膜之形成方法而言，可例舉：將氟系共聚 合物溶解於有機溶劑中，並使用鑲條塗佈機等，依澆鑄法 等將其溶液塗佈形成於上述薄膜或片材或者相位差板等上 ，使用加壓機加熱，並使其硬化的方法。加熱溫度而言， 通常爲8 0至1 6 5 °C，較佳爲1 0 0至1 5 0 t之溫度，而加熱 時間通常爲1 〇分鐘至3小時，較佳爲3 0分鐘至2小時。 防止反射用膜之厚度，通常爲5至2, OOOnm，較佳爲 10至l，000nm，更佳爲50至200nm。如在5nm以下，則 不能發揮防止反射之效果’另一方面，如超過2,000nm， 則容易發生塗膜之厚度的不均勻，外觀等會惡化之故不宜 -49- 200530730 (46) 又，亦可採用沈積法或濺散法，設置鋁、鎂或矽等的 透明無機氧化物之被覆層以形成防止反射用膜。 在此種無機系防止反射用膜之情形，透明無機氧化物 被覆層之厚度，一般爲特定之光波長之1/4。再者，如將 此種透明無機氧化物被覆層作成多層層合，即可提升防止 反射性能。 本發明之第2波長板中，爲層合固定相位差薄膜互相 間所使用的黏接劑（黏接劑（A ))，係天然橡膠系、合 成橡膠系、乙酸乙酯/氯化乙烯共聚合物系、有機矽聚合 物系、聚乙烯醚系、丙烯酸酯系、改性聚烯烴系、環氧系 或聚胺基甲酸酯系等周知之黏接劑，而選自具有後述的特 性者中。其中由於丙烯酸酯系之黏接劑係與被黏接物間的 密接性優異之故很好用。 爲製得初期特性優異，不易受使用環境或製造環境之 影響且長期信賴性優異的波長板，黏接劑（A )之玻璃化 溫度，亦即，在經乾燥或硬化的狀態下的黏接劑（A )之 動態黏彈性測定（測定頻率1 Hz )時的tan (5 (損失正切 )之峰値溫度需要爲〇 °C以下，較佳爲- 2 0 °C以下，更佳 爲一 40 °C以下者爲宜。 對接著劑之玻璃化溫度而言，例如，係丙烯酸酯接著 劑時，適當選擇所含有的丙烯酸酯系聚合物或丙烯酸酯系 單體即可控制。亦即，丙烯酸酯系單體，可按其分子中之 雙鍵之個數而分類爲單官能、雙官能、多官能，唯一般由 於有多用單官能之丙烯酸酯系單體者其玻璃化溫度會降低 -50- 200530730 (47) ，多用多官能之丙烯酸酯系單體者其玻璃化溫度會升高的 傾向之故，如調節聚合黏接劑中所調配的丙烯酸酯系聚合 物時所用的丙烯酸酯系單體之種類或量，或調節黏接劑中 所調配的丙烯酸酯系單體之種類或量，即可製得作爲目的 之玻璃化溫度之黏接劑。 又，黏接劑（A )，需要在經乾燥或硬化的狀態下的 室溫（23t：)時的楊氏撓曲模量（JIS Z 1 7 02、3號啞呤、 拉張速度 l〇mm/分鐘時的値）爲l〇MPa以下者，較佳爲 5 MPa以下，更佳爲2MPa以下爲宜。 另外，在層合固定時，亦可對各相位差薄膜表面實施 電暈處理、電漿處理、偶合劑處理或增黏塗層處理等的基 底處理。 本發明之第2波長板中，爲黏接相位差薄膜與玻璃基 板所使用的黏接劑（黏接劑（B ))，係天然橡膠系、合 成橡膠系、乙酸乙烯/氯化乙烯共聚合物系、有機矽聚合 物系、聚乙烯醚系、丙烯酸酯系、改性聚烯烴系、環氧系 或聚胺基甲酸酯系等周知之黏接劑，而可選自具有後述特 性者。其中，由於丙烯酸酯系之黏接劑與被黏接物間的密 接性優異之故很好用。 爲製得初期特性優異，不易受使用環境或製造環境之 影響且長期信賴性優異的波長板，黏接劑（B )之玻璃化 溫度’亦即，在經乾燥或硬化的狀態下的黏接劑（B )之 動態黏彈性測定（測定頻率1 Hz )時的tan 5 (損失正切 )之峰値溫度（玻璃化溫度）需要爲40°C以上，較佳爲 -51 - 200530730 (48) 6 0 °C以上，更佳爲8 0 °C以上爲宜。在此，如黏接劑（b ) 之峰値溫度有2個以上時，則採用高溫側之峰値溫度。又 ’此時之高溫側之tan δ之峰値面積係對所有tan δ之峰値 面積，較佳爲1 0 %以上，更佳爲3 0 %以上，特佳爲5 〇 %以 上者爲宜。 又，黏接劑（Β )，需要在經乾燥或硬化的狀態下的 黏接劑（Β )之室溫（2 3 °C )時的楊氏撓曲模量（JIS Z 1 7 0 2、3號d亞鈴、拉張速度1〇 m m /分鐘時的値）爲 30MPa以上者，較佳爲50MPa以上，更佳爲70MPa以上 爲宜。 又’黏接劑（B )與黏接劑（A )間的玻璃化溫度差爲 6 0 °C以上，較佳爲8 (TC以上，更佳爲1 0 0 °C以上爲宜。 再者，在2 3 °C時的黏接劑（B )與黏接劑（A )間的 楊氏撓曲模量之差爲40MPa以上，較佳爲50MPa以上， 更佳爲60MPa以上爲宜。 另外，在黏接固定時，亦可相位差薄膜或玻璃基板表 面實施電暈處理、電漿處理、偶合劑處理或增黏塗層處理 等的基底處理。 如爲相位差薄膜互相間之層合、及相位差薄膜與玻璃 之層合，組合使用上述黏接劑（A )與黏接劑（B )，即可 減少波長板之面內像差之變化量，而可成爲不易受使用環 璃或製造環境之影響且長期信賴性優異的波長扳。 對此理由，尙不甚明瞭，惟可推測對波長板的來自外 部的應力所引起的變形，由於硬的黏接劑（B )之使用而 -52- 200530730 (49) 可防止，又因溫度之變化所產生變形，由於軟的黏接劑（ A )之使用而可因兩者取得良好平衡而緩和。 丙烯酸酯系之黏接劑而言，可例舉：含有至少含1種 丙烯酸酯系單體（丙烯酸酯化合物）的單體組成物之聚合 物與溶劑的組成物，含有至少1種丙烯酸酯化合物與硬化 劑的組成物，含有上述聚合物與至少1種丙烯酸酯化合物 以及硬化劑的組成物，惟本發明並不因此等而有所限定。 在此，丙烯酸酯化合物，係分子內至少具有一個（甲基） 丙烯醯基者，可例舉：單官能（甲基）丙烯酸酯化合物、 多官能（甲基）丙烯酸酯化合物。 單官能（甲基）丙烯酸酯化合物之具體例而言，可舉 :如甲基（甲基）丙烯酸酯、乙基（甲基）丙烯酸酯、丙 基（甲基）丙烯酸酯、異丙基（甲基）丙烯酸酯、丁基（ 甲基）丙烯酸酯、異丁基（甲基）丙烯酸酯、第三丁基（ 甲基）丙烯酸酯、正戊基（甲基）丙烯酸酯、戊基（甲基 )内烯酸酯、異戊基（甲基）丙烯酸酯、己基（甲基）丙 嫌酸酯、庚基（甲基）丙烯酸酯、辛基（甲基）丙烯酸酯 、異辛基（甲基）丙烯酸酯、2 一乙基己一基（甲基）丙 烯酸酯、壬基（甲基）丙烯酸酯、癸基（甲基）丙烯酸酯 、異癸基（甲基）丙烯酸酯、十一基（甲基）丙烯酸酯、 十一基（甲基）丙烯酸酯、月桂基（甲基）丙烯酸酯、硬 月曰基（甲基）丙烯酸酯、異硬脂基（甲基）丙烯酸酯等的 烷基（甲基）丙烯酸酯類； 如羥基乙基（甲基）丙烯酸酯、羥基丙基（甲基）丙 -53- 200530730 (50) 烯酸酯、羥基丁基（甲基）丙烯酸酯等的羥基烷基（甲基 )丙烯酸酯類；如苯氧基乙基（甲基）丙烯酸酯、2一羥 基一 3 -本氧基丙基（甲基）丙烯酸酯等的苯氧基烷基（ 甲基）丙烯酸酯類； 如甲氧基乙基（甲基）丙烯酸酯、乙氧基乙基（甲基 )丙燒酸酯、丙氧基乙基（甲基）丙烯酸酯、丁氧基乙基 (甲基）丙嫌酸酯等的院氧基垸基（甲基）丙嫌酸酯類； 如聚乙一醇一（甲基）丙熥酸酯、乙氧基二乙二醇（ 甲基）丙燦酸酯、甲氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、苯 氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇（ 甲基）丙烯酸酯等的聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯類； 如聚丙二醇-（甲基）丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇（ 甲基）丙烯酸酯、乙氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯、壬 基本氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯等的聚丙二醇（甲基 )丙烯酸酯類； 如環己基（甲基）丙烯酸酯、4一丁基環己基（甲基 )丙嫌酸酯、二環戊基（甲基）丙烯酸酯、二環戊基（甲 基）丙燒酸酯、二環戊二基（甲基）丙烯酸酯、冰片基（ 甲基）丙烯酸酯、異冰片基（甲基）丙烯酸酯、三環癸基 (甲基）丙烯酸酯等的環烷基（甲基）丙烯酸酯類； 卡基（甲基）丙烯酸酯；四氫糠基（甲基）丙烯酸酯 等。 此等單官能（甲基）丙烯酸酯化合物，可以丨種單獨 、或者混合2種以上使用。 -54- 200530730 (51) 又，多官能（甲基）丙錄酸酯化合物之具體例而言， 可例舉.如乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、二乙二醇二（甲 基）丙稀酸酯、四乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚：二醇 —(甲基）丙細酸醋' 1’ 4一丁一西古一「田：g：) 」一^ 一（甲基）丙烯酸酯 、1，6—己一醇一（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基 )丙燦酸酯等的院一醇一（甲基）丙烯酸酯類； 如二羥甲基丙烷二（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷 羥基乙基二（甲基）丙烯酸酯、雙三羥甲基丙烷四（甲基 )丙嫌酸醋、異戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、異戊四醇四 (甲基）丙烯酸酯、二異戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、羥 基一甲基乙酸新戊一酵一（甲基）丙烯酸酯等的多元醇之 聚（甲基）丙烯酸酯類； 如異三聚氰酸酯三（甲基）丙烯酸酯、參（2一羥基 乙基）異三聚氰酸二（甲基）丙烯酸酯、參（2一經基乙 基）異二聚氰酸酯二（甲基）丙烯酸酯等的異三聚氰酸酯 之聚（甲基）丙烯酸酯類； 如三環癸二基二甲基二（甲基）丙烯酸酯等的環院烴 之聚（甲基）丙烯酸酯類； 如雙酮A之環氧乙烷加成物之二（甲基）丙燒酸酯、 雙酮A之環氧丙烷加成物之二（甲基）丙烯酸醋、雙酮a 之環氧烷烴加成物之二（甲基）丙烯酸酯、加氫雙酮A之 環氧乙烷加成物之二（甲基）丙烯酸酯、加氫雙酚A之環 氧丙烷加成物之二（甲基）丙烯酸酯、加氫雙酚A之環氧 烷烴加成物之二（甲基）丙烯酸酯、由雙酚A縮水甘油醚 -55- 200530730 (52) 與（甲基）丙烯酸所製得的（甲基）丙烯酸酯等的雙酚A 之（甲基）丙烯酸衍生物類； 如3，3，4，4，5，5，6，6—五氟辛烷二（甲基）丙 烯酸酯、3— （2 —全氟己基）乙氧一 1，2—二（甲基）丙 烯醯丙烷、N -正丙基一 N— 2，3 -二（甲基）丙烯醯丙 基全氟辛基硫醯胺等的含氟（甲基）丙烯酸酯類。 此等多官能（甲基）丙烯酸酯化合物，可以1種單獨 、或者混合2種以上使用。 黏接劑（A )或黏接劑（B )之黏接強度，需要爲在處 理中不容易剝離者。黏接強度之具體値而言，在黏接劑（ A )的情形，當互相黏接2片相位差薄膜時的9 0度剝離力 ，較佳爲 〇.5N/cm2以上、更佳爲lN/cm2以上、最佳爲 3 N/cm2以上，而在黏接劑（B )的情形，當黏接相位差薄 膜與玻璃基材時的90度剝離力，較佳爲〇.5N/cm2以上、 更佳爲lN/cm2以上、最佳爲3N/cm2以上。如黏接強度小 於 〇.5N/cm2時，貝！J由於因處理時的衝擊而剝離、或經黏 接的層互相間會錯位之故不宜。 黏接劑（A)或黏接劑（B)之厚度，只要是能確保上 述黏接強度的厚度，則並不特別限定，惟通常爲1 // m至 100//m、較佳爲 2//m 至 70//m、更佳爲 3//m 至 50/zm 、最佳爲4 // m至3 0 // m。如黏接劑（A )或黏接劑（B ) 之厚度在1 〇〇 # m以上時，則波長板之厚度變厚，以致產 生光穿透率等的光學特性上的問題或處理上不方便。又， 如厚度在1 # m以下時，可能不能確保黏接強度。 -56- 200530730 (53) 相位差薄膜之折射率與黏接相位差薄膜互相間的折射 率之差値，較佳爲〇 . 2 〇以內，更佳爲〇 . 1 5以內，特佳爲 0 . 1 0以內，最佳爲〇 . 〇 5以內，又，相位差薄膜之折射率 與黏接玻璃基板的黏接劑之折射率之差値，較佳爲〇 . 2 0 以內、更佳爲〇 . 1 5以內、特佳爲0 . 1 0以內、最佳爲0.0 5 以內。再者，相位差薄膜之折射率與玻璃基板間的折射率 差，較佳爲〇 . 2 0以內、更佳爲0 . 1 5以內、特佳爲〇 . 1 〇以 內、最佳爲 〇. 〇 5以內，由於將折射率作成本範圍，則可 抑制因穿透光之反射所引起的損失爲最小限度之故，較佳 〇 又，本發明之第2波長板之面的像差（穿透波前像差 )，當然愈小愈佳，通常爲50(χηλ)以內、較佳爲30( m又）以內、更佳爲2 0 ( m λ )以內。如將波長板之面內 像差作成上述範圍內，即可作成良好的S/N比或可容許的 抖動範圍之故較宜。在此，λ表示穿透光之波長，而一般 採用所使用的雷射光之波長。 本發明之第2波長板中之異物數而言，儘可能少爲佳 ，粒徑l〇//m以上者，通常爲10(個/mm2 )以下，較佳 爲5 (個/mm2 )以下，更佳爲1 (個/mm2 )以下。如波長 板中存在有l〇/im以上之異物1〇(個/mm2 )以上，則噪 音信號會增多，以致S /N比降低之故不宜。在此，波長板 中之異物，係包含會降低雷射光之穿透率者或因其異物之 存在而大爲改變雷射光之進行方向者。前者之例而言，可 舉：塵埃、樹脂燒焦物或金屬粉末、礦物等的粉末等，而 -57- 200530730 (54) 後者之例而言，可舉：他種樹脂之污染或折射率不相同的 透明物質等。 另外，本發明之第2波長板，視降低噪音等的需要而 爲遮斷或降低所期望的波長以外的光之穿透起見，可爲施 加有使用周知之著色劑等的著色者。 本發明之第2波長板，除爲相位差薄膜互相間、以及 相位差薄膜與玻璃基板間的層合固定，使用選自黏接劑（ A ) 、 （ B )，且分別不相同的黏接劑以外，其餘則可採用 在來周知之方法製造。 本發明之第2波長板，係至少2片相位差薄膜經以黏 接劑所層合，而於該經層合的相位差薄膜之至少一方之面 層合有玻璃基板的波長板，而由於相位差薄膜互相間、以 及相位差薄膜與玻璃基板間，係由選自黏接劑（A )及黏 接劑（B )，且分別使用不相同的黏接劑所層合固定之故 ’可長期間維持初期特性。特別是作爲相位差薄膜，較佳 爲使環狀儲烴系樹脂薄膜延伸定向者。如使用此種本發明 之波長板，則可製造長期間能維持性能的高耐久性之光學 Μ 錄再生裝置或液晶投影機裝置。 【實施方式】 〔實施例〕 以下，將舉出實施例，再具體說明本發明，惟本發明 並不因此等貫施例而有所限定者。另外，實施例中之份及 % ’除非特別註明以外’係表示重量份及重量％。又，實 -58- 200530730 (55) 施例中之各種試驗·測定之方法係如下所示。 固有黏度（〔7?〕） 使用氯仿或環己烷爲溶劑，按〇.5g/dl之聚合物濃度 ，3 0 °C之條件下，使用烏伯勞德黏度計（U b b e 1 〇 h 〇 d e viscometer )測定 ° 凝膠含量 在25C之溫度下’按把成爲1%濃度之方式將加氯（ 共）合物5 0 g溶解於氯仿中，使用預先經測定重量之孔徑 0.5// m之膜濾器（membrane filter)〔阿托凡科技東洋（ 股）製〕過濾該溶液，乾燥過濾後之過濾器後，從其重量 之增加量算出凝膠含量。 氫化率 如係加氫單獨聚合物的情形，則依5 0 0MHz測定1Η— NMR，並從酯基之甲基氫與烯烴系氫之各吸收強度之比， 或者烷烴系氫與烯烴系氫之各吸收強度之比測定氫化率。 又，如係加氫共聚合物的情形，則從聚合後之共聚合物之 4一 NMR吸收與加氫後之加氫共聚合物之1H — NMR吸收 的比較算出。 樹脂之玻璃化溫度

使用掃瞄式熱量計（DSC )，在氮氣氣氛下，按l〇°C -59 - 200530730 (56) /分鐘之升溫速度測定。 膜厚 使用奇延士（股）製，雷射聚焦位移計，L T 一 8 0 1 0 測定。 面內像差 使用富士照片光機（股）製，小孔徑雷射干涉儀R1 0 ，就5mm中之範圍，使用波長65 Onm之雷射光測定穿透 波前像差。 相位差値 使用王子計測機器（股）製，KOBRA — 21 ADH，依波 長480、550、590、630、750nm測定，對該波長以外之部 分，則使用在上述波長下的相位差値，並使用科希色散公 式(Cauchy dispersion fomula )算出 ° 高溫高濕試驗 設定愛斯培克（股）製、環境試驗機爲95 °C、95 %RH 。置入槽內1〇〇〇小時後取出，實施目視觀察、相位差値 之測定，面內像差之測定。 黏接劑之玻璃化溫度（tan δ峰値溫度） 使用歐利恩科技社製流變維布隆振動電容器（型式 -60- 200530730 (57) DDV - 01FP )，製備黏接劑之書籤狀試驗片（5mm x 7cm )，按溫度範圍—100至150°c、頻率1Hz測定。如峰値 存在有2種以上時，則將高溫側之値作成峰値溫度（玻璃 化溫度）。 另外，對玻璃化溫度在室溫以下者，則預先將單體按 厚度1 mm之方式塗佈於經確認tan ¢5峰値溫度之基材（ JSR (股）製ARTON、厚度10 a m )上測定，以確認源自 黏接劑之tan (5峰値溫度。 黏接劑之楊氏撓曲模量 使用因斯多隆（股）製拉張試驗機，並製備黏接劑之 3號啞錢，遵照JIS— Z 1 702，在23°C下進行測定。拉張速 度爲i 0mm/分鐘。 另外，對玻璃化溫度在室溫以下者，則將預先塗佈黏 接劑於P E T基材上者作成3號啞鈴形狀，將實施測定時去 除PET基並露出被檢測部分以進行測定。 <合成例1 > 將8 —甲基一 8 —甲氧羰基四環〔4.4.0.I2’5.17’1Q〕— 3 —十二烯（特定單體）2 5 0份、及丨一己烯（分子量調節 劑）1 8份、以及甲苯（開環聚合反應用溶劑）7 5 0份飼給 於經氮氣取代的反應容器中，並加熱該溶液爲6 0 °C。接著 ，於反應容器內之溶液中’作爲聚合觸媒添加三乙基鋁（ 1 .5莫耳/公升）之甲苯溶液0.62份、及經以第三丁醇和甲 -61 - 200530730 (58) 醇改性的六氯化鎢（第三丁醇：甲醇··鎢=〇.35莫耳：0.3 莫耳：1莫耳）之甲苯溶液（濃度0.05莫耳/公升）3.7份 ，並將此整個溶液在8 0 °C加熱攪拌3小時，以使其進行開 環聚合反應，製得開環聚合物溶液。在此聚合反應時的聚 合轉化率爲9 7 %，而就所得的開環聚合物，在3 〇 之氯仿 中所測定的固有黏度（i n h )爲〇 . 7 5 d 1 / g。 將如此所得開環聚合物溶液4.0 0 0份飼給高壓釜中， 對此開環聚合物溶液中添加RuHCl(CO ) 〔 P ( C6H5 ) 3〕3 0.48份，在氫氣壓力i〇0kg/cm2、反應溫度i65t;之條件 下加熱攪拌3小時，以實施加氫反應。 冷卻所得反應溶液（加氫聚合物溶液）後，卸壓氫氣 〇 將此反應溶液注入大量甲醇中以分離回收凝固物，將 此乾燥後製得加氫聚合物（以下，簡稱「樹脂A」。）。 就如此所得樹脂，使用1 Η — N M R以測定加氫率，結 果爲9 9.9 %。又，就該樹脂依D S C法（差示掃瞄式量熱法 )測疋玻璃化溫度（T g )，結果爲1 6 5 °C。又，就該樹脂 依G P C (凝膠滲透色譜法）法（溶劑：四氫|][夫喃）測定聚 苯乙烯換算之數平均分子量（Μη)及重量平均分子量（ M w )，結果Mn爲32,⑽0、Mw爲137,000、分子量分佈 (Mw/Mn )爲4.29。就該樹脂測定23艺時的飽和吸水率 ’結果爲〇. 3 %。又，測定S P (溶解度參數）値，結果爲 19 ( MPa,/2 )。又’就該樹脂’在3 0 t：之氯仿中測定固有 黏度（7? inh)，結果爲〇.78dl/g。又，凝膠含量爲0.4%。 -62 - 200530730 (59) <合成例2> 除作爲特定單體而使用8-甲基-8-甲氧羰基四環〔 4.4.0.12,5.17，1()〕— 3 —十二烯 215 份、及雙環〔2.2.1〕庚 一 2—嫌35份，以及1 一己嫌（分子量調節劑）之添加量 作爲1 8份以外，其餘則按與合成例1同樣方式，製得加 氫聚合物。所得加氫聚合物（以下，簡稱「樹脂B」。） 之加氫率爲9 9.9 %。又，就該樹脂依D S C法測定玻璃化溫 度（Tg )，結果爲125°C。又，就該樹脂依GPC法（溶劑 :四氫呋喃）測定聚苯乙烯換算之數平均分子量（Μη)及 重量平均分子量（Mw)，結果 Μη爲46,〇〇〇、Mw爲 1 9 0,0 00、分子量分佈（Mw/Mn )爲4.15。就該樹脂測定 2 3 °C時的飽和吸水率，結果爲〇 · 1 8 %。又，測定S p値， 結果爲19 ( MPa1/2 )。又，就該樹脂，在3〇。(：之氯仿中 測定固有黏度（7?inh)，結果爲〇.69dl/g。又，凝膠含量 爲 0.2%。 <合成例3>

除作爲特定單體而使用 8 -亞乙基四環〔 4·4.0.12’5·17’1()〕— 3 — 十二烯 225 份、1—己烯（分子量 調節劑）之添加量爲作爲3 0份，作爲開環聚合反應用溶 劑，不用甲苯而使用環己烷以外，其餘則按與合成例1同 樣方式，製得加氫聚合物。所得加氫聚合物（以下，簡稱 「樹脂C」。）之加氫率爲9 9 · 9 %。又，就該樹脂依D S C -63- 200530730 (60) 法測定玻璃化溫度（T g )，結果爲1 3 8 t。又，就該樹脂 依G P C法（溶劑：環己烷）測定聚苯乙烯換算之數平均 分子量（Μη )及重量平均分子量（Mw )，結果 Μη爲 5 0,0 0 0、Mw 爲 19〇,〇〇〇、分子量分佈（Mw/Mn )爲 3·80。 又，就該樹脂測定2 3 t時的飽和吸水率，結果爲0.0 1 %。 又，測定S P値，結果爲1 7 ( Μ P a 1 /2 )。又’就該樹脂， 在3 0°C之環己烷中測定固有黏度（π inh)，結果爲0.72 d"g。又，凝膠含量爲0.4%。 <薄膜製造例1 > 將樹脂A按能成爲濃度3 0% (室溫下的溶液黏度爲 30,000mPa· S)之方式溶解於甲苯中，並使用井上金屬工 業社製，INVEX實驗室塗佈機（labo coater)按乾燥後之 薄膜厚度能成爲100// m之方式塗佈於丙烯酸系且經親水 化（易黏接）之表面處理的厚度之PET薄膜（東 麗社製、盧米拉U94 )上，將此在50°C下之一次乾燥後， 實施9(TC之二次乾燥。製得從PET薄膜所剝離的樹脂薄 膜A。所得薄膜之殘留溶劑量爲0.5 %。 依下列方法求出該薄膜之光彈性係數（CP )及應力光 學係數（CR )。具體而言，光彈性係數（CP ) ’係對書籤 狀之薄膜試樣在室溫（2 5 °C )下施加數種之既定荷重，從 所產生的相位差及當時試樣所受應力計算者。應力光學係 數（C R )，則使用薄膜狀試樣在T g以上時施加數種之既 定荷重並經拉伸數％的狀態下緩慢冷卻至室溫後測定所產 -64- 200530730 (61) 生的相位差再從所施加的應力計算者 _ m 果’分別爲 CP=4(xlO—12Pa- 丨），CR=1.750(xl〇〜Ui ’ 尸a ) 〇 將樹脂薄膜A之特性値表示於表1中。 <薄膜製造例2> 使用樹脂B，按與薄膜製造例1同樣 膜B。所得樹脂薄膜B之殘留溶劑量爲 係數（CP)及應力光學係數（Cr)分別爲 方式製得樹脂薄 〇 · 5 %，而光彈性 CP = 9 (xIO-npa-y'CRdJSOCxiO-Upa'i)。

將樹脂薄膜B之特性値表示於表1中。 <薄膜製造例3> 使用樹脂C，將溶劑作成環己烷以外，其餘則按與薄 膜製xe例1同樣方式製得樹脂薄膜c。所得樹脂薄膜c之 殘留溶劑量爲0 · 4 %，而光彈性係數（C p )及應力光學係 數（CR)分別爲 CpMCxlO-Upa-1) 、Cr=1，950 (xl〇- 12Pa〜】）。 將樹脂薄膜c之特性値表示於表1中。 -65- 200530730 (62) 〔表1〕

Tg CP, CR 厚度 殘留溶劑量 全光線穿透率 590rm時的相位差 (°C) (χ10· ]v) (//m) (%) (%) (nm) 樹脂薄膜A 165 4， 1,750 100 0.5 93 6.8 樹脂薄膜B 125 9, 2,350 100 0.5 93 6.8 樹脂薄膜C 138 4， 1,950 100 0.4 93 5.2 <實施例1> 將上述樹脂薄膜A，在拉幅器（tenter frame )內加熱 爲相當於Tg+10°C之175°C，依拉伸速度40 0%/分鐘單軸 拉伸爲1 · 4倍後在1 1 〇°C之氣氛下保持此狀態1分鐘，然 後冷卻主室溫並取出’結果製得厚度爲8 9 // m、波長6 5 5 nm時的相位差爲1 60nm的相位差薄膜A—1。又，將上述 樹脂薄膜A，在拉幅器內加熱爲相當於Tg+10°C之175 °C 、依拉伸速度400%/分鐘單軸拉伸爲2_1倍後在1 1(TC之 氣氛下保持此狀態1分鐘，然後冷卻至室溫並取出，結果 製得厚度爲81//m、波長655 nm時的相位差爲330nm的 薄膜A — 2。在此，經確認各薄膜面之面粗糙度（Rm ax ) 之結果，爲〇. 1 m。 將此等薄膜A - 1及A — 2，切割爲直徑1 0mm之圓形 之同時，按各光軸能成爲60°之方式在圓周部分依寬幅 1 mm之塗抹黏接劑區域，使用厚度1 〇 Μ ni之丙烯酸酯系 黏接劑（住友3 Μ (股）製’ 8 142 )加以貼合。此時塗抹 黏接劑區域之一部分依約1 之寬幅將未塗抹上述黏接 -66- 200530730 (63) 劑的ρβ分留作空氣洩漏道，製得波長板A。將本波長板a 表示於第1圖中。 使用偏光顯微鏡確認波長板A中，粒徑1 〇 “ m以上 之異物數爲10個/mm2以下。波長板A之面內像差，經確 認爲1 8m λ。就此波長板a實施高溫高濕試驗之結果，經 確認相位差値之變化量爲3 %以內，面內像差之變化量亦 爲5 m λ以下’未有外觀變化而維持有良好特性的情形。 <實施例2> 除使用樹脂薄膜Β，作成拉伸條件爲拉伸倍率1 . 3倍 ’加熱溫度1 3 0 °C以外，其餘則按與實施例1同樣方式製 得厚度爲89//m、波長655 nm時的相位差爲275 nm的相 位差薄膜B - 1。在此，經確認薄膜面之面粗糙度（Rinax )之結果，爲 將此2片相位差薄膜β — 2，切割爲直徑1 0mm之圓形 之同時’按各光軸能成爲4 5。之方式在圓周部分依寬幅 1 mm之塗抹黏接劑區域，使用厚度1 0 // m之丙烯酸酯系 黏接劑（住友3 Μ (股）製，8 142 )加以貼合。此時塗抹 黏接劑區域之一部分依約1 mm之寬幅將未塗抹上述黏接 劑的部分留作空氣洩漏道，再者，於此種經層合的相位差 薄膜之單面，將經注塑成型樹脂A所得厚度1 mm之油炸 圈餅圓盤狀之支持體，使用丙烯酸酯系黏接劑（住友3 Μ (股）製，8 142 )加以貼合，製得波長板Β。將本波長板 Β表示於第2圖中。 -67- 200530730 (64) 使用偏光顯微鏡確認波長板B中粒徑1 0 A m以上之 異物數爲1 〇個/mm2以下。再者’波長板B之面內像差’ 經確認爲1 2 m Λ。就此波長板Β實施高溫高濕試驗之結果 ，經確認相位差値之變化量爲3 %以內，面內像差之變化 量亦爲5 m λ以下，未有外觀變化而維持有良好特性的情 形。 <實施例3> 除使用樹脂薄膜C，作成拉伸條件爲拉伸倍率1 . 〇 8倍 ，加熱溫度148 °C以外，其餘則按與實施例1同樣方式製 得厚度爲96 # m、波長6 5 5 nm時的相位差爲125nm的相 位差薄膜C - 1。又’除使用樹脂薄膜C，作成拉伸條件爲 拉伸倍率1 . 1 8倍、加熱溫度1 4 8 t以外，其餘則按與實施 例1 R樣方式製得厚度爲91/zm、波長655nm時的相位差 爲250nm的相位差薄膜C- 2。在此，經確認薄膜面之面 粗縫度（Rmax)之結果’爲 除將此等相位差薄膜C - 1及C - 2，作成按各光軸能 成爲5 5 °之方式以外，其餘則按與實施例1同樣方式製得 波長板C。 使用偏光顯微鏡確認波長板C中，粒徑1 0 /i m以上 之異物數爲10個/mm2以下。再者，經確認波長板c之面 內像差之結果，爲1 6m λ。就此波長板c實施高溫高濕試 驗之結果，經確認相位差値之變化量爲3 %以內，面內像 差之變化量亦爲5m λ以下，未有外觀變化而維持有良好 200530730 (65) 特性的情形。 <比較例1 > 除於薄膜全面設置厚度1 〇 // m之黏接劑層以黏接薄膜

互相間以外’其餘則按與實施例1同樣方式製得波長板D 〇 使用偏光顯微鏡確認波長板D中之粒徑1 〇 # m以上 之異物數爲10個/mm2以下。再者，波長板0之面內像差 ’經確認爲24m λ。就此波長板D實施高溫高濕試驗之結 果，雖然相位差値之變化量爲3 °/。以內，未有外觀變化， 惟面內像差之變化量爲1 8 m λ，可知作爲波長板的特性上 ，有發生問題的可能性。 <實施例4> 按與實施例1同樣方式製得相位差薄膜Α— 1及Α— 2 〇 將此等相位差薄膜A - 1及A - 2，按各光軸能成爲 60°之方式使用厚度10//m之丙烯酸酯系黏接劑（住友 3 Μ (股）製，8 1 42 )加以貼合，再於經貼合的薄膜之兩面 ，使用厚度1 〇〆m之丙烯酸酯系黏接劑（協立化學產業（ 股）製，XVL — 90 )以層合厚度2 5 0 // m之玻璃板，製得 波長板E。在此，作爲黏接劑（A )所使用的住友3 Μ (股 )製8Μ2之tan 5峰値溫度爲一 63 t、楊氏撓曲模量爲 0.6 MPa，而作爲黏接劑（B )所使用的協立化學產業（股 -69- 200530730 (66) )製XVL—90之tan(5峰値溫度爲61°C，楊氏撓由 75MPa ° 測定波長板E之相位差之結果，6 5 5 n m時的相 1 6 1 n m而7 8 5 n m時的相位差爲1 9 5 n m。因而，經51 板E係能在寬頻帶中作爲「1 /4波長板」發揮功能 使用偏光顯微鏡確認波長板E中，粒徑1 〇 A rr 異物數爲1 〇個/mm2以下。 再者’波長板E之面內像差，經確認爲1 8 m λ 就此波長板Ε實施高溫高濕試驗之結果，經確 差値之變化量爲3 %以內，面內像差之變化量亦爲 下，未有外·觀變化而維持有良好特性的情形。 <實施例5〉 按與實施例2同樣方式製得相位差薄膜Β - 1。 將此2片相位差薄膜Β - 1，按各光軸能成爲 方式使用厚度1 0 # m之丙烯酸酯系黏接劑（住友 )製，8 1 42 )加以貼合，再於經貼合的薄膜之兩面 厚度1 0 // m之丙烯酸酯系黏接劑（協立化學產業（ ，XVL—90)以層合厚度250//m之玻璃板，製得 F 〇 測定波長板F之相位差之結果，5 0 0 n m時的相 246nm，而785nm時的相位差爲395nm。因而，經 長板E係能在寬頻帶中作爲「1 /4波長板」發揮功肯 使用偏光顯微鏡確認波長板F中，粒徑1 0 // m 模量爲 位差爲 認波長 以上之 〇 認相位 5 m λ以 45 〇之 3Μ (股 ，使用 股）製 波長板 位差爲 確認波 5 〇 以上之 -70- 200530730 (67) 異物數爲1 0個/mm2以下。 再者，波長板F之面內像差，經確認爲丨5 m λ。 就此波長板F實施高溫高濕試驗之結果，經確認相位 差値之變化量爲3 %以內，面內像差之變化量亦爲5 m λ以 下’未有外觀變化而維持有良好特性的情形。 <實施例6 > 按與實施例3同樣方式製得相位差薄膜c 一 1及C - 2 〇 將此等相位差薄膜C-1及C一 2，按各光軸能成爲 55°之方式使用厚度10//m之丙烯酸酯系黏接劑（住友 3 Μ (股）製，8 1 42 )加以貼合，再於經貼合的薄膜之兩面 ，使用厚度ΙΟ/zm之丙烯酸酯系黏接劑（協立化學產業（ 股）製，XVL— 90)以層合厚度250//m之玻璃板，製得 波長板G。 測定波長板G之相位差之結果，4 0 5 nm時的相位差爲 102nm，而655nm時的相位差爲165nm。因而’經確認波 長板G係能在寬頻帶中作爲「1 Μ波長板」發揮功能。 使用偏光顯微鏡確認波長板G中’粒徑1 0 A m以上 之異物數爲10個/mm2以下。 再者，波長板G之面內像差’經確認爲3 5 m λ ° 就此波長板G實施高溫高濕試驗之結果’經確認相位 差値之變化量爲3 %以內，面內像差之變化量亦爲5 m λ以 下，未有外觀變化而維持有良好特性的情形。 -71 - 200530730 (68) <實施例7> 將2片相位差薄膜C一 2，按各光軸能成爲40°之方 式使用厚度1 0 // m之丙烯酸酯系黏接劑（協立化學產業（ 股）製，XVL - 9 0 )加以貼合，再於經貼合的薄膜之單面 ，使用厚度2 0 // m之丙烯酸酯系黏接劑（住友3 Μ (股） 製，8142 )以層合厚度2 5 0 // m之玻璃板，製得波長板Η 〇 測定波長板Η之相位差之結果，4 0 5 rim時的相位差爲 1 99nm，而6 5 5 nm時的相位差爲3 2 5 nm。因而，經確認波 長板Η係能在寬頻帶中作爲「1 /2波長板」發揮功能。 使用偏光顯微鏡確認波長板Η中，粒徑1 0 a m以上 之異物數爲1〇個/mm2以下。 再者，波長板Η之面內像差，經確認爲1 7m又。 就此波長板Η實施高溫高濕試驗之結果，經確認相位 差値之變化量爲3%以內，面內像差之變化量亦爲5m λ以 下，未有外觀變化而維持有良好特性的情形。 <實施例8> 除使用樹脂薄膜Β，並將拉伸條件作成拉伸倍率1 · 9 2 倍、加熱溫度1 4 8 °C以外，其餘則按與實施例1同樣方式 製得厚度爲7〇#m、波長655nm時的相位差爲710nm的 薄膜B - 2。又，除使用樹脂薄膜A，並將拉伸條件作成拉 伸倍率1 .4 2倍以外，其餘則按與實施例1同樣方式製得 -72- 200530730 (69) 厚度爲90/zm’波長655nm時的相位差爲175nm 差薄膜A— 3。將此等相位差薄膜b— 2及A - 3, 軸能成爲50°之方式使用厚度1〇//m之丙烯酸酯荠 (協立化學產業（股）製，XVL - 90 )加以貼合， 貼合的單面，使用厚度2〇nm之丙烯酸酯系黏接齊 3M (股）製，8142)以層合厚度250/zm之玻璃柺 波長板I。 測定波長板I之相位差之結果，6 5 5 n m時的相 164nm，而785nm時的相位差爲I96nm。因而，經 長板Ϊ係能在寬頻帶中作爲「1 /4波長板」發揮功能 使用偏光顯微鏡確認波長板I中，粒徑1 0 // m 異物數爲1 0個/ m m2以下。 再者，波長板I之面內像差，經確認爲32m λ 就此波長板Η實施高溫高濕試驗之結果，經確 差値之變化量爲3 %以內，面內像差之變化量亦爲 下，未有外觀變化而維持有良好特性的情形。 <實施例9> 除使用樹脂薄膜Β，並將拉伸條件作成拉伸倍 倍、加熱溫度148 °C以外，其餘則按與實施例1同 製得厚度爲87//m、波長6 5 5 nm時的相位差爲35 薄膜B- 3。 將相位差薄膜B— 2及B - 3，按各光軸能成爲 方式使用厚度10#m之丙烯酸酯系黏接劑（協立化 的相位 按各光 :黏接劑 再於經 (住友 :，製得 位差爲 確認波 | 〇 以上之 0 認相位 5m λ以 率 1 .58 樣方式 5 n m的 60 °之 學產業 -73- 200530730 (70) (股）製’ XVL - 90 )加以貼合，再於經貼合的薄膜之單 面’使用厚度20nm之丙烯酸酯系黏接劑（住友3M (股）

製，8142 )以層合厚度250 // m之玻璃板，製得波長板J 〇 測定波長板J之相位差之結果，6 5 5 nm時的相位差爲 3 2 0nm ’而7 8 5 nm時的相位差爲3 95 nm。因而，經確認波 長板J係能在寬頻帶中作爲「1 /4波長板」發揮功能。 使用偏光顯微鏡確認波長板J中，粒徑1 0 /z m以上之 異物數爲10個/mm2以下。 再者，波長板J之面內像差，經確認爲3 2m λ。 就此波長板J實施高溫高濕試驗之結果，經確認相位 差値之變化量爲3 %以內，面內像差之變化量之變化量亦 爲5 m λ以下，未有外觀變化而維持有良好特性的情形。 <實施例1 〇> 將相位差薄膜Α—1及Α - 2，按各光軸能成爲60°之 方式使用厚度lO/zm之丙烯酸酯系黏接劑（協立化學產業 (股）製，XVL - 90 )加以貼合，再於經貼合的薄膜之單 面，使用厚度20nm之丙烯酸酯系黏接劑（住友3M (股）

製’ 8142 )以層合厚度25 0 // m之玻璃板，製得波長板K 〇 測定波長板K之相位差之結果，6 5 5 nm時的相位差爲 1 62nm而7 8 5 nm時的相位差爲1 95nm。因而，經確認波長 板K係能在寬頻帶中作爲「！ /4波長板」發揮功能。 -74- 200530730 (71) 使用偏光顯微鏡確認波長板K中，粒徑1 〇 v m以上 之異物數爲1 0個/mm2以下。 再者，波長板K之面內像差，經確認爲3丨m λ。 就此波長板Κ實施高溫高濕試驗之結果，經確認相位 差値之變化量爲3%以內，面內像差之變化量亦爲5m又以 下，未有外觀變化而維持有良好特性的情形。 <實施例Π> 將2片相位差薄膜C一 2，按各光軸能成爲40。之方 式使用厚度10//Π1之丙烯酸酯系黏接劑（住友3Μ (股） 製，8 1 42 )加以貼合，再於經貼合的薄膜單面，使用厚度 10 nm之丙烯酸酯系黏接劑（協立化學產業（股）製，

XVL— 90)以層合厚度2 5 0 # m之玻璃板，製得波長板L 〇 測定波長板L之相位差之結果，405 nm時的相位差爲 201nm，而655nm時的相位差爲326nm。因而，經確認波 長板L係能在寬頻帶中作爲「1 /2波長板」發揮功能。 使用偏光顯微鏡確認波長板L中，粒徑1 0 # m以上之 異物數爲1〇個/mm2以下。 再者，波長板L之面內像差，經確認爲3 1 m又。 就此波長板L實施高溫高濕試驗之結果，經確認相位 差値之變化量爲3 °/。以內，面內像差之變化量亦爲5 m λ以 下，未有外觀變化而維持有良好特性的情形。 -75- 200530730 (72) <比較例2> 將相位差薄膜A - 1及A - 2，按各光軸能成爲60。之 方式使用厚度10//m之丙烯酸酯系黏接劑（協立化學產業 (股）製，XV L· — 9 0 )加以貼合，再於經貼合的薄膜之兩 面’使用厚度1 〇nm之丙烯酸酯系黏接劑（協立化學產業 (股）製，XVL - 90)以層合厚度250//m之玻璃板，製 得波長板Μ。 測定波長板Μ之相位差之結果，6 5 5 nm時的相位差爲 160nm’而785nm時的相位差爲I96nm。因而，經確認波 長板Μ係能在寬頻帶中作爲「1 /4波長板」發揮功能。 使用偏光顯微鏡確認波長板Μ中，粒徑1 0 # m以上 之異物數爲1 〇個/mm2以下。 再者，波長板Μ之面內像差，經確認爲2 0 m又。 就此波長板Μ實施高溫高濕試驗之結果，經確認相位 差値之變化量爲3%以內而未有外觀變化，惟面內像差之 變化量有1 0 m λ的情形。 <比較例3〉 將2片相位差薄膜Β - 1，按各光軸能成爲45°之方 式使用厚度1 〇 // m之丙烯酸酯系黏接劑（住友3 Μ (股） 製，8 1 42 )加以貼合，再於經貼合的薄膜之單面，使用厚 度10nm之丙烯酸酯系黏接劑（住友3Μ (股）製，8Μ2) 以層合厚度2 5 Ο ν m之玻璃板，製得波長板N。 測定波長板N之相位差之結果，6 5 5 nm時的相位差爲 -76- 200530730 (73) 3 2 8 nm，而7 8 5 nm時的相位差爲3 9 0nm。因而，經確認波 長板N係能在寬頻帶中作爲「1 / 2波長板」發揮功能。 使用偏光顯微鏡確認波長板N中，粒徑1 0 // m以上 之異物數爲1 〇個/mm2以下。 再者，波長板N之面內像差，經確認爲1 8 m λ。 就此波長板Ν實施高溫高濕試驗之結果，經確認相位 差値之變化量爲3%以內而未有外觀變化，惟面內像差之 變化量亦爲5m λ的情形。 <比較例4 > 將相位差薄膜C一 1及C一 2，按各光軸能成爲55°之 方式使用厚度1 〇 V m之丙烯酸酯系黏接劑（協立化學產業 (股）製，X V L — 9 0 )加以貼合’再於經貼合的薄膜之兩 面，使用厚度l〇nm之丙烯酸酯系黏接劑（協立化學產業 (股）製，XVL - 90)以層合厚度250//m之玻璃板’製 得波長板0。 使用偏光顯微鏡確認波長板0中’粒徑1 0 # m以上 之異物數爲10個/mm2以下。 再者，波長板〇之面內像差’經確認爲4 〇m入° 就此波長板〇實施高溫高濕試驗之結果’經確認相位 差値之變化量爲3%以內而未有外觀變化’惟面內像差之 變化量有1 5 m λ的情形。 <比較例5 > -77- 200530730 (74) 將2片相位差薄膜C - 2，按各光軸能成爲40°之方 式使用厚度1 〇 // m之丙烯酸酯系黏接劑（協立化學產業（ 股）製，XVL - 90 )加以貼合，再於經貼合的薄膜之單面 ’使用厚度1 〇nm之丙烯酸酯系黏接劑（協立化學產業（ 股）製，XVL — 90 )以層合厚度2 5 0 // m之玻璃板，製得 波長板P。 測定波長板P之相位差之結果，4 0 5 nm時的相位差爲 2 0 0nm，而6 5 5 nm時的相位差爲3 2 3 nm。因而，經確認波 長板P係能在寬頻帶中作爲「1 /2波長板」發揮功能。 使用偏光顯微鏡確認波長板P中，粒徑1 0 // m以上之 異物數爲1 0個/mm2以下。 再者，波長板P之面內像差，經確認爲24m λ。 就此波長板Ρ實施高溫高濕試驗之結果，經確認相位 差値之變化量爲3 %以內而未有外觀變化，惟面內像差之 變化量有1 8 m λ的情形。 <比較例6 > 將相位差薄膜Β - 2及Α - 2，按各光軸能成爲50°之 方式使用厚度l〇/im之丙烯酸酯系黏接劑（住友3M (股 )製，8 1 42 )加以貼合，再於經貼合的薄膜單面，使用厚 度10nm之丙烯酸酯系黏接劑（住友3M (股）製，8142) 以層合厚度2 5 Ο β m之玻璃板，製得波長板Q。 測定波長板Q之相位差之結果，6 5 5 n m時的相位差爲 162nm，而7 8 5 nm時的相位差爲I98nm。因而，經確認波 -78- 200530730 (75) 長板Q係能在寬頻帶中作爲「1 /2波長板」發揮功能。 使用偏光顯微鏡確認波長板Q中’粒徑1 0 V m以上 之異物數爲1 0個/mm2以下。 再者，波長板Q之面內像差，經確認爲2 0 m入。 就此波長板Q實施高溫高濕試驗之結果，經確認相位 差値之變化量爲3 %以內而未有外觀變化’惟面內像差之 變化量有1 6m λ的情形。 產業上之利用可能性 使用本發明之第1及第2波長板的光學資訊記錄·再 生裝置，係關於聲音、影像之記錄方面，均能適用於再生 專用記憶體，寫一次讀多次型記億體、以及可重寫型記憶 體，而可用於CD — ROM、CD— R、可重寫型DVD等的記 錄裝置以及使用此等的OA (辦公室自動化）設備、CD等 的音響再生裝置、DVD等的影像再生裝置以及使此等的 AV (視聽）設備，使用上述CD、DVD等的遊戲機等。又 ’本發明之第1及第2波長板，亦可用於液晶投影機裝置 【圖式簡單說明】 第1圖：係由實施例1所製作的波長板之構成圖，（ a)爲從上面的觀察圖，（b)爲從橫向的觀察圖。 第2圖：係由實施例2所製作的波長板之構成圖，（ Ο爲從上面的觀察圖，（b)爲從橫向的觀察圖。 -79-

Claims (1)

1. 200530730 ⑴ 十、申請專利範圍 1 · 一種波長板，係由2片以上之相位差薄膜所成波 長板，其特徵爲：在雷射光之透射部分，相位差薄膜互相 間係未經黏接者。 2 ·如申請專利範圍第1項之波長板，其中在除了雷 射光之透射部分以外部分之至少一部分，相位差薄膜互相 間係經黏接著。 3 ·如申請專利範圍第1項或第2項之波長板，其中 相位差薄膜之至少一部分，係經固定於支持體。 4.如申請專利範圍第1項至第3項之任一項之波長 板，其中相位差薄膜，係由環狀烯烴系樹脂薄膜所成。 5 · —種波長板，係層合有至少2片相位差薄膜，而 於該經層合的相位差薄膜之至少單面上層合有玻璃基板的 波長板，其特徵爲：相位差薄膜互相間、及相位差薄膜與 玻璃基板間，係經由選自下述黏接劑（A ) 、( B )，且分 別以不相同的黏接劑層合固定所成； 黏接劑（A):係玻璃化溫度在〇°C以下，且在23°C 時的楊氏撓曲模量爲lOMPa以下的黏接劑， 黏接劑（B ):係玻璃化溫度在40°C以上，且在23°C 時的楊氏撓曲模量爲3 OMPa以上的黏接劑， (但，黏接劑（A )與黏接劑（B )的玻璃化溫度之差 爲6 0 t以上，且在2 3 °C時的黏接劑（A )與黏接劑（B ) 的楊氏撓曲模量之差爲40MPa以上）者。 6.如申請專利範圍第5項之波長板，其中於前述經 -80- 200530730 (2) 層合的相位差薄膜之兩面層合有玻璃基板、相位差薄膜互 相間係經以黏接劑（A )層合固定，而相位差薄膜與玻璃 基板係經以黏接劑（B )固定。 7 ·如申請專利範圍第5項或第6項之波長板，其中 相位差薄膜，係使環狀烯烴系樹脂薄膜拉伸定向所得者。 8 . —種波長板之製造方法，係層合有至少2片相位 差薄膜，並於該經層合的相位差薄膜之至少單面上層合有 玻璃基板的波長板之製造方法，其特徵爲：使用選自下述 黏接劑（A ) 、( B )，且分別以不相同的黏接劑，將相位 差薄膜互相間、及相位差薄膜與玻璃加以層合固定； 黏接劑（A):係玻璃化溫度爲〇°C以下，且在23°C 時的楊氏撓曲模量爲10 MPa以下的黏接劑， 黏接劑（B ):係玻璃化溫度爲4〇°C以上，且在23°C 時的楊氏撓曲模量爲3 0 MPa以上的黏接劑’ (但，黏接劑（A )與黏接劑（B )的玻璃化溫度之差 爲6 0 °C以上，且在2 3 °C時的黏接劑（A )與黏接劑（B ) 的楊氏撓曲模量之差爲40MPa以上）者。 -81 -