TW200525245A - Clad material for discharge electrodes and discharge electrode - Google Patents

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200525245 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於例如被使用作為液晶之背光源之螢光放電 管之放電電極及其電極材。 【先前技術】 在液晶裝置有使用小型之螢光放電管作為背光源。該螢 光放電管如圖7所示，具備有：玻璃管51，其在内壁面形 成有螢光膜（圖中未顯示），在其内部封入有放電用氣體（氬 氣等之稀有氣體和水銀蒸氣）；及放電電極 5 2，其構成被 設在該玻璃管5 1之兩端部之一對之冷陰極。上述放電電極 5 2具有一端開口之管部5 3，管部5 3之另外一端被端板部 5 4閉塞，成為杯狀地形成一體。在上述端板部 5 4熔接有 貫穿上述玻璃管5 1之端部被密封之軸狀支持導體5 5之一 端，該支持導體5 5之另外一端連接有引線5 7。上述支持 導體5 5 —般由鎢（W )形成，通常在大氣中利用雷射與放電 電極52熔接。 上述放電電極5 2習知者以純N i形成，其大小在背光源 等之小型螢光放電管用者，例如内徑1 . 5 m m程度，全長5 m in 程度，管部53之壁厚0.1mm程度。該放電電極之形成通常 是對具有厚度與上述管部之壁厚同等之純N i薄板，進行深 引伸成形，藉以成形為一體。 如上所述，螢光放電管用之放電電極，利用成形性良好， 材質穩定之純N i形成，但是會有燈泡之壽命較短之問題。 亦即，螢光放電管在點亮時，離子等衝撞在電極，產生從 5 312XP/發明說明書(補件)/9屯03/9313牝55 200525245 電極金屬放出原子之現象（藏射）。由於該藏射使電極金屬 消耗，另外，被放出之電極金屬之原子，與被封入在玻璃 管内之水銀結合，因而消耗玻璃管内之水銀蒸氣。在先前 技術中，用以形成電極金屬之 N i，濺射時之原子放出量 多，亦即濺射率高，水銀之消耗大，所以放電管之壽命容 易變短為其問題。 因此，近年來如日本專利特開2 0 0 2 - 1 1 0 0 8 5號公報（專利 文獻1 )所記載之方式，試著以選自濺射率較低之鈮（N b)、 鈦（Ti)、鈕（Ta)或該等之合金之金屬，用來形成放電電極。 專利文獻1 :日本專利特開2 0 0 2 - 1 1 0 0 8 5號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 但是，T i因為會吸收被封入在螢光放電管之放電用氣 體，所以不適於作為電極材，另外，Ta因為是非常高價格 之金屬材，所以不適於大量生產品。Nb沒有此種缺點，但 是價格仍然比N i高。另外，N b具有高融點（2 7 9 3 °C )，在 與同為高融點金屬之W (融點3 6 5 3 °C )之支持導體熔接時， 需要以高溫進行熔接，所以在熔接部容易形成較強固之氧 化膜。在附著有該氧化膜之狀態，當將熔接有支持導體之 放電電極密封在玻璃管内時，在放電中氧化膜之分解所產 生之氧和管内面之螢光膜進行反應，使螢光膜劣化。因為 需要有除去步驟，用來除去在支持導體之熔接後形成在電 極表面之氧化膜。 本發明針對上述之問題，其目的是提供放電電極材和以 6 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134655 200525245 該放電電極材形成之放電電極，可以獲得與以純Nb或Nb 為主成分形成之放電電極同等之哥命’放電特性’而且與 支持導體之熔接性優良，所以不需要熔接後之氧化膜除去 步驟，和可以降低材料成本。 (解決問題之手段） 本發明人詳細地觀察經過螢光放電管之使用壽命後之 N b製放電電極之消耗狀態，發現杯狀放電電極之内面側底 部選擇性地耗損1 0〜2 0 // m程度。因此，本發明人發現要滿 足螢光放電管之使用壽命時，可以在杯狀放電電極之端板 部和管部之厚度之内面側，以N b形成至少2 0 // m程度之壁 厚，其外側可以以熔接性良好之耐氧化性金屬形成。本發 明根據此種見識而開發完成。 亦即，本發明之一形態之放電電極用包覆材包含：基層， 其以純Ni或Ni為主成分之Ni基合金形成；及表層，其接 合在上述基層，以純Nb或Nb為主成分之Nb基合金形成； 上述表層之厚度為20/im以上，100//m以下。 依照該2層包覆材時，因為只有表層利用純Nb或Nb基 合金（以下，在不特別區別兩者之情況時，簡稱為「N b」） 形成，所以經由使包覆材之表層側形成為杯狀放電電極之 内面側，可以只在實質上施加放電之内面側部份，由 Nb 形成，可以降低材料成本。另外，上述表層因為其厚度為 2 0 #丨丨]以上，1 0 0 // in以下，所以可以確保與全體由純 N b 或Nb為主成分之Nb基合金形成之放電電極同等之壽命。 另外，因為基層以純N i或N i基合金（以下，在不特別區別 7 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93 ] 34655 200525245 兩者之情況時，簡稱為「N i」）形成，所以耐氧化性和與支 持導體之熔接性優良，可以省略氧化膜除去步驟，所以可 以降低製造成本。 上述包覆材之基層，不只限於N i亦可以以不銹鋼形成。 不銹鋼之耐氧化性良好，與Nb之接合性亦極優良。因為在 放電電極之外面側部實質上不施加放電，所以上述基層即 使以不銹鋼形成亦大致不會影響放電特性，當與由N i形成 之情況比較時，可以更進一層的降低材料成本。 另外，本發明之另一形態之放電電極用包覆材包含：基 層，其以純N i或N i為主成分之N i基合金形成；中間層， 其接合在上述基層，以鋼鐵材形成；及表層，其接合在上 述中間層，以純Nb或Nb為主成分之Nb基合金形成；上述 表層之厚度為20//m以上，100//m以下。 依照該3層包覆材時，中間層與基層，和中間層與表層 之接合性極為良好，所以可以更進一步的提高表層之接合 性。另外，可以減少純N i或N i基合金之使用量。因為上 述中間層之表面/背面被表層，基層覆蓋，所以不需要很高 之耐氧化性，因此可以以鋼鐵材形成。另外，因為不銹鋼 之壓製成形後之成形品之強度良好，所以上述中間層最好 以不銹鋼形成。 另外，使上述基層包含單獨或複合之Nb、Ta為1.0〜12·0 質量％，其餘部份由N i和不可避免之雜質所構成之N i基合 金形成。經由添加指定量之N b、T a，可以提高對水銀蒸氣 之耐蝕性，可以提高放電電極之耐久性。 8 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313465 5 200525245 另外，在上述2層包覆材中，使上述基層成為帶板狀， 在其幅度方向之兩端部間，亦即在中央部可以接合至少一 排之沿著長度方向之帶狀之表層。同樣的，在上述3層包 覆材中，使上述中間層成為帶板狀，在其幅度方向之兩端 部間，可以接合至少一排之沿著長度方向之帶狀之基層和 表層。 依照此種方式，在2層包覆材之情況，經由將表層配置 在帶板狀基層之幅度方向中央部，或在 3層包覆材之情 況，經由將基層和表層配置在帶板狀中間層之幅度方向中 央部，可以利用其兩端部作為壓製成形時之板壓部或傳送 部。另外，因為表層（2層包覆材之情況）或表層和基層（3 層包覆材之情況）之接合區域變小，所以N b或N i之使用量 可以更進一步的減少。 在上述2層包覆材中，最好使上述表層之厚度對上述基 層和表層之全體厚度成為70%以下。又，在上述3層包覆 材中，較佳為使上述表層之厚度對上述基層、中間層及表 層之全體厚度成為7 0 %以下。 純 N b或 N b基合金是降伏點延伸很大之金屬，當將 N b 之板材深引伸成形為杯狀時，在杯之管狀壁形成呂德 (Luder’s)帶，容易在管狀壁之内面形成凹凸。當形成有該 凹凸時，在深引伸成形時，成形衝孔侵入到凹凸之凸部， 有損壓製成形性，在嚴重之情況時變成不能成形。與此相 對的，使基層（2層包覆材之情況）或基層和中間層（3層包 覆材之情況）接合在以N b形成之表層，經由以該等層作為 9 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134655 200525245 表層之備份層，可以抑制表層之變形，可以 生由於呂德帶引起之凹凸。因此，可以確保 形性。另外，當表層之厚度超過全體厚度之 設有上述備份層，要抑制凹凸之發生亦變為 製成形性降低。因此，表層之厚度較好是在全 以下，更好為6 0 %以下。 另外，本發明之放電電極利用端板部閉塞 管部之另外一端，上述管部和端板部被成形 管部和端板部之内側成為上述2層包覆材或 表面側，利用上述包覆材被壓製成形為一體 該放電電極因為是壓製成形品，所以生產 外，因為只有實質上施加放電之部位以Nb形 節省在不放電部位浪費之 Nb量，可以降低 外，與支持導體之熔接性良好，不需要支持 氧化膜除去步驟。 【實施方式】 圖1表示本發明之第1實施形態之放電電， 材之剖面圖，該包覆材具備有：基層1，由純 主成分之Ni基合金，或不銹鋼形成；表層ί 以Nb為主成分之Nb基合金形成；上述表層2 擴散接合在上述基層1之上。純N i、N i基合 耐氧化性良好，和冷加工性優良，深引伸性 上述Ni基合金之Ni量為80質量％以上，更 %以上，另外上述Nb基合金之Nb量為90質| 3UXP/發明說明書(補件)/94-03/93134655 防止在表層產 良好之壓製成 7 0 %時，即使 困難，所以壓 體厚度之7 〇 % 一端被開放之 為一體，上述 3層包覆材之 〇 效率優良。另 成，所以可以 材料成本。另 導體熔接後之 極用2層包覆 Ni或以Ni為 ί，由純N b或 被滾製壓接， 金，不銹鋼其 亦良好。 好為8 5質量 ί %以上，更好 10 200525245 為9 5質量％以上。上述N i基合金可以使用包含單獨或複合 之Nb、Ta，包含1.0〜12.0質量％，其餘部份為Ni和不可 避免之雜質所構成之Ni-Nb合金，Ni-Ta合金，Ni-Nb-Ta 合金。N b、T a假如具有此種程度之添加量時，不會損害成 形性，和可以提高對水銀蒸氣之耐蝕性為其效果，和可以 提高電極之耐久性。另外，亦可以使用含有2. 0〜1 0質量％ 之W，其餘部份實質上為由Ni構成之Ni-W合金。W亦與 N b、T a同樣地，可以提高對水銀蒸氣之耐蝕性。W可以與 N b和/或 T a —起複合添加，在此種情況 W量可以停止在 6. 0 %程度以下。 上述不銹鋼可以使用SUS304等之奥氏體（austenite)系 不銹鋼或SUS430等之鐵氧體系不銹鋼等之不銹鋼。該等之 不銹鋼其耐蝕性，耐氧化性，成形加工性比純 N i 或上述 N i基合金優良，與表層之擴散接合性亦優良。特別是奥氏 體系不銹鋼其冷加工性或成形後之強度非常優良，所以適 於使用。 由上述純Nb或Nb基合金形成之表層2，從放電電極之 消耗形態來看需要 2 0 // m，但是當考慮到安全性，和與其 他層之厚度或包覆材之全體厚度之平衡時，可以成為 20〜100//Π1程度，較好為40〜80//ITI程度。另外一方面，為 著確保深引伸成形性，使包覆材全體之厚度成為 0.1〜0.2mm程度，所以上述基層1可以考慮上述表層2之 厚度適當的設定藉以確保上述全體厚度。另外，從確保支 持電極之熔接性之觀點來看，可以成為2 0〜5 0 // m程度。另 11 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134655 200525245 外，上述基層1之作用是作為表層2之防止變形用備份層， 在深引伸成形時，為著確保良好之壓製成形性，可以使上 述表層2之厚度成為表層2和基層1之全體厚度之70 %以 下，較好為6 0 %以下。 另外，上述表層2如圖1所示，亦可以接合在基層1之 全面，但是亦可以如圖2所示，使基層1成為帶板狀之形 態，除了其幅度方向之兩端部外，只有在中央部作為與Nb 構成之帶狀表層2接合之部份包覆材。在圖中所示之實例 中是具備1排之表層2，但是亦可以沿著基層之長度方向 配置多排。 在使用此種帶板狀包覆材，連續形成杯狀放電電極之情 況時，帶板狀包覆材之兩端部成為對壓製機之供給導引 部，在壓製成形時，被使用作為板壓部，其中央部被壓製 成形，成為連續之杯狀放電電極。在成形後，因為上述兩 端部份被廢棄，所以該部份不需要利用高價之Nb層覆蓋， 如上述之部份包覆材之方式，只在中央部形成表層即可。 利用此種方式之部份包覆材可以更進一步地降低材料成 本。實質上，在連續地深引伸成形外徑1 . 7mm程度，長度 5mm程度之杯狀放電電極之情況時，放電電極之成形所使 用之中央部（表層為1排之情況）之幅度成為8 m m程度，各 端部之幅度成為2mm程度。 圖3表示本發明之第2實施形態之放電電極用3層包覆 材之剖面圖，該包覆材具備有：基層1 1，其由純N i或N i 基合金形成；中間層1 3，其由鋼鐵材形成；表層1 2，其由 12 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134655 200525245 純N b或N b基合金形成；上述基層1 1與中間層1 3，和中 間層1 3與表層1 2互相被滾製壓接、擴散接合。上述鋼鐵 材可以使用不銹鋼。不銹鋼可以使用各種不銹鋼，但是為 著使成形後之強度成為優良，最好利用奥氏體系不銹鋼。 本實施形態之基層1 1和中間層1 3對應到第1實施形態 之基層1，當與基層1全部由純N i、N i基合金形成之情況 比較時，可以降低材料成本。另外，上述中間層1 3與基層 1 1，以及中間層1 3與表層1 2之擴散接合性亦極良好。 上述3層包覆材通常與上述第1實施形態同樣的，其全 體厚度成為0.1〜0.2mm程度，上述基層11只要能夠確保與 支持導體之熔接性即可，可以成為2 0〜5 0 // m程度。另外， 表層12成為如上所述之20〜100//m程度。 在該3層包覆材之情況，與上述2層包覆材之情況同樣 的，亦可以成為如圖4所示之部份包覆材。亦即，亦可以 使中間層1 3成為帶板狀，利用杯狀放電電極之成形，只在 包覆材之中央部，使基層1 1和表層 1 2接合在中間層 1 3 成為3層疊層體。 圖5表示使用第1實施形態之2層包覆材，圖6表示使 用第2實施形態之3層包覆材，進行深引伸成形所形成之 杯狀（有底筒狀）之放電電極。該等之放電電極是使一端開 放之管部21之另外一端，被與上述管部21形成一體之端 板部2 2閉塞，其内側部利用上述包覆材之表層2、1 2形成。 當作為放電電極使用之情況時，放電造成之消耗主要是放 電電極之底部内面，所以以N b構成之表層2、1 2形成放電 13 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134655 200525245 電極之内側，用來確保與只以Nb形成之放電電極同等之放 電特性，和螢光放電管之使用壽命，同時可以減少Nb使用 量，而且利用基層1、1 1可以使與支持導體之熔接變為容 易。 上述杯狀放電電極是以利用上述2層或3層包覆材，經 由衝孔加工所形成之圓板狀包覆材作為成形原材料，利用 壓製成形用來進行深引伸成形，但是亦可以在上述胚料材 之衝孔加工時，在使其一部份連結在胚料材之外周等之狀 態，於杯狀放電電極之深引伸成形後，使放電電極從連結 部分離。 下面說明上述包覆材之製造方法。 在2層包覆材之情況，在成為基層1之基體之Ni片，以 滾製壓接重合成為表層2之基體之Nb片。亦即，使N i片 和Nb片重合之重合材通過一對之滾製進行冷壓接。另外一 方面，在3層包覆材之情況，在成為中間層之基體之鋼鐵 片之一方之面，以滾製壓接重合成為基層之基體之Ni片， 在另外一方之面重合成為表層之基體之Nb片。滾製壓接之 壓下率通常為5 0〜7 0 %程度，壓接後以9 0 0〜1 1 0 0 °C程度之溫 度，保持數分鐘程度，施加擴散退火。擴散退火時，因為 N b與N 2，Η 2進行反應，所以最好在氬等之惰性氣體（稀有 氣體）之環境下或真空環境下進行。另外，亦可以在擴散退 火後，依照需要以冷軋進行精加工滾製，利用此種方式可 以調整板厚。另外，在精加工滾製後，亦可以依照需要使 材質軟化，以與上述擴散退火同樣之條件施加退火。 14 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-03/93134655 200525245 利用上述方式製造之包覆材依照需要被切斷成為適當之 幅度，然後利用被切斷之帶狀材，對胚料材進行衝孔加工， 將該胚料材供作壓製成形。另外，在圖2、圖4之部份包 覆材之情況時，使用被切斷成作為預定目的之帶狀板之幅 度之片狀材，施加滚製壓接、擴散退火、精加工滾製。 下面以實施例用來更具體的說明本發明，但是不應被解 釋成只限於該等實施例。 實施例1 在以純N i或不銹鋼（S U S 3 0 4 )形成之基層，擴散接合以純 N b形成之表層，以下面所述之要領製作2層包覆材之試料。 準備成為基層之基體之純N i片和不銹鋼片（兩片均為幅 度30mm，長度100mm，厚度1.0mm)，和準備成為表層之基 體之同幅度，同長度之純Nb片（厚度0. 5mm)，使其重合以 冷軋進行滾製壓接，用來獲得厚度0 . 6 m m之2層壓接片。 該2層壓接片在氬氣之環境中，以1 0 5 0 °C保持3分鐘，施 加擴散退火，用來獲得一次包覆材。退火後，以壓下率7 5 % 對上述一次包覆材施加冷軋，然後利用與上述退火相同之 條件施加退火，用來獲得二次包覆材。該二次包覆材之各 層之平均厚度成為基層0.1mm，表層0.05m。 另外，使純 N i之基層，不錄鋼（S U S 3 0 4 )之中間層和純 Nb之表層，以此順序地互相擴散接合，以下面所述之要領 製作3層包覆材之試料。 準備成為基層之基體之幅度 30mm，長度100mm之純Ni 片（厚度 0.8mm)，成為中間層之基體之同幅度，同長度之 15 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134655 200525245 不銹鋼片（厚度 0.8mm)，和成為表層之基體之同幅度，同 長度之純N b片（厚度0 · 8 m m )，使其重合以冷軋進行滚製壓 接，用來獲得厚度〇 . 7 5 m m之3層壓接片。利用與上述相同 之條件，對該3層壓接片施加擴散退火，用來獲得一次包 覆材。在退火後以壓下率 8 0 %對上述一次包覆材施加冷 軋，然後利用與上述退火相同之條件施加退火，用來獲得 二次包覆材。該二次包覆材之各層之平均厚度分別為 0 . 0 5 m m 〇 另外，準備作為比較用之厚度0 . 1 5 in m之純N i薄板，純 N b薄板和純Μ 〇薄板（總稱為「純金屬薄板」）。該等之薄 板在冷軋後，在氬氣環境中以1 0 5 0 °C保持3分鐘施加退火。 使用上述2層或3層之二次包覆材和純金屬薄板，如圖 5或圖6所示，對於外徑1.7mm，内徑1.5mm，管部長度5mm 之杯狀放電電極，不進行中間退火，經由8個步驟之引伸 加工進行深引伸成形。任一試料均未發生破裂等，可以沒 有問題地成形。對於包覆材，觀察放電電極管部之厚度方 向之剖面時，在各層之界面未發現有破裂。 另外一方面，準備作為熔接對象材之以純W形成之外徑 0 . 8 m m，長度2 · 8 m m之支持導體。進行將該支持電極對頭炼 接（b u 11 m i t e r )在杯狀放電電極之端板部2 2之外側面之 中央部。熔接條件如下所述，全部使用與熔接純N i製之放 電電極和上述W製之支持導體時之最佳條件相同之條件。 (1 )所使用之熔接機 對接熔接機：米亞幾德克斯製 IS-120B ，變壓 16 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134655 200525245 器：I Τ - 5 4 0 (圈數比：3 2 ) (2 )熔接條件

電壓：0 · 5〜1 . 0 V，電流：3 0 0〜8 0 0 A 使用熔接有支持電極之杯狀放電電極，以下面所述之要 領測定熔接部之熔接強度。利用拉伸試驗機，將放電電極 和支持導體分別把持在夾子，以相反方向拉伸，求得支持 導體脫離放電電極為止之最大拉伸強度作為熔接強度。熔 接強度實用上為1 0 0 N以上。 另外，從上述包覆材和純金屬薄板採取濺射試驗片（1 0 mm X 1 0 m m )，以下面所述之要領測定濺射速度。將所採取到之 試驗片之試驗面研磨成為鏡面。使用離子射束裝置（Veeco 公司製，型式：V E - 7 4 7 )，以上述試驗片作為靶材，在靶材 和基板之間施加電壓（5 0 0 V )，以一定時間（1 2 0 m i η )使氬離 子（1 . 3 χ 1 (Γ6 Τ o r r )加速衝撞在試驗面，進行濺射。在試驗 面掩蔽鏡面之一部份，形成非濺射部，在濺射後，在利用 濺射削去試驗片之鏡面部之濺射部和被掩蔽之非濺射部之 境面，形成高低差。使用接觸式粗度計（S 1 〇 a η公司製，型 式.· D E K T A Κ 2 A )測定該高低差，由下式求得濺射速度 (A / m i η ) 〇 滅射速度=高低差（A ) /激射時間（1 2 0 m i η ) 利用以上方式求得之熔接強度，濺射速度一起以表1表 示〇 17 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134655 200525245 [表1 ] 試料 No. 試料之構成 熔接強度 (N) 濺射速度 A / m i η 備考 1 純N i薄板 130 242 比較例 2 純Nb薄板 (不可熔接） 117 比較例 3 純Mo薄板 (不可熔接） 17 1 比較例 4 N i / N b包覆材 130 117 發明例 5 Ni/SUS/Nb包覆材 130 117 發明例 6 SUS/Nb包覆材 130 117 發明例 由表1可以瞭解，試料Ν ο · 4、5和6 (發明例）之包覆材 具備有優良之深引伸成形性，和因為熔接強度在 1 0 0 N以 上，所以具備有充分之熔接接合性，另外，濺射速度亦保 持與純Nb同等之特性。 另外一方面，在試料Ν ο · 1 (比較例）之純N i材，沒有溶 接性之問題，但是濺射速度高，有耐久性之問題，另外， 試料Ν 〇. 2和3 (比較例）之純N b材和純Μ 〇材因為融點高， 所以在上述熔接條件不能完全接合，熔接性會有問題。另 外，純鉬（Μ 〇 )材之濺射速度大，是高融點金屬，但是容易 由於滅射而消耗。 實施例2 在以純N i形成之基層（N i層），接合以純N b或純Μ 〇形 成之表層（Nb層或Mo層），以下面所述之要領製作2層包 覆材之試料。 準備成為基層之基體之幅度30mm，長度100mm之各種厚 度之Ni片，和成為表層之基體之同幅度，同長度之各種厚 度之純Nb片或純Mo片，使其重疊以冷軋進行滾製壓接， 用來獲得厚度0.6mm之2層壓接片。該2層壓接片在氬氣 環境中以1 0 5 0 °C保持3分鐘施加擴散退火，用來獲得一次 18 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134655 200525245 包覆材。在退火後以壓下率 7 5 %對上述一次包覆材施 軋，然後利用與上述退火相同之條件施加退火，用來 二次包覆材。該2次包覆材之全體厚度為0.15mm，各 料之基層（Ni層）和表層（Nb層或Mo層）之平均厚度以 表示。 另外，準備作為比較用之厚度0 . 1 5 m m之純N i薄板丨 之試料 N 〇. 1 1 )。該薄板在冷軋後，在氬氣環境中以 °C保持3分鐘施加退火。 其次從各個試料之包覆材和純 N i薄板採取濺射試 (1 0 m m X 1 0 m m )，以與實施例1同樣之條件，測定利用滅 去試料之板厚（0 . 1 5 m m )之全體所需要之時間。然後， 用濺射除去純N i薄板所需要之時間，除各個試料之除 間，用來求得除去時間比。其結果一起以表2表示。 另外，使用各個試料，與實施例 1同樣的，對於 1.7mm，内徑1.5mm，管部長度5mm之杯狀放電電極， 行中間退火，經由8個步驟之引伸加工進行深引伸成 以目視觀察成形品（杯狀放電電極）之管部之内面狀態 察之結果以表2 —起表示。 表2 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134655 加冷 獲得 個試 表2 :表2 1050 驗片 射除 以利 去時 外徑 不進 形。 〇觀 19 200525245 試 、1ί:Ι 厚度（/i m ) 表 層厚 除去時 深 引 jSy 性 料 No. Ni層 Nb層 Mo層 度 比（知） 間 比 伸 11 150 - - - 1 · 00 良 好 比 較 例 12 140 10 - 7 1 · 07 基 層 露 出 比 較 例 13 140 - 10 7 1 · 03 基 層 露 出 比 較 例 14 130 - 20 13 1 . 06 良 好 比 i交 例 15 130 20 - 13 1 . 14 好 發 明 例 16 90 60 - 40 1 · 43 良 好 發 明 例 17 50 1 00 - 67 1 . 71 較 微 凹 凸 發 明 例 18 40 110 - 73 1 · 86 多 數 凹 凸 比 較 例 由表2可以瞭解，試料Ν ο · 1 5、1 6和1 7 (發明例）之包覆 材，對於除去時間比，可以獲得比試料N 〇. 1 1之純N i薄板 良好之結果，和表層之厚度越大，而ί丨賤射性越高。另外， 對於深引伸成形性，試料Ν 〇. 1 5和 1 6可以獲得良好之結 果。試料Ν ο · 1 7在成形品之管部内面觀察到有由於呂德帶 引起之輕微凹凸，但是深引伸成形可以沒有問題的實施。 另外一方面，試料Ν ο · 1 2和1 3 (比較例）之包覆材，因為 表層薄至 1 0 // m，所以觀察到在成形品之内面未被表層覆 蓋之基層之露出部。另外，在試料 Ν ο · 1 4 (比較例），當與 深引伸性良好之表層厚度為同厚之試料 Ν ο · 1 5 (發明例）比 較時，濺射之除去時間比顯著的降低，確認Mo與Nb比較 時，耐濺射性會有問題。另外，試料 Ν 〇. 1 8 (比較例）因為 表層之厚度超過全體厚度之 7 0 %，所以深引伸成形性非常 低劣，確認在成形品之管部之内面具有多個凹凸，其結果 是成形衝孔侵入到上述凹凸之凸部，不能對作為目的之杯 狀放電電極進行深引伸成形。 【圖式簡單說明】 圖1表示本發明之第1實施形態之放電電極用包覆材之 主要部份剖面圖。 20 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134655 200525245 圖2表示本發明之第1實施形態之放電電極用部份包覆 材之橫向剖面圖。 圖3表示本發明之第2實施形態之放電電極用包覆材之 主要部份剖面圖。 圖4表示第2實施形態之變化例之放電電極用部份包覆 材之橫向剖面圖。 圖5是本發明之第1實施形態之螢光放電管用放電電極 之縱向剖面圖。 圖6是本發明之第2實施形態之螢光放電管用放電電極 之縱向剖面圖。 圖7是具備有先前技術之螢光放電管用放電電極之螢光 放電管之主要部份剖面圖。 【主要元件符號說明】 卜1 1 基 層 2 ' 1 2 表 層 13 中 間 層 21 管 部 22 端 板 部 21 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134655

Claims (1)

1. 200525245 十、申請專利範圍： 1 . 一種放電電極用包覆材，其包含： 基層，其以純鎳或鎳為主成分之鎳基合金形成；及 表層，其接合在上述基層，以純銳或銳為主成分之銳基 合金形成； 上述表層之厚度為20//m以上，100/zm以下。 2. —種放電電極用包覆材，其包含： 基層，其以不銹鋼形成；及 表層，其接合在上述基層，以純銳或銳為主成分之銳基 合金形成； 上述表層之厚度為20//m以上，100//m以下。 3. —種放電電極用包覆材，其包含： 基層，其以純鎳或鎳為主成分之鎳基合金形成； 中間層，其接合在上述基層，以鋼鐵材形成；及 表層，其接合在上述中間層，以純鈮或鈮為主成分之鈮 基合金形成； 上述表層之厚度為20//m以上，100//m以下。 4. 如申請專利範圍第3項之放電電極用包覆材，其中上 述鋼鐵材為不銹鋼。 5 .如申請專利範圍第1項之放電電極用包覆材，其中上 述基層包含單獨或複合之鈮、钽為 1 . 0質量％以上、1 2 . 0 質量％以下，其餘部份由鎳和不可避免之雜質所構成之鎳基 合金形成。 6 .如申請專利範圍第2項之放電電極用包覆材，其中上 22 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134655 200525245 述基層包含單獨或複合之鈮、鈕為 1 . 0質量％以上、1 2. 0 質量％以下，其餘部份由鎳和不可避免之雜質所構成之鎳基 合金形成。 7 .如申請專利範圍第3項之放電電極用包覆材，其中上 述基層包含單獨或複合之鈮、钽為 1 . 0質量％以上、1 2 · 0 質量％以下，其餘部份由鎳和不可避免之雜質所構成之鎳基 合金形成。 8. 如申請專利範圍第4項之放電電極用包覆材，其中上 述基層包含單獨或複合之鈮、鈕為 1 . 0質量％以上、1 2 · 0 質量％以下，其餘部份由鎳和不可避免之雜質所構成之鎳基 合金形成。 9. 如申請專利範圍第1、2、5或6項之放電電極用包覆 材，其中上述基層為帶板狀，在其基層幅度方向之兩端間， 接合有至少一排沿著長度方向之帶狀表層。 1 0 .如申請專利範圍第3、4、7或8項之放電電極用包覆 材，其中上述中間層為帶板狀，在其中間層幅度方向之兩 端間，接合有至少一排沿著長度方向之帶狀之基層和表層。 1 1 .如申請專利範圍第1、2、5或6項之放電電極用包覆 材，其中上述表層之厚度對上述基層和表層之全體厚度為 7 0 %以下。 1 2 .如申請專利範圍第3、4、7或8項之放電電極用包覆 材，其中上述表層之厚度對上述基層、中間層和表層之全 體厚度為7 0 %以下。 1 3. —種放電電極，其係利用端板部閉塞一端被開放之管 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134655 23 200525245 部之另外一端，上述管部和端板部被壓製成形為一體者； 上述放電電極由申請專利範圍第1至8項中任一項之包 覆材形成，上述管部和端板部之内側當作上述包覆材之表 層側。 1 4 . 一種放電電極，其係利用端板部閉塞一端被開放之管 部之另外一端，上述管部和端板部被壓製成形為一體者； 上述放電電極由申請專利範圍第1 1項之包覆材成形，上 述管部和端板部之内側當作上述包覆材之表層側。 1 5 . —種放電電極，其係利用端板部閉塞一端被開放之管 部之另外一端，上述管部和端板部被壓製成形為一體者； 上述放電電極由申請專利範圍第1 2項之包覆材成形，上 述管部和端板部之内側當作上述包覆材之表層側。 24 312XP/發明說明書(補件)/94-03/9313恥55