200527007 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及偏光光學元件及其製造方法和使用該元件 的反射光學元件，尤其涉及通過高分子高次結構的控制，將 從幾奈米到幾十奈米範圍中、長度爲幾十奈米到幾毫米的各 方異性導電性物質形成在其表面或內部的可使用在可見光 區到紅外區的格柵型偏光光學元件及其連續製造方法，以及 使用該偏光光學元件的反射光學元件。 【先前技術】 · 截至目前爲止，人們知道3種薄膜狀的偏光光學元件的 製作方法。第1種方法如下述專利文獻1所公開的那樣，即 將碘元素這樣的二色性色素摻雜到延伸的聚乙烯醇（PVA)薄 膜中的方法。在該方法中，將吸附著碘元素錯合物等的二色 性物質的PVA的薄膜通過旋轉的滾筒之間，一邊加熱一邊 沿著軸向延伸，使PVA分子定向的同時使得碘元素錯合物 也定向。在該結構的薄膜狀的偏光光學元件中，因爲振動面 正交於薄膜延伸方向的光是可以透過的，但是振動面平行於 · 薄膜延伸方向的光被吸收而消失，所以，如果將兩個該薄膜 狀的偏光光學元件重疊設置，那麼因整個振動面的光被吸收 而變得黑暗。因爲由該第i種方法製造的偏光光學元件價格 便宜、消光比好，而且可製造任意大小的薄膜狀的偏光光學 元件’所以，在目前的液晶顯示裝置等中廣泛地使用，但是， 使用範圍幾乎限於可見光範圍。 第2種薄膜狀的偏光光學元件的製作方法如下述專利文 200527007 獻2所公開的那樣，即將兩種的高分子或無機微粒子分散到 高分子中，沿著軸向延伸處理，例如在延伸方向使得混合的 物質的折射率保持一致，而在垂直方向上產生儘量大的折射 率差△ η。即使與上述方法相反，即在延伸方向使得折射率 差Δη變大而在垂直方向上的折射率差△!! = 〇這種設置也是 可以的。在任意場合中，理想的狀況是將一個方向上的折射 率差Δη儘量大而爲0.5以上，將另一方向上的折射率差Δη 設置爲〇，但是，探究該條件是極其困難的事情。因此，在 由該第二種方法製成的偏光光學元件中，可製成小面積的偏 # 光光學元件，但是，即使局部上延伸倍率較小而變得不同 時，該部分的折射率差△ η與其他部分的折射率差△ η就變 得不同，所以偏光功能變弱。另外，爲獲得預定的偏光性能， 因具有某程度厚度是必要的，所以，很難獲得薄膜化的高性 能的偏光光學元件。 另外，第3種薄膜狀的偏光光學元件的製作方法是這樣 的，即通過將細金屬絲的間隔設爲偏光的波長以下而獲得偏 光性。由該方法製作的偏光光學元件被稱爲格柵型偏光光學 β 元件。細金屬絲的間隔d設爲比光的波長λ要足夠小的間 隔，具體地以（1<λ/2這一間隔等間距地設置的場合中，表示 出作爲光學偏光元件的作用。該形式的偏光光學元件具有如 下功能，即振動面與金屬線的長度方向相同的光予以反射， 振動面與該金屬線的垂直方向相同的光予以透過。因此，該 格栅型的偏光光學元件與上述第1種的薄膜狀的偏光光學元 件的動作原理完全不同，將兩個‘格柵型偏光光學元件以正交 200527007 的方式重疊設置時，因爲可反射整個振動面上的入射光，所 以實質上起到鏡子的作用。該格柵型的偏光光學元件雖然可 提高光的透過率，但是需要將導電性的細金屬絲及其間隔設 置在偏光的波長以下。因此，目前使用在波長較長的紅外線 等中，在可見光的偏光上不適合，所以，幾乎不使用。 作爲這樣的格柵型偏光光學元件的一個例子，在下述的 專利文獻3中公開了上述格柵型偏光光學元件的製造方法， 即在電介體中或電介體表面上將金屬以格子狀的方式分佈 而成結構的格柵型偏光光學元件中，將金屬以格子狀方式塡 鲁 充在兩個電介體之間且一體化後，將上述金屬格子整體沿著 直線方向上加熱延伸或壓延而製造得到上述格柵型的偏光 光學元件。 然而，在下述專利文獻3中公開的格柵型的偏光光學元 件的製造方法中，因爲需要加熱到金屬伸展所需要的溫度， 所以以高分子物質作爲電介體的場合，在該溫度時高分子物 質已經變爲融液狀態或已經分離，這樣，不能製作偏光光學 元件，另外，大面積化實際上也是困難的。 · 另外，下述的專利文獻4中公開了 一種格柵型的偏光光 學元件，其中通過透明而柔軟的基板上形成金屬膜，在金屬 膜的融點以下時延伸基板和金屬膜，這樣，形成由具有各向 異性的形狀的金屬部分和電介體部分構成的結構。 然而，如果利用下述專利文獻4中公開的格柵型偏光光 學元件的製造方法，因爲延伸透明而柔軟的基板通過延伸而 均勻地延伸，在該基板上的金屬薄膜上也施加均勻的延伸 200527007 力，所以，由金屬膜形成的金屬線不以波長級的間隔規則地 並列。即使用如金這樣的延展性良好的金屬時，因爲該金屬 與基板一起延伸而覆蓋不相變的基板，一方面，使用不具有 如鋁這樣的延展性好的金屬時，因爲產生不規則的裂紋，同 時金屬從基板上脫落，所以存在幾乎不能得到偏光效果這樣 的問題。 另外，近年來’如專利文獻5所公開的那樣，提出在玻 璃板上利用光致抗蝕膜而製作細溝，通過在該處蒸發金屬， 製成可見光域的偏光光學元件的方法，但是，在該方法中， 製造過程複雜，價格變高，實踐中不能實現5cm2以上的大 面積化作業。 因此，在上述的格柵型的偏光光學元件的製造方法中， 只能獲得最大幾平方釐米的偏光光學元件，不能獲得具有該 面積以上的大面積的薄膜狀的格柵型的偏光光學元件。因 此，人們強烈需要開發出這樣一種大面積的薄膜狀的格柵型 的偏光光學元件及其便宜的製造方法，其具有從可見光範圍 到紅外線範圍使得偏光效果提高的、在使用波長的1 / 1 0的 幅寬即從1 Onm至幾微米的幅寬下具有使用波長的1 〇倍以上 的長度即從幾百奈米至幾百微米長度的導電體和電介體交 互地配置的結構。 [專利文獻1]特開平05 - 019247號公報（段落〇〇〇8) [專利文獻2]特開2002 — 022966號公報（申請專利範 圍、段落0033〜0043) [專利文獻3]特開平9 — 090122號公報（申請專利範圍、 200527007 段落001 1〜002 1、第1圖） [專利文獻4]特開2〇01一 〇74935號公報（申請專利範 圍、段落0011〜0014、第1圖、第2圖） [專利文獻5]特表2003 — 529680號公報（專利請求的範 圍） 【發明內容】 本發明者提出了克服上述現有格柵型偏光光學元件製 造上的問題的高性能大面積而廉價的製造生成格柵型偏光 光學元件的連續製造方法，通過反復各種檢驗的結果，利用 輥技術，控制高分子膜的微觀結構，將具有光或者電波的波 長以下的範圍的導電性細絲以與光或電波的波長相比更充 分小的間隔排列生成該元件，直至完成本發明。 即本發明的第1個目的是提供一種使用從可見光區到紅 外光區波長的光得到高性能大面積而廉價製造生成的格柵 型偏光光學元件。 另外本發明的第2個目的爲提供一種採用輥延伸技術製 作前述格柵型偏光光學元件的連續製造方法。 進一步，本發明的第3個目的是提供一種將上述格柵型 偏光光學元件從可見光區及紅外光區到毫米波、微波的寬波 長帶域範圍複合化的格柵型型反射光學元件。 本發明的上述第1個目的由以下構成而達到。即，在本 發明申請專利範圍第1項記載的偏光光學元件的發明其特徵 在於，將導電性薄膜形成在具有下列（1)或（2)的高次結構的 膜的一面或兩面的整個面中得到複合膜，進一步將複合膜延 200527007 伸後熱固定，得到由各向異性的導電性部分及高分子電介質 部分形成的結構，形成該偏光光學元件，由該各向異性的導 電性部分和高分子電介質部分形成的結構的短的方向的長 度與將被偏光的入射光的波長相比要短，長的方向的長度與 將被偏光的入射光的波長相比長些爲特徵者。 (1) 將結晶性高分子在其熔點以下玻璃轉移點以上的溫 度延伸熱處理，將得到的結晶部及非晶部交互連接以形成高 次結構膜。 (2) 從下列（a〜c)選擇的下列A相及b相在延伸方向交互 馨 連接形成具有高次結構的膜。 (a) 將玻璃轉移點不同形成的兩種聚合體a及B的A · B 型或A · B · A型的塊狀共聚體在每個玻璃轉移點的中間的溫 度場中延伸而得到膜。 (b) 將部分相熔系的玻璃轉移點不同形成的兩種聚合體 A及B的聚合物混合體在每個玻璃轉移點的中間溫度場延伸 得到膜。 (c) 結晶性或液晶性共聚體a及非晶性共聚體b構成的 · A · B型或A · B . A型的塊狀共聚體在每個熔點和每個玻璃轉移 點之間的溫度場中延伸而得到膜。 追種場合，將上述（1)的結晶性高分子在其熔點以下玻 璃轉移點以上的溫度延伸熱處理得到的結晶部和非晶部交 互連接形成高次結構膜或上述（2)的A相和B相在延伸方向 交互連接形成高次結構的膜中，爲了使微細結晶部及非晶部 或者A相和B相均勻分散，將導電性薄膜形成在兩膜的表面 -10- 200527007 整個面上並將得到的複合膜進一步做延伸處理，在該場合， 由於結晶部及非晶部或者A相和B相的延伸性具有差異，在 各個表面上形成的導電性薄膜具有規則的裂紋，形成由各向 異性的導電性部分和高分子電介質部分形成的結構。由該各 向異性的導電性部分和高分子電介質部分形成的結構在短 的方向的長度與將被偏光的入射光的波長相比短些，長的方 向的長度與將被偏光的入射光的波長相比長些，以形成很好 的偏光光學元件。另外，上述延伸處理後的熱固定是爲了防 止伸展的膜重定到原來的狀態，提高全體的尺寸穩定性而做 · 出的。 另外，本申請的上述第1個目的通過下列構成得到。即， 如本申請專利範圍第2項記載的偏光光學元件的發明是通過 下列（1)或（2)的高次膜的單面或雙面上進行化學析出法，下 列結晶部及非晶部的任一方或下列A相及B相的任一方選擇 的導電性物質形成，各向異性的導電性部分和高分子電介質 部分形成結構形成，該各向異性的導電性部分和高分子電介 質部分形成結構的短方向的長度與將被偏光的入射光的波 · 長相比短些，長方向的長度與將被偏光的入射光的波長相比 長些，以形成該偏光光學元件爲特徵者。 (1) 將結晶性高分子在其熔點以下玻璃轉移點以上的溫 度延伸熱處理，將得到的結晶部及非晶部交互連接以形成高 次結構膜。 (2) 從下列（a〜c)選擇的下列A相及B相在延伸方向交互 連接形成具有高次結構的膜。 _ 1 1 - 200527007 * , (a) 將玻璃轉移點不同形成的兩種聚合體a及b的Α·Β 型或A · Β · Α型的塊狀共聚體在每個玻璃轉移點的中間的溫 度場中延伸而得到膜。 (b) 將部分相熔系的玻璃轉移點不同形成的兩種聚合體 A及B的聚合物混合體在每個玻璃轉移點的中間溫度場延伸 得到膜。 (〇結晶性或液晶性共聚體a及非晶性共聚體β構成的 Α·Β型或Α·Β·Α型的塊狀共聚體在每個熔點和每個玻璃轉移 點之間的溫度場中延伸而得到膜。 · 迫種場合’將上述（1)的結晶性高分子在其熔點以下玻 璃轉移點以上的溫度延伸熱處理得到的結晶部和非晶部交 互連接形成高次結構膜或上述（2)的Α相和Β相在延伸方向 交互連接形成高次結構的膜中，微細結晶部及非晶部乃至A 相和B相均勻分散，而且，結晶部及非晶部的延伸方向的長 度與將被偏光的入射光的波長相比更短些，與在結晶部及非 晶部形成的結構的延伸方向垂直的膜面方向的長度與將被 偏光的入射光的波長相比具有更長些的高次結構，以生成得 鲁 到該膜’另外，A相和B相的延伸方向的長度與將被偏光的 入射光的波長相比更短些，與在A相和B相形成的結構的延 伸方向垂直的膜面方向的長度與將被偏光的入射光的波長 相比具有更長些的高次結構，也生成得到該膜。 另外，通常，1:1的Α·Β型塊狀共聚體由與其分子量對 應條紋模樣的結構形成是眾所周知的，形成的短方向的長度 一般爲幾奈米到幾十奈米範圍。通常具有幾微米長度的分子 -12- 200527007 長的塊狀共聚體是很難有的，但是作爲聚合體A或B，使用 液晶性局分子，可得到長方向達到A4尺寸以上的長度的結 因此，如對具有上述高次結構膜通過化學析出法形成導 電性物質’因爲形成結晶部及非晶部或者A相和B相上選擇 的導電性物質，所以具有由良好的各向異性的導電性部分和 高分子電介質部分形成的結構，由該各向異性的導電性部分 和筒分子電介質部分形成結構的短的方向的長度與將被偏 光的入射光的波長相比短些’長方向的長度與將被偏光的入 鲁 射光的波長相比長些，這樣便形成了該偏光光學元件。另 外，形成上述導電性物質後，爲了防止伸展的膜重定到原來 的狀態，最好進行熱固定，以提高全體的尺寸穩定性。 另外本申請的上述第1個目的由以下構成達到。即，本 發明申請專利範圍第3項記載的偏光光學元件的發明爲，通 過以下的（1)〜（4)的工序製造的各向異性的導電性部分和高 分子電介質形成的結構形成，該各向異性的導電性部分和高 分子電介質部分結構的短的方向的長度與將被偏光的入射 β 光波長相比短些，長方向的長度與將被偏光的入射光波長相 比長些，這樣形成了該偏光光學元件爲特徵者。 (1)通過下列（I)或（11)的步驟得到具有高次結構的膜的 步驟， (I)將結晶性高分子在其熔點以下玻璃轉移點以上的溫 度用輥延伸熱處理，得到結晶部及非晶部交互連接以形成高 次結構膜的步驟。 -13- 200527007 (11)通過下列（a〜c )任意的步驟，得到A相及B相在延 伸方向交互連接形成具有高次結構的膜的步驟。 (a) 將玻璃轉移點不同形成的兩種聚合體a及B的A · B 型或A · B ♦ A型的塊狀共聚體在每個玻璃轉移點的中間的溫 度場中輥延伸處理的步驟。 (b) 將部分相熔系的玻璃轉移點不同形成的兩種聚合體 A及B的聚合物混合體在每個玻璃轉移點的中間溫度場輥延 伸處理的步驟。 (c) 結晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構成的 H Α·Β型或Α·Β·Α型的塊狀共聚體在每個熔點和每個玻璃轉移 點之間的溫度場中輥延伸處理的步驟。 (2) 將導電性薄膜形成在具有上述（1)的步驟中得到的高 次結構的膜的單面或雙面的整個面上的得到複合膜的步驟， (3) 對上述（2)的步驟中得到的複合膜進一步輥延伸的步 驟， (4) 將在對上述（3)的步驟中得到的膜的導電性部位粘著 力大的透明高分子膜、或與塗布粘著劑或硬化性粘著劑的透 ® 明膜接觸的導電性部位轉寫到該透明膜後的上述透明膜剝 離的步驟。 這種場合，上述（1)〜（3)的步驟中，和上述申請專利範 圍第1項記載的偏光光學元件一樣，形成由各向異性的導電 性部分和高分子電介質部分形成的結構，該各向異性的導電 性部分和高分子電介質部分形成的結構的短方向的長度與 將被偏光的入射光的波長相比短些，長方向的長度與將被偏 -14- 200527007 光的入射光的波長相比長些，這樣形成得到了該膜，但是， 該膜上被形成的導電性部位在上述（4)的步驟中被轉寫成透 明膜，形成由新的透明膜上各向異性的導電性部分和高分子 電介質部分形成的結構，該各向異性的導電性部分和高分子 電介質部分形成的結構的短方向的長度與將被偏光的入射 光的波長相比短些，長方向的長度與將被偏光的入射光波長 相比長些，這樣形成了該偏光光學元件。 另外，本申請的上述第1目的由以下的構成達到。即， 本發明申請專利範圍第4項記載的偏光光學元件的發明是，· 經過以下的（1)〜（3)的步驟製造的各向異性的導電性部分和 高分子電介質部分形成的結構，該各向異性的導電性部分和 高分子電介質部分形成的結構的短的方向的長度與將被偏 光的入射光的波長相比短些，長方向的長度與將被偏光的入 射光的波長相比長些，以此形成該偏光光學元件爲特徵者。 (1)通過下列（I)或（II)的步驟得到具有高次結構的膜的 步驟， (I) 將結晶性高分子在其熔點以下玻璃轉移點以上的溫 ® 度延伸熱處理，得到結晶部及非晶部交互連接以形成高次結 構膜的步驟。 (II) 通過下列（a〜C)任意的步驟，得到A相及B相在延 伸方向交互連接形成具有高次結構的膜的步驟。 U)將玻璃轉移點不同形成的兩種聚合體A及B的Α·Β 型或Α·Β·Α型的塊狀共聚體在每個玻璃轉移點的中間的溫 度場中輥延伸處理的步驟。 -15- 200527007 (b)將部分相熔系的玻璃轉移點不同形成的兩種聚合體 A及B的聚合物混合體在每個玻璃轉移點的中間溫度場輥延 伸處理的步驟。 (〇結晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構成的 Α·Β型或Α·Β·Α型的塊狀共聚體在每個熔點和每個玻璃轉移 點之間的溫度場中輥延伸處理的步驟。 (2) 將在上述（1)的步驟中得到的具有高次結構的膜的單 面或雙面通過化學析出法，將導電性物質形成在上述結晶部 或非晶部任一方或上述Α相及Β相的任一方而得到複合膜的 鲁 步驟， (3) 將在對上述（2)的步驟中得到的相對膜的導電性部位 粘著力大的透明高分子膜、或與塗布粘著劑或硬化性粘著劑 的透明膜接觸的導電性部位轉寫到該透明膜後的上述透明 膜剝離的步驟。 這種場合，上述（1)〜（2)的步驟中，和上述申請專利範 圍第2項記載的發明一樣，形成由各向異性的導電性部分和 高分子電介質部分形成的結構，該各向異性的導電性部分和 馨 高分子電介質部分形成的結構的短方向的長度與將被偏光 的入射光的波長相比短些，長方向的長度與將被偏光的入射 光的波長相比長些，這樣形成得到了該膜，但是，該膜上被 形成的導電性部位在上述（3)的步驟中被轉寫成透明膜，形 成由新的透明膜上各向異性的導電性部分和高分子電介質 部分形成的結構，該各向異性的導電性部分和高分子電介質 部分形成的結構的短方向的長度與將被偏光的入射光的波 -16- 200527007 長相比短些，長方向的長度與將被偏光的入射光波長相比長 些’這樣形成了該偏光光學元件。 如上述申請專利範圍第1〜4項記載的偏光光學元件 中，優選地，上述各向異性的導電性部分和高分子電介質部 分形成的結構的短的方向的長度爲將被偏光的入射光的波 長的1/20〜1/2的範圍，長的方向的長度爲該入射光波長的 2倍以上。該場合，由上述各向異性的導電性部分和高分子 部分電介質部分形成的結構的短方向的長度爲小於1/20 時，因上述各向異性的導電性部分光吸收或反射變多，光透 鲁 過率變差，所以並不理想。另外，超過1 /2時偏光特性變差。 而且，上述各向異性的導電性部分和高分子電介質部分形成 結構的長度方向的長度不到2倍時，偏光特性變差，另外， 理論上，長方向的長度在製作生成時的界限沒有限制，從而 容易根據所使用的偏光光學元件的尺寸來確定。 被偏光的入射光爲可見光的場合，波長範圍爲約400nm 〜7 OOnm，所以，上述各向異性的導電性部分和高分子電介 質部分形成結構的短方向的長度取値爲2 0 n m〜3 5 0 n m的範 0 圍，長方向的長度爲8 OOnm以上，那樣的話，形成的偏光光 學元件的偏光特性將很好。 另外，被偏光的入射光爲紅外光的場合，波長範圍爲 7OOnm以上，所以，上述各向異性的導電性部分和高分子電 介質部分形成的結構的短方向的長度取値爲35nm〜Ιμηι，長 度方向的長度爲ΙΟμιη，如果這樣的話，可形成偏光效率高 的偏光光學元件。 -17- 200527007 如上述申請專利範圍第1及3項所記載的偏光光學元件 中的導電性薄膜是採用氣相沉積法、無電解電鍍法、化學氣 相生成法、物理氣相生成法等生成。另外，上述記載的偏光 光學元件中的導電性薄膜形成手段，作爲化學析出法，優選 採用無電解電鍍法、氣相析出法及液相析出法等。 上述各向異性的導電性部分優選採用銀、金、鎳、鉻、 銅等金屬或合金、聚PJ±咯、聚噻吩等導電性高分子、四氧化 三鐵等氧化物導電體等。 上述偏光光學元件可以通過該多層粘著材料及被熱複 · 合化。另外，上述偏光光學元件中，進一步在上述各向異性 的導電性部分所形成的表面上，可以設有由包括還兼有防止 導電性部分的剝離功能的電介質多層膜形成的反射防止膜。 另外，本申請的上述第2目的由以下的構成達到。即， 本發明申請專利範圍第i 3項記載的偏光光學元件的連續製 作方法的發明是，由以下的（1)〜（3)的步驟形成，形成由各 向異性的導電性部分和高分子電介質部分形成的結構，該各 向異性的導電性部分和高分子電介質部分形成的結構的短 · 方向的長度與將被偏光的入射光的波長相比短些，長方向的 長度與將被偏光的入射光的波長相比長些，以形成該偏光光 $元件的連續製造方法。 (1)通過下列（I)或（II)的步驟得到具有高次結構的膜的 步驟， (I)將結晶性高分子在其溶點以下玻璃轉移點以上的溫 度用輥延伸熱處理，得到結晶部及非晶部交互連接以形成高 -18- 200527007 次結構膜的步驟。 (II)通過下列（a〜c)任一的步驟，得到下述A相及B相 在延伸方向交互連接形成具有局次結構的膜的步驟。 Ο)將玻璃轉移點不同形成的兩種聚合體A及B的A . B 型或A · B · A型的塊狀共聚體在每個玻璃轉移點的中間的溫 度場中輥延伸處理的步驟。 (b) 將部分相熔系的玻璃轉移點不同形成的兩種聚合體 A及B的聚合物混合體在每個玻璃轉移點的中間溫度場輥延 伸處理的步驟。 (c) 結晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構成的 Α·Β型或Α·Β·Α型的塊狀共聚體在每個熔點和每個玻璃轉移 點之間的溫度場中輥延伸處理的步驟。 (2)將導電性薄膜形成在具有上述（1)的步驟中得到的高 次結構的膜的單面或雙面的整個面上的得到複合膜的步驟， (3 )對上述（2 )的步驟中得到的複合膜進一步輥延伸後熱 固定的步驟。 另外，本申請的上述第2個目的由以下的構成達到。即， 本發明申請專利範圍第1 4項記載的偏光光學元件的連續製 造方法的發明由以下的（1)〜（2)步驟.形成，形成由各向異性 的導電性部分和高分子電介質部分形成的結構，該各向異性 的導電性部分和高分子電介質部分形成結構的短的方向的 長度與將被偏光的入射光的波長相比短些，長的方向的長度 與將被偏光的入射光的波長相比長些，以形成該偏光光學元 件的連續製造方法。 -19- 200527007 (1)通過下列（I)或（Π)的步驟得到具有高次結構的膜的 步驟， (I) 將結晶性高分子在其熔點以下玻璃轉移點以上的溫 度用輥延伸熱處理，得到的結晶部及非晶部交互連接形成具 有高次結構膜的步驟，其中，結晶部及非晶部的延伸方向的 長度與使用光的波長相比短些，與在結晶部及非晶部中所形 成的結構的延伸方向垂直的膜面方向的長度與將被偏光的 入射光的波長相比長些。 (II) 通過下列（a〜C)任一的步驟，得到Α相及Β相在延 春 伸方向交互連接形成具有高次結構的膜的步驟，其中，A相 及B相延伸方向的長度與將被偏光的光的波長相比短些，在 A相及B相中所形成的結構的延伸方向垂直的膜面方向的長 度與將被偏光的入射光的波長相比長些。 (a) 將玻璃轉移點不同形成的兩種聚合體a及B的A · B 型或A · B · A型的塊狀共聚體在每個玻璃轉移點的中間的溫 度場中輥延伸處理的步驟。 (b) 將部分相熔系的玻璃轉移點不同形成的兩種聚合體 · A及B的聚合物混合體在每個玻璃轉移點的中間溫度場輥延 伸處理的步驟。 (c) 結晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體b構成的 Α·Β型或Α·Β·Α型的塊狀共聚體在每個熔點和每個玻璃轉移 點之間的溫度場中輥延伸處理的步驟。 (2 )在具有上述（1)的步驟中得到的高次結構的膜的單面 或雙面上，通過化學析出法，得到在結晶部及非晶部任一方 -20- 200527007 或上述A相及B相任一方選擇的形成的導電性物質的複合膜 的步驟。 另外，本申請的上述第2個目的由以下的構成達到。即， 本發明申請專利範圍第1 5項記載的偏光光學元件的連續製 造方法的發明由以下的（1 )〜（4)步驟形成，形成由各向異性 的導電性部分和高分子電介質部分形成的結構，該各向異性 的導電性部分和高分子電介質部分形成結構的短的方向的 長度與將被偏光的入射光的波長相比短些，長的方向的長度 與將被偏光的入射光的波長相比長些，以形成該偏光光學元 · 件的連續製造方法。 (1)通過下列（I)或（II)的步驟得到具有高次結構的膜的 步驟， (I) 將結晶性高分子在其熔點以下玻璃轉移點以上的溫 度用$比延伸熱處理，得到的結晶部及非晶部交互連接形成具 有高次結搆膜的步驟。 (II) 通過下列（a〜c)任一的步驟，得到A相及B相在延 伸方向交互連接形成具有高次結構的膜的步驟。 鲁
U)將玻璃轉移點不同形成的兩種聚合體A及B的A B 型或Α·Β·Α型的塊狀共聚體在每個玻璃轉移點的中間的溫 度場中輥延伸處理的步驟。 (b)將部分相熔系的玻璃轉移點不同形成的兩種聚合體 A及B的聚合物混合體在每個玻璃轉移點的中間溫度場輥延 伸處理的步驟。 (〇結晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構成的 -2 1- 200527007 A · B型或A · B · A型的塊狀共聚體在每個熔點和每個玻璃轉移 點之間的溫度場中輥延伸處理的步驟。 (2) 在具有上述（1)的步驟中得到的高次結構的膜的單面 或雙面的整個面上形成導電性物質而得到複合膜的步驟。 (3) 將在上述（2)的步驟中得到的複合膜進一步輥延伸的 步驟， (4) 將在對上述（3)的步驟中得到的膜的導電性部位粘著 力大的透明高分子膜、或與塗布粘著劑或硬化性粘著劑的透 明膜接觸的導電性部位轉寫到該透明膜後的上述透明膜剝 鲁 離的步驟。 另外，本申請的上述第2個目的由以下的構成達到。即， 本發明申請專利範圍第1 6項記載的偏光光學元件的連續製 造方法的發明由以下的（1)〜（3)步驟形成，形成由各向異性 的導電性部分和高分子電介質部分形成的結構，該各向異性 的導電性部分和高分子電介質部分形成結構的短的方向的 長度與將被偏光的入射光的波長相比短些，長的方向的長度 與將被偏光的入射光的波長相比長些，以形成該偏光光學元 馨 件的連續製造方法。 (1)通過下列（I)或（II)的步驟得到具有高次結構的膜的 步驟， (I)將結晶性高分子在其熔點以下玻璃轉移點以上的溫 度用延伸熱處理得到的結晶部及非晶部交互連接形成具有 局次結構膜的步驟，其中，結晶部及非晶部的延伸方向的長 度與使用光的波長相比更短些，與在結晶部及非晶部中所形 -22- 200527007 成的結構的延伸方向垂直的膜面方向的長度與將被偏光的 入射光的波長相比更長些。 (II)通過下列（a〜C)任一的步驟，得到A相及B相在延 伸方向交互連接形成具有高次結構的膜的步驟，其中，A相 及B相延伸方向的長度與將被偏光的入射光的波長相比短 些，與在A相及B相中所形成的結構的延伸方向垂直的膜面 方向的長度與將被偏光的入射光的波長相比長些。 (a) 將玻璃轉移點不同形成的兩種聚合體a及B的Α·Β 型或A · Β · Α型的塊狀共聚體在每個玻璃轉移點的中間的溫 鲁 度場中輥延伸處理的步驟。 (b) 將部分相熔系的玻璃轉移點不同形成的兩種聚合體 A及B的聚合物混合體在每個玻璃轉移點的中間溫度場輥延 伸處理的步驟。 (c) 結晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構成的 Α·Β型或Α·Β·Α型的塊狀共聚體在每個熔點和每個玻璃轉移 點之間的溫度場中輥延伸處理的步驟。 (2) 在具有上述（1)的步驟中得到的高次結構的膜的單面 β 或雙面上，通過化學析出法，得到在結晶部及非晶部任一方 或Α相及Β相任一方選擇的形成的導電性物質的複合膜的步 驟。 (3) 將在對上述（2)的步驟中得到的膜的導電性部位粘著 力大的透明高分子膜、或與塗布粘著劑或硬化性粘著劑的透 明膜接觸的導電性部位轉寫到該透明膜後的上述透明膜剝 離的步驟。 -23- 200527007 力外，本申請的上述第2個目的由以下的構成達到。即， 本發明申請專利範圍第1 7項記載的偏光光學元件的連續製 造方法的發明由以下的（1)〜（4)步驟形成，形成由各向異性 的導電性部分和高分子電介質部分形成的結構，該各向異性 的導電性部分和高分子電介質部分形成結構的短的方向的 長度與使用光的波長相比短些，長的方向的長度與使用光的 波長相比長些’以形成該偏光光學元件的連續製造方法。 (1)通過下列（I)或（II)的步驟得到具有高次結構的膜的 步驟， (I) 將結晶性高分子在其熔點以下玻璃轉移點以上的溫 度進行延伸熱處理，得到的結晶部及非晶部交互連接形成具 有局次結構膜的步驟’其中，結晶部及非晶部的延伸方向的 長度與使用光的波長相比短些，與在結晶部及非晶部中所形 成的結構的延伸方向垂直的膜面方向的長度與將被偏光的 入射光的波長相比長些。 (II) 通過下列（a〜C)任一的步驟，得到A相及B相在延 伸方向交互連接形成具有高次結構的膜的步驟，其中，A相 ® 及B相延伸方向的長度與將被偏光的入射光的波長相比短 些，與在A相及B相中所形成的結構的延伸方向垂直的膜面 方向的長度與將被偏光的入射光的波長相比長些。 (a) 將玻璃轉移點不同形成的兩種聚合體a及B的Α·Β 型或Α·Β·Α型的塊狀共聚體在每個玻璃轉移點的中間的溫 度場中輥延伸處理的步驟。 (b) 將部分相熔系的玻璃轉移點不同形成的兩種聚合體 -24- 200527007 A及B的聚合物混合體在每個玻璃轉移點的中間溫度場輥延 伸處理的步驟。 (c)結晶性或液晶性共聚體A及非晶性共聚體B構成的 A.B型或Α·Β·Α型的塊狀共聚體在每個熔點和每個玻璃轉移 點之間的溫度場中輥延伸處理的步驟。 (2) 將在具有上述（1)的步驟中得到的規定長度的高次結 構的膜環帶迴圈步驟。 (3) 在上述（2)的步驟中迴圈的具有高次結構的膜的單面 或雙面上，通過化學析出法，在上述Α相及Β相中選擇形成 鲁 的導電性物質而得到複合膜的步驟， (4) 將在對上述（3)的步驟中得到的複合膜的導電性部位 粘著力大的透明高分子膜、或與塗布粘著劑或硬化性粘著劑 的透明膜接觸的導電性部位轉寫到該透明膜後的上述透明 膜剝離的步驟。 在本發明申請專利範圍第1 7項的偏光光學元件的連續 製造方法的場合，上述（1)的步驟中得到的規定長度的具有 高次結構的膜在上述（2)的步驟中環帶迴圈，在該膜的表面 · 上通過化學析出法形成的導電性物質，則上述結晶部或非晶 部或A相及B相的任一個中的導電性物質被塗覆而得到複合 膜，該複合膜表面的導電性物質經上述（4)的步驟于其上形 成的透明膜的表面上實現其自由轉寫。因此，上述複合膜的 表面上形成的導電性物質由各向異性的導電性部分和高分 子電介質部分形成的結構的短方向的長度與使用光的波長 相比短些、長的方向的長度與使用光的波長相比長些而形 -25- 200527007 成，得到的偏光光學元件的導電性物質也具有由各向異性的 導電性部分和高分子電介質部分形成的結構的短方向的長 度比使用光的波長短、長方向的長度比使用光的波長長的構 成。 上述申請專利範圍第1 3〜1 7項記載的偏光光學元件的 連續製造方法中，上述各向異性的導電部分和高分子電介質 部分形成結構的短方向的長度取値爲將被偏光的入射光的 波長的1/20〜1/2的範圍，長方向的長度取値爲該入射光波 長的2倍以上。該場合，上述各向異性的導電性部分和高分 子電介質部分形成的結構的短的方向的長度未到1 /20時， 通過上述各向異性的導電性部分的光吸收或反射變多，光透 過率變差，因此不好。另外，超過1 /2時偏光效率惡化。而 且，上述各向異性的導電性部分和高分子電介質部分形成的 結構的長方向的長度在不到2倍時，偏光效率變差，另外， 理論上，長的方向的長度製作生成的界限沒受限制，可容易 確定所使用的偏光光學元件的尺寸。 被偏光的入射光爲可見光的場合，波長範圍爲約400nm 〜約7 0 0 n m，所以，上述各向異性的導電性部分和高分子電 介質部分形成的結構的短的方向的長度取値爲 20nm〜 350nm的範圍，長方向的長度取値爲800nm以上，此時可生 成偏光效率良好的偏光光學元件。 另外’被偏光入射光爲紅外光的場合’因爲波長範圍爲 約7 0 0 n m以上，上述各向異性的導電性部分和高分子電介質 部分形成結構的短的方向的長度取値爲3 5 n m〜1 μ m，長方向 -26- 200527007 的長度取値爲1 〇km，如果這樣的話，可生成偏光效率良好 的偏光光學元件。 在上述申請專利範圍第1 3及1 5項記載的偏光光學元件 的連續製造方法中的導電性薄膜可採用氣相沉積法，無電解 電鍍法、化學氣相生長法、物理氣相生長法等。另外，作爲 本發明申請專利範圍第1 4、1 6及1 7項記載的偏光光學元件 的連續製造方法中的導電性薄膜形成手段的化學析出法優 選爲無電解電鍍法、氣相析出法、液相析出法等。 另外，上述偏光光學元件的連續製造方法中，上述各向 鲁 異性的導電性部分優選採用銀、金、鎳、鉻、銅等金屬或合 金、聚吡咯、聚噻吩等導電性高分子、四氧化三鐵等氧化物 導電體等。 上述偏光光學元件也可以通過該多層粘著材料或被熱 複合化。另外，上述偏光光學元件中，進一步，也可以在上 述各向異性的導電性部分所形成的表面上，設有包括兼有防 止導電性部分的剝離功能的電介質多層膜形成的防反射膜。 而且，本申請的上述第3個目的通過以下的構成達到。 ® 即，本發明申請專利範圍第26〜28項記載的反射光學元件 的發明是，具有使上述申請專利範圍第1〜1 2項中任一項所 記載的偏光光學元件形成的兩層膜的各個導電性物質正交 所配置的結構的反射光學元件，它們具有共同的特徵。 該場合，在本發明申請專利範圍第1〜1 2項記載的格柵 型型偏光光學元件具有將其振動面與導電性部分的長度方 向相同的光反射、與其垂直的方向的所具有的光透過的功 -27- 200527007 能。因此，將在該等申請專利範圍第1〜1 2項記載的2層的 格柵型型偏光光學元件重疊的場合，將規定波長範圍的全部 的振動面的入射光反射實質上使所得到的反射光學元件起 到了反射鏡的作用。 該場合，通過選擇在申請專利範圍第1〜1 2項記載的上 述偏光光學元件的各向異性的導電性部分和高分子電介質 部分形成的結構的尺寸，可使可見光、紅外光、毫米波、微 波反射。 本發明的上述構成中可以例如達到以下優良效果。即， 鲁 例如本發明申請專利範圍第1〜1 2項所記載的偏光光學元件 中，通過控制高分子膜的微觀結構，如以下的實施例中詳述 的那樣，提供了 一種大面積的、膜狀的、偏光特性好的、光 透過率高的而且使用在可見光區至紅外光區的得到的格柵 型偏光光學元件。特別是，根據上述申請專利範圍第1 1項 記載的偏光光學元件在上述偏光光學元件中，因爲通過該多 層粘著材料及被熱複合化，所以提高了偏光特性。另外，本 發明申請專利範圍第1 2項所記載的偏光光學元件中，進一 β 步，上述各向異性的導電性部分所形成的表面上，因爲設有 了包括兼有防止導電性部分剝離功能的電介質多層膜形成 的防反射膜，使得所得到的偏光光學元件的惡化被抑制，包 括的光的透過率提高。 而且，本發明申請專利範圍第26〜28項所記載的偏光 光學元件的連續製造方法的發明中，通過各種輥法可連續 地、簡單、廉價地製造出大面積的所述的偏光光學元件。 -28- 200527007 而且’本發明記載的反射光學元件的發明中，得到了大 面積的、膜狀的、可反射規定波長的光或電磁波的反射光學 元件。因此，該反射光學元件例如使用在汽車擋風玻璃、側 面玻璃等的話，防止司機對對向的車的遠光燈晃眼，另外， 使用做大廈的玻璃窗等的話，可以使可見光透過而紅外線及 與之相比波長更長的電磁波反射，所以，不僅可使室內明 亮，而且提高了隔熱性。 【實施方式】 以下，通過實施最佳形態的實施例來對本發明進行說 · 明。另外，因爲以下示出的實施例並沒有將本發明限定在該 實施例所記載的內容中的意圖，所以，本發明適用於包含由 申請專利範圍所記載的技術的範圍。 實施例1 實施例1中，第1圖表示採用偏光光學元件的連續製造 裝置10,通過氣相沉積將鋁金屬析出在聚丙烯膜的表面上而 製造膜狀偏光光學元件。首先，將從聚丙烯膜供給輥1 1供 給的聚丙烯膜通過輥1 2、第1恒溫槽1 3、輥1 2 ’沿軸向延伸 β 4倍。輥1 2及1 2 ’是利用線速度差延伸的沿軸向延伸手段。 而且’弟1恒溫槽1 3是爲了滿足延伸條件而設置安裝的， 其保持100°c的溫度。該後真空氣相沉積槽14中，將鋁金 屬氣相沉積爲具有1 〇 〇 n m的厚度，其次，經過輥1 5、保持 1 2 0°C的第2恒溫槽16、輥15’進一步以2倍沿軸向延伸， 同時將該聚丙烯膜部分結晶化。 此時’全體聚丙燒膜的結晶部和非晶部近乎句質散佈， -29- 200527007 然而，由於結晶部和非晶部的伸展性不同形成，在與鋁金屬 基本勻質伸展方向的垂直方向出現裂縫。此後，將該膜保持 在1 3 0°C的第3恒溫槽17中，進行5分鐘熱處理以賦予尺 寸穩定性，並被卷取輥1 8卷取。所得偏光膜的紅外線的波 長在Ιμπι〜ΙΟμπι區中的偏光率爲99.5%，光透過率爲90%。 另外，測定將2個該膜正交的紅外線的反射率的地方，爲 9 9.9 %以上。 實施例2 實施例2中，第2圖表示採用偏光光學元件的連續製造 φ 裝置20,通過氣相沉積將鋁金屬析出在聚偏二氟乙烯膜的表 面上而製造膜狀偏光光學元件。首先，將從聚偏二氟乙烯膜 供給輥21供給的聚偏二氟乙烯膜通過輥22、保持60°C的第 1恒溫槽23、輥22’沿軸向延伸5倍。此後，繼續保持張力， 在保持120°C的第2恒溫槽24中，進行5分鐘熱處理以使 一部分聚偏二氟乙烯膜結晶化。 此後，真空氣相沉積槽25中，將鋁金屬以50nm的厚度 氣相沉積，然後，經過輥26、保持80°C的第3恒溫槽27、 % 輥26’進行進一步沿軸向2倍延伸之後，在保持130°C的第 4恒溫槽28中，進行5分鐘熱處理以賦予尺寸穩定性，並被 卷取輥29卷取。對所得偏光膜關於偏光性能測定的地方， 其在波長爲420nm至700nm的可見光區範圍中得到消光比 1:300的偏光性能。 實施例3 在實施例3中，在聚丙烯膜的表面上通過化學電鍍（無 -30- 200527007 電解電鍍）法將銀金屬析出而作成偏光膜。首先。將聚丙烯 膜在80。(3以5倍延伸之後，繼續保持張力，在1 1〇。〇熱處 理1 〇分鐘，將聚丙烯膜的一部分結晶化。將該膜通過第1 錫溶液氯化後，用水輕輕漂洗，在氨性硝酸銀溶液中通過的 氯化第1錫被選擇吸附的非晶部分只進行無電解電鍍並滿足 膜表面不均勻析出銀金屬。所得的偏光膜的偏光性能顯示 爲，在420nm〜700nm的可見光區中消光比1: 5000的値。 另外光透過性爲4 8 %。 另外，本實施例3中示出了採用銀作爲無電解電鍍層的 · 例子，但是，其他的如金、鎳、鉻、銅等金屬也可以使用， 另外，聚吡咯、聚噻吩等導電性高分子、四氧化三鐵等氧化 物導電體等也可以使用。例如，形成聚吡咯、聚噻吩等導電 性高分子場合，通過使用氯化第2鐵水溶液、雙氧水等氧化 劑水溶液及各種單體溶液或單體蒸汽，僅在存在最初被被吸 附的氧化劑的部位上形成聚吡咯、聚噻吩等導電性高分子形 成的細線。 實施例4 ·
在實施例4中，控制使將由環氧乙烷（A)和碳酸酯（B)的 塊狀共聚體形成的Α·Β型塊狀共聚體延伸的環氧乙烷層在 與延伸方向成90±5°的角度配向的高次結構而對膜進行調 製。將該Α·Β型塊狀共聚體輥壓成形時張力增加，控制對Α·Β 薄層縱長方向上相對垂直± 1 〇°以內配向的高次結構。將該膜 上導電性物質，例如，鋁金屬真空氣相沉積後，將其2.5倍 延伸。該場合Α相和Β相全體近乎勻質分佈，而且，由於A -3 1- 200527007 _ 相和B相伸展性形成不同，基本勻質鋁金屬在與延伸方向的 垂直方向出現裂縫。該偏光膜的420nm〜700nm的可見光區 中偏光率爲99.8%。 實施例5 在實施例5中，控制使將與實施例4中採用相同的α·Β 型的環氧乙烷、碳酸酯塊狀共聚體延伸的環氧乙烷層在與延 伸方向成90±5°的角度配向的高次結構而對膜進行調製。將 該膜在氯化第1錫溶液中浸漬時的氯化第1錫在親水性部的 環氧乙烷層上被選擇吸附。此後進行無電解電鍍鎳。所得偏 鲁 光膜的可見光區的偏光性能爲99%。也可以採用同樣的方法 用苯乙烯·氫化乙基甲基丙烯酸（HEM A)塊狀共聚體制作。 實施例6 在實施例6中，第3圖表示採用偏光光學元件的連續製 造裝置3 0，通過化學電鍍法（無電解電鍍法）將銀金屬析出在 聚丙烯膜的表面上之後，制做在導電性物質的表面上設有防 反射膜的膜狀偏光光學元件。首先，將從聚丙烯膜供給輥3 i 供給的聚丙烯膜依次通過輥32、保持80°C的第1恒溫槽33、 · 輥32’進行5倍延伸。此後繼續保持被延伸的聚丙烯膜的張 力，在比第1恒溫槽3 3溫度更高的溫度，在此保持在1 1 〇〇c 的第2恒溫槽34中通過1〇分鐘進行熱處理。通過該熱處理， 聚丙烯膜的非晶部被舒展，消除了其回縮的力，保證了尺寸 的穩定性。 將該膜通過與輥32’相同的線速度的輥35、片槽36，首 先，通過通入了氯化第1錫溶液37的第1槽38。在膜通過、 -32- 200527007 該第1槽3 8時，氯化第1錫被選擇吸附在非晶質部分。此 後，用水輕輕漂洗，然後通過加了氨性硝酸銀溶液39的第2 槽40。在膜通過該第2槽4〇時，氯化第1錫被選擇吸附在 非晶質部分上僅進行無電解電鍍，氨性硝酸銀溶液39中的 銀離子，在膜的表面上不均勻析出銀金屬。 該第2槽40所得非晶質部分中被塗覆僅由銀形成的導 電性物質的聚丙烯膜41，首先，經過輥42並在維持130°C 的第3恒溫槽43中通過5分鐘，被賦予了尺寸上的穩定性， 同時，附著強度最大。而且，低折射率和高折射率的高分子 · 膜每個都從交互被疊層多層的防反射膜的供給輥44供給防 反射膜，經恒溫槽43所供給的膜的導電性物質被給付的面 上通過輥45被層疊，通過輥46被粘著。該新的添加的防反 射膜不只是爲了防止反射，輥46的強壓力還具有防止偏光 光學元件的表面上粘著的導電性物質脫離的功能。此後，採 用熱處理裝置47以增加粘著穩定性，通過輥48用卷取輥49 卷取。該輥49中卷取的偏光膜可具有與實施例3的偏光光 學元件相同的偏光效果。 ® 實施例7 在實施例7中，採用第4圖所表示的偏光光學元件的連 續製造裝置50，聚丙烯膜表面上通過化學電鍍法（無電解電 鍍法）將銀金屬析出後，將在該膜的表面上所形成的銀金屬 靠模到別的透明膜的表面上從而製造出該偏光光學元件。另 外，第4圖中，聚丙烯膜的表面上通過無電解電鍍法所析出 的銀金屬得到膜4 1步驟結束時與第3圖所示的實施例6的 -33- 200527007 結構相同，所以，該相同的結構部分中與第3圖使用相同的 附圖標記來表示，並省略其詳細的說明。 首先，與實施例6 —樣，在所製造的第2槽4〇中所得 到的非晶質部分上塗覆僅由銀形成的導電性物質的聚丙烯 膜4 1的導電性物質所使用的面上，將由塗布相對由上述銀 所形成的導電性物質粘著力大的丙烯基粘著劑的聚對苯二 甲酸乙二酯（PET)膜的供給輥52所供給的透明PET膜導入輥 53中被疊層，通過導入轉寫輥54中以增強壓力，其次，將 兩膜經輥55剝離，將聚丙烯膜及透明的PET膜分別卷取在 肇 輥56及輥57上。由上述聚丙烯膜41的表面上所形成的銀 形成的導電性物質全部在被輥57卷取的透明的PET膜上被 轉寫。該輥57上所卷取的偏光膜可確定具有與實施例3的 偏光光學元件相同的偏光效果。另外，本實施例7中作爲用 於轉寫導電性物質的丙烯基粘著劑採用了所塗布的PET 膜’但是，也可以使用其他的聚酯、聚丙烯、聚甲基甲基丙 烯酸、聚碳酸酯等透明高分子膜。 實施例8 ® 在實施例8中，使用了第4圖所示的偏光光學元件的連 續製造裝置60，在控制由環氧乙烷（A)及碳酸酯（B)的AB型 塊狀共聚體形成的高次結構的膜的表面上，通過無電解電鍍 法連續的形成導電性物質之後，將由該膜的表面的導電性物 質轉寫在別的透明膜的表面上，尤其在轉寫的導電性物質的 表面上設有防反射膜。 首先，採用與實施例4中所記載的同樣的方法，調製控 -34- 200527007 制使該延伸AB型環氧乙烷及碳酸酯的塊狀共聚體的環氧乙 烷層以與延伸方向成90±5。的角度配向的高次結構的膜61。 而且’將該膜61經過該放入了氯化第1錫溶液62的第1槽 63、導輥64及由去濕膜65形成的第1水分除去器66、加入 了氨性硝酸銀溶液67的第2槽68，導輥69及由去濕膜70 形成的第2水分除去器7 1、轉寫輥7 2、多個導輥7 3，配置 成使之環帶連續迴圈。 上述膜6 1通過第1槽63時，由於具有親水性部的環氧 乙烷層的表面上僅氯化第1錫吸附，在第1水分除去器66 鲁 中用水輕輕漂洗之後即可除去水分，其次，在通過第2槽68 的氯化第1錫吸附的部分上，選擇性的將銀離子在形成的膜 的表面上不均勻析出爲銀金屬。將析出該銀金屬的膜74在 第2水分除去器7 1中輕輕用水漂洗後除去水分，接下來， 使由膜供給輥7 5所供給的表面上塗布粘著劑的透明膜7 6的 粘著劑塗布面與上述膜7 4的析出銀金屬面接合，將該兩膜 74及76通過轉寫輥72輥壓。 此後，將通過轉寫輥72的兩膜74及76分離，得到該 Φ 在膜74的表面上附著的銀金屬所轉寫的膜77。所以，將另 一路防反射膜供給輥78所供給的防反射膜79供給爲使之覆 蓋膜7 7的表面的銀金屬，因爲得到由兩膜7 7和7 9經過驅 動輥80的輥壓與防反射膜一起一體化的偏光光學元件形成 的膜8 1，該膜8 1只用在卷取輥82中卷取。所得的偏光膜波 長420nm〜7 00nm的可見光區中的偏光特性爲99%。 另外，在實施例8中使用了將作爲具有環帶連續迴圈高 -35- 200527007 次結構膜6 1的AB型環氧乙烷和碳酸酯塊狀共聚體延伸處理 的共聚體，但是不限於此，例如，可以使用苯乙烯環氧乙烷 塊狀共聚體、苯乙烯HEMA塊狀共聚體等的具有疏水性部及 親水性部的塊狀共聚體。由於這些塊狀共聚體價格高，可抑 制環帶迴圈高次結構膜的使用量。 另外，作爲透明膜76，可以使用聚丙烯、聚碳酸酯、聚甲基 甲基丙烯酸、聚對苯二甲酸乙二酯、聚磺基、聚乙烯丁醛等。 進一步，作爲設有透明膜76的粘著劑，適宜選擇使用丙烯 基、四丙烯酸基、尿素基等。 φ 【圖示簡單說明】 第1圖爲在實施例1中使用的偏光膜連續製造裝置的槪 略示意圖。 第2圖爲在實施例2中使用的偏光膜連續製造裝置的槪 略示意圖。 第3圖爲在實施例6中使用的偏光膜連續製造裝置的槪 略示意圖。 第4圖爲在實施例7中使用的偏光膜連續製造裝置的槪 β 略示意圖。 第5圖爲在實施例8中使用的偏光.膜連續製造裝置的槪 略示意圖。 【元件符號說明】 1〇, 2〇, 30, 50, 60 偏光光學元件的連續製造裝置 13，16，17, 23, 24, 27, 28 恆溫槽 14, 25 真空氣相沉積槽 -36- 200527007 3 3 , 34， 43, 47 恆 溫 槽 37, 62 氯 化 第 1 錫 溶 液 3 8, 63 第 1 槽 39, 67 氨 性 硝 酸 銀 溶 液 40, 68 第 2 槽 44, 78 防 反 射 膜 的 供 給輥 52, 75 透 明 膜 的 供 給 輥 54, 72 轉 寫 輥 6 1 局 次 結 構 的 膜 64, 69 導 輥 65, 70 去 濕 膜 66, 7 1 水 分 除 去 器 -37-