TW200419198A - Phase difference film and production method thereof - Google Patents

Description

200419198 玖、發明說明： [發明所屬之技術領域] *本發明係關於-種在影像顯示裝置、特別是液 裝置（LCD)等所適用之相位差薄膜及其製造方法。 [先前技術] 相位差薄膜（也稱為光學補償薄膜、補償片等 光學補償來實現液晶顯示裝置等之影像顯示裝置中之用 k幵與視野角範圍擴大時重要的構件。 、 、近年來，於使用前述相位差薄膜之光學補償中，為 達到更高度之補償’乃提出許多將光軸方向互異之複數層 體加以疊合之技術。例如，4 了達成特別是航空器材用： LCD視野角補償，已發現將A*相位差薄膜與〇七咖 相位差薄膜加以疊合是有效的做法（參見美國專利第 62661 14號說明書）。另外，也提出了以Apiate、〇_pi价 、c-Piate之積層的組合來達成LCD之視野角補償（參見美 國專利第5504603號說明書）。再者，也提出了使得液晶性 化合物所構成之補償層（相位差層）透過光配向膜做積層而 得之補償片（相位差薄膜）（參見例如日本專利特開2〇〇2_ 14233號公報卜又’前面所說的A_piate、〇_plate以及C-P1 ate皆為具有所謂單軸性光學異向性之層體。A_pia恍之 光軸係存在於面内方向’其光學特性條件若滿足下述式（I )的情況稱為P〇sitive(正的）A_plate，滿足下述式的情 況下稱為Negative(負的）A-Plate。 ηχ > ny = nz 6 200419198 nx < ny = nz ( Π ) 又’前述c-Plate之光軸係存在於與前述面内方 ΐ直之厚度方向上’其光學特性條件若滿足下述式叫的 為Ρ —(正的)C-Plate，滿足下述式(請情況下 牙冉為 Negative(負的）C-Plate。 nx = ny < nz (冚） nx = ny〉nz (IV ) h於上述式⑴〜(IV)中，nxm及m係表示前述層 在X軸、γ軸以及z軸方向之折射率…，前 ;Y軸之其中一者係在層體之面内展現最大折射率之轴方 =另-者係與該軸垂直之面内的軸方向。ζ軸係表示鱼 轴、Υ軸呈垂直之厚度方向。此外，對…ate而： ’先軸方向自面内方向以及z軸方向(與面内方向垂直之严 度方向）來看係呈現傾斜。 予 為了將前述複數之層體加以疊合，雖可考慮採用：使 相位差薄膜之方法、以及於單一之相位差薄膜上 賴之層體做積層之方法，但為了達成液晶顯示 ‘ 化’以後者之方法為佳。相位差薄膜中有利用 ;伸來賦予折射率異向性之拉伸薄膜以及將液晶性化合物 土佈於溽臈上並經過配向之塗佈薄膜等，而可在單一之相 位差薄膜上積層前述複數層體者為塗佈薄膜。近年來液曰 顯不裝置之進一步的薄型化與高性能化更殷切需 $ 光學異向性層與-層以±之相位差層的塗佈薄膜

別受到矚目。 W 200419198 於前述塗佈薄膜中，為了形成含有液晶性化合物之相 位差層’必、須將液晶性化合物朝特定之軸方向做配向。在 具體的方法上，有使用配向膜之方法(參見例如特開2〇〇2_ 14233號公報）以及使用配向基板之方法。 使用配向膜之方法的概要如下所述。亦即，首先準備 上面形成有光學異向性層之基材。在此基材方面可使用例 如透明、光學性等向之高分子薄膜等。其次，在前述光學 異向性層上塗佈配向膜形成用液形成平滑的膜。再者對該 膜施以摩擦處理或照光等來料液晶配向控制力，做絲 向膜。㈣’於該配向膜上塗佈液晶性化合物之溶液或熔 融之液晶性化合物等，形成相位差層。相位差層積層兩層 以上的情況，係於相位差層上進一步塗佈配向膜形成用液 ，之後重複進行與前述同樣的操作來形成配向膜以及相位 差層。 前述方法必須在每次形成相位差層時進行配向膜形成 製程，且必須施行摩擦處理或照光等處理。是以，材料以 及裝私數夕，铯費成本。又，一般由於光學異向性層係由 间刀子化合物所構成，所以容易受到配向膜形成用液中所 含有機溶劑等所侵蝕。目而，即使塗佈配向膜形成用液， 口亥液體會參入光學異向性層+，而無法發揮配向膜之功用 另方面’使用配向基板之方法概要如下所述。亦即 ，首先準備具有光學異向性之配向基板。其次，於其上塗 佈液曰曰性化合物之溶液或熔融之液晶性化合物等，形成相 200419198 位差層。另一方面’準備上面形成有光學異向性層之基材 。在此基材方面可使用例如透明、光學性等向之高分子薄 膜等。其次’在該光學異向性層上塗佈接著劑。接著，將 5亥相位差層與s亥接者劑貼合之後’去除前述配向基板（以下 有時也稱此操作為「轉印」）。於積層兩層以上之相位差層 的情況下，係於相位差層上進一步塗佈接著劑，於其上進 一步使得另外製作之相位差層轉印。 但疋’如述方法每次形成相位差層時需要將液晶性化 合物塗佈於配向基板之製程與轉印製程，相位差薄膜之製 k程序複雜且成本咼。又，每個相位差層均需準備配向性 不同之配向基板，因此材料成本會更為增高。又，基於成 本等考量，配向基板一般係使用拉伸塑膠薄膜（例如聚對苯 二甲酸乙二醇酯薄膜等），但存在著液晶性化合物之配向難 以任意控制之問題。 如上所述’不論是配向膜或配向基板之方法，皆存在 著製程多且材料成本也高之問題。又，由相位差薄膜之光 學功能的觀點考量，配向膜與接著劑等乃不希望者，為了 薄型化以儘可能省略為佳。 不使用配向膜與配向基板而可使得液晶配向之技術， 另〗疋使用偏光备、外線之方法到目前為止已有幾件被提出（ 例如可參見特表2002-5 17605號公報以及川月等jpn· j. PP1· Phys·，2002，Vol.41，ρ·198-200)。例如已揭示 了使用 由直線光聚合性聚合物與光聚合性液晶單體所成之混合物 來製作液晶配向層之方法。在此方法中，首先，於玻璃片 200419198 :塗佈前述混合物，其次照射偏光紫外線使 合。接著，將液晶單體利用非偏光之紫外線來硬化物= =具有與偏光紫外線之偏光面呈平行配向之液晶配向層( :人::ί 20ΓΓ76❹5號公報)°又’也有對光反應性液晶 :“物人液曰曰早體所得之混合物照射偏光紫外線，之後進 行熱處理來得到液晶配向層之方法（參 Λ Ί 〆 丨乃等Jpn· J.

Appl· Phys·，2002, V〇1.41，p.198-200)。 但是，前述例子之液晶配向層，皆是在破璃片等上單 獨形成，並非以薄膜上之相位差層的形式來製作。再者早 前述液晶配向層均是以單層來形成，並未舉出在光學異向 性層上形成相位差層之例以及使得相位差層重疊兩: 來形成之例。 [發明内容] 是以，本發明之目的乃在於提供一種能夠對於相位差 層之配向方向做高精度控制、且製造成本低之相位差薄膜 及其製造方法。 為了解決前述課題，本發明之相位差薄膜，係包含光 學異向性層與相位差層，該相位差層係含有經配向之液晶 性化合物；其特徵在於，於該光學異向性層上直接積層該 相位差層。 [實施方式] 其次，針對本發明之實施形態做說明。 本發明之相位差薄膜，由於光學異向性層上不經由配 向膜或接著劑即直接積層相位差層，所以可節省配向膜或 200419198 接著劑之材料成本。又，所節省之配向膜或接著劑等空間 可達成薄型化要求。x ’本發明中’係將光學異向性層中 直接積層於另-層之光學異向性層上且含有經配向之液晶 性化合物者稱為「相位差層」。 阳 本發明之相位差薄膜如前述係以光學異向性層與相位 差層為主要構成要素。首先針對相位差層做說明。 於本發明之相位差薄膜中，前述相位差層不限定於一 層，亦可復數層存在。各相位差層以不經由配向膜或接著 劑等而直接積層為佳。相位差層之數量並無特別限定，可 # 依據搭載相位差薄膜之液晶顯示裝置之液晶單元等 選擇。 。液晶性化合物若具有交聯構造則配向狀態可藉由此交聯 構造來固定，對於熱之安定性高，故為所希望者。又，美 於配向性良好少有配向缺陷之理由，以含有向列液晶性： 合物為佳。 於前述相位差層所含之液晶性化合物並無特別限定， 可使用例如棒狀液晶性化合物、平板狀液晶性化合物以及 該等之聚合物等。X，可單獨使用亦可混合兩種類以上使 用’為聚合物的情況可為均聚物或異聚物(共聚合物）。前 述聚合物可保留液晶性亦可藉由聚合或交聯而失去液晶性

前述液晶性化合物具體上可使用例如甲亞胺類、氧化 偶氮類、氰聯苯類、氰苯酉旨類、苯甲酸醋類、環己烧缓酸 苯酉旨類、氰苯環己烧類、氰取代苯基㈣類、烧氧基取代 苯基Μ類、苯基二域類、二苯乙炔類、脂稀基環己基 11 200419198 本甲f頰等之液晶性化合物以及該等之聚合物。 ::，液晶性化合物之配向方向並無特 為了於 μ方式來適宜㈣即可。例如 為了於扭轉向列（ΤΝ)型液晶顯干梦 ’ 液曰曰早元中達成良好之視野特性，其配 4 於光學盈而料^乂相對 所〜:: 斜為佳。此配向狀態有例如 斤口月的均傾角（homogeneous tilt)配6盥、曰氺 ’攸顯示特性與製造之容易性等觀點考量，以液 =

:::斜角度隨相位差層之厚度方向的位置做連續性變: 之此成配向為佳。X，為了得到良好之視野 液晶性化合物之配向方向的向量中之光學異向性芦面= 之向量成分以與光學異向性層之光轴呈正交為佳。夜曰性 化合物之配向方向隨相位差層之厚度方向的位置而； 配向狀態除了前述混成配向以外，尚有所謂的對掌性二 配向等。於VA型液晶顯示裝置中為了得到良好之視野自

補償以對掌性向列配向等為佳。此外尚可依據影像顯示裝 置之種類等來適宜選擇適當的配向狀態，例如可採用均等 配向或垂直均勻（homeotropic)配向等。 前述相位差層，基於容易保持液晶性化合物之配向方 向的理由，以進一步含有配向聚合物為佳。前述液晶性化 合物與前述聚合物之比並無特別限定，隨該等* μ寻物貝之種類 而不同，只要考慮相位差層之性能與製造容易性等來適宜 選擇即可。再者，前述相位差層亦可在不妨礙 个対礙本身功能的 範圍内適宜含有前述液晶性化合物以及前述聚合物以外之 12 200419198 物質。 /又，前述相位差層之光學特性並無特別限定，只要以 可得到最適當之光學補償的方彳 物的方式適宜設定即可，例如以且 有正的單軸性之折射率異向性為佳。 八 其次，針對前述光學異向性層做說明。 前述光學異向性層夕游# 層之形悲並無特別限定，可依據使用 本發明相位差薄膜之液晶顯梦 、 日日扇不衷置之種類與液晶顯示元件 之液晶單元等來適宜 、擇即可，例如，可選擇由高分子化 合物所構成之拉伸薄膜、塗佈膜等。前述塗佈膜例如可在 透明、光學等向之高分子薄膜等上形成來使用。 、前述拉伸薄膜並無特別限定，惟以含有熱塑性高分子 為佳’熱塑性南分子可單獨使用亦可併用兩種類以上。熱 塑性高分子可舉出例如聚稀烴（聚乙烯、聚丙烯等）、聚降 冰片烯系聚合物、聚酯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯腈 :聚碾、聚丙烯酸酯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸酯、聚丙 烯酸酯、纖維素酯以及該等之共聚物。又，尚可舉出特開 2001-343529號公報（貿〇〇1/37〇〇7)所記載之聚合物薄膜。 做為此聚合物材料，可使用之樹脂組成物為例如含有側鏈 具有取代或非取代之醯亞胺基之熱塑性樹脂與側鏈具有取 代或非取代之苯基與硝基之熱塑性樹脂而成者，例如可舉 出樹脂組成物中含有由異丁烯與N—甲撐馬來醯亞胺所構 成之父互共聚物以及丙烯醯腈一苯乙烯共聚物。又，前述 聚合物薄膜亦可為例如前述樹脂組成物之擠壓成形物。 前述塗佈膜之形成材料，可使用例如各種高分子化合 13 200419198 物或液晶性化合物等，可單獨使用亦可併用兩種類以上。 液晶性化合物之種類及其配向狀態等並無特別限定， 與前述相位差層同樣。又，前述高分子化合物並無特別限 定，可使用例如聚醯胺、聚醯亞胺、聚醋、聚（驗⑷ 醯胺-醯亞胺)以及聚(醋—醯亞胺)等…此處聚(心 、聚m胺—醯亞胺)以及聚(酯—醯亞胺)分別意指含 與碳基之高分子化合物、含有醯胺鍵與醯亞胺鍵之高分子 化合物、以及含有醋鍵與醯亞胺鍵之高分子化合物 ，針對該等高分子化合物做更具體的說明。 前述聚醯亞胺可舉出例如面内配向性高、可溶解 機溶劑之聚醯亞胺。例如於特表2000_51 1296號公報所： 不之由9,9—雙（胺基芳基）苟與芳香族四叛酸二野之縮合取 合產物，具體而言，可舉出含有i個以上之以下二： 表示之反覆單位之聚合物。 R6

⑴ 於前述式⑴中，R3〜R6係獨立擇自氫、_素、笨美 以1〜4個齒原子或ci〜ίο烷基所取代之笨基、以及c 土 基所構成群中至少一種取代基。較佳為 〗。 *素、本基、以丨〜4個鹵原子或Ci i〇烷基所取代之 200419198 基、以〜貌基所構成群中至 於前述式⑴中，之係例* c6之4取 佳為均苯四γ酸基、多产 20 饧芳香族基，較 衍生物或是以下述式(2)二:::基、多環式芳香族基之 (2) 於前述式（2)中，z，係例 〜D7 、〇原子、S原子、so其c^鍵、C(R)2基、co基 數的情、兄下^ 2 土 1(C2H5)2基或是NR8基，複 数的It况下，彼此可為相 整數。R7係分別獨立夺_ 。。又，W係表示U0之 …奶表不氧或C(R9W8係表示氫、碳原 子數1〜約20之烷基、或er # 、 6〜20方基，複數的情況下，彼 此可^目同或不同。R9係分別獨立表示氫、說或氣。 〜别迹多壤式芳香族基可舉出例如自萘1、苯苗或· 所何生之4價基。x，前述多環式芳香族基之取代衍生物 ’可舉出例如以擇自C】~】〇之烧基及其氣化衍生#、^ci 等之齒素所構成群中至少一種基所取代之前述多環式芳香 族基。 除此以外，尚可舉出例如特表平8·5118ΐ2號公報所記 載之反覆單位係以下述通式（3)或（4)所表示之均聚物或反覆 單位係以下述通式（5)所表示之聚醯亞胺等。又，下述式（5) 之聚醯亞胺係下述式（3)之均聚物之較佳形態。 15 200419198

於前述通式（3)〜（5)中，G以及G，係表示自例如共價鍵 、ch2 基、c(ch3)2 基、C(CF3)2 基、C(CX3)2 &(χ 為鹵素） 、CO基、〇原子、s原子、s〇2基、Si(CH2cH3)2基以及

N(CH3)基所構成群分別獨立選出之基，彼此可為相同或不 同0 於前述式（3)與式（5)中，l係取代基，d以及e係表示 其取代數。L係例如鹵素、ci 3烷基、cN3 _化烷基、笨基 或取代苯基，複數的情況下，彼此可為相同或不同。前述 取代苯基，可舉出例如具有擇自鹵素、CN3烷基、Ck3鹵 音：二ψ構成群尹至少一種取代基的笨基。又，此處之鹵 素可舉出例如· 衫 、、 、氯、溴或碘。ci係0〜2之整教，e係〇〜3 16 200419198 之整數。 於前述式⑺〜(5)中，Q係取代基，f係其取代數。在Q 方^’可舉出例如擇自素、烧基、取代烧基、石肖基 、亂基、硫院基、烧氧基、芳基、取代芳基、院醋基、以 及取代烷酿基所構成群之原子或基，"為複數的情況下 ，彼此可為相同或不同。在前述鹵素方面可舉出例如氟、 氯、:臭與碘。前述取代烷基可舉出例如_化烷基。又前述 取代芳基’可舉出例如函化芳基。f係0〜4之整數，笆以及 h係分別為〇〜3、1〜3夕敏叙 ^ 巧u 3 1 3之整數。又，g以及h以較i為大 佳。 前述式（4)中，！^與^係自氫、齒素、苯基、取代苯 基烷基、以及取代烷基所構成群分別獨立選出之基。當 中，R與R11又以彼此獨立之鹵化烷基為佳。 於前述式（5)中，Μι與M2係相同或不同，例如為齒素 ^ Cl_3函化烧基、苯基或取代苯基。在前述鹵 素方面可舉出例如氟、，氯、溴與碘。前述取代苯基，可舉 出例如具有擇自函素、Ci_3烷基、鹵化烷基所構成： 中至少一種取代基的苯基。 該^等聚醯亞胺當中，尤以例如2,2—雙（3,4 一二鲮基苯 基Y f氟丙烷二無水物與2,2 一雙（三氟甲基）一4,4，—二胺 土如苯進行反應所得之聚芳族醯胺酸進一步醯亞胺化所得 χκ 亞月女，亦即以下述式⑹所表示之聚酿亞胺為特佳。 17 (6) 200419198

又，該等聚醯亞胺之醯亞胺化率並無特別限定，以愈 高愈佳，理想上為100%，前述式（1)〜(6)係表示醯亞胺化 率為100%之狀態之式。 八〜π匁隹吳國寻利第 書 5071997號公報、美國專利第5480964號公報以及特表平 10-508048號公報等所記载之聚醯亞胺。再者，可舉出例 如使得前述骨架(反覆單位)以外之酸二肝或二胺經適宜的 共聚所成之共聚物。 在前述酸二肝方面可舉出例如芳香族四㈣二軒。今 芳香族四叛酸二野可舉出例如均苯四甲酸二酐、二苯甲 四羧酸二if、萘四叛酸二酐、雜環式料族四㈣ 2,2’一取代聯苯四羧酸二酐等。 在均苯四甲酸二肝方面，可舉出例如均 、3,6—二苯基均苯四甲酸二 吹—酐 曱酸二酐―漠均笨二5，::雙^ 曱酸…。在二笨〜二二氣均笨四 现酉夂一酐方面，可嚴φ 乂 3,3’4,4’一二苯曱酮四後酸- 丨〗如 文一酐、2,3,3’4，一 二笨甲 _ 酸二酐、2,2，，3,3，一二笨甲 甲S同四羧 T _四羧酸二酐等。在 羧酸二酐方面，可舉出例如 ，】达奈四 1，2,5,6—萘四羧酸二酐、26 π四竣酸二酐、 二針等。在前述雜環式芳悉：二氯—蔡—Μ，5,8〜四敌酸 督麵四羧酸二酐方面，可舉出例 18 200419198 如_吩一2,3,4,5—四羧酸二酐、吡嗪—2,3,5,6—四羧酸二 =、卩比咬一2,3,5,6—四羧酸二酐等。在前述2,2，—取代聯 苯四羧酸二酐方面，可舉出例如2,2，—二溴—4 4, 5 5，— 聯苯四叛酸二酐、2,2，—二氯_4,4，，5,5，—聯苯四緩酸二奸 、2’2’-雙（三氟甲基）—4,4’，5,5，—聯苯四㈣二野等。 又，在前述芳香族四敌酸二針之其他 出-聯苯四叛酸二針、雙一基:基舉) u又(2,5,6—二氟-3,4-二羧基苯基)曱酸二酐、 ，雙（3,4—二㈣苯基）—i从3,3,3—六1丙酸 ，4—(3,4—二幾基苯基卜2,2—二苯基丙酸二肝、雙（34 -二缓基苯基m二軒、4,4，—氧二鄰笨二甲 、餹 (3,4一二羧基苯基）磺酸二酐（3 彳， _ 雙 、4,4,一 [4,4，一豈丙叉—，，，4 —二笨硼四緩酸二酐) ^ 一（對苯基氧Μ雙CUP i ψ _ 、…，…基笨基)—N—曱胺上(二本二曱酸酐) 基笨基）二乙基矽烷二酐等。 * (，〜一羧 該等當巾，做為前料钱㈣n 代聯苯四羧酸二酐為佳，更佳 2,2〜取 4,4’，5,5，-聯苯四羧酸二酐佳「雙(三_甲基卜 4,4，，5,5，一聯苯四缓酸二野。為雙（三氟甲基卜 可舉Π述Γ方面，可舉出例如芳香族二胺，方 牛出本士二胺基二苯甲铜、 U方面 二胺、以及其他芳香族二胺。--私、雜環式芳香族 在前述苯二胺方面，可舉 基二胺、2,4—二胺基甲苯 丫列如鄰、間以及對苯 ，仏二胺基Ή氧基笨、 19 200419198 1，4 一二胺基一 2—苯基苯以及丨，3 一二胺基4 一氯苯等苯二 胺所構成群之苯二胺。在前述二胺基二笨甲酮之例方面， 可舉出2,2，一二胺基二苯曱酮以及3,3，—二胺基二笨甲酉同 等。在前述萘二胺方面，可舉出例如M一二胺萘、 二胺萘等。在前述雜環式芳香族二胺方面，可舉出例如 2,6—二胺吡啶、2,4一二胺吡啶、以及2,4一二胺基—s_ 三嗪等。 又，在前述芳香族二胺方面，尚有4,4，一二胺基聯苯 、4,4’一二胺基二苯曱烷、4,4，一（9_亞苟基）—二胺、2,2, 一雙（三氟曱基）一4,4，一二胺基聯苯、3,3,一二氣一 4,4,一 二胺基二苯基甲烷、2,2，一二氣一4,4，一二胺基聯苯、 2,2，5,5 —四氯聯苯胺、2,2一雙（4一胺基苯氧基苯基）丙烷 2,2雙（4一胺基苯氧基苯基）丙烷、2,2一雙（4一胺基苯 基）丙烧、2,2—雙（4~胺基苯基）-1，1，1，3,3,3-六氟丙院、 4,4 一 一胺基二苯醚、3,4,一二胺基二苯醚、丨，3 一雙（3 一 月女基本氧基）苯、丨，3 一雙（4 一胺基苯氧基）苯、1，4一0 一胺 基f氧基）苯、4,4,一雙（4 一胺基苯氧基）聯苯、七4，一雙（3 :胺基苯氧基)聯苯、2,2一雙[4_(4 一胺基苯氧基)苯基]丙 烧、2,2一雙[4~(4—胺基苯氧基）苯基]-1，1，1，3,3,3—六氟 、元4’4、 一胺基二苯基硫醚、4,4,一二胺基二苯楓等。 在則述♦驗1同方面可舉出例如特開號公報 載之以下述通式（7)所表示之聚芳基醚酮。 20 200419198

於前述式（7)中，X係表示取代基，q係表示其取代數 。X係例如齒原子、低級烷基、_化烷基、低級烷氧基、 或疋A化烷氧基，當X為複數的情況下，彼此可為相同或 不同。 在前述IS原子方面可舉出例如氟原子、溴原子、氯原 子以及姨原子’該等當中又以氟原子為佳。在前述低級院 基方面，以例如具有C1〜6之直鏈或支鏈之低級烷基為佳， 更佳為C】〜4之直鏈或支鏈烷基。具體而言，以甲基、乙基 、丙基、異丙基、丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基為 佳更佳為甲基與乙基。在前述鹵化烧基方面，可舉出例 如三氟甲基等之前述低基烷基的鹵化物。在前述低級烷氧 基方面’以例如C1〜0之直鏈或支鏈之烷氧基為佳，更佳為 ci〜4之直鏈或支鏈烷氧基。具體而言為曱氧基、乙氧基、 丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基^三 、Γ ^ 更佳為曱氧基與乙氧基。在前述_化烧氧基方 面’可舉出例如三氟曱氧基等之前述低級烷氧基的_化物 〇 於刖述式（7)中，q係0〜4之整數。於前述式（7)中， 〇 5 且 ^ +衣之兩端所鍵結之羰基與醚之氧原子彼此係以 對位的方式存在較佳。 ” 又，於前述式（7)中，Ri係以下述式（8)所表示之基，爪 21 (8) 之整數

於前述式（8)中，χ 一 、 之X相同。於前述 ^不取代基，例如與前述式⑺ 可為相同或不同 ，當Χ’為複數的情》兄下，彼此 q，=0為佳。又，二糸表示X，之取代數，為0〜4之整數， p為〇或1之整數。 於前述式（8)中， 香族基可舉出例如鄰上表示2價之芳香族基。此2價芳 链邶 „ . 間或對苯撐基、或是自萘、聯笨、 恩、鄰、間或對三聯1、# >， 承非、二苯呋喃、聯苯醚、或是聯 苯楓所竹生之2價其望 、基丰。该# 2價之芳香族基中，與芳香 族t接鍵結之氫亦可+ a m 、 a大身 由齒原子、低級烷基或是低級烷氧基 所取代”亥等虽中，在R2方面，以擇自下述式（9)〜（15)所 構成婵之芳香族基為佳。 22 (10) (9>

(1 1)

(12)

(15) (13)

(14〉 翁警 於前述式（乃中 } 於下述汉較佳為以下述式（16)所表示之基，

(16) 再者’於前述式φ， 乂么+二 之範圍，較佳為5〜500之;1 圍聚合度，例如2〜5000 之反覆單位所形成者，二又’其聚合可為相同構造 者。若為後者的情況，同構造之反覆單位所形成 亦可為無規聚合。&覆早位之聚合形態可為嵌段聚合 式⑺所表示之聚芳_之末端，對四敗 本樓基側為氣，氧燒揮基側為氣原子較佳，此種聚芳謎 23 200419198 酮可以例如下述通式（17)所表示。又，於下述式中，η係 表示與前述式（7)同樣之聚合度。

以前述式（7)所表示之聚芳醚酮之具體例可舉出例如下 述式（18)〜（21)所表示者，於下述各式中，η係表示與前述 式（7)同樣之聚合度。

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務。鲁餐。F V (2 0)

(2 1) 前述聚醚酮方面，尚可使用特開2〇〇1_64226號公報所 記載之含氟聚芳基趟|同等。 又，在聚醯胺或聚酯方面，可舉出例如特表平ι〇_ 508048號公報所記載之聚醯胺或聚酯，該等之反覆單位能 以例如下述通式（22)所表示。

(22) 於前述式（22)中，Y係〇或NH。又，E係例如擇自共 價鍵、C2烷撐基、齒化c2烷撐基、CH2基、C(CX3)2基（此 處X係表示鹵素或氫）、CO基、〇原子、s原子、S02基 、Si(R)2基以及n(R)基所構成群中至少一種的基，彼此可 25 200419198

相同亦可不同。於前述E中，R 栌其夕$ , 1-3況暴以及Cl-3鹵化 院暴之至少一種，相對於藉其 對位。 對於殃基吕此基或Y基係處於間位或 -又，於前述式（22)中，A以及A，係取代基，t以及 不分別之取代數。又’ p係〇〜3之整數、q係Μ之整數 、1*係〇〜3之整數。 前述A係例如擇自氫、齒素、CK3烧基、Cn3齒化烷 基以OR(此處R係前述定義者）所表示之烧氧基、芳基、 ㈣^匕等所得之取代芳基、Ci 9院氧基幾基、Ci.9㈣鲁 ‘基乳基、Ci i2芳基氧幾基、芳基幾基氧基其及取代 何生物、CV12芳基胺基甲醯基、以及CM2芳基罗炭基胺基其 及取代衍生物所構成之群，為複數的情況，彼此可為相同 或不同。前述A，係例如擇自鹵素、Ci 3烷基、Ci 3鹵化烷 基、笨基以及取代苯基所構成之群，為複數的情況，彼此 可為相同或不同。前述取代苯基之苯環上的取代基，可舉 出例如函素、Cu烷基、ci〇鹵化烷基以及該等之組合。 前述t係〇〜4之整數，前述“系〇〜3之整數。 · 以前述式（22)所表示之聚醯胺或聚酯之反覆單位中又 以下述通式（23)所表示者為佳。

於前述式（23)中，A、A，以及γ係前述式（22)所定義者 ’ v係〇〜3之整數，較佳為〇〜2之整數。x以及y分別〇 26 200419198 或1，但不可同時為〇。 亦即厚度減少的觀點 ’基於可成為薄膜且 以含有聚醯亞胺為佳 刖述光學異向性層，從薄膜化、 考量，以含有液晶性化合物為佳。又 可展現雙軸性之光學異向性等理由， 前述光學異向性層之光學特性並無特別限定，可為單 軸性亦可為雙軸性’可依據相位差薄膜之使用目的做適宜 的設定以得到最適當的效果。例如，於垂直配向(va型)液 晶顯示裝，之液晶單元中為了實現良好之視野角補償，以 . 具有負的單軸性之折射率異向性為佳。在其他例子方面， 前述光學異向性層以具有雙軸性之折射率異向性來補償來 自斜向之偏光元件的軸偏。 又，前述光學異向性層以與透明基材上形成為佳。前 述透明基材之材質並無特別限定，可使用例如高分子薄膜 等。高分子薄膜所能使用之聚合物並無特別限定，以聚對 苯二甲酸乙二醇酯、聚對萘二甲酸乙二醇酯等之聚酯系聚 合物、二乙醯纖維素、三乙醯纖維素等之纖維素系聚合物 馨 、聚甲基丙烯酸曱酯等之丙烯酸系聚合物、聚苯乙烯、丙 烯腈一苯乙烯共聚物樹脂）等之苯乙烯系聚合物、雙酚 A—碳酸共聚物等之聚碳酸酯系聚合物、聚乙烯、聚丙稀 、乙烯一丙烯共聚物等之直鏈或支鏈狀聚烯烴、聚降冰片 稀等之含有環式結構之聚烯烴、氯乙烯聚合物、尼龍、芳 香族聚酿胺等之醯胺系聚合物、醯亞胺系聚合物、硼系聚 合物、聚醚楓系聚合物、聚醚醚酮系聚合物、聚苯硫系聚 27 合物、乙烯醇系聚合物 季繁八铷^ 心。碲朱合物、乙烯醇縮丁酸 父：：、丙稀酸s旨系聚合物、聚氧甲又系聚合物、以及 衣乳糸聚合物等為佳，該等 J早獨使用亦可併用兩種類以 八他，尚可使用前述特開2001·343529 _/37007)所記載之聚合物薄膜。 #“報 又’本發明之相位差薄膜能以各種方法製造，又以下 面所說明t本發明之製造方法來製造為佳。 (相位差薄膜之製造方法）

以下針對本發明之相位差薄膜之製造方法做說明。 本發明之相位差薄膜之製造方法，包含： 於光學異向性層上塗佈溶液(含有液晶性化合物以及會 和偏光紫外線反應之聚合物）之製程； 曰 將該洛液乾燥來形成相位差層之先驅層之製程；以及 對該先驅層表面照射偏光紫外線之製程。

使用配向膜之習知方法中，在配向膜形成用液方面係 使用含有會和偏光紫外線反應之聚合物的溶液，在相位差 層形成用液方面係使用含有液晶性化合物之溶液。此方法 中，係將前述配向膜形成用液塗佈於光學異向性層上，乾 之後β?、射偏光系外線來形成配向膜，進而於該配向膜上 塗佈前述相位差層形成用液，乾燥後形成相位差層。但是 ，如前述般，配向膜形成用液會滲入光學異向性層中，有 時無法發揮配向膜應有之功能。 本發明發現：若將同時含有液晶性化合物以及可和偏 光紫外線反應之聚合物的溶液塗佈於光學異向性層上，則 28 200419198 相車又於塗佈僅含有前述聚合物但不含前述液晶性化合物的 〉谷液的情況，可輕易發揮出液晶配向能力。是以，在本發 月之製造方法中’乃使得前述溶液乾燥來形成相位差層之 先驅層，並對其表面照射偏光紫外線，藉此，可形成配向 方向受到高精度控制之相位差層。 依據此製造方法，由於不需使用配向膜、配向基板、 接著劑等即可在光學異向性層上形成相位差層，所以可降 低材料成本。又，由於無須配向膜之形成製程與相位差層 之轉印製程，相對地製程數目可減少，可提升製造效率並 · 進一步降低成本。 ” 本發明之相位差薄膜之製造方法，以進一步包含使得 ，晶性化合物進行交聯之製程為佳。交聯方法並無特別Z 定，可為光交聯亦可為熱交聯，惟基於反應性高、容易控 制之理由，以非偏光紫外線所進行之交聯方法為佳。藉2 對先驅層表面照射非偏光紫外線，可使得液晶性化合：進

於形成相位差層之後，於其上進一步以同樣的方沒 成相位㈣’即可不使用配向膜或配向基板便在相位差 上直，積層另一層之相位差層。可重複同樣的方法積層 意數量之相位差層。 θ 本發明之相位差薄膜之製造方法具體上能以例如以 之方^來進行。不過，此不過是本發明之製造方法之— 施形態，本發明並不限定於此。 亦即，首先，製作光學異向性層。為了得到前述拉 29 200419198 4膜狀之光學異向性層，可採用例如以下的方法。首先 將剞述熱塑性问分子等之高分子化合物以擠壓成形法戈节 延製膜法等成形為高分子薄膜。進而，將該高分子薄=以 輥法縱向拉伸等來處理，可得到具有單軸性折射率異向= 之溥膜狀光學異向性層，藉由拉幅橫向拉伸或雙軸拉伸等 處理來得到具有雙軸性折射率異向性之薄膜狀光學異向性 層0 為了得到前述塗佈膜狀之光學異向性層，可採用例如 以下的方法。ΐ先’準備基材。在基材方面，以例如塑膠 基材等為佳，又，以透明基材、例如光學等向性高分子薄 膜等為佳。此高分子薄膜所使用之聚合物並無特別限定， 較佳者如前所述。另—方面，將前述聚醯亞胺等高分子化 合物溶解於溶劑中，調製溶液。溶劑只要可溶解前述高分 子化合物者即可並無特別限定，可使用例如乙酸乙醋、乙 -夂丙酉曰6酉文丁 、乙酸異丁酯、丙酸丁酯以及己内酯等 之酉旨類；丙酮、甲乙酮、甲丙綱、甲異丙嗣、甲異丁嗣、 二乙酮、環戊酮、環己酮以及甲基環己酮等之酮類丨甲苯 等之烴類’此等物質可單獨使用亦可併用兩種類以上。 接著，若將溶液塗佈於前述基材上，以加熱等來乾燥 ，即可得到顯現厚度方向之相位差（Rth)之滿足nx=ny>nz 的塗佈膜（亦gp具有負的單軸性折射率異向性之光學異向性 層）。再者，若將此光學異向性層在基材上拉伸或是收縮來 賦予平面内之分子配向，即可得到具有nx>ny>nz(或是 ny>nx>nz)之特性的塗佈膜（亦即具有雙軸性折射率異向性 30 200419198 可適宜 流延製 之光學異向性層）。此處，塗佈方法並無特別限定 採用旋塗法、幸昆塗法、流塗法、印刷法、浸塗法 膜法、棒塗法、照相凹版印刷法等來進行。 入，社尽發明中 光學異向性層、相位差層等在χ軸、γ軸以及Z軸方向: 射率。其中，X軸與γ軸中之—者係於前述薄膜或層之1 内顯現最大折射率之軸方向，另-者為與該軸垂直之面】 的軸方向。再者，Z軸係表示與χ軸、γ軸呈垂直之厚」

方向。 ，其次’於前述光學異向性層上形成相位差層。亦即， :先調製出含有液晶性化合物以及可和偏光紫外線反庫之 ::物的溶液。液晶性化合物與聚合物之混合比並無特別 疋依據物貝之種類而不同，例如以質量比計9 : 1〜1 · 1 ’較佳為5 : 1〜3 : 1。 此處所使用之液晶性化合物只要是可塗佈者即可並無 =別限定，例如前述各種液晶性化合物以及該等之聚合物

又，前述聚合物只要在分子鏈中含有可和偏光紫外線 應之官能基即可並無特別限定，可適宜使用基於特定 外聚合物。在前述官能基方面，可舉出例如對於偏光紫 p、、1頌現一聚反應之肉桂醯基、香豆素基、苯丙烯醯基、 ^及顯示光異構化反應之偶氮基等。 *然後，將此溶液塗佈於前述光學異向性層上，使其乾 刼來形成相位差層之先驅層。進而，照射偏光紫外線使得 31 200419198 前述聚合物反應’同時使得液晶性化合物配向。 此處，液晶性化合物之配向方法可藉由改變所照射之 偏光务、外線之入射角度來任意控制。例如，在彎曲（七⑶旬 配向之OCB類型之液.晶單元用視野角補償上，必須使得液 晶配向成為與前述光學異向性層之正的異向性光軸成為正 父，進而調整為液晶在相位差層之厚度方向上傾斜之配向 形態。此種情況，係使得偏光紫外線之偏光面相對於光學 異向性層之正的異向性光軸呈正交或平行，進而使得入射 角度相對於相位差層平面呈傾斜。又，此時，前述光學異 向丨生層了成為例如顯示正的單轴性A-Plate相位差特性之 光學異向性層、或是同時兼具A_piate成分與負的c_piate 成分之特性的雙軸性光學異向性層。 再者，可依必要性對前述液晶性化合物進行加熱或照 光等處理來交聯形成相位差層。 又，當相位差層含有液晶性化合物之聚合物的情況， 可在溶液調製時使用聚合物，或是亦可先調製出單體溶液 在藉由加熱或照光等處理來交聯之際同時聚合。 ^雖可藉由上述方式來製造本發明之相位差薄膜，惟本 叙明並不限定於此。例如，當想要得到含有液晶性化合物 之光學異向性層的情況，能以與前述相位差層之形成同樣 的方法來形成前述光學異向性層。 (光學元件以及影像顯示裝置） ,其—人’針對使用本發明之相位差薄膜之光學元件以及 影像顯示裝置做說明。 32 200419198 本發明之光學元件係包含本發明之相位差 兀件之本風-1 、甸7〇 二j干7L件。除此以外之構成要素並無特別限定，為 了保護前述偏光元件、抑制光學元件之變形，可進一牛= ^明保護薄冑’前述透明保護薄膜以夾在相位差薄= 薄膜Γ:之間為佳。例如’可對於偏光元件積層透明保護 賴所成之偏光板進一步積層本發明之相位差薄膜。又， f :明之光學元件亦可適宜地包含前述偏光元件與透明伴 護薄膜以外之任咅的槿洛要音 、 ^ 一 Γ I饪忍的構成要素。以下，針對本發明之光與 兀件的各構成要素做更具體的說明。 千 前述偏光元件並無特別限定，惟經過 膜由於可得到良好的光學特性故為所喜好者。可❹^ 糟由以在眾知之方法，^：久插Μ 万沄在各種的溥膜中吸入碘或雙色性染 料等之雙色性物質來染&，進而做交聯、拉伸、乾燥，來 調製出所需H中又以自然光人射時可使得直線偏光 穿透之薄膜為佳，以光穿透率與偏光度優異者為佳。做為 可吸入产色性物質之各種薄m，可舉出例如聚乙烯醇 (PVA)糸缚膜、部分甲縮醛化PVA系薄膜、乙烯—醋酸乙 稀醋共聚物系部分4化薄膜、纖維素系薄膜等之親水性高 分子薄膜等’其他’尚可使用PVA之脫水處理物或聚氯乙 烯之脫鹽酸處理物之聚稀配向薄料H $乙稀醇系 薄膜由於容易得到良好之光學特性故為所喜好者。又，前 述偏光兀件之厚度例如1〜80”之範圍，不過並不限定於 此。 前述透明保護薄膜# | 4主 寻胰並無特別限制，可使用以往眾知之 33 200419198 透月薄膜以在透明性、機械強度、熱安定性、水分阻絕 性等向性等方面優異者為佳。此種透明保護薄膜之材質 的具體例可舉出三乙醯纖維素（TAC)等之纖維素系樹脂、 聚I系：聚碳酸I系、聚自㈣、聚醯亞胺系、聚醚硼系 、聚碾系、聚苯乙烯系、聚降冰片烯系、聚烯烴系、丙烯 馱系6酉义酉日系等之透明樹脂等。又，尚可舉出丙烯酸系 、胺酯系、丙烯酸胺酯系、環氧系、矽酮系等之熱固性樹 脂或紫外線硬化型樹脂等。基於偏光特性與耐久性之考量 ，當中又以表面經驗做皂化處理之TAC薄膜為佳。其他，· 可適且使用刖述特開2001_343529號公報（w〇〇l/37007)所 記載之聚合物薄膜。 又，刖述透明保護薄膜以例如無著色者為佳。具體而 言，以、薄膜厚度方向之相位差值（Rth)在肩nm〜+75nm之範 圍為佳，更佳為-80nm〜+6〇nm，特佳為_7〇nm〜+45nm之範 圍。前述相位差值只要在_9〇nm〜+75nm之範圍，即可充分 地消除因保護薄膜所造成之著色（光學上著色）。此處Rth 能以下述式(V)來表示。又，於下述式中，nx、ny以及nz馨 之定義如前所述，d係表示前述透明保護薄膜之膜厚。

Rth == [{(nx+ny) / 2} - πζ] X d (v) 前述透明保護薄膜之厚度並無特別限制，可依據相位 差或保護強度等來適宜決定，通常為50〇em以下，較佳 為5〜300以m，更佳為5〜150以m之範圍。 前述透明保護薄膜亦可藉由例如在前述偏光元件塗佈 前述各種透明樹脂之方法、於前述偏光元件積層前述透明 34 200419198 樹脂製薄膜之方法等以往眾知之方法來適宜形成，亦可使 用市售品。又’本發明之相位差薄膜含有透明基材的情況 下，前述透明基材可兼做為前述透明保護薄膜。 又’如述透明保護薄膜可進一步施以例如硬膜處理、 反射防止處理、基於黏附防止或擴散、抗眩等之目的之處 理。前面所說之硬膜處理，係基於防止表面刮傷的目的， 而例如在透明保護薄膜之表面形成由硬化型樹脂所構成之 具優異硬度、平滑性之硬化被膜之處理。在硬化型樹脂方 面，可使用例如矽酮系、胺酯系、丙烯酸系、環氧系等之 紫外線硬化型樹脂等，前述處理可藉由以往眾知之方法來 進行。黏附防止，係基於防止與鄰接之層出現密合之目的 。前述反射防止處理係基於防止來自外部之光線在偏光板 表面反射之目的，可藉由以往眾知之反射防止層等的形成 來進行。 則囬尸;r說之抗 一 η丨"儿，丨砰尤踝夂射所」 成之穿透光視讀受阻等之目的’而以例如以往眾知之方 ’在透明保護薄膜之表面形成微細凹凸構造來進行。此穿 凹凸構造之形成方法，可舉出例如噴砂法或㈣加工等； =:Γ於前述般透明樹脂中配合透明微粒子來㈣ 透明保禮溥膜之方式等。 ^述透明微粒子方面，可舉㈣如二氧切、氧化 紹、氣化鍊、負介料、翁儿姐 ^ 的队 減^乳化锡、氣化銦、氧化錦、氧化録 寻，除此以外尚可使用具有導電 辦讲十土 ^ 、俄糸锨粒子、由交 未父聯之聚合物粒狀物等所構成之有機系微粒子等 35 200419198 。透明微粒子之平均粒徑並無特別限制，τ舉出例如 0.5〜2—之範圍。又’透明微粒子之配合比例並 限定’-般相對於前述般透明樹月旨1〇〇質量份以2〜7。所 量份之範圍為佳，更佳為5〜50質量份之範圍。 貝 配合有前述透明微粒子之抗眩層，可做為透明保Μ 膜本身來使用，亦可於透明保護薄膜表面做為塗佈層等來 形成。再者’前述抗眩層亦可兼做用以擴散穿透光：放大 視角之擴散層（視覺補償功能等）。 又，前述反射防止層、黏附防止層、擴散層、抗眩層 等可與前述透明保護薄膜個別積層於偏光板，例如，能^ 設置該等層之片材等所構成之光學層的形式積層於偏光板 〇 又，前述偏光板亦可進一步含有其他光學層（例如反射 板、半穿透反射板、亮度提昇薄膜等在液晶顯示裝置形成 上所使用之習知的各種光學層）。該等光學層可為一種類亦 可併用兩種類以上，又，可為一層亦可為兩層以上進行積 層者。以下，針對此種一體型偏光板做說明。 着 首先，針對反射型偏光板或半穿透反射型偏光板之一 例做說明。前述反射型偏光板係於前述偏光元件以及透明 保濩薄膜進一步積層反射板所得者，前述半穿透反射型偏 光板係於前述偏光元件以及透明保護薄膜進一步積層半穿 透反射板所得者。 前述反射型偏光板通常係配置於液晶單元之内側，可 使用於將來自視讀側（顯示側）之入射光反射而進行顯示之 36 200419198 類型的液晶顯示裝置（反射型液晶顯示裝置）等。此種反射 型偏光板由於可省略背光等之内藏光源，所以可謀求液晶 顯示裝置之薄型化，此為其優點所在。 反射型偏光板可猎由例如在展現前述彈性率之偏光板 的單面形成金屬等所構成之反射板之方法等習知方法來製 作。具體而言，例如可舉出對前述偏光板之透明保護薄膜 的單面（露出面）依情況施行消光（matte)處理，然後於該面 形成铭等之反射性金屬所構成之金屬箔或蒸鍍膜做為反射 板而成之反射型偏光板等。 修 又’亦可舉出使得前述各種透明樹脂含有微粒子來將 表面做成微細凹凸構造之透明保護薄膜，然後於該透明保 濩薄膜上形成可反映該微細凹凸構造之反射板所成之反射 型偏光板等。表面為微細凹凸構造之反射板，可使得入射 光不規則反射而擴散，可防止定向性或炫目之外觀，可抑 制明0Θ不均，此為優點所在。此種反射板可例如在前述透 明保護薄膜之凹凸表面以真空蒸鍍方式、離子植入方式、 成鐘方式等之蒸錢方式或鍍敷方式（即習知方式）直接以金φ 屬箔或金屬蒸鍍膜的形式來形成。 又’亦可取代前述於偏光板之透明保護薄膜直接形成 反射板之方式’改為使用在前述透明保護薄膜般適當的薄 膜°又置反射層而成之反射片等來做為反射板。反射板之反 射層通吊係由金屬所構成，所以基於例如防止氧化所造成 之反射率的丁降、或是為了長期維持初期反射率、或是避 免另外形成透明保護薄膜等觀點，其使用形態，以反射層 37 200419198 之反射面以前述薄膜或偏光板等來被覆之狀態為佳。 另一方面，前述半穿透型偏光板，係反射型偏光板中 之反射板改為半穿透型反射板者。在半穿透型反射板方面 ’可舉出例如以反射層來反射光、且讓光穿透之半透鏡等 〇 半牙透型偏光板，通常係設於液晶元件之内側，可使 用在下述類型之液晶顯示裝置等中。亦即，當液晶顯示裝 置等在較為明亮之環境下使用時，係將來自視讀側（顯示側 )之入射光加以反射並顯示影像，在相對陰暗之環境下則是 使用半穿透型偏光板之背光側所内藏之背光光源等内藏光 源來顯示影像。因此，此半穿透型偏光板對於在明亮環境 下可節省背光光源之使用能量、而在相對陰暗之環境下則 可使用内藏光源之類型的液晶顯示裝置等之形成上係有用 的。 其次，針對在前述偏光元件以及透明保護薄膜進一步 積層焭度提昇薄膜之偏光板的一例做說明。 在7C度挺幵薄膜方面並無特別限定，可使用例如電介 體之多層薄膜或是折射率異向性不同之薄膜的多層積層體 此等可讓既定偏光軸之直線偏光穿透但將其他的光予以反 射者。此種亮度提昇薄膜可舉出例如3M公司製造之商品 名「D-BEF」等。又，亦可使用膽固酵液晶層（特別是膽固 醇液晶聚合物之配向薄膜）、或是配向液晶層支持於薄膜基 材上之物。該等係將左右側的圓偏光加以反射、而使得其 他光穿透之物，可舉出例如日東電工公司製造之商品名「 38 200419198 PCF35〇」、Merek公司製造之商品名、_贿」等。 ::明之光學元件之製造方法並無特別限定，可利用 的方法來製造，例如能以讓各構成要素彼此（相位 ^、偏光元件、透明保護薄膜等）透過黏著劑或接著劑 ^來積層之方法來製造。前述黏著劑或接著劑等之種類 f，，、、特別限^ ’可依據前述各構成要素之材質等來適宜決 疋’可舉出例如丙烯酸系、乙稀醇系、石夕嗣系、聚醋系、 聚胺酿系、聚ϋ等之聚合物製接著劑或橡膠系接著劑等。 又，本發明中「接著劑」與「黏著劑」並無明顯之區別， 係將接著财比較容易進行被接著物彼此之㈣、再接著 者稱為「黏著劑」。前述般之黏著劑或接著劑等例如即使 又到濕度或熱的影響也不易剝離、在光穿透率與偏光度也 優異者。具體而言’當偏光元件為PVA系薄膜的情況，基 於接著處理之安定性等之考量，以PVA系接著劑為佳。該 等接著劑或黏著劑可直接塗佈於偏光元件、透明保護薄膜 之表面，亦可在如述表面配置由接著劑或黏著劑所構成之 帶體或片材等層體。又，例如調製成為水溶液的情況，可 視情況配合其他的添加劑或酸等觸媒。又，塗佈前述接著 劑的情況’可例如在前述接著劑水溶液中進一步配合其他 的添加劑或酸等之觸媒。此接著劑層之厚度並無特別限定 ，例如為Inm〜50〇nm，較佳為10nm〜3〇〇nm，更佳為 20nm〜100nm 〇 形成以上本發明之光學元件之偏光元件、透明保護薄 膜、光學層、黏著劑層等之各層亦可利用例如水揚酸g旨系 39 200419198 化合物、二苯甲嗣系化合物、苯并三唾系化合物、丙稀酸 氣醋系化合物、鎳配鹽系化合物等之紫外線吸收劑做適當 處理來賦予紫外線吸收能力。 本發明之光學元件之形態的具體例，有例如在偏光元 件之其中一面接著本發明之相位差薄臈之形態。此種光學 元件之製造方法並無特別限定，例如可藉由包含：準備以 =本發明之製造方法所製造之相位㈣膜與偏光元件， 對4相位差薄膜與偏光元件之至一 .^ ^ .. ^ 夕一側塗佈接著劑之製程 w、+、4" 表杈將°亥相位差薄膜與該偏光元件 透過别述接者劑塗佈面進行貼合 卡在,,4 表私每些製程的製造方 法來Ik。前述接著劑之乾燥製程， ^ , . ^ ^ J依據接者劑之種類 專，在相位差溥膜與偏光件 杆。P T之貼合“行或是貼合後進 T或疋，不採用塗佈接著劑後做貼合之方、1抑 备 滴下接著劑或其溶液一邊進行貼合，-邊 亦可。 “、、後進仃乾燥來製造 又，本發明之光學元件之形能 單面或雙面（較佳為雙面）接著有^另:' 系偏光元件之 過接著層來盥本# ^ 4 保蠖溥膜之偏光板透 + ”本备明之相位差薄膜 學元件之製^ #、、+ 、 、口之形態。此種光 衣&方広並無特別限定 以前述本發明之製造方沐撕制^ ^ 了糟由包含：準備 透明保護薄臈之m &之相位差薄膜以及接著有 薄膜之至少」者塗：:、:對該相位差薄膜與該透明保護 程，·將該相位差；膜盘：：之製程：將該接著劑乾燥之製 佈面進行貼合之梦程^明保㈣膜透過前述接著劑塗 口·^ I私廷些製程的製 幻I k方法來製造。前述接 40 200419198 著劑之乾燥製程，可依據接著劑之種類等，在相 與透明保㈣膜之貼合前騎或是貼合後進行。，專膜 本發明之光學元件例如能以在液晶顯示裝置等之製造 過程中’於液晶單元表面依序個別積層各構成要素之 來製造。但是，事先積層前述各構成要素做成本發明之： 學兀件後再供應於液晶顯示裝置等之製造的方式，可獲尸 優異之品質安^性與組料業性，可提升液晶顯示裝= 製造效率，由於具有此等優點，故為較佳之方式。 本心明之光學TL件’若基於可輕易積層到液晶單元 之其他構件的考量’以其外側之單面或雙面進一步具有前 述般之黏著劑層或接著劑層為佳。前述黏著劑層等可為單 層體亦可為積層體°在積層體方面，可使用例如不同组成 或不同種類之單層所組合而成之積層體。χ，當配置於前 述光學元件之雙面的情況’可為相同之黏著劑層亦可為不 同組成或不同種類之黏著劑層。當設於該光學元件之黏著 劑層之表面露出之情況’在將黏著層供實用之前，基於防 止5木之目的’藉由間隔物（separat〇r)來遮覆該表面乃為 所希望者。此間隔物可藉由在適當的薄膜上依必要性設置 石夕酮系、長鏈烧系、氟系、硫化翻等之剝離劑所成之剝離 塗層之方法來形成。前述薄膜之材質並無特別限定，例如 可使用與前述透明保護薄膜相同之物。 本發明之光學元件之使用方法並無特別限定，例如適 用於配置在液晶單元表面等之各種影像顯示裝置之使用上 200419198 其次’針對本發明之影像顯示裝置做說明。影像顯示 裝置係包含本發明之相位差薄膜或是本發明之光學元件。 除此以外’本發明之影像顯示裝置並無特別限定，其製造 方法、構造、使用方法等為任意，可適宜使用以往眾知之 形態。 本發明之影像顯示裝置之種類並無特別限定，以例如 液晶顯示裝置為佳。例如可將本發明之相位差薄膜或光學 元件配置於液晶單元之單側或雙側做成液晶面板，而可使 用於反射型或半穿透$、穿透反射兩用型等之液晶顯示裝 置上。形成液晶顯示裝置之液晶單元的種類，可任意地選 擇，例如可使用以薄膜電晶體型為代表之主動陣列驅動型 者、以扭轉向列型或超級扭轉向列型為代表之單純陣列驅 動型者等，可使用各種類型之液晶單元。 前述液晶單元通常係於對向液晶單元基板之間隙注入 液晶之構造，在液晶單元基板方面並無特別限定，可使 例如玻璃基板或塑膠基板。x，塑膠基板之材質 限定，可舉出以往眾知之材料。 、、別 又，本發明之光學元件可設置於液晶單元之單面或 面，當於液晶單元之雙面設置前述光學元件等構件的:

下，該等可為相同種類亦可為不同。χ，於液晶顯示Z =製造時，可在適宜的位置進—步配置1層或2層以: 菱鏡列片、透鏡列片、光擴散板或背光元件等之適宜之 件。 且的構 本發明之液晶顯示裝置中之液晶面板之構造並無特别 42 200419198 限定’可包含例如液晶單元、本發明之相位差薄膜、偏光 元件以及透明保護薄膜，於該液晶單元之一面依序積層前 述相位差薄膜、前述偏光元件以及前述透明保護薄膜為佳 。又’當複折射層（光學異向性層以及相位差層）形成於透 明基材上的情況下，本發明之相位差薄膜之配置並無特別 限定’例如可舉出使得複折射層側面對液晶單元、使得透 明基材側面對偏光元件之配置方式。 當本發明之液晶顯示裝置進一步具有光源的情況，該 光源並無特別限定，不過基於光能可有效使用之觀點，以 例如可射出偏光之平面光源為佳。 再者，本發明之影像顯示裝置並不限於前述液晶顯示 裝置，亦可使用於例如有機電致發光（EL)顯示器、電漿顯 示器（PD)以及FED(電場放射顯示器：η— Emissi〇n Display)等之自發光型影像顯示裝置。使用於自發光型平 面-員示袭置的情況下，藉由將本發明之相位差薄膜之光學 異向性層的面内相位差值設定為"4,可得到圓偏光，所 以可做為防反射濾光片使用。 以下，針對本發明之電致發光（EL)顯示裝置做說明。 才^月之EL _不裝置係具有本發明之相位I薄膜或是光 子凡件之顯不裝置’此EL顯示裝置可為有機顯示裝置 以及無機EL顯示裝置之任一者。 、，最近’纟EL |貞示裝置方面，係提出了將偏光元件或 偏光板等之光學薄膜與"“反併用以防止黑狀態中來自電 極的反射。本發明之相位差薄膜或光學元件，特別在自虹 43 200419198 層兔射直線偏光、圓偏光或是橢圓偏光之任一偏光的情形 、或是朝正面方向發射自然光、朝斜方向之出射光呈部分 偏光之情形等係非常有用的。 首先’就一般有機EL顯示裝置做說明。一般，有機 EL頒示裝置係包含在透明基板上依序積層透明電極（陽極） 、有機發光層以及金屬電極（陰極）所形成之發光體（有機 EL發光體）。有機發光層係各種有機薄膜之積層體，已知 有例如三苯胺衍生物等所構成之電洞植入層與憩等之螢光 性有機固體所構成之發光層而成之積層體、前述發光層與 φ ^嵌苯衍生物等所構成之電子植入層而成之積層體、或 是電洞植入層、發光層與電子植入層之積層體等各種的組 合0

有機EL顯示裝置係基於以下原理來發光。亦即，對 前述陽極與陰極施加電壓，以對有機發光層植入電洞與電 所/等電/同與電子之再結合所產生之能量會激發螢光物 質’所激發之螢光物質在回到基態時會放射光。電洞與電 子再結合此種機制，係與一般之二極體同樣，電流與發光 強度對於施加電壓顯示伴隨整流性之強非線形性。 ，於、有機EL顯示裳置中，為了自有機發光層導出發 至夕御1之電極需為透明電極，通常係將自氧化鋼< (IT—0)等之透明導電體所形成之透明電極當做陽極來使用 另方面，為了使得電子植入變得容易來提昇發光效率 陰極使用工作函數小之物 羊 ^ 爭疋重要的，通常可使/ Mg-Ag、Al-Li等之金屬電極。 44 200419198 於前述構成之有機EL1 貝示裝置中，有機發光層以厚 度薄達H)…呈度之薄膜來形成為佳。此乃由於，於有機 發光層亦與透明電極同樣可使得光近乎完全穿透之故。於 疋，非發光時自透明基板之表面入射之穿透透明電極與有 機發光層而在金屬電極被反射之光，會再度往透明基板之

表面側射出。所以自外部_丟n主 ^ 1U 广丨観看枯，有機EL顯示裝置之顯 不面會呈現鏡面。 本發明之有機虹顯示裝置，以在透明電極之表面側 设置本發明之相位差薄膜或光學元件為佳。採用此構成， 可成為-種展現抑制外界反射'視讀性獲得提升之效果的 有機EL _示裝置。例如，包含前述相位差薄膜以及偏光 板之本發明之光學元件，由於具有將自外部所入射、在金 屬電極被反射之光加以偏光之作用，所以利用其偏光作用 可，免自外部確認金屬電極之鏡面，此為其效果所在。特 别疋要以1/4波長板來構成本發明之相位差薄膜、且 將偏光板與相位差薄膜之偏光方向所成角度調整為π/4, 即可將金屬電極之鏡面完全遮蔽。亦即，對有貞EL裝置 所入射之外部光’利用偏光板僅直線偏光成分可穿透。此 直線偏光藉由相位差薄膜一般可成為橢圓偏光，但當相位 差薄膜為1/4波長板、且前述角度為π/4 _，則會成為圓 偏光。 此圓偏光通常會穿透透明基板、透明電極、有機薄臈 ’於金屬電極被反射，再次穿透有機薄膜、透明電極、透 月基板’以相位差薄膜再次成為直線偏光。此直線偏光由 45 200419198 ;人偏光板之偏光方向成直交，所以無法穿透偏光板。於 是，可如前述般將金屬電極之鏡面完全遮蔽。 (實施例） 以下’針對本發明之實施例做說明。以下之實施例中 首先，製作出顯示負的單軸性C-piate特性之光學異向 性層或兼具正的A_Plate成分與c_piate成分之雙軸性光學 異向性層，進一步於其上形成傾斜配向之相位差層，製造 相位差薄膜。 _ (實施例1) 圖1係顯示以本實施例所製造之相位差薄膜之截面圖 。如圖示般，此相位差薄膜i係依序積層透明基材1〇、光 學異向性in以及相位差層13，由透明基材1〇與光學異 向性層11形成附基材之異向性層丨2。 此相位差薄膜1係以下述順序來製造。亦即，首先準 備厚度約之三乙醯纖維素（TAC)基材，將其當作透

其次，製作附基材之異向性層12。亦即，首先準備 酸亞胺之15重量％溶液。聚醯亞胺係使用2,2，—雙 二羧基苯基）六氟丙烷（6FDA)盥2 9， ’ ， 雙（三氟甲基）一 4 一二胺基聯苯（PFMB)之共聚物。接著 、 安者將此聚醯亞胺溶 塗佈於透明基材10上以13〇°c進杆】八μ 進仃1分鐘加熱乾燥，形 顯不負的單軸性C-Plate相位差特性 手展、、勺6 v瓜之朵 異向性層π，做成附基材之異向性層i 2。 另一方面，調製出為相位差層工3 <原料的塗佈液。 46 200419198 即’將會和偏光紫外線反應之聚合物（光聚合性聚合物）之 環戍綱，奋液（邦提克公司製造，商品名LPP/F301CP)3.75g 與紫外線聚合性向列液晶性化合物之環戊酮溶液（邦提克公 司製造，商品名LCP/CB483CP)5g做混合，進一步加入光 起始劑（吉巴特用產品公司製造，商品名Irgacure9〇7)〇〇lg ，稅拌10分鐘，做成塗佈液。 其次，於光學異向性層11之表面上以1500rpm的旋 轉速度來旋塗該塗佈液。將其在13(rc之環境氣氛下加熱 2〇分知做乾燥，形成相位差層之先驅體層，然後依序積層 φ 透明基材10、光學異向性層n以及該先驅體層得到積層 體。將該積層體以先驅體層朝上的方式設置於7(rc之熱板 上，以照度6mW/cm2之偏光紫外線照射3分鐘，使得光聚 合性I合物進行配向。圖2係示意顯示該偏光紫外線照射 時之側視圖。如圖示般，將該積層體21設置於熱板22上 ，從正上方照射偏光紫外線23。此時，係使得熱板22傾 斜’將偏光紫外線23相對於積層體2 i表面的入射角度“ 。又疋為60 。又，入射角度α係和積層體21垂直之面與 偏光紫外線23之入射方向所成之角度，例如積層體21為 水平的情況α=0。於偏光紫外線23照射後，將積層體21 放置於至溫壞境氣氛Τ 3 &鐘，之後照射非偏光紫外線使 得前述液晶性化合物進行光交聯，將該先驅體層轉換為相 位差層13得到相位差薄膜i。 又’對於本實施例中所製造之相位差薄膜1以偏光顯 微鏡做觀察。具體上’係偏光顯微鏡所設置之上側偏光板 47 200419198 板成正交之狀態下做觀察。其結果，當相位差 1: 階段所照射之偏光紫外線23 @偏光方向與偏 光顯微鏡之上下偏氺& +甘士 ^ 透量合成A,, 〃 — #偏光軸平行時光的穿 透里曰成為最少。由此結果可確認前述相位差薄臈1 軸對於薄膜平面所投影之轴方向係與^ ' 光方向一致。 瓦“之偏 (實施例2) 圖3係顯示本實施例所製造相位差薄膜之立體圖。如 圖不般，此相位差薄膜2係由附基材之光學異向性声 由透明基材1〇Α與光學異向性I UA所構成)和相位差層 似所構成。圖中，箭w係附基材之光學異向性層μ =伸軸方向，箭頭η係對相位差層Μ所照射之偏光紫 外線之偏光軸方向，兩者呈正交。 此相位差薄膜2係以下述方式製造。亦即，首先盥實 施例1同樣製作出附基材之光學異向性層，將其以自由端 單軸拉伸在15〇。(：做1G%拉伸，做成兼具正的α__成分 與c-Plate成分之附基材之光學異向性& 12A。然後，使 得偏光紫外線照射之偏光方向與附基材之光學異向性層 以之拉伸軸成直角的方式進行照射，除此以外係藉由盥 前述實施例！同樣的操作，形成經過傾斜配向之相位差層 13A得到相位差薄膜2。 (比較例1) 圖4係顯示以本比較例所製造之相位差薄膜之截面圖 °如圖示般’此相位差薄膜3係依序積層透明基材10、光 48 200419198 子/、白丨生層1 1、配向膜14以及相位差層15，由透明基材 10與光學異向性層11來形成附基材之光學異向性層12。 此相位差薄膜3係以下述順序來製造。亦即，首先， 與貫施例1同樣來製作附基材之光學異向性層12。其次， 於光學異向性層U之表面上以3〇〇〇rpm的旋轉數來旋塗 會和偏光紫外線反應之聚合物之2%環戊酮溶液（邦提克公 司製造，商品名LPP/F3〇lcp)，在13(rc加熱1〇分鐘做乾 燥。接著，以此積層體之塗佈面為上，採入射角度α =3〇。 ’照射時間1秒鐘，除此以外，以與實施例i以及圖2所 說明之方法同樣來照射偏光紫外線（照度6mW/cm2)，形成 液日日傾斜配向用光配向膜14〇 另一方面’調製相位差層15原料之塗佈液。亦即，於 紫外線聚合性向㈣晶性化合物之環相溶液（邦提克公司 製造，商品名LCP/CB483CP)5g中加入光起始劑（吉巴特用 產品公司製造Irga瞻e 9〇取Glg，攪拌1()分鐘，做成塗 佈液。 # 其次，於配向膜14上以旋轉數15〇〇卿來旋塗前述 塗佈液，以110°C加熱3分鐘來乾焊。腺* a姐 ^ 木私你將其放置於室溫環 境氣氛下3分鐘後’對該先驅體層照射非偏光之紫外線使 得細晶性化合物進行光交聯’形成相位…5得到 相位差薄膜3。 (比較例2) 圖5係顯示本實施例所製造相位差薄膜之立體圖。如 圖示般，此相位差薄膜4係由附基材之光學異向性層以（ 49 200419198 由透明基材1 0 A與光學異向性声n f層11A所構成）、配向膜14 以及相位差層15A所構成。圖中，妓 α τ 刖碩I係附基材之光學 異向性層12Α之拉伸軸方向，箭頭π係對相位差層ΐ5Α所 照射之偏光紫外線之偏光軸方向，兩者呈正交。 此相位差薄膜4係以下述方式製造。亦即，首先與實 施例2同樣製作出附基材之光學異向 光學異向性層ΠΑ上形成配向膜14，此時，除了使；偏： 紫外線之偏光方向與光學異向性層12Α之拉伸軸成直角的 方式進仃照射，除此以外係與比較例丨同樣。進而，與比 較例1同樣形成相位差層15Α得到相位差薄膜4。 (偏光解析） 針對只細*例1〜2以及比較例1〜2所製造之相位差薄膜 之各相位差層以及光學異向性層，使用橢圓計（曰本分光股 份有限公司製造，商品名Μ220型自動波長掃描型橢圓計） 做偏光解析。 在進行偏光解析之前，首先，將實施例丨〜2以及比較 例1〜2之相位差層1 3、13 A、1 5、1 5 A與光學異向性層！ i 、11A分別轉印於玻璃基板上而自相位差薄膜等離析，製 作測定用（偏光解析用）樣品。具體上如以下所述。亦即， 在前述各相位差層之轉印之際，首先準備對應之相位差薄 膜與玻璃基板。其次，於該玻璃基板上塗佈接著劑（日東電 工股份有限公司製造丙烯酸黏著劑），將其塗佈面與前述相 位差溥膜之相位差層表面做密合。接著，將前述相位差薄 膜之基材以及光學異向性層剝離，於前述玻璃基板上僅殘 200419198 遠相位差層來凡成轉印’得到所需之測定用樣品。又，前 述口光予異向性層之轉印除了取代前述相位差薄膜改用不 3相位差層之附基材之光學異向性層以外，其餘係與前述 各相位差層之轉印同樣來進行。 進而f“』述各層分別以表面形狀測定器(小坂研究所 月又伤有限A司襄造’商品名〜价沉如et4_)來測定厚 度。具體上’ f先準備表面具有厚度測定對象之層的樣品 ，其次將前述層之一部分剝離 測定該剝離部份與未剝離部份 當做厚度。

’以前述表面形狀測定器來 之高低差，將所得之測定值 接著使用則述測定用（偏光解析用）樣品進行偏光解 析以下，基於圖6之示意圖，對偏光解析之概要做說明 。圖6A係示意顯示偏光解析之立體圖，圖⑽係俯視圖。 f先’針對®| 6所示各要素做說明。圖中，61係測定 用樣品。63係入射光，其入射方向相對於樣品61之面呈 垂直。軸X-X’係與相位差薄膜製造時所照射之偏光紫外 線之偏光軸呈正交之軸。亦即，於實施例2與比較例2中 ，軸x-x’係與光學異向性層之拉伸轴呈平行。再者 係表示X軸X X為中心轴將樣品6 i做角度0旋轉之狀態 。又，於樣品61與62中為了簡略化係省略了厚度表示。 偏光解析之概要如下所述。亦即，首先將測定用樣品 61設定成其本身之面相對於入射光63之入射方向呈垂直 。之後，對樣品61照射入射光63，測定相位差R(疆）。 於樣品61中，前述相位差R係以下述式（贝）來表示。 51 200419198 R = (ηχ - ny) x d (VI) 其中，d表示為測定對象之層（相位差層等）之厚度（nm) ，測定方法如前所述。又，平均折射率（nx+ny+nz)/3係另 外測定，由其測定結果、前述厚度d以及相位差r來算出 nx、ny與nz。此處，nx、ny與nz之定義如前所述。其中 ’將與軸X— X’呈平行之方向的軸定為γ軸，將樣品6 i 之面内與Y軸呈垂直之方向的軸定為χ軸。Z軸係與入射 光63之入射方向呈平行之轴。 其次，以軸X— X，為中心將樣品6 1旋轉任意角度泠。 5亥角度係當作「擺動角」。然後，對此狀態之樣品62之 相位差R(nm)進行測定。於樣品62中，R、nx，、ny，以及d 之關係係以下述式（VH)以及（观）來表示。 △ n = nx，- ny， (γπ ) (Μ)

R= Δ nd 式中，nx’係樣品62中X軸方向之折射率，ny，係樣品 62中Y軸方向之折射率，d係與前述式相同。

接著，一邊改變擺動角点一邊測定各狀態之相位差r 。由於X軸與Y軸之方向固$，所以只要改變擺動角石即 可對應於測定對象層之光學異向性來改變△11與]1。 如上述般，針對各相位差層以及光學異向性層，將 動角從_6G° &變至6G°，測定在各擺動角下之相位差 ，將擺動角與相位差之相關關係做成圖。圖7〜1〇中係 不了貫施例1〜2以及比較例丨〜2所得結果。又，針對光 異向性層，由於比較例1之物係與實施例"目同，比較 52 200419198 2之物係與實施例2相同，所以係在實施例之處一同表示 〇 如圖7所示般，實施例1之光學異向性層1丨之擺動角 /5=〇°時之相位差大致為Onm，且顯示以擺動角/5=0。為 中心做對稱變化。又，光學異向性層之nx、ny與nz分別 為1·5 60、1.5 59以及1·518。相對於此，同樣在實施例i 之相位差層13，擺動角/3 =0。時之相位差並非0nm，且以 擺動角/3 =0°為中心之變化為非對稱。是以，確認了光學 異向性層11係負的C-Plate，在光學異向性層n上所形成 之相位差層1 3為向列液晶經傾斜配向之〇_piate。 又，如圖8所示般，實施例2之光學異向性層丨丨A係 以擺動角万=0。為中心做對稱變化，且擺動角。時之 相位差係往正側變大。又，ηχ、ny以及nz分別為^ 、 1.564以及1.520。相對於此，同樣在實施例2之相位差層 13Α，以擺動角冷=〇。為中心之變化為非對稱。是以，確 認了經過單軸拉伸之光學異向性層丨丨Α係兼具正的Α_ Plate成分與負的e-Plate成分之具有雙軸異向性者。又， 確認了相位差層13A係在與拉伸軸呈正交之方位角方向往 厚度方向傾斜之〇-Plate。 再者，如圖9所示般，比較例丨之相位差薄膜之相位 差層15在擺動角0=0。時之相位差大致為〇nm，且顯示 以擺動角石=0°為中心做對稱之相位差變化。由此結果可 確認配向膜14上之相位差層15係具備面内異向性以及傾 斜配向性。 53 200419198 再者’如圖10所示般’比較例2之相位差薄膜之相位 差層1 5 A係以擺動角/3 -0為中心做對稱之相位差變化。 由此結果可確認配向膜14上之相位差層15A係不具傾斜 配向性之物。 再者，如圖1 0所示般，比較例2之相位差薄膜的相位 差層15 A係以擺動角/3 =〇。為中心做對稱性相位差變化。 其結果，可確说配向膜14上之相位差層1 5 A係不具傾斜 配向性。 由以上之測定結果可知，在實施例中，不使用配向膜 或配向基板等，而是在光學異向性層上直接積層相位差層 來製造相位差薄膜。相對於此，在比較例中，於光學異向 性層上透過配向膜來形成相位差層，但配向膜不能發揮本 身之配向功能，其結果，未能發揮相位差層本來之光學補 償功能。 產業上可利用性 如以上所說明般，依據本發明，可提供一種相位差層 之配向方向受到高精度控制、且製造成本低之相位差薄膜 及其製造方法。本發明之相位差薄膜，由於在光學異向性 層上未透過配向膜或接著劑即直接積層相位差層，乃可節 省配向膜與接著劑之材料成本。又，由於不需要配向膜或 接著劑等’相對地可達成相位差薄膜之光學功能之提昇與 薄型化。依據本發明之相位差薄膜之製造方法，由於無須 使用配向膜、配向基板、接著劑等即可在光學異向性層上 形成相位差層，乃可降低材料成本。又，由於不需配向膜 54 200419198 、、形成製私以及相位差層之轉印製程，相對地製程數目可 減少，比士 匕有助於製造效率之提昇以及進一步之成本降低。 【圖式簡單說明】 (一） 圖式部分 圖1係實施例1之相位差薄膜之縱截面圖。 圖2係不意顯示實施例丨之偏光紫外線之照射狀態之 圖3係貫施例2之相位差薄膜之立體圖。 圖4係比較例1之相位差薄膜之縱截面圖。 圖5係比較例2之相位差薄膜之立體圖。 圖6係偏光解析之示意圖。 圖7係顯示實施例1之相位差薄膜之相位差與擺動角 之關係圖。 圖8係顯不貫施例2之相位差薄膜之相位差與擺動角 之關係圖。 圖9係顯不比較例1之相位差薄膜之相位差與擺動角 之關係圖。 圖10係顯示比較们之相位|薄膜之相位差與擺動角 <關係圖。 (二） 元件代表符號 H3,4 相位差薄膜 Αιοα 透明基材 "，11Α 光學異向性層 !2512Α 附基材之異向性層 55 200419198 13，13A 相位差層 14 配向膜 15，15A 相位差層 21 積層體 22 熱板 23 偏光紫外線 61,62 測定用樣品 63 入射光

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Claims (1)

1. 200419198 拾、申請專利範圍： 1·-種相位差薄膜，係包含光學異向性層與相位差層 ，δ亥相位差層係含有經配向之液晶性化合物；其特徵在於 ，於該光學異向性層上直接積層該相位差層。 ' 2 ·如申請專利範圍坌 乾固第1項之相位差薄膜 位差層係進一步包含配向聚合物。 3.如申請專利範圍帛1項之相位差薄膜，、…狀 晶性化合物之配向方向係相對於該光學異向性層之面方向 呈傾斜狀態。 Π 曰，I申請專利範圍帛1項之相位差薄膜，其中，該液 日日ΐ'生化口物之配向方向係隨該相位差層之厚度方向的位 而異。 5.如申δ月專利範圍第】項之相位差薄膜，其中 晶性化合物之配向方向的向量中之在光學異向性層之= 向的向量成分係與光學異向性層之光軸呈正交。 6·如申請專利範圍帛1項之相位差薄臈 位差層係具有正的單軸性。 7·如申請專利範圍帛1項之相位差薄膜 晶性化合物具有交聯構造。 8·如申請專利範圍第1項之相位差薄膜 晶性化合物係包含向列液晶性化合物。 9·如申凊專利範圍第1項之相位差薄膜 學異向性層係具有負的單軸性折射率異向性。 1〇·如申請專利範圍第1項之相位差薄膜， 其中，該相 其中’該液 其中，該相 其中’該液 其中’該液 其中，該光 其中，該光 57 200419198 學異向性層係具有雙軸性折射率異向性。 η ·如申睛專利範圍第1項之相位差薄膜，其中，該光 學異向性層係含有液晶性化合物。 12·如申請專利範圍第i項之相位差薄膜，其中，該光 學異向性層係含有聚醯亞胺。 13·如申請專利範圍帛！項之相位差薄膜，其中，該光 學異向性層係形成於透明基材上。 14·-種光學兀件’其特徵在於’包含申請專利範圍第 1項之相位差薄膜以及偏光元件。 _ 15. 如申請專利範圍第14項之光學元件，係進一步包 含透明保護薄m ’該ϋ明保護薄膜係炎在該相位差薄膜與 該偏光元件之間。 16. 如申請專利範圍第14項之光學元件，其中，該偏 光元件係經拉伸之聚合物薄膜。 17·如申請專利範圍第14項之光學元件，其中，該偏 光元件係5^乙卸醇糸偏光薄膜。 18·一種影像顯示裝置，其特徵在於，包含申請專利範· 圍第1項之相位差薄膜或是申請專利範圍第丨4項之光學 元件。 19·一種相位差薄膜之製造方法，包含： 於光學異向性層上塗佈溶液（含有液晶性化合物以及會 和偏光紫外線反應之聚合物）之製程； 將該溶液乾燥來形成相位差層之先驅層之製程；以及 對該先驅層表面照射偏光紫外線之製程。 58 200419198 /20·如申請專利範圍第19項之相位差薄膜之製造方法 係進步包含使得液晶性化合物交聯之製程。 /I·如申請專利範圍帛i ”員之相位差薄膜之製造方法 係進-步包含對該先驅層表面照射非偏光紫外線之製程 22· —種光學元件制I仏方法，包含··準備以申請專矛 粑圍弟 1 9項之剪；生古、、土 |^也，L… “方去所製造之相位差薄膜與偏光元列程； 錢與偏^件之至少—缝佈接著劑之|

   將該接著劑乾燥之製程 將該相位差薄膜與該偏 行貼合之製程。 :以及 光元件透過該接著劑 塗佈 面進 d·—種光學元件之製 銘囹筮1 〇 方法’包含：準備以申請I 靶圍弟19項之製造方法 ^ 透明保護薄臈之偏光元件，對目位差薄臈以及㈣ 薄膜之至少-者塗佈接著劑之差薄膜與該透㈣ 將该接著劑乾燥之製程·，从及 將該相位差薄膜與該 佈面進行貼合之製程。 ”蠖薄膜透過前述接著劑

   拾壹、圖式： 如次頁 59