200529114 (1) 九、發明說明 [發明所屬之技術領域〕 本發明係屬於例如具備有源矩陣驅動之液晶裝置，電 子紙等之電泳裝置，E L ( E】e c t r 〇 - L u m i n e s c e n c e)顯不裝置 ，電子釋放元件（Field Emission Display 及 Surface-Conduction Electron-Emitter Disply)等裝置之光電裝置極 其製造方法之技術領域，另外，本發明係亦有關由具備如 此光電裝置而成之電子機器的技術領域。 【先前技術】 以往’於基板上，由具備有配列成矩陣狀之畫素電極 及接續於各個該電極之薄膜電晶體（以下稱爲TFT(Thin Film Trans is to))，接續於各自該TFT，並各自於行及列方 向平行設置之資料線及掃描線的情況，可進行所謂有源矩 陣驅動之光電裝置，則眾所週知。 而在如此之光電裝置之中係加上上述，具備有對向配 置於前述基板之對向基板的同時，於該對向基板上，具備 對向於畫素電極之對向電極，並更加地由具備夾合於畫素 電極及對向電極間的液晶層之情況進行畫像顯示，即，液 晶層內之液晶分子係根據設定在畫素電極及對向電極間之 規定的電位差來適當地變更其配向狀態，並由此，根據透 過該液晶層之光的透過率變化之情況，而進行畫像之顯示 更加地，前述光電裝置係爲具備有接續於TFT及畫 200529114 (2) 素電極之儲存*谷里的情況，而由此儲存谷量，可將施加於 畫素電極之電位作爲一定期間維持，並可顯著地使其電爲 維持特性提升。 【發明內容】 [欲解決發明之課題] 但’但’針對在以往之光電裝置係有以下的問題點， 即，前述之儲存容量係典型來說具備有以電接續於TFT 及畫素電極之第1電極，對向配置於此而維持爲固定電位 之第2電極，以及夾合於這兩電極之誘電體膜之三層構造 ，而在此，第1電極及第2電極間係當然不能以電來接續， 而如短路將無法得到作爲儲存容量來發揮機能。 但’針對近年來，更要求有提升光電裝置之小型化. 微細化，而包含有關之儲存容量，前述TF T，資料線，掃 描線及畫素電極等各種構成要素係有需要在非常狹小的範 圍來構築，在這之中關於儲存容量係除了需要滿足如此微 細化等請求之外，亦必須滿足一定程度以上之容量値的確 保，即，必須謀求電極面積或謀求誘電體膜之誘電率的要 求。 對於爲了滿足如此相反之要求係認爲各自均等形成前 述之第1電極及第2電極各自之電極面積，而如根據此，例 如一方的電極沒有對向於另一方之電極的部分，即，作爲 儲存容量係無發揮機能之剩餘的部分則將不會浪費地佔有 基板上有限之面積，並在其一方，從兩電極係雙方均無浪 -5 - 200529114 (3) 費相互對向之情況，不但達成小型化.微細化，也不會浪 費地削減容量値。 但，如此，當第1電極及第2電極雙方具有相同面積而 相互對向時，針對在其端面係夾合於這兩電極之誘電體膜 亦成爲曝露於外部之狀態，即，有關之三層構造所謂[斷 層]則出現在表面，而這是例如針對在該儲存容量之形成 過程，將前述第1電極，誘電體膜及第2電極進行圖案化時 ，所謂產生[蝕刻殘留]乃至殘渣（以下稱爲[殘渣])時，根 據此殘渣附著於前述端面之情況，有著使短路發生在第1 電極及第2電極間之可能性，另外即使不至於產生短路而 根據前述殘渣之存在，亦可認爲有在前述端面發生電場集 中而發生耐壓下降之情況。 而更加地，如此之問題點係有不限於如此第1電極及 第2電極由相同面積來形成之情況而發生之可能性，例如 兩電極之中位置在最下側的電極則即使如從以平面來看位 置在最上側的電極（以下爲求方便稱爲[上側電極])及誘電 體膜露出所形成之情況，這些上側電極與誘電體膜的斷層 如爲暴露於外部之狀態，亦於針對在前述上側電極知該端 面的角部產生電場集中，並得到發生與前述相同之耐壓降 低的問題。 本發明係爲有鑑於上述問題所作爲之構成，其課題爲 提供具備有耐壓性能優越，且得到適當機能之儲存容量之 光電裝置，另外，本發明之課題係提供由具備如此隻光電 裝置而成之電子機器。 -6 - 200529114 (4) [爲解決課題之手段] 本發明之光電裝置係爲了解決上述之課題，具備有延 設在機板上之資料線與’延伸於交差在前述資料線之方向 的掃描線與’包含由前述掃描線供給掃描信號之半導體的 薄膜電晶體與’由前述資料線再藉由前述薄膜電晶體來供 給畫像信之畫素電極與，由以電接續於前述薄膜電晶體及 前述畫素電極之第1電極，對向配置於該第1電極之第2電 極，以及配置在前述第1電極及前述第2電極之間的誘電體 膜而成之儲存容量與，氧化前述第〗電極及前述第2電極之 至少一方的表面全部或一部分之氧化膜。 如根據如此之光電裝置，由因應掃描信號而控制開關 之薄膜電晶體之ON . OFF，從資料線供給畫像信號於畫素 電極，或停止供給，而由此，成爲可進行所謂有源矩陣驅 動，另外，如根據本發明，根據形成由第1電極，誘電體 膜及第2電極而成之儲存容量的情況，將可顯著提升例如 針對在畫素電極之電位維持特性，並有助於畫質之提升， 然而，在本發明所指之[儲存容量]係除了包含意味提升針 對在如現在所述之晝素電極之電位維持特性之外，亦意味 著包含施加依據畫像信號之電位於畫素電極之前，具有作 爲可暫時儲存之記憶體的機能。 並且，如根據本發明，特別是於前述第1電極及前述 第2電極之至少一方的表面全部或一部分形成氧化膜，而 根據此氧化膜，將可幾乎不會使第]電極及第2電極間發生 短路等之事態，由其對於前述表面係因包含第]電極之後 200529114 (5) 述的邊緣部，或第2電極的邊緣部’並關於該邊緣部亦形 成得到氧化膜，故可相當提升該儲存容量之耐壓性能。 更加地，針對在形成前述第1電極’前述第2電極，將 這些前驅膜進行圖案化時，即使產生其殘渣，因此殘渣亦 成爲另外被氧化而構成前述氧化膜之一部分，故亦可防止 因該殘渣而造成耐壓性能下降之情況。 然而，針對本發明，[表面]係指除了包含針對在畫素 電極側容量電極，該畫素電極側容量電極與誘電體膜沒有 接觸的面之外，亦包含該畫素電極側容量電極與誘電體膜 相互接觸的面（以下爲求方便稱爲[接觸面])，而此係誘電 體膜例如由氧化矽膜而成之情況，因在氧化第1電極之過 程所使用的氧則亦可經由該誘電體膜至前述接觸面而使其 氧化之情況，另外，雖稱爲[表面]，但根據前述氧化，前 述第]電極係實際上加上於字義的表面，靠近其內部之附 近當然也成爲變化爲前述氧化膜之情況，而對於[表面]係 也包含如此之趣旨，另上述所述之情況係關於第2電極亦 爲相同。 另外，在本發明所稱之[氧化膜]係指典型來說不只意 味具有所想定之平面形狀之膜形態的構成，例如，即使只 作爲氧化後述之[邊緣部]，其被氧化的部分亦包括[氧化 膜]之範圍。 加'上，針對在本發明，儲存容量係作爲在前述基板上 構築之堆積構造一部分來形成前述之薄膜電晶體，資料線 ，掃描線及畫素電極之情況，即，可作爲三層構造之堆積 200529114 (6) 構造物來形成構成該儲存容量之第1電極，誘電體J 電極，而此情況，第1電極及第2電極的配置位置， 來說係哪個成爲最上層，哪個成爲最下層都可以。 在本發明之光電裝置之一形態之中係前述表面 第1電極及該第2電極之至少一方的端面。 如根據此形態，首先，[端面]係指例如意味接 第1電極，誘電體膜及第2電極進行圖案化時出現之 狀的邊緣部份，所謂相當於壁面的部分，而在此， 成第1電極及第2電極之至少一方與誘電體膜於同-該平面係典型來說係想定爲垂直直立於基板之假2 面]，而前述壁面係成爲形成在該平面之情況）地進 之圖案化之情況，前述壁面的面，即端面係因畫素 容量電極的端部，誘電體膜的端部，以及第2電極 則成爲所謂集中之形式，故容易發生短路乃至電場 後的絕緣破壞之不良情況，然而，在本發明之中係 其端面形成有前述氧化膜，隨之，更可確實享受到 作用效果。 再此形態之中係前述端面亦可如包含前述第] 前述第2電極之至少一方的邊緣部地來構成。 如根據如此之構成，比較於前述端面’更加地 容易發生電場集中之後的絕緣破壞等之不良情況之 ，從形成有前述氧化膜的情況，更可使該儲存容量 性能提升。 然而，在本構成所稱之[邊緣部]係指’具體來 I莫及第2 更具體 包含該 續於將 圖案形 例如形 -平面（ f的[平 行前述 電極側 的端部 集中之 針對在 前述之 電極及 針對在 邊緣部 之耐壓 說係例 -9- 200529114 (7) 如對於第]電極爲直方體之情況係相當於構成該直方體之 六點的角部，而關於第2電極亦爲相同。 另外，針對在本構成係從被作爲[至少一方之邊緣咅β ] 之情況，亦可氧化第1電極及第2電極之兩方的邊緣部，反 而這樣比行程氧化膜於只有任何一方之邊緣部來的更爲理 想，而更理想係如同時氧化第1電極之邊緣部與，夾合誘 電體膜來位置在對向於此之第2電極之邊緣部則更好，而 如根據此，更可確實提升耐壓性能。 或者在形成氧化膜於[端面]之形態之中係前述端面亦 可搭載於交叉在前述基板之同一平面內地來構成。 如根據如此之構成，則如既已敘述之，從端部則成爲 所謂集中之形式情況，將容易發生電場集中之後的絕緣破 壞之不良情況，但如根據本發明，將不必承受其不良情況 而既可完成之。 在本發明之光電裝置之其他形態之中係前述氧化膜係 形成在面對前述第]電極及前述第2電極之至少一方的前述 誘電體側之表面即可，更加地，前述氧化膜係形成在前述 第2電極之所有表面即可，另外，前述氧化膜係形成在前 述第1電極及第2電極之所有表面即可，而在本發明之光電 裝置之其他形態之中係前述氧化膜的厚度爲1.5[nm]以上 ，3 0 [ n m ]以下。 如根據此形態，從適當設定前述氧化膜的厚度之情況 ，得到如接下來之作用效果，即，當氧化膜的厚度下降 ].5 [nm]水準以下時，則無法得到充分之絕緣效果，隨之 -10- 200529114 (8) ，無法得到該儲存容量之充分的耐壓性能，而另一方，當 氧化膜的厚度超出3 〇 [ n m ]之情況，例如，針對在爲了得到 有關之氧化膜的熱氧化工程，將也成爲無法進行薄膜電晶 體之半導體層之氧化情況，並有使薄膜電晶體之Ο N電流 下降之虞，隨之，如根據本形態’將可得到充分的耐壓性 能之享受與確保適當進行動作之作用效果。 在本發明之光電裝置之其他形態之中係前述誘電體膜 係包含氮化矽膜。 如根據此形態，因誘電體膜包含比較來說誘電率大之 氮化矽膜，故可得到增加儲存容量之容量値的情況，另外 ，因此當與誘電體膜例如只由氧化矽膜而成之情況來做比 較時，因可將有關本形態之誘電體膜作爲更薄，故可更佳 達成光電裝置之小型化.微細化之情況，而由此情況亦可 謀求製造時間之縮短化等之情況。 但，當誘電體膜變薄時，當然第]電極及第2電極間的 距離係因變窄，故將會有顧慮耐壓性能下降，但，針對在 本發明係如既已說明之，因這些第1電極及第2電極均被氧 化，故幾乎消除有關的疑慮，也就是，誘電體膜由包含氮 化矽膜之情況，即使作爲盡可能縮小其厚度之情況幾乎也 不會有該儲存容量之耐壓性能下降之情況。 如以上，如根據本形態，因可同時享受儲存容量之容 量增大與，優越之耐壓性能之二個效果情況，故本形態係 可稱爲爲了可更加享受有關本發明之作用效果的最適合之 形態之一。 -11 - 200529114 (9) 在本發明之光電裝置之其他形態之中係至少包覆構成 前述薄膜電晶體之半導體層之通道範圍地配置前述第]電 極之同時由遮光性材料而成之。 如根據此形態，因可防止對於構成薄膜電晶體之半導 體層之光射入，故可防止針對在該半導體層之光泄漏電流 之發生，進而可防止於畫像上發生閃爍之情況，另外，即 使爲本形態之情況，在第1電極及第2電極間亦會得到發生 短路乃至電場集中之後的絕緣破壞之不良情況，故同樣地 發揮本發明之作用效果，即，如根據本形態，加上確實確 保作爲儲存容量之機能的情況，對於該儲存容量亦可擔任 作爲遮光膜之機能，故可謀求該光電裝置之簡易化，另外 ，更加可達成其小型化.細微化等之情況。 然而，作爲在本形態所稱之[遮光性材料]係指，例如 具體來說係可舉出包含Ti(鈦）、Cr (鉻）、W(鎢）、Ta(鉅）、 Mo(鉬）等之高融點金屬之中之至少一個之金屬單體、合金 、金屬矽化物、多矽化物，堆積這些之構成等之情況，而 特別理想係從光吸收性能等之觀點爲 W s i，C 〇 S i及T i S i ο 在本發明之光電裝置之其他形態之中係係前述第2電 極係被作爲固定電位。 如根據此形態，該儲存容量係可更適當地儲存所期望 之電荷。 然而，從本形態之記載，相反地了解到，有關本發明 之第2電極係未必需要作爲固定電位，例如，亦可將第2電 -12- 200529114 (10) 極的電位作爲可變或浮動。 本發明之光電裝置之製造方法係爲了解決上述課題， 係爲於基板上由延伸在一定方向之資料線及，延伸在交差 於該資料線的掃描線與’由前述掃描線供給掃描信號之薄 膜電晶體與’由前述資料線藉由前述薄膜電晶體來供給畫 像信號之畫素電極而成之光電裝置之製造方法，其中具備 有將以電接續於前述薄膜電晶體及前述畫素電極之第1電 極的前驅膜進行成膜之工程與，於前述第1電極上方將誘 電體膜的前驅膜進行成膜之工程與，於前述誘電體膜上方 將第2電極的前驅膜進行成膜之工程與，由進行對於前述 第1電極’前述誘電體膜及前述第2電極各自的前驅膜之圖 案化之情況來形成前述第1電極，前述誘電體膜及前述第2 電極，而因而形成儲存容量之工程與，氧化前述第1電極 及前述第2電極之至少一方的表面全部或一部分來形成氧 化膜之氧化工程。 如根據本發明之光電裝置之製造方法，將可適當地製 造上述之光電裝置。 另外，特別是如根據本發明，氧化工程則對於第]電 極及第2電極所進行之，換言之，前述第1電極及前述第2 電極係如前述，根據將這些各自之前驅膜進行圖案化的情 況來形成，但本發明所指之氧化工程係成爲對於如此所§胃 形成完成之第1電極及第2電極來進行之情況’如此’在此 氧化工程之中係成爲亦氧化針對在前述圖案化之工程發生 之殘渣的情況，由此，針對在該儲存容量，將不會發生因 -13- 200529114 (11) 兩電極間的短路或殘渣造成電場集中之不良情況’而將可 優越適當維持該儲存容量之耐壓性能。 然而，在本發明所指之[氧化工程]係具體來說例如可 認爲進行陽極氧化之工程，進行硫酸洗淨之工程’在導入 臭氧之適當的室內進行等離子處理之工程等情況。 另外，在本發明所指之[氧化膜]及[表面]的意義係與 關於前述本發明之光電裝置所述之構成相同。 在本發明之光電裝置之製造方法之一形態之中係前述 表面係根據前述圖案化所表現，包含前述第1電極及前述 第2電極之至少一方的端面。 如根據此形態，典型來說例如針對在第1電極的前端 ，誘電體膜之前端，以及第2電極之前端成爲所謂集中的 形式之[端面]，容易發生短路乃至電場集中之後的絕緣破 壞等之不良情況，然而，在本發明之中係至少針對在此端 面，形成有前述氧化膜，隨之’成爲更確實享受前述之作 用效果之情況，然而，[端面]的意義係與關於前述本發明 之光電裝置之一形態所述之情況相同。 在此形態之中係前述端面係根據前述圖案化所表現， 亦可包含前述第].電極及前述第2電極之至少一方的邊緣部 地構成之。 如根據如此構成，針對在比較於前述端面更容易發生 電場集中之後的絕緣破壞等之不良情況之邊緣部，從形成 前述氧化膜的情況，更可使該儲存容量之耐壓特性提升， 然而[邊緣部]的意義係與關於前述本發明之光電裝置之一 -14 - 200529114 (12) 形態所述之情況相同。 在本發明之光電裝置之製造方法之其他形態之中係形 成前述氧化膜之工程係包含熱氧化工程。 如根據此形態，將可比較容易且迅速地氧化第1電極 及第2電極，另外，在本形態之熱氧化工程之中係因可於 兩電極表面及其靠近內部之附近容易使氧化擴散發生而形 成安定之氧化膜，相信可更確實提升耐壓性能。 順便帶說，如由典型之形式來實施本形態之[熱氧化 工程]，亦可比較容易地氧化第1電極及第2電極之前述邊 緣部，而此係例如假設想定第1電極及第2電極由單結晶矽 而成之情況時，可瞭解到’因在其邊緣部係對於除此之外 的部分，成爲出現擁有更容易進行氧化之面方位的面之情 況，然而，如此之情況係兩電極並不限於由單結晶矽而成 之情況，而對於一般的情況亦爲適合。 如此，如根據本形態’針對在極容易發生電場集中之 後的絕緣破壞等之不良情況之邊緣部，因可更針對重點’ 且更容易地形成氧化膜，故適合對於使儲存容量之耐壓性 能提升。 如根據此形態，從適當地設定前述氧化膜厚度的情況 ，得到接下來的作用效果，_|卩，當氧化膜的厚度下降 ].5 [ n m ]水準以下時，則無法得到充分之絕緣效果，隨之 ，無法得到該儲存容量之充分的耐壓性能，而另一方’當 氧化膜的厚度超出30 [n m]之情況，例如，針對在爲了得到 有關之氧化膜的熱氧化工程’將也成爲無法進行薄膜電晶 •15- 200529114 (13) 體之半導體層之氧化情況，並有使薄膜電晶體之ON電流 下降之虞，隨之，如根據本形態，將可得到充分的耐壓性 能之享受與確保適當進行動作之作用效果。 或者，前述熱氧化工程係亦可如在3 5 0 [□]以上的環境 來進行。 如根據此形態，可更確實且迅速地氧化第1電極及第2 電極，然而在熱氧化工程之中係從環記溫度相當貢獻於氧 化膜之形成速度的情況，故希望盡可能爲高溫的情況，而 從如此之觀點來看，氧化溫度最理想爲作爲8 00 [ °C ]以上 之情況。 更加地，前述熱氧化工程係亦可在氧濃度爲2%以上 之環境來進行。 如根據此形態，可更確實且迅速地氧化第1電極及第2 電極。 加上，在包含熱氧化工程之形態之中係更具備有於前 述儲存容量之上方形成層間絕緣膜之工程’並前述熱氧化 工程係以可在形成前述層間絕緣膜之後來進行。 如根據如此構成，因可合倂實施對於形成後之層間絕 緣膜得燒成工程與，構成儲存容量的各電極之氧化工程之 情況，故將兩工程比較於個別實施的情況’將可胃某求製造 工程之簡略化乃至製造迅速化的情況。 然而，如此，對於合倂實施燒成工程及氧化工程之情 況係理想爲將其處理由適量將氧氣加上於氮氣之環境氣內 來實施之情況。 -16 - 200529114 (14) 在此構成之中係更加地於前述層間絕緣膜之上方更具 備由形成前述資料線之工程而成，而前述熱氧化工程係亦 可由構成前述資料線的材料之熔點以下溫度之環境下來進 行之。 如根據此形態，例如可由不溶解由鋁而成之資料線地 進行第1電極，或第2電極之氧化，然而在本構成之中係以 資料線作爲前提，但本構成之想法係關於其他各種構成要 素，爲同樣適用’例如針對在於儲存容量之上方，依第1 層間絕緣膜，資料線，第2層間絕緣膜，接續在前述第2電 極之容量配線，第3層間絕緣膜及畫素電極的順序構築堆 積構造之情況係在資料線，容量配線及畫素電極之中，可 由具有最低熔點之構成的該熔點以下之溫度環境下實施熱 氧化工程。 在本發明之光電裝置之其他形態之中係形成前述儲存 容量之工程係將前述第1電極及前述第2電極之至少一方， 具有與前述誘電體膜相同平面形狀地包含進行圖案化之工 程。 如根據此形態，例如第2電極之端面與誘電體膜之端 面則載置在相同的平面內5隨之，假設，於該誘電體膜之 下方，即使存在有具有比這些第2電極及誘電體膜還大面 _之第1電極，即’即使第]電極之_ Η係並無載置在則述 平面，亦會在該第1電極之表面與，第2電極之前述端面， 或絕緣部之間招致絕緣之破壞的可能性，然而，針對在本 發明係即使在如此之情況’根據氧化第]電極’或第2電極 -17- 200529114 (15) 之情況，幾乎沒有該儲存容量之耐壓性能下降之虞’而相 反地來說，針對在有關之情況，更可以有效享受到有關本 發明之作用效果。 然而，[如具有與誘電體膜相同平面形狀地進行圖案 化]係指例如除了先前，如作爲配合只就誘電體膜進行圖 案化之結果而產生之誘電體膜的平面形狀’之後’實施關 於第1電極之前驅膜形成及其圖案化等之情況以外’亦包 含同時將誘電體膜之前驅膜及第1電極之前驅膜雙方進行 圖案化的結果，兩者的平面形狀則成爲相同等之情況。 在本發明之光電裝置之其他形態之中係形成前述儲存 容量的工程係包含一並將前述第1電極，前述誘電體膜及 前述第2電極之所有進行圖案化之工程。 如根據此形態，從包含一並進彳T圖案化之工程之情況 ，例如比較於包含個別獨立將構成儲存容量之三要素進行 圖案化工程之情況等，將可謀求製造工程之簡略。 另外，如根據本形態，特別是從一並進彳了圖案化之工 程之情況，第1電極之端面，誘電體膜之端面及第2電極之 端面所有係載置在同一平面內，而換言之，這些各端面係 成爲所謂集中的形式，而將成爲更造成前述電場集中之後 的絕緣破壞等不良情況，然而，針對在本發明係如既已所 敘述之，根據氧化第1電極，或第2電極之情況，幾乎沒有 該儲存容量之耐壓性能下降之虞，而相反地來說，針對在 有關之情況，更可以有效享受到有關本發明之作用效果。 本發明之電子機器係爲了解決上述課題，由具備上述 -18- 200529114 (16) 本發明之光電裝釐（彳日，句含甘& 衣ϋ (但包3 ^各種形態）而成之。 如根據本發明之電子機器，因由具備上述本發明之光 電裝置而成，故具備有耐壓性能優越，且得到適當機能之 儲存谷里，而由此，將可實現更高品質畫像之投射器，液 晶^視，行動電話電子辭典，文書處理機，取景型監視 直視型之錄影機，工作站，視訊電話，p〇s終端，觸控面 板等之電子機器。 由接下來說明之實施形態，瞭解到本發明之如此作用 及其他優點。 【實施方式〕 [爲了實施發明之最佳的形態] 在以下之中係關於本發明之實施型態，參照圖面進行 說明，而以下之實施型態係將本發明之光電裝置適用在液 晶裝置之構成。 [針對在畫素部之構成] 在以下之中係關於針對在本發明之實施型態之光電裝 置畫素部構成，參照從圖]至圖4進行說明，而在此圖1係 針對在形成爲構成光電裝置之畫像顯示範圍之矩陣狀之複 數衋素的各種元件’配線等之等效電路，而圖2及圖3係爲 形成資料線，掃描線，畫素電極等之TFT陣列基板之作 爲相鄰接的複數晝素群平面圖，然而圖2及圖3係在後述之 堆積構造之中，各自圖示了解下層部分（圖2)與上層部分（ -19- 200529114 (17) 圖3 )，另外，圖4係重疊圖2及圖3之情況的A - A ’剖面圖 ，然而，針對在圖4係爲了將各層.各構件可在圖面上作爲 可辨識程度之大小，對於每個各層·各構件做不同的尺寸 〇 然而，在以下之中係關於有關本實施形態之光電裝置 之基本構成預先說明之後，針對在本實施形態，關於特徵 的構成等係作爲提出之後重新成爲（儲存容量之構成）及（ 儲存容量之製造方法）項目進行詳述。 (畫素部之電路構成） 針對圖1，對於形成爲構成針對在本實施型態之光電 裝置之畫面顯示範圍之矩陣狀的複數畫素係各自形成有畫 素電極9a與，爲了切換控制該畫素電極9a之TFT30，並 供給畫面信號之資料線6a則被以電接續於該TFT3 0之源 極，而寫入於資料線6 a的畫面信號S 1，S 2，…，S η係依 此順序供給也沒關係，而對於同爲相鄰接之複數資料線6a 來供給至每個組群也可以。 另，電接續閘道電極3 a於丁？丁30之閘道，並以規定 的時機，以此順序線順脈衝地將掃描信號G 1、G2、... Gm 施加於掃描線1 1 a及閘道電極3 a所構成，畫素電極9 a係 電接續於TFT30之汲極，並根據只有在一定期間關閉爲切 換元件之TFT30之開關之情況，以規定之時機來寫入衋像 信號 S 1，S2，…，Sn。 而藉由畫素電極9a來寫入於作爲光電物質一例之液 -20- 200529114 (18) 晶之規定標準畫像信號S 1，S 2，…，S η係在與形成在後 述之對向基板之對向電極之間，被一定期間所維持，液晶 係根據所施加之電壓標準，再由分子集合之配向或秩序變 化之情況，可將光進行調製，進行深淡程度顯示，而如爲 正常白模式，因應在各畫素之單位所施加的電壓來對於射 入光之透過率則將減少，如爲正常黑模式，因應在各畫素 之單位所施加的電壓來對於射入光之透過率則將增加，並 作爲全體，從光電裝置係射出擁有因應畫像信號之對比的 光。 在此，被維持之畫像信號爲了防止泄放之情況，與形 成在畫素電極9 a與對向電極之間之液晶容量並列附加儲 存容量7 〇，而儲存容量7 〇係並列設置於掃描線1 1 a，並包 含固定電位側容量電極之同時，亦包含固定爲定電爲之容 量電極3 0 0。 [畫素部之具體構成] 在以下係關於由上述資料線6 a ’掃描線1 1 a及閘道電 極3 a，T F T 3 0等，實現如上述之電路動作的光電裝置之具 體構成，參照圖2乃至圖4來進行說明。 首先，針對圖3，畫素電極9a係於對於TFT陣列基板 ]0上，複數設置成矩陣狀（根據虛線部表示輪廓）’並各 自沿著畫素電極9 a之縱橫邊界設置資料線6 a及掃描線]1 a ，而資料線6 a係如後述，由包含鋁膜等之堆積構造而成 ，並掃描線Π a係例如由導電性之聚矽膜等而成’另外’ _21 - 200529114 (19) 掃描線Π a係藉由接觸孔丨2cv電接續於半導體層1 a之中 對向於由圖中右上斜線範圍所示之通道範圍1 a ’之閘道電 極3 a，並該閘道電極3 a係成爲包含於該掃描線1 1 a之形式 ，即，對於閘道電極3 a與資料線6 a之交差處係各自於通 道範圍1 a ’，設置對向配置含在掃描線！ 1 a之閘道電極3 a 的畫素切換用之TFT30，而由此，TFT30(除了閘道電極） 係成爲存在於閘道電極3 a與掃描線1 1 a之間的型態。 接著，光電裝置係如成爲圖2及圖3 A - A ’線剖面圖之 圖4所示，例如，具備有由石英基板，玻璃基板，矽基扳 而成之T F T陣列基板1 〇與，對向配至於此.例如由玻璃基 板或石英基板而成之對向基板20。 對於T F T陣列基板]〇側係如圖4所示，設置有前述畫 素電極9a’並於其上側係設置有施以平膜處理等之規定的 配向處理之配向膜1 6，而畫素電極9 a係例如由 ITO(Indium Tin Oxide)膜等之透明導電性膜而成，而另一 方，封於封向基板2 0側係跨越全面設置有對向電極2 1，並 於其下側係設置有施以平膜處理等之規定的配向處理之配 向膜2 2，而對向電極2 1係與上述之畫素電極9 a相同地例 如由1T0膜等之透明導電性膜而成。 對於如此所對向配置之T F T陣列基板1 〇及對向基板 2 〇間係封入液晶等之光電物質於根據後述之密封材5 2 (參 照圖1 7及圖1 8)所圍住之空間，再形成液晶層5 〇，而液晶 層5 0係由無施加從畫素電極9 a之電場的狀態，根據配向 膜1 6及2 2得到規定之配向狀態。 -22 - 200529114 (20) 另—方面’對於TFT陣列基板10上係除了前述之畫 素電極9 a及配向膜1 6以外，形成堆積構造而具備包含措 些之各種構成’而此堆積構造係如圖4所示，由下依序由 包含掃描線1 ]a之第1層，含有包含閘道電極3a之丁ft3〇 等之第2層，包含儲存容量之第3層，包含資料線6a之第4 層’包含容量配線4 0 0等之第5層，包含前述畫素電極“ 及配向膜16等之第6層（最上層）而成，另外各自於第〗層及 第2層間係設置下地絕緣膜〗2，於第2層及第3層間係設置 第1層間絕緣膜4 1 ’於第3層及第4層間係設置第2層間絕緣 膜4 2，於第4層及第5層間係設置第3層間絕緣膜4 3，於第5 層及第6層間係設置第4層間絕緣膜4 4，並防止前述各要素 間短路之情況，另外，對於這些各種絕緣膜i 2、4 1、4 2、 4 3及4 4係亦例如另外設置電接續τ F T 3 0之半導體層1 a中 之高濃度源極範圍1 d與資料線6 a之接觸孔等，而在以下 係關於這些各要素，由下依序進行說明，然而，從前述之 中第]層至第3層爲止則作爲下層部分圖示於圖2，並從第4 層至第6層爲止則作爲上層部圖示於圖3。 (堆積構造·第1層之構成-掃描線 首先，對於第]層係例如設置有包含T i (鈦）、C r (鉻） 、W(鎢）、Ta (鉅）、Mo(鉬）等之高融點金屬之中之至少〜 個之金屬單體、合金、金屬矽化物、多矽化物，堆積這些 之構成，或由導電性矽等而成之掃描線Π. a，而此掃描線 ]]a係以平面來看，沿著圖2 X方向，圖案化爲條紋狀，而 -23- 200529114 (21) 更詳細來看時，條紋狀之掃描線1 1 a係具備如沿著圖2X方 向地延伸之主線部與’沿著·延伸存在有資料線6a或容量 配線400之圖2 Y方向之突出部，然而，從鄰接之掃描線 Π a延伸之突出部係並無相互接續，而隨之該掃描線n a 係成爲1條1條分斷之形態。 (堆積構造·第2層之構成- TFT-) 接著’作爲第2層，設置有包含閘道電極3a之TFT3 0 ’而 TFT30係如圖6所不’具有LDD( Lightly Doped D r a i η )構造，並作爲其構成要素，具備有上述之掃描線 3 a、例如根據由聚矽膜而成，從閘道電極3 a之電場形成 通道之半導體1 a之通道範圍]a ’ 、包含將掃描線3 a與半 導體1 a進行絕緣之閘道絕緣膜之絕緣膜2、針對在半導體 1 a之低濃度源極範圍]b及低濃度汲極範圍1 c.、以及高濃 度源極範圍1 d以及高濃度汲極範圍]e。 另外，在本實施形態之中係於此第2層，作爲與上述 之閘道電極3 a同一膜形成有中繼電極7 1 9，而此中繼電極 7 1 9係由平面來看，如圖2所示，位置於沿著各畫素電極9a 之X方向的一邊略中央地，形成爲導狀，中繼電極7 ] 9與 閘道電極3 a係因作爲同一膜所形成，故針對在例如後者 由導電性矽膜等而成之情況係前者，亦另外由導電性矽膜 等而成。 然而，上述之 TFT30，理想則是如圖4所示，具有 LDD構造，但亦可爲具有不進行打入不純物於低濃度源 -24- 200529114 (22) 極範圍1 b及低濃度汲極範圍】c之偏移構造，或爲將閘道 電極3 a作爲光罩以高濃度打入不純物，並自我整合地形 成高濃度源極範圍及高濃度汲極範圍之自調整型之TFT。 (堆積構造.第1層及第2層之構成-下地絕緣膜-) 對於以上說明之掃描線1 1 a的上方，且 TFT30的下方 係設置例如由矽氧化膜等而成之下地絕緣膜〗2，而下地絕 緣膜12係除了從掃描線〗la層間絕緣TFT 3〇之機能之外， 根據形成於TFT陣列基板1 0全面的情況，具有由針對在 TF T陣列基板1 〇之表面硏磨時之龜裂或，洗淨後殘留之污 漬等來防止畫素切換用之TFT30的特性變化之機能。 對於下地絕緣膜1 2係於平面來看半導體層1 a之兩旁 側’鑽掘有沿著後述之資料線6a延伸之半導體層1 a之通 道長度方向之溝狀的接觸孔1 2cv，並因應此接觸孔1 2cv， 堆積在其上方之閘道電極3 a係包含形成爲凹狀於下側之 部分，另外根據如埋設此接觸孔1 2 cv全體地形成閘道電 極3 a之情況，對於該閘道電極3 a係延設著與此一體成型 之側璧部3b(前述之[形成凹狀於下側之部分])，而由此， TFT30之半導體層1 a係如圖2所示，由平面來看，成爲從 側方所包覆，並至少控制從此部分之光的射入。 另外，此側璧部3 b係在埋入前述之接觸孔1 2 c v地來 形成之同時，其下端則作爲與前述掃描線Π a接合，而在 此，掃描線1 1 a係如上述從形成爲條紋狀之情況，存在於 某個行之閘道電極3 a及掃描線]]a係只要著眼於該行，則 -25- 200529114 (23) 經常成爲同電位。 (堆積構造·第3層之構成-儲存容量等_) 持續前述第2層，對於第3層係設有儲存容量7 〇，而儲 存容量7 0係根據藉由誘電體膜7 5對向配置作爲接續在 T F T 3 0之高濃度汲極範圍1 e及畫素電極9 a的畫素電位側容 量電極的下部電極7 1與，作爲固定電位側容量電極之容量 電極3 0 0之情況所形成之，而如根據此儲存容量7 0，將成 爲可明顯提升針對在畫素電極9 a之電爲維持特性，另外 ，有關本實施形態之儲存容量7 〇係由看圖2平面圖即可瞭 解，因並無形成至幾乎因應畫素電極93之形成範圍的光 透過範圍，換言之，因放入於遮光範圍內地來形成，故光 電裝置全體之畫素開口率係比較來說較大來維持，並由此 ，將可顯示更明亮之畫像。 然而，此儲存容量7〇係因爲爲特別關聯於本發明之構 成要素，故關於更詳細之說明係在成爲之後的（儲存容量 之構成）及（儲存容量之製造方法）之項目內進行說明。 (堆積構造·第2層及第3層間之構成-第1層間絕緣膜-) 對於以上說明之TFT30乃至閘道電極3a及中繼電極 7 1 9之上方，且儲存容量7 0之下方係例如形成有由N S G， P S G，B S G，B P S G等之矽石玻璃膜或氮化矽膜或氧化矽膜 等，或者理想是由構成N S G而成之第]層間絕緣膜4 1。 並且，對於此第1層間絕緣膜4 ]係持續貫通後記第2層 •26- 200529114 (24) 間絕緣膜之同時，將以電接續TFT3 0之高濃度源極範圍〗d 與後述之資料線6a的接觸孔8 1進行開孔’另外對於第1層 間絕緣膜4 ]係將以電接續TFT3 0之高濃度汲極範圍1 e與 構成儲存容量7 〇之下部電極7 1的接觸？L S 3 ’進行開孔’而 更加地，對於此第1層間絕緣膜4 1係將爲了以電接續作爲 構成儲存容量7 〇之畫素電位側容量電極之下部電極7】與中 繼電極7 1 9之接觸孔8 8 1進行開孔，另更加上’對於第1層 間絕緣膜4 1係持續貫通後記第2層間絕緣膜之同時’將爲 了以電接續中繼電極7 1 9與後述之第2中繼電極6 a 2之接觸 孔8 8 2進行開孔。 (堆積構造.第4層之構成-資料線等_) 持續前述之第3層’而對於第4層係設置有資料線6 a， 而此資料線6 a係如圖4所示，由下依序，作爲具有由鋁而 成的層（參照針對圖4之符號4 1 A )，由氮化鈦而成的層（參 照針對圖4之符號4 ] TN )，由氮化矽膜而成的層（參照針對 圖4之符號4 〇 1 )之三層構造的膜所構成之，而氮化矽膜係 圖案化成比如包覆其下層之鋁層與氮化鈦層稍大尺寸。 另外，對於此第4層係作爲與資料線6 a同一層，形成 有容量配線用中繼層6 a ]及第2中繼電極6 a 2，而這些係如 圖3所示，由平面上來看時，並非形成爲具有與資料線“ 連續之平面形狀，而各者間係如在圖案化上分斷第來形成 ’例如當著眼於位置在圖3中最左方之資料線6 a時，則形 成有在其右方具有略四邊形之容量配線用中繼層6 a ]，而 -27 - 200529114 (25) 更加地在其右方具有擁有比谷厘配線用中繼）曾6 a ]右千大 之面積的略四邊形之第2中繼電極6 a 2。 順便帶說，這些容量配線用中繼層6a I及第2中繼電極 6 a 2係從作爲同一膜來形成資料線6 a之情況’具有由下層 依序由鋁而成的層’由氮化鈦而成的層’由氮化矽膜而成 的層之三層構造。 (堆積構造.第3層及第4層間之構成-第2層間絕緣膜-) 對於以上說明之儲存容量7 0之上方，且資料線6 a之 下方係例如形成有由 N S G、P S G、B S G、B p s G等之矽石 玻璃膜或氮化矽膜或氧化矽膜等’或者理想是由採用 T E 〇 S 氣體之等離子 C V D ( C h e ιώ i c a 1 V a ρ ο 1· D e ρ 〇 s i ti ο η )法 所形成之第2層間絕緣膜42 ’而對於此第2層間絕緣膜42係 以電接續 丁 F Τ 3 0之高濃度源極範圍1 d與資料線6 a，將前 述之接觸孔8 1進行開孔之同時，將以電接續前述容量配線 用中繼層6 a ]與，成爲儲存容量7 0之上部電極的容量電極 3 〇 〇之接觸孔8 0】進行開孔，而更加地，對於第2層間絕緣 膜4 2係形成爲了以電接續第2中繼電極6 a2與中繼電極7 ] 9 之前述接觸孔8 8 2。 (堆積構造.第5層之構成-容量配線等-) 持續前述之第4層，而對於第5層係形成有容量配線 4 〇 〇，而此容量配線4 0 0係當由平面上來看時，如圖3所示 ，如各自延伸存在於圖中X方向及Y方向地，形成爲格 -28- 200529114 (26) 子狀，而關於在該容量配線4 0 0之中延伸存在於圖中 Y方 向之部分，特別是如包覆資料線6 a地，且比該資料線6 a 還寬幅度地來形成之，另外，關於延伸存在於圖中 X方 向之部分係爲了確保形成後述之第3中繼電極4 02之範圍， 於各畫素電極9a之一邊的中央附近具有缺口部。 更加地係圖3中，針對在各自延伸存在於X Y方向之 容量配線4 0 0交差部分的角落部係埋入該角落部來設置略 三角形之部分，而於容量配線4 0 0，根據設置此略三角形 之部分的情況，將可有效進行對TFT 3 0之半導體層1 a之 光的遮蔽，即，對於半導體層1 a，從斜上方進入的光係將 成爲由此三角形之部分所反射或吸收而不會進入至半導體 層1 a，隨之，可控制光泄放電流之發生，進而可顯示無閃 爍之高品質畫像，此容量配線4 0 0係從配置畫素電極9 a之 畫像顯示範圍].〇a延設至其周圍，並由與定電位源電接續 之情況，作爲固定電位。 另外，對於第5層係作爲與如此之容量配線4 〇 〇同一膜 來形成第3中繼電極4 0 2，而此第3中繼電極4 0 2係具有藉由 後述之接觸孔8 0 4及8 9來將第2中繼電極6 a 2及畫素電極9 a 間之電氣接續進行中繼之機能，然而，這些容量配線4 0 ΰ 及第3中繼電極4 0 2係並無連續平面形狀地來形成，而兩者 間係圖案化上分斷地形成之。 另一方，上述之容量配線4 0 0及第3中繼電極4 0 2係具 有在下層由鋁而成的層，而在上層由氮化鈦而成的層之一 層構造。 -29- 200529114 (27) (堆積構造.第4層及第5層間之構成-第3層間絕緣膜等-) 對於資料線6 a之上方，且容量配線4 0 0之下方係形成 有第3層間絕緣膜4 3，而對此第3層間絕緣膜4 3係各自將爲 了以電接續前述容量配線4 0 0與容量配線用中繼層6 a 1之接 觸孔8 0 3，以及爲了以電接續第3中繼電極4 02與第2中繼電 極6 a2之接觸孔8 04進行開孔。 (堆積構造.第6層以及第5層間及第6層間之構成-畫素電及 等-) 在最後，對於第6層係如上述形成畫素電極9a爲矩陣 狀，並形成配向膜1 6於該畫素電極9 a，並且，對於此畫素 電極9a下方係形成有第4層間絕緣膜44，而對於此第4層 間絕緣膜44係將爲了以電接續畫素電極9a及前述第3中,繼 電極4 02間之接觸孔89進行開孔，而畫素電極9a與TFt3〇 之間係成爲藉由此接觸孔8 9及第3中繼電極4 〇 2，以及前@ 接觸孔8 0 4，第2中繼電極6 a 2，接觸孔8 8 2，中繼電極7】9 ，接觸孔8 8 1，下部電極7 1及接觸孔8 3來進行電氣接續之 情況。 (儲存容量之構成） 針對在具備如以上所敘述之構成的光電裝置，針胃& 本實施形態係特別是儲存容量70，尤其關於橇成此之容s 電極3 0 0及下部電極7 ]的構成有特徵，而在以下之中係# 照於前述所參照之各圖及圖5乃至圖7來就有關此進行詳述 -30- 200529114 (28) ’而在此圖5係爲爲擴大爲附上圖4之符號c之圓內部分之 儲存容量端部附近來表示的剖面圖，而圖6係爲更加擴大 圖5之符號3 0 0 C部分來表示之剖面圖，另外，圖7係爲由 具彳fm有與無具備有氧化膜之情況來表示儲存容量的耐壓特 性可提升多少的圖表。 首先，本實施形態之儲存容量7 〇係由下部電極7丨，容 量電極3 0 0及誘電體膜7 5而成，而這之中下部電極7丨係例 如由導電性之聚矽膜而成，並作爲衋素電極側容量電極來 發揮機能，另外’此下部電極7 1係除了作爲畫素電極側容 量電極之機能外，還擁有將畫素電極9a與TFT30之高濃 度汲極範圍1 e作爲中繼接續之機能，而順帶說明，在此 所稱之中繼接續係藉由前述之中繼電極7 1 9來進行，而另 一方面，容量電極3 0 0係例如由導電性之聚矽膜而成，並 作爲儲存容量7 0之固定電位側容量電極來發揮機能，針對 在本實施形態，對於爲了將容量電極3 0 0作爲固定電位係 根據謀求與作爲固定電位之前述容量配線4 0 0電氣接續之 情況而進行之，並且，誘電體膜75由例如膜厚爲5〜2 00 nm 程度之比較薄之 Η T〇（H i g h 丁 e m p e r a t u r e 〇 x i d e )膜， L 丁〇（L o w T e m p e ]· a t u r e〇x i d e )膜之氧化石夕膜等所構成之， 而從使儲存容量70增大之觀點來看係針對只要充分得到膜 的信賴性，誘電體膜7 5係越薄愈好’然而’在本實施形態 之中係誘電體膜7 5成爲單層構造，但根據情況係亦可例如 作爲氮化矽膜及氧化矽膜之二層構造，或具有這以上之堆 積構造。 200529114 (29) 另外，在如此之儲存容量7 〇之中係如於圖2及圖3，或 圖4所示，容量電極3 0 0及下部電極7 1以及誘電體膜7 5以平 面來看具有同一形狀地來形成，由此，容量電極3 00之端 面3 0 Q W及下部電極7 I之端面7 ] W係成爲載置在垂直直立 於T F T陣列基板1 〇之假想的平面（無圖示）上方之情況，而 換言之，這些端面3 0 0 W及71 W係如圖5及圖6所示，成爲 所謂集中之情況，根據此，一方的電極沒有對向於另一方 之電極的部分，即，作爲儲存容量係無發揮機能之剩餘的 部分則將不會浪費地佔有TFT陣列基板1 〇上有限之面積 ，並在其一方，從容量電極3 0 0及中繼兩電極7 1係雙方均 無浪費相互對向之情況，不但達成小型化.微細化，也不 會浪費地削減容量値。 並且，針對在本實施形態係特別是容量電極3 00及下 部電極7 1的表面係如圖5及圖6所示，被氧化處理（在圖4之 中係無圖示），並形成氧化膜5 0 I，而此氧化膜5 0 ]係包含 容量電極3 0 0之端面3 0 0 W，而亦形成於圖中上面及下面， 另下部電極7 1亦爲相同，然而，在容量電極3 0 0之圖中下 面亦進行氧化之情況係也爲因經由誘電體膜7 5供給氧於該 下面，另外，在下部電極7 1之圖中下面進行氧化之情況， 也爲因經由第1層間絕緣膜4 1供給氧於該下面。 另外，針對在本實施形態係特別是在包含於端面 3 0 0 W內之邊緣部3 0 0 C之中係如圖6所示，略半圓形（之二 分之一）的範圍（如以立體來看，將角部爲中心，略半圓形 (之八分之一）的範圍）則成爲氧化膜501，而此係在該部分 -32- 200529114 (30) ，從成爲圖中右方的面之端面300 W及圖中下面，等方方 式進行氧化之結果，並且，針對在邊緣部3 〇OC之氧化膜 5 0 1的厚度係比起針對在其他部分還大，然而，針對在本 實施形態係針對在邊緣部3 0 0 C之氧化膜5 0 ]的厚度係指， 作爲以圖6所示之符號”Dc”來表示之部分的構成，如此， 產生邊緣部3 0 0 C之厚度DC與針對在其他部分之厚度〇之 不同情況係針對在該邊緣部3 0 0 C，成爲出現具有更容易進 行氧化的面方位的面之情況，或針對在如邊緣部3 〇 〇 C之 前端銳利之部分係一般來說化學反應則更容易進行，即根 據氧化劑之作用則更爲積極進行作用等之理由，而以上所 述之情況係關於下部電極7 1之邊緣部7 1 C亦爲適合，順帶 說明，有關本實施形態之氧化膜5 0 1的厚度”D ”係滿足成 爲 1.5[nm]SD$30[nm]之條件。 有關本實施形態之光電裝置係根據具備如此之氧化膜 5 0 1的情況，將可得到如以下之作用效果’即，根據此氧 化膜5 〇 1，將幾乎不會發生容量電極3 〇 〇及下部電極7 1短路 等之事態，另外，尤其是從形成氧化膜501於端面3〇〇 W及 7 1，更加地也形成於邊緣部3 〇 0 C及7 ] C之情況’將相當 可使該儲存容量7 0之耐壓性能提升。 此情況係可更實際地由圖7來確認’而在此圖7係如既 已說明之，爲由具備有與無具備有氧化膜之情況來表示儲 存容量的耐壓特性可提升多少的圖表’但更爲詳細圖7係 所謂威伯爾圖表（W e i b u ] ] P r 〇 t)，其中對於持續加上電壓 ].8 [V]於具備氧化膜50]之儲存容量7〇(參照圖中符號Q)與 -33- 200529114 (31) ，無具備氧化膜5 0 ]之儲存容量（參照圖中符號q })之各自 的情況，表示該儲存容量在如何狀況而使故障率上升之圖 表，然而’得到圖7的橫軸係以時間t，縱軸係以故障分部 函數（乃至係爲不信賴度函數）F⑴來表示之”In(_ln(1_ F(t)))” ’在此函數F(t)係爲威伯爾分佈之故障分部函數， 並表示爲F(t)=卜[exp{-(t-Y)/ π广](但，m係形狀參數， 7?係尺度參數，而針對在有關前述縱軸的式子” 1 n ( d n (卜 F (t))) ”係針對在前述之F (t)之表式，作爲γ = 〇，並由式 當的移項操作與對兩邊取得二次對數等所得到，並且從圖 7可瞭解到，具備氧化膜5 0 1之儲存容量7 0的一方（參照圖 中符號Q )則比起無具備氧化膜之儲存容量（參照圖中符號 Q 1 )’由更長的時間進行的階段圖表才上升之情況而知道 其耐壓性能有提升之情況。 如以上，針對在本實施形態係根據於構成儲存容量7 0 之容量電極3 0 0及下部電極7 1，形成氧化膜5 0 1之情況，提 升該儲存容量7 0之耐壓性能，隨之，有關本實施形態之儲 存容量70係因可充分發揮使畫素電極9a之電位特性提升 之本來所期待之性能，故更可顯示高品質之畫像，另外， 可提供可更安定之動作的光電裝置。 另外，針對在本實施形態係從適度設定氧化膜5 01之 厚度D之情況，將可得到如接下來之作用效果，而在以 下之中係參照圖8來說明此，在此，圖8係表示氧化膜的厚 度對於儲存容量的耐壓性之提升有多少影響之圖表。 首先，此圖8係更詳細爲對於作爲參數（]，].5及3 _ 34 - 200529114 (32) [nm])來使氧化膜50]之厚度變化之儲存容量70，與前述圖 7相同地，針對在持續施加一定電壓1 8 · 5 [ V ]之情況的威伯 爾圖表，而如從圖8可瞭解到，在厚度爲1 [nm ]之情況與 ，1 . 5 [ n m ]及2 [ n m ]之情況看到顯著的不同，βΡ，在前者 之中係對於圖形曲線上升在比較早期所看到，而後者則慢 ，根據此時，根據儲存容量7 0之耐壓性的提升而戰厚度D 之增減大的主因係爲Τ爲針對在1 [nm]與1 .5 [nm]之間， 更加地，厚度T如爲1 · 5 [nm]以上，之後則認爲耐壓性之 提升係作爲一定程度安定之構成，而由此情況，引導氧化 膜5 0 1之厚度T作爲1 . 5 [nm]以上之情況則爲理想。 另一方面，雖無圖示，但厚度D並非越大越好，即 ，當厚度D過大時，針對在爲了得到氧化膜5 〇 1之熱氧化 工程，成爲亦使T F T 3 0之半導體層1 a氧化之情況’而有 使該TFT 3 0之之ON電流下降之虞’如根據本如申請專利 發明者之硏究，從如此之觀點來看，氧化膜5 0 1之厚度D 係爲一定程度以下之情況則爲理想，而更具體來說係引導 理想爲3 0 [nm ]以下之情況。 由以上結果針對在本實施形態，如根據氧化膜5 〇 1之 厚度T滿足成爲1.5[nm]g 30[nm]之條件，將可得到充 分之耐壓性能的享受與適當進行動作之T F T 3 0的確保之作 用效果，然而，針對圖5，主要支配儲存容量7 0之耐壓性 能的部分係作爲從爲邊緣部3 00C及7 ] C之情況時’至少 針對此部分，如充分形成有氧化膜，則認爲可得到此相應 之效果，隨之，針對前述，作爲D‘ 3〇[nm]之條 -35- 200529114 (33) 件係根據情況，可思考置換爲].5 [ n m ] $ D c S 3 0 [ n m ]之情 況，而此情況，假設可局部進行氧化處理等，亦可思考只 就該邊緣部3 0 0 C及71C，滿足有關前述Dc之條件地實施 其氧化處理等之情況（參照之後的圖9，圖1 0及圖1 2 )，而 如此之形態係當然爲本發明之範圍內。 然而，在上述之本實施形態之中係作爲儲存容量7 〇之 形態，均關於根據由導電性之聚矽膜而成之容量電極3 〇〇 及下部電極7 1，以及由氧化矽膜，或氮化矽膜而成之誘電 體膜7 5所構成之情況等已說明過，但本發明並不限定於如 上述之形態，而在以下之中係關於各種變形形態，適宜參 照圖9至圖1 3進行說明之，在此，圖9及圖1 0係爲與圖5同 趣旨，其中表示具有與圖5不同形態之容量電極之儲存容 量的剖面圖，而圖1 1係爲與圖5相同趣旨的圖示，其中表 示具有與圖5不同形態之下部電極之儲存容量的剖面圖， 而圖]2及圖13係爲與圖Η相同趣旨的圖示，其中表示具有 與圖1 1不同形態之容量電極之儲存容量的剖面圖。 首先，關於誘電體膜7 5係替代或加上於氧化矽膜，而 採用氮化矽膜也可以（然而，所謂[加上]係指例如可認爲 如上述，作爲氧化矽膜及氮化矽膜之二層構造），如爲如 此作爲，誘電體膜75因含有比較大誘電率之氮化矽膜，故 可增大儲存容量7 0之容量値，另外，因此當誘電體膜7 5與 例如由氧化矽膜而成之情況作比較時，因可將誘電體膜7 5 作爲更薄之情況，故更可達成光電裝置之小型化.細微化 ，並由此情況亦可謀求製造時間之縮短化，但當誘電體膜 - 36- 200529114 (34) 7 5變薄時，因容量電極3 0 0及下部電極7 1間的距離變窄， 故擔心有耐壓性能降低之情況，但，針對在本實施形態係 如既已說明之，從氧化這些容量電極3 0 0及下部電極7 1之 情況，幾乎消除有關的疑慮，也就是，誘電體膜由包含氮 化矽膜之情況，即使作爲盡可能縮小其厚度之情況幾乎也 不會有該儲存容量之耐壓性能下降之情況。 接著，關於容量電極係替代或加上於前述之導電性之 聚矽膜，例如圖9所示，亦可採用鎢化合物（Wsi)，而針對 圖9，容量電極3 5 0係於其下層具有導電性聚矽膜3 5丨及於 其上層具有 Wsi膜352，如爲如此作爲，從包覆半導體層 la地配置容量電極300之同時（參照圖2及圖3)亦含有比較 來說光吸收性能優越之W s i膜3 5 2之情況，將可防止光射 入於該半導體層1 a乃至其通道範圍1 a ’之情況，即，可將 在半導體層1 a內使光泄放電流產生而於晝像上產生閃燦 之事態防範未然，並且，即使爲如此之情況，例如圖9所 示，可由使有關之容量電極3 5 0氧化之情況來形成氧化膜 5 0 2，然而，針對圖9之氧化膜5 02係表示作爲只形成於容 量電極3 5 0之邊緣部3 5 0 C之構成。 根據如以上之情況，如根據有關圖9之構造，從具有 優越之耐壓性能的情況，加上確實確保得到作爲儲存容量 7 0之機能的情況’亦可封於該儲存谷星7 0亦發揮作爲遮光 膜之機能的情況’針對在可由一個構造來實現兩個機能之 意思，將可謀求該光電裝置之構造的簡易化，另外更可達 成光電裝置之小型化·細微化之情況。 - 37- 200529114 (35) 然而’針對在有關前述之圖9的構造，爲了得到氧化 膜5 02乃至針對在下部電極7 ]之氧化膜5 0]，而對於實施熱 氧化工程之情況係有顯著氧化W s i膜3 5 2之虞，隨之，爲 了防止此，如圖1 0所示，加上於導電性聚矽膜3 6 1，Wsi 膜3 62，而於其上層採用如具備氮化矽膜3 6 3之構造也可以 ，根據此氮化矽膜3 6 2之存在，將可防範前述不良狀況發 生於未然’另外將半導體層1 a作爲可得到有效遮光之材 料係除了上述之Wsi之外，還可舉出CoSi，或TiSi等之 情況，而更爲一般來說係可舉出包含 Ti (鈦）、Cr (鉻）、W( 鎢）、T a (鉅）、Μ 〇 (鉬）等之高融點金屬之中之至少一個之 金屬單體、合金、金屬矽化物、多矽化物，堆積這些之構 成等之情況，而更加地不只容量電極3 0 0，關於下部電極 7 1亦可採用與有關前述容量電極3 0 0所述相同之構成，或 由包含金屬或合金之單一膜或多層膜來構成也可以。 那麼，針對在上述之實施形態係容量電極3 0 0及下部 電極7 1的平面形狀係作爲相同，但本發明也並不限定於如 此形態，例如，如圖1 1所示，亦可構成將位置在最下層之 下部電極7]1的面積作爲更大，而將位置在最上層之容量 電極3 0 0的面積作爲更小之儲存容量7 0，而針對在此情況 只要存在容量電極3 0 0之端面3 0 0 W，或者邊緣部3 0 0 C，則 也有可能發生針對在該邊緣部3 0 0C之電場集中等之後的 絕緣破壞等不良情況，然而，針對在圖1 1係關於容量電極 3 00，與前述之圖5相同，形成氧化膜5 0 1之同時，關於下 部電極7 Π亦形成有氧化膜5 0 3，果然該儲存容量之耐壓性 -38- 200529114 (36) 能係爲提升’然而，針對在有關如此圖]1之構造亦如圖]2 及圖1 3所示’當然亦可構成依據與前述圖9及圖〗〇相同趣 旨之儲存容量，然而，針對在圖1 2及圖1 3之氧化膜係表示 作爲只形成在容量電極3 5 0之邊緣部3 5 0 C及容量電極3 6 0 之邊緣部3 6 0 C之構成。 (儲存容量之製造方法） 如以上所述之氧化膜5 0 1係例如圖1 4及圖1 5所示地來 製造，在此圖1 4及圖1 5係爲針對圖4的觀點依序表示上述 實施形態之光電裝置製造工程之製造工程剖面圖，然而， 針對以下係作爲主要只就對於本發明有特別關係之儲存容 量7 0之製造工程進行說明之情況，另外，針對在圖]4及圖 1 5係省略關於對向基板20側之構成的說明。 首先，針對在TFT陣列基板1 〇上，由公知的方法形 成至第1層間絕緣膜4 1以及接觸孔8 3及8 8 1爲止之堆積構造 ，如圖1 4之工程（1 )所示，於其第1層間絕緣膜4 1之上方， 由約450〜5 5 0 □，理想爲約5 00 °C之比較低溫環境中，根據 採用流量約4〇〇〜6〇〇cc/mhi之甲硅烷氣體，乙硅烷氣體等 之減壓CVD (例如壓力約20〜4〇Pa之CVD)，形成非晶質矽 月旲’此時’由先導入p離卞於該辕境氣體內之情況，摻雜 P離子於該非晶質矽膜內，之後，在氮素環境氣體中，根 據以約6 0 0〜7 0 0 °C實施約1〜]〇小時，而理想爲4〜6小時之熱 處理的情況，使P-Si(聚矽）膜固體成長至成爲約50〜2 0 0nm 的厚度，而理想係爲約]00】]爪之厚度，而作爲使其固體成 -39- 200529114 (37) 長的方法係亦可爲使用 R T A ( R a p i d T h e 1· m a 1 A η n e a ])之退 火處理，而也可爲採用準分子雷射之雷射退火，而此聚矽 膜係將來相當於成爲下部電極7 1之前驅膜7 1 k。 接著，如圖14之工程（2)所示，於前述前驅膜71k上方 形成誘電體膜7 5之前驅膜7 5 k，而此前驅膜7 5 k係根據約 90 0〜1 3 0 0 °C的溫度，而理想係爲1 000 °C之溫度進行熱處理 來形成下層絕緣膜，而根據情況，持續此由根據減壓 CVD法等形成上層絕緣膜之情況，作爲由一層或多層之 高溫氧化矽膜（HTO膜）或氮化矽膜而成之構成來形成之， 接著，如圖14之工程（3)所示，與前述前驅膜71k同樣作爲 ，將來，形成爲了成爲容量電極300之前驅膜300k。 接著，如圖Μ之工程（4)所示，關於前驅膜71k，前驅 膜7 5k及前驅膜3 00k，一並進行圖案化處理（微縮術及蝕 刻處理），由此，前驅膜7 1 k係於下部電極7 1，而前驅膜 75k係於誘電體膜75，前驅膜3 00k係於容量電極3 0 0，各 自形成儲存容量7 〇，而如此，如一並實施圖案化處理，例 如比較於個別形成容量電極3 00，誘電體膜7 5及下部電極 7 1之情況，將可謀求製造工程之簡略化，另外如實施如此 之圖案化處理，當然，容量電極3 0 0之端面3 0 0 W，誘電體 膜75 W及下部電極7 1 W之端面係成爲如作爲載置於同一平 面地來形成之’換言之，有關之圖案化處理係亦可說是容 量電極3 00及下部電極71與誘電體膜75則對於平面來看之 情況具有相同形狀地來進行圖案化之處理。 接著，如圖1 5之工程（5 )所示，適當來說係根據熱氧 -40- 200529114 (38) 化工程氧化如前述作爲所形成之容量電極3 0 0及下部電極 7 1之表面（參照圖5及圖6)’而更具體來說係例如由氧（〇 2) 濃度作爲2 %之環境氣體之縱型熱擴散爐’以8 5 0 [ °C ]實施5 分鐘之熱氧化即可’而由此’其厚度則如前述’可適當地 將滿足成爲1 · 5 [ n m ] g D $ 3 0 [ n m ]之條件的氧化膜5 0 1進行 成膜，然而，針對在圖15之工程（5)係實施氧化處理之情 況則以箭頭槪念方式表示之。 在此針對在本實施形態特別是如與圖5同趣旨之圖1 6 所示’根據前述之圖案化1處理中之融刻處理’將有可能殘 存殘渣X於端面3 0 0W ’或者端面71 w附近，然而，針對 在圖1 6之殘渣X及後述之殘渣Y係相當誇張所描述，而 當殘留有如此之殘渣X時’在本實施形態之中係特別是 對於從端面3 0 0 W及7 1 W集中之情況’而使容量電極3 0 0及 下部電極7 1間的耐壓性能下降’造成重疊不良條件之萬一 的情況係也有可能產生短路，另外’如合倂於圖1 6所示， 假設，對於出現前端之尖端殘渣 Y例如附著於端面7 1 W 之狀態之情況係因容易產生電場集中於其尖端部份，故此 亦招致儲存容量7 〇之耐壓性能的下降’然而’在本實施形 態之中係在實施圖案化處理之後，如前述實施熱氧化工程 ，並且，針對在此熱氧化工程係如圖1 6所示亦氧化殘渣X 及Y，然後成爲形成氧化膜5 0 1 X及5 0 1 Y於其表面之情況 ，隨之，在有關本實施形態之製造方法之中係殘渣X及Y 即使爲成爲其他任何形狀·形態之殘渣’亦可相當降低蒙 受由此之不良情況之可能性。 -41 - 200529114 (39) 另外，關於前述氧濃度.氧化溫度，如作爲滿足以下 條件即可，首先，氧濃度係作爲2 [ % ]以上之環境氣即可， 而由此將可更確實且更迅速地來實施容量電極300及下部 電極7 1之熱氧化，另一方面，氧化溫度係作爲3 5 0 [□]以上 之環境氣即可，而由此將可更確實且更迅速地氧化容量電 極3 0 0及下部電極7 1，然而，在熱氧化工程之中係從環境 氣溫度相當貢獻於氧化膜5 01之形成速度之情況，期望盡 可能爲高溫的情況，而從如此之觀點來看，氧化溫度係更 爲理想爲8 0 0 [ °C ]以上，而更適當係如前述作爲8 5 〇 [ t ]程 度即可。 而如此作爲’作爲其構成要素而包含具備氧化膜5 〇 i 之容量電極3 0 0及下部電極7 1，，而針對在本實施形態， 完成特徵之儲存容量70。 然而，針對在本發明係除了前述之製造方法，例如可 採用如以下之製造方法，即，針對在前述係在實施對於前 驅膜〇 〇 k等之圖案化處理之後，馬上實施熱氧化處理， 但針對在本發明係取代此，例如圖1 5之工程（6)所示，實 施前述圖案化處理來形成儲存容量70，而更加地於形成第 2層間絕緣膜4 2於該儲存容量7 0上方之後實施熱氧化工程 也可以，此情況則看成在工程（5 )並無實施熱氧化處理而 隨之無描繪針對工程（5 )之圖的箭頭構成，此時，作爲該 熱氧化工程的條件係具體來說，例如由氧濃度作爲2 %之 環境氣之縱型熱擴散爐來實施9 5 0 [ °C ] 2 0分鐘的熱氧化即 可，而如根據如此方法，因可合倂實施對於形成後之第2 -42- 200529114 (40) 層間絕源膜4 2之燒成工程與，構成儲存容量7 〇之容量電極 3 〇 0及下部電極7 1的氧化工程之情況，故比較於個別實施 兩工程之情況，將可謀求製造工程之簡略化乃至製造工程 迅速化，然而，如此’對於合倂實施燒成工程及氧化工程 之情況係理想爲，由適量加上滿足前述氧濃度之氧氣的環 境氣內來實施其處理之情況。 另外，針對在本發明係如更廣泛來說，亦可形成前述 第2層間絕源膜4 2，而並更加第形成資料線6 a，容量配線 用中繼電極6al及第2中繼電極6a2之後實施熱氧化工程， 但此情況係特別是如前述，由具有構成資料線6a之各層 之中最低熔點的構成（在本實施形態之中係爲[由銘而成的 層4 1 A]之情況）之該熔點以下之溫度環境，實施熱氧化工 程，而由此將可避免該資料線6 a等之融解。 更加地，針對在本發明係最終來說，即使針對在形成 則述資料線ό a之後的任何時點，即，形成第3層間絕源膜 於資料線6a上方之後，或者更加在形成容量配線4〇〇於該 第3層間絕源膜4 3上方之後等等，實施熱氧化工程也可以 ’但針對在此情況係資料線6 a ’容量配線4 〇 〇及畫素電極 9 a等之熔點將成爲問題，而爲了不使這些各要素融解， 當然理想係進fT與有關氧化溫度之前述相同之考虜。 [光電裝置之全體構成] 圖]7係爲將 在以下’關於有關則述之光電裝置之實施型態全體構 成，參照圖I 7及圖]8來進行說明，而在此 -43- 200529114 (41) TFT陣列基板’與形成在其上方之各構成要素同時從對向 基板側來看之光電裝置的平面圖，而圖1 8係爲圖1 7之Η - Η ’剖面圖，在此係以爲光電裝置之一例的驅動電路內藏型 之T F Τ有源矩陣驅動方式之液晶裝置爲例。 針對圖17及圖18，在有關本實施型態之光電裝置之中 係對向配置T F Τ陣列基板1 〇與對向基板2 〇，而於τ F Τ陣 列基板1 0與對向基板2 0之間封入著液晶層5 0，並T F Τ陣 列基板1 0與對向基板2 0係由設置在位置於畫像顯示範圍 1 〇 a之周圍的密封範圍的密封材5 2，所相互接續。 密封材5 2係由爲了貼合兩基板之例如紫外線硬化樹脂 ，熱硬化樹脂等而成，並針對在製造處理塗抹於TFT陣 列基板]0上之後，由紫外線照射，加熱等而使其硬化之構 成，另外，對於密封材52中係散佈有爲了將 TFT陣列基 板1 〇與對向基板之間隔（基板間間隔）作爲規定値之玻璃纖 維或玻璃珠等之間隔材，即，本實施型態之光電裝置係適 合於作爲投射器之燈泡用以小型進行擴大顯示之情況。 並行於配置密封材5 2之密封範圍之內側，規定畫像顯 示範圍1 0a之邊緣範圍的遮光性邊緣遮光膜5 3則設置於對 向基板2 0側，但，如此之邊緣遮光膜5 3之一部分或全部係 亦可作爲內藏遮光膜來設置於TFT陣列基板1 0側，而由 此邊緣遮光膜5 3以外之週邊範圍之中’對於位置在配置密 封材52之密封範圍外側之範圍係特別沿著TFT陣列基板 ]0的一邊，設置有資料線驅動電路1 〇 1及外部電路接續端 子1 02，另外，掃描線驅動電路1 04係沿著鄰接於此一邊的 200529114 (42) 2邊，且，被前述邊緣遮光膜5 3包覆地所設置著，而更加 地，如此爲了連接設置在畫像顯示範圍]0 a兩側之二個掃 描線驅動電路1 04間，沿著TFT陣列基板1 〇之剩餘的一邊 ，且被前述邊緣遮光膜5 3包覆地設置複數之配線1 0 5。 另外，對於對向基板20之4個角部係配置有作爲兩基 板間之上下導通端子發揮機能之上下導通材1 0 6，而另一 方，對於TFT陣列基板1〇係針對在對向於這些角之範圍 ，設置有下導通端子，由此，將可在TF T陣列基板1 0與 對向基板2 0之間採取電氣之導通。 針對圖1 8，對於TFT陣列基板1 〇上係於形成畫素切 換用之TFT或掃描線，資料線等之配線之後的畫素電極 9 a上，形成配向膜，而另一方，對於對向基板2 0上係除 了對向電極2 1之外還形成有格子狀或條紋狀的遮光膜2 3， 更加地於最上層部分形成配向膜，另外，液晶層5 0係例如 由混合一種或數種類之絲狀液晶之液晶而成，並在這一對 之配向膜得到規定的配向狀態。 然而，對於圖1 7及圖1 8所示之τ F T陣列基板1 0上係 加上於這些資料線驅動電路1 0 1，掃描線驅動電路1 〇 4等， 亦可形成將畫像信號線上之畫像信號進行取樣，然後供給 至資料線之取樣電路，將規定電壓等級之預通電信號先行 於畫像信號來各供給至複數資料線之預通電電路，爲了檢 查製造中圖或出貨時之該光電裝置之品質，缺陷等之檢查 電路等。 200529114 (43) (電子機器） 接著，關於作爲將以上詳細說明之光電裝置 來採用之電子機器一例之投射型彩色顯示裝置實 來就有關其全體構成，特別是光學的構成來進行 此圖1 9係爲投射型彩色顯示裝置之圖式剖面圖。 針對圖1 9，作爲針對本實施型態之投射型彩色 置一例之液晶投射器1 1 0 0係準備3個包含搭載驅動 TFT陣列基板之液晶裝置1〇〇之液晶膜組，作爲各 用之光閥l〇〇R，100G，100B來採用之投射器所構 對於這些光閥100R，100G，100B係採用前述之光^ 參照圖1乃至圖5)，另在液晶投射器1 1〇〇之中，當 輝亮燈等之白色光源之光源元件發射投射光時，木 之透鏡1106及2片之分色鏡11〇8分爲因應RGB3原 成分R，G，B，並各自被引導至因應各色之光閥 10 0G，100B，此時特別是B光係爲了防止由長光 損失，藉由由入射透鏡1 1 22，中繼透鏡1 1 2 3及射 1 124而成之中繼透鏡系1 121所引導，並且因應根 100R，100G及100B，所各自調至之3原色之光成 分色菱鏡]1 1 2再次合成後，藉由投射透鏡1 1 1 4作爲 面投射至銀幕]120。 本發明係並不限定於上述實施型態之構成，而 從如申請專利範圍及明細書全體所看到之發明主旨 ’都可作適宜的變更，並伴隨如此之變更的光學裝 製造方法，以及電子機器亦包含在本發明之技術範 :爲光閥 :型態， :明，在 顯示裝 電路於 白 RGB 成，而 電裝置（ 從金屬 艮據3片 色之光 100R， 路之光 出透鏡 據光閥 份係由 彩色畫 不脫離 或想法 置及其 圍。 -46 - 200529114 (44) 【圖式簡單說明】 圖1係針對在形成爲構成光電裝置之畫像顯示範圍之 矩陣狀之複數畫素的各種元件，配線等之等效電路。 圖2係爲形成資料線，掃描線，畫素電極之T F T陣列 基板之相鄰接的複數畫素群平面圖，其中只表示有關下層 部分（至針對圖4之符號7 0 (儲存容量）爲止之下層的部分）之 構成的部分。 圖3係爲形成資料線，掃描線，畫素電極之T F T陣列 基板之相鄰接的複數畫素群平面圖，其中只表示有關下層 部分（超出針對圖4之符號70 (儲存容量），下層的部分）之構 成的部分。 圖4係爲重疊圖2及圖3情況之A - A ’剖面圖。 圖5係爲爲擴大爲附上圖4之符號C之圓內部分之儲存 容量端部附近來表示的剖面圖。 圖6係爲更加擴大圖5之符號3 0 0 C部分來表示之剖面 圖。 圖7係爲由具備有與無具備有氧化膜之情況來表示儲 存容量的耐壓特性可提升多少的圖表。 圖8係表示氧化膜的厚度對於儲存容量的耐壓性之提 升有多少影響之圖表。 圖9係爲與圖5相同趣旨的圖示，其中表示具有與圖5 不同形態之容量電極（含有鎢化物層）之儲存容量的剖面圖 〇 圖]〇係爲與圖5相同趣旨的圖示，其中表示具有與圖5 -47 - 200529114 (45) 不同形態之容量電極（含有鎢化物層及氮化矽層）之儲存容 量的剖面圖。 圖11係爲與圖5相同趣旨的圖示，其中表示具有與圖5 不同形態之下部電極（相對來說面積較當之下部電極）之儲 存容量的剖面圖。 圖12係爲與圖11相同趣旨的圖示，其中表示具有與圖 1 1不同形態之容量電極（含有鎢化物層）之儲存容量的剖面 圖。 圖13係爲與圖11相同趣旨的圖示，其中表示具有與圖 】1不同形態之容量電極（含有鎢化物層及氮化砂層）之儲存 容量的剖面圖。 圖1 4係爲針對圖4的觀點依序表示本實施形態之光電 裝置製造工程之製造工程剖面圖（其1)。 圖1 5係爲針對圖4的觀點依序表示本實施形態之光電 裝置製造工程之製造工程剖面圖（其])。 圖16係爲與圖5相同趣旨的圖示，其中表示根據圖案 化處理而產生之殘渣的說明圖。 圖17係爲將TFT陣列基板與形成再其上方之各構成 要素同時從對向基板側來看之光電裝置的平面圖。 圖I 8係爲圖17之H-H’剖面圖。 圖]9係爲表示成爲本發明之電子機器實施形態之投射 型彩色顯示裝置之一例的彩色液晶投射器之圖式方式剖面 圖。 200529114 (46) 【主要元件符號說明】 1 0 : TFT陣列基板 1 1 a :掃描線 6 a :資料線 6 a 1 :容量配線 6a2 :第2中繼電極 4 0 0 :容量配線
30 ： TFT la :半導體層 9 a :畫素電極 719 :中繼電極 4 1 :第1層間絕緣膜 42 :第2層間絕緣膜 4 3 :第3層間絕緣膜 44 :第4層間絕緣膜
300，350，360:容量電極 3 0 0 W :端面 3 0 0 C :邊緣部 3 5 ]，3 6 ]:導電性聚矽膜 3 5 2，3 62 ： Wsi 膜 3 6 3 :氮化矽膜 7 5 :誘電體膜 7 ]，7 1 1 :下部電極 7 ] W :端面 -49 - 200529114 (47) 7 1 C :邊緣部 7 0 :儲存容量 501，502，503，501X，501 Y ：氧化膜 D及D。：氧化膜的厚度 X，Y :殘渣
3 0 0 K :容量電極的前驅膜 7 5 K :誘電體膜的前驅膜 7 1 K :下部電極的前驅膜
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