TW200416801A - Plasma processing apparatus and focus ring - Google Patents

Description

200416801 Π) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 _ 本發明是關於在半導體晶圓等的被處理基板上實施例 如電漿蝕刻等的特定處理之電漿處理裝置及聚焦環。 1 【先前技術】 以往以來，在半導體裝置或LCD的製造製程等’進 行了：使電漿作用於半導體晶圓或LCD基板等的被處理 基板，來實施特定的處理例如成膜處理或蝕刻處理等之電 漿處理。 在如此的電漿處理中，在例如使用平行平板型的蝕刻 裝置之電漿蝕刻處理，將被處理基板載置於設在電漿處理 室內的載置台（承受器；susceptor)，在電漿處理室內使 電漿產生，而將此電漿作用於被處理基板來進行電漿蝕刻 處理。又，在進行如此的電漿蝕刻處理之際，爲了緩和被 處理基板的周緣部之電漿的不連續性，特別是改善被處理 S板的周緣部之電漿蝕刻處理的狀態來使電漿蝕刻處理的 面內均等性提昇等的目的，以往以來，進行了配置所謂聚 焦環’使其包圍被處理基板的周圍（例如，參照專利文獻

1)0 A 第8圖是顯示進行入此電漿蝕刻處理的平行平板型飽[ 刻裝置的局部結構，在同圖，圖號50顯示配置於未圖示的 電漿處理室內的載置台（承受器）。 此承受器5 0是兼具下部電極者，由具有導電性的材料 (2) 200416801 、例如在表面形成陽極氧化披覆膜（氧皮銘）之銘等構成 大致呈圓板狀。 在上述承受器5 0的半導體晶圓 W的載置面設有：使 靜電夾用電極5 1 a介裝於由絕緣性材料所構成的絕緣膜 Sib中所構成之靜電夾51。又在承受器50上載置有構成環 狀的聚焦環5 2，包圍半導體晶圓W的周圍。

承受器50是由於如上所述，由鋁等所構成，故具有直 接曝露於形成在半導體晶圓 W的上方之電漿的部位時， 該部分受到電降所濺鍍，會有在半導體晶圓 W上形成不 需要之包含鋁等的濺鍍膜之可能性。 ·« 因此，如第8圖所示，承受器5 0的晶圓載置面（形成 靜電夾5 1的部分）的直徑是較半導體晶圓 W的直徑稍許 小（例如4 mm左右）。又，藉由將聚焦環5 2的下側部分的 內徑作成較半導體晶圓W的直徑更小，來使得聚焦環5 2 的下側部分延伸至半導體晶圓 W的端部下側部分，在由 上側觀看的情況時，在承受器5 0的上面不會有直接露出的 部位。 一方面，聚焦環5 2的上面是作成與半導體晶圓W的 表面大致相同的高度。因此，聚焦環52的全體的厚度是比 起半導體晶圓 W的厚度（例如0.8 imn )，形成相當厚的厚 度。 【專利文獻】日本特開2 002-24 6 3 7 0號公報（第2-5頁 、第1 - 6圖） (3) 200416801 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 如上所述，在以往的電漿處理裝置，藉由設置聚焦環 來包圍被處理基板的周圍，來謀求電漿蝕刻處理的面內均 等性之提昇。 但，在如此使用聚焦環的電漿處理裝置，須要進一步 使電漿蝕刻處理的面內均等性提昇。 ·· 本發明是有鑒於上述以往的情事而開發完成的發明， 其目的在於提供一種在被處理基板的全面可實施均等的電 漿處理，比起以往，能夠謀求電漿處理的面內均等性的提 昇之電漿處理裝置及聚焦環。 [用以解決課題之手段] 申請專利範圍第丨項之發明，其特徵爲：具有：電漿 處理室；配置於前述電漿處理室內，載置被處理基板的載 置台；由前述被處理基板的外周緣部設置間隔，而包圍前 述被處理基板的周圍地加以配置的薄型環·，以及配置成位 於前述被處理基板及前述薄型環的下側之下側環。 申請專利範圍第2項的發明，是就申請專利範圍第1項 所記載的電漿處理裝置，其中對於前述被處理基板的每單 位面積之阻抗，前述薄型環的每單位面積之阻抗的比爲5 以下。 申S靑專利範圍第3項的發明，是就申請專利範圍第2項 所記載的電漿處理裝置，其中對於前述被處理基板的每單 (4) (4)200416801 位面積之阻抗，前述薄型環的每單位面積之阻抗的比爲3 以下。 申請專利範圍第4項的發明，是就申請專利範圍第3項 ' 所記載的電紫處理裝置，其中對於前述被處理基板的每單 . 位面積之阻抗，前述薄型環的每單位面積之阻抗的比爲 1 . 5以下。 申請專利範圍第5項的發明’是就申請專利範圍第工項 所記載的電漿處理裝置，其中構成前述薄型環的材料是與 前述被處理基板實質上阻抗相同的材料，前述薄型環的厚 _ 度爲前述被處理基板的厚度之5倍以下。 申請專利範圍第6項的發明’是就申請專利範圍第1項 所記載的電發處理裝置’其中構成前述薄型環的材料是與 前述被處理基板相同的材料，前述薄型環的厚度爲前述被 處理基板的厚度之5倍以下。 申請專利範圍第7項的發明，是就申請專利範圍第6項 所記載的電漿處理裝置，其中前述被處理基板爲厚度〇.8 籲_ 腿的砂製半導體晶圓，前述薄型環由厚度4腿以下的砂製 構件所構成。 申請專利範圍第8項的發明，是就申請專利範圍第6項 所記載的電漿處理裝置，其中前述被處理基板爲矽製半導 . 體晶圓，前述薄型環由與前述半導體晶圓大致形同厚㈣ . 矽製構件所構成。 t 申請專利範圍第9項的發明’是就申請專利範圍第口頁 所記載的電漿處理裝置，其中前述薄型環是由sic、或在 -8 - (5) 200416801 表面形成有熔融噴射膜的鋁、或石英、或陶瓷所構成的。 申請專利範圍第1 〇項的發明，是就申請專利範圍第1 項所記載的電漿處理裝置，其中前述載置台具有導電性的 下部電極，前述薄型環藉由熔融噴射來形成於前述下部電 極表面°

申請專利範圍第1 1項的發明，是就申請專利範圍第1 項所記載的電漿處理裝置，其中前述下側環是由形成在前 述電漿處理室內的電漿，保護前述載置台。 申請專利範圍第1 2項之發明，其特徵爲：具有：電漿 處理室；配置於前述電漿處理室內，載置被處理基板的載 置台；由前述被處理基板的外周緣部設置間隔，而包圍前 述被處理基板的周圍地加以配置的薄型環；以及配置成位 於前述被處理基板及前述薄型環的下側之前述載置台上的 靜電夾。 ·« 申請專利範圍第1 3項之發明，其特徵爲：具有：電漿 處理室；配置於前述電漿處理室內，載置被處理基板的載 置台；以及由前述被處理基板的外周緣部設置間隔，而包 圍前述被處理基板的周圍地加以配置的薄型環，對於前述 被處理基板的每單位面積之阻抗，前述薄型環的每單位面 積之阻抗的比爲5以下。 申請專利範圍第1 4項的發明是一種聚焦環，其是在配 置於電漿處理裝置的電漿處理室內之載置台上設置成包圍 被處理基板的周圍之聚焦環，其特徵爲：藉由從前述被處 理基板的外周緣部設置間隔，而包圍前述被處理基板的周 -9- (6) 200416801 圍地加以配置的薄型環；及配置成位於前述被處理基板及 前述薄型環的下側之下側環來構成。 申請專利fe圍第1 5項的發明’是就申請專利範圍第1 4 項所記載的聚焦環，其中對於前述被處理基板的每單位面 積之阻抗，前述薄型環的每單位面積之阻抗的比爲5以下

申請專利範圍第1 6項的發明，是就申請專利範圍第1 4 項所記載的聚焦環，其中構成前述薄型環的材料是與前述 被處理基板實質上阻抗相同的材料，前述薄型環的厚度爲 前述被處理基板的厚度之5倍以下。 申請專利範圍第1 7項的發明，是就申請專利範圍第〗4項所 記載的聚焦環，其中構成前述薄型環的材料是與前述被處 理基板相同的材料，前述薄型環的厚度爲前述被處理基板 的厚度之5倍以下。 ·« 申請專利範圍第1 8項的發明，是就申請專利範圍第〗4項所 記載的聚焦環’其中前述薄型環是由SiC、或在表面形成 有熔融噴射膜的鋁、或石英、或陶瓷所構成的。 申請專利範圍第i 9項的發明，是就申請專利範圍第丨4項所 記載的聚焦環’其中前述薄型環藉由熔融噴射來形成於導 電性下部電極的表面。 申請專利範圍第2 〇項的發明是一種聚焦環，其是在配置於 電獎處理裝置.0勺電漿處理室內之載置台上設置成包圍被處 理基板的周圍之聚焦環，其特徵爲：由配置成包圍前述被 處理基板的周圍之薄型環所橇成，對於前述被處理基板的 -10- (7) (7)200416801 每單位面積之阻抗，前述薄型環的每單位面積之阻抗的比 爲5以下。 [發明效果] - 如以上所詳細說明，若根據本發明的話，能夠在被處 理基板的全面實施均等的電漿處理，比起以往，可謀求電 漿處理的面內均等性之提昇。 ·« 【實施方式】 以下，參照圖面詳細說明關於本發明的實施形態。 第1圖是示意顯示本發明的第1實施形態之電漿處理裝 置（電漿蝕刻裝置）全體的槪略結構圖。在該圖，1顯示 構成電漿處理室的圓筒狀處理室。處理室的材質是例如由 在表面形成有陽極氧化膜（氧皮鋁）的鋁等來構成，處理 室的內部是構成可氣密地封閉。 上述處理室1是連接於接地電位，在處理室1的內部設 •i 有兼作下部電極的承受器（載置台）2。此承受器的材質 是例如在表面形成有陽極氧化膜（氧皮鋁）的鋁等。 在此承受器2的半導體晶圓W設有靜電夾3。此靜電 夾3的結構是如第2圖所示，將靜電夾用電極3 a介裝於由 ’ 例如聚醯亞胺等的絕緣材料所構成的絕緣膜3 b中。 . 上述承受器2是經由陶瓷等的絕緣板4支承於真空室1 內，在靜電夾3的靜電夾用電極3 a連接有直流電源5。 又，在承受器2上，包圍半導體晶圓W的周圍地設置 -11 - (8) 200416801 呈環狀的聚焦環6。針對此聚焦環6的結構，詳細說明如後 又，在承受器2的內部設有：用來使作爲溫度控制用 的熱媒體之絕緣性流體循環的熱媒體流路7 ·’及用來將氦 氣等的溫度控制用氣體供給至半導體晶圓W的裏面之氣 體流路8。

又，藉由在熱媒體流路7內使控制呈特定溫度的絕緣 性流體循環，來將承受器2控制成特定溫度。又，藉由在 此承受器2與半導體晶圓W的裏面之間介裝氣體流路8供 給溫度控制用氣體以促進這些之間的熱交換’使得能夠精 度良好且有效率地將半導體晶圓W控制於特定溫度。 又，在承受器2的大致中央’連接有用來供給高頻電 力的供電線1 〇。在此供電線1 0經由整合器1 1連接著高頻電 源（RF電源）1 2。由高頻電源1 2供給特定的頻率之高頻 電力。 ·· 又，在上述聚焦環6的外側’設有呈環狀且形成有多 數個排氣孔之排氣環1 3。經由此排氣環1 3，藉由連接於排 氣口 1 4的排氣系統1 5的真空泵浦等’來進行處理室1內的 處理空間之真空排氣。 一方面，在承受器2的上方之處理室1的頂壁部分，與 承受器2平行地對向地設置噴淋頭1 6。又，此噴淋頭1 6是 接地。因此，這些承受器2及噴淋頭1 6是作爲一對電極（ 上部電極與下部電極）來發揮功能。 上述噴淋頭16是在其下面設有多數氣體噴出孔17，且 •12· (9) 200416801 在其上部具有氣體導入部18。又在其內部形成氣體擴散用 空隙1 9。氣體導入部1 8連接有氣體供給配管2 0，在此氣體 供給配管2 0的另一端連接有氣體供給系統2〗。此氣體供給 系統2 1是由用來控制氣體流量的質量流量控制器（MFC ) 22、及例如用來供給蝕刻用處理氣體等的處理氣體供給源 2 3等所構成。

一方面，在處理室1的外側周圍，與處理室1呈同心狀 地配置有磁場形成機構（環狀磁體）2 4，在承受器2與噴 淋頭1 6之間的處理空間形成磁場。此磁場形成機構2 4是其 全體可藉由旋轉機構2 5，來以特定速度旋轉於處理室1的 周圍。

其次，說明關於上述聚焦環6的結構。聚焦環6是也如 第2圖所示’由從半導體晶圓W的外周緣部設置間隔，而 包圍半導體晶圓w的周圍地配置的薄板狀環構件6 a ;及 下側環構件（下側環）6 b所構成。下側環構件6 b是配置 成：位於半導體晶圓W與薄板狀環構件（薄型環）6a之 間，且位於半導體晶圓W及薄板狀環構件6a的下側。其 結果’承受益1 2疋:隔個半導體晶圓w與薄板狀環構件6 a之 間隔，不會直接曝露於處理空間中的電漿。再者，下側環 構件6 b是載置成收容於形成在承受器2的溝槽內。但，此 下側環構件6b是發揮保護承受器2的表面之功能，且因受 到電漿所消耗，所以能作爲交換品來進行交換。 又，在上述結構的聚焦環6，薄板狀環構件6 a的每單 位面積之阻抗（對於高頻之阻抗）是設定成半導體晶圓w -13- (10) (10)200416801 的每單位面積之阻抗的5倍。 在本第1實施形態，上述薄板狀環構件6a及下側環構 件6b均爲由與半導體晶圓W的材質相同之5夕所構成。在 此情況時，可藉由將薄板狀環構件6a的厚度作成半導體 - 晶圓 W的厚度（〇. 8 mm )的5倍以下（4.0 mn])，來將薄板 狀環構件6 a的每單位面積之阻抗作成半導體晶圓W的每 單位面積的阻抗之5倍以內。但，在本第1實施形態，如第 2圖所示，薄板狀環構件6a的厚度是作成與半導體晶圓W 的厚度大致相同。 因此，薄板狀環構件6a的每單位面積之阻抗是作成 與半導體晶圓W的每單位面積阻抗大致相同。 如上所述，將薄板狀環構件6a的每單位面積之阻抗 設定成半導體晶圓W的每單位面積的阻抗之5倍的理由如 下所述。 即，本發明者等詳細調查的結果，在使用如第8圖所 示的結構之以往的聚焦環5 2的情況時，會在形成於半導體 晶圓 W的上方之外皮的外皮電壓、與形成在聚焦環的上 方之外皮的外皮電壓，產生圖中虛線所示的差異。由於如 此外皮電壓的不連續性是造成半導體晶圓的周緣部之電漿 蝕刻處理的狀態之不均等性的原因之一，故預測藉由將上 述外皮電壓均等化來使蝕刻處理的均等性提昇。 · 又，藉由將聚焦環的每單位面積的阻抗接近半導體晶 圓 W的每單位面積的阻抗，可將上述之外皮電壓均等化 ，而使蝕刻處理的均等性提昇。使用與半導體晶圓 W相 -14- (11) 200416801 同的材質之矽，製作厚度爲8画、4 mn]、2.4 mn]之3種類的聚 焦環，實際進行了蝕刻處理。 •籲 第3圖是將縱軸規格化的蝕刻率（以由晶圓中心1 3 5麵 的位置之蝕刻率爲基準）。將橫軸作爲來自於晶圓中心的 距離’顯示上述的蝕刻處理之結果。如該圖所示，可得知 ’藉由使用厚度薄（因此每單位面積的阻抗接近於半導體 晶圓W )的聚焦環，特別是可提升半導體晶圓w的周緣 部之蝕刻率的均等性。 第4圖是以縱軸作爲半導體晶圓w端部之蝕刻率的均 等性（均勻性）（± % )、以橫軸作爲每單位面積的阻抗 比（聚焦環的每單位面積的阻抗/半導體晶圓W的每單位 面積的阻抗），來顯示上述結果的圖。 如該圖所示，藉由將薄板狀環構件6 a的每單位面積 的阻抗作成半導體晶圓W的每單位面積的阻抗之5倍以內 •籲 ’可將上述蝕刻率作成在多數的製造製程所要求之± 5 %以 內。 再者，根據製造製程，會有要求將蝕刻率的均等性作 成± 3 %以內之情況。在此情況時，如該圖所示，藉由將薄 板狀環構件6 a的每單位面積的阻抗作成半導體晶圓w的 每單位面積的阻抗之4倍以內，則可達到上述要求。 又’錯由將薄板狀環構件6a的每單位面積的阻抗作 成半導體晶圓W的每單位面積的阻抗之3倍以內、進一步 1 . 5倍以內，可進一步增加蝕刻率的均等性。

又’在上述的實施形態，說明過使用與半導體晶圓W -15 - (12) 200416801 相同的材質之矽作爲薄板狀環構件6 a的材質的情況，但 亦可使用其他的材質、例如S i C、在表面形成有熔融噴射 膜（Y2 03熔融噴射膜等）之鋁、石英、陶瓷等。在此情況 時，由於與半導體晶圓W電容率、導電率不同，故阻抗 比與厚度的關係則形成與上述不同者。

而實際上，半導體晶圓W是除了矽基板（S i )以外 ，由氧化膜（Si〇2)、氮化膜（SiN)、聚矽膜、金屬膜 ' low-k膜所構成。但，若該半導體晶圓w的阻抗受到矽 基板（S i )的阻抗所支配的話，則能夠不須考量上述氧化 膜（S i 02 )等的阻抗，而將矽基板（s i )的阻抗當作半導 體晶圓W的阻抗。 因此’阻抗相同的材料（例如矽）是可將矽基板（s i )的阻抗與半導體晶圓W (被處理基板）實質上當作阻抗 相同。又，除了矽以外，例如使用可控制s i C等的阻抗之 材料的話，則實質上可作成與矽基板（S i )的阻抗相同。 ·« 又，在薄板狀環構件6a設置例如a12〇3、Y2〇3之披覆 膜的情況時’若這些披覆膜是不會賦予薄板狀環構件6a 全體的每單位面積的阻抗很大的影響程度者的話，則不須 加以考量。根據薄板狀環構件6a的材料（母材）及厚度 、披覆膜的材料及厚度，在具有披覆膜的阻抗影響大時， 則必須考量具有該披覆膜的阻抗，來設定薄板狀環構件6 a 的材料、厚度、披覆膜的材料、厚度。 如上所述’薄板狀環構件6 a是比起例如第8圖所示的 以往之聚焦環52的情況時’其厚度變薄。特別是在本第1 -16- (13) 200416801 實施形態，由於薄板狀環構件6a的厚度作成與半導體晶 圓W大致相同，故無法在半導體晶圓W端部下側配置此 薄板狀環構件6a。因此，在本第1實施形態，藉由薄板狀 環構件6a、下側環構件6b來構成聚焦環6。 且將此下側環構件6 b配置成位於半導體晶圓W與薄 板狀環構件6 a之間且位於半導體晶圓W及薄板狀環構件 6 a的下側，來保護承受器2。

·« 其中，如第5圖所示，若將薄板狀環構件6 a的載置面 作成較靜電夾3的載置面更高，且在靜電夾3與薄板狀環構 件6 a之間的承受器2露出於電漿的部分實施熔融噴射膜的 話，則即使爲如第8圖所示的聚焦環5 2，也能夠省略下側 環構件6b。在第5圖，以矽製作薄板狀環構件6a，其厚度 作成半導體晶圓W的2倍左右。再者，第5圖之聚焦環是 與如第1及第2圖所示的由薄板狀環構件6 A及下側環構件 6b所構成的聚焦環不同，僅形成有薄板狀環構件6a的結 構。 且，亦可如第6圖所示，構成：將設在半導體晶圓w 的載置面之靜電夾3的直徑做成與承受器2大致相同的直徑 ，使其位於半導體晶圓W與薄板狀環構件6a的下側。在 此情況時，能夠省略下側環構件6 b，而薄板狀環構件6 a 是與半導體晶圓W —同載置於靜電夾3上。藉由如此的，結 構，能夠達到既可由電漿來保護承受器2，又能省略下側 環構件6b之簡單的結構。又，第6圖之聚焦環也與如第1 及第2圖所示的由薄板狀環構件6 A及下側環構件6b所構 -17- (14) (14)200416801 成的聚焦環不同，僅形成有薄板狀環構件6a的結構。 又，在本第1實施形帶的第2、6圖，如上所述，由於 將薄板狀環構件6 a的厚度作成與半導體晶圓W的厚度大 致相同，故能夠將承受器2的薄板狀環構件6 a的高度作成 . 與半導體晶圓 W的載置面的高度相同。因此，能夠同時 進行這些載置面的包覆加工，能夠達到良好的面加工精度 ，並且也可減低加工成本。 再者，第2圖所示的虛線是顯示形成在半導體晶圓W 的上部之外皮的外皮電壓、與形成在薄板狀環構件6 a的 上部之外皮的外皮電壓者。 其次，說明根據如上述結構的電漿蝕刻裝置之電漿蝕 刻處理的步驟。 首先，打開設在處理室1的未圖示之閘閥，經由鄰接 配置於此閘閥的真空預備室（未圖示），藉由搬運機構（ 未圖示）來將半導體晶圓w搬入處理室1內後，載置於承 受器2上。又，在使搬運機構退出到處理室1外後，關閉閘 閥。又，藉由從直流電源5在靜電夾3的靜電夾用電極3a 施加特定電壓的直流電壓，來吸著保持半導體晶圓W。 然後，一邊藉由排氣系統1 5的真空泵浦來將處理室1 內排氣成特定的真空度例如1.3Pa〜133Pa，一邊由氣體供 給系統2 1供給特定處理氣體至處理室1內。 _ 然後，在此狀態下，由高頻電源1 2經由整合器1 1，將 特定頻率例如十數MHz〜百數十MHz的高頻施加於承受 器2。使在承受器2與噴淋頭1 6之間的空間產生電漿，來進 -18- (15) (15)200416801 行藉由電漿之半導體晶圓W的蝕刻。 在本第1實施形態，在進行如此的藉由電漿之半導體 晶圓W的蝕刻之際，如第2圖的虛線所示，在半導體晶圓 W及聚焦環6的上方形成均等的外皮電壓之外皮。因此， ‘ 能夠在半導體晶圓W的全面實施均等的電漿蝕刻處理， 比起以往更能夠謀求電漿蝕刻處理的面內均等性之提昇。 又，因薄板狀環構件6 a的厚度，比起以往變得更薄 ，所以其熱容量降低，溫度變化的效應變好。因此，即使 反復進行複數次的電漿蝕刻處理，聚焦環的溫度始終形成 相同溫度，能夠減輕聚焦環隨著時間之溫度變動賦予電漿 蝕刻處理的影響。 又，當在半導體晶圓W執行特定的蝕刻處理時，藉 由停止供應來自於高頻電源12的高頻電力，來停止電漿蝕 刻處理，以與上述步驟相反的步驟，來將半導體晶圓 W 搬出處理室1外。 其次使用第7圖來說明本發明的第2實施形態。在第7 φφ 圖之7 6 a是藉由S i的熔融噴射來形成於由鋁等所構成的下 部電極（承受器）之熔融噴射環（薄型環），72爲用來被 覆下部電極的電漿露出部之Y2〇3熔融噴射膜。 在本第2實施形態，使用熔融射出環7 6 a來作爲薄型 ‘ 環，代替第1實施形態之薄板狀環構件6 a。因藉由S i的熔 . 融射出來在電極上形成熔融射出環76a，所以能夠容易將 熔融射出環76a的厚度作成與半導體晶圓W的厚度相同程 度。因此，能夠將熔融射出環7 6 a的每單位面積之阻抗作 -19- (16) (16)200416801 成與半導體晶圓W的每單位面積的阻抗大致相同。 熔融射出環7 6 a是能夠藉由大氣電漿熔融噴射法、電 漿熔融噴射法、高速火焰熔融噴射法、爆炸熔融噴射法等 來形成。熔融射出環7 6 a的厚度最好是與半導體晶圓W相 · 同程度，但因以熔融噴射來形成，所以也能夠作成較半導 體晶圓W更薄。亦可將熔融射出環76a的厚度作成較半導 體晶圓W更厚。 又，熔融射出環76a是不限於Si，亦可爲SiC、Υ203 φφ 、Α12〇3、或 YF3等的材質。Υ2〇3熔融噴射膜72也與熔融 射出環76a的材質同樣地，亦可爲Si、SiC、Α12〇3、或 YF3等的熔融噴射膜。 再者’本第2實施形態之聚焦環是僅爲作爲薄型環之 熔融射出環7 6 a的結構。 再者，在上述實施形態，說明過將本發明適用於半導 體晶圓W的電漿蝕刻的情況，但本發明不限於該實施形 態’例如當然同樣地適用於L C D基板的電漿處理等。 【圖式簡單說明】 第1圖是顯示本發明的第1實施形態的處理裝置之槪略 結構的圖。 第2圖是顯示第1圖的處理裝置之局部槪略結構的圖。 ， 第3圖是顯不因聚焦環所導致的餓刻率的均等性之差 異的圖。 第4圖是顯示阻抗的比與蝕刻率的均等性之關係的圖 -20- (17) (17)200416801 第5圖是顯示第1圖的處理裝置之局部槪略結構的變形 例的圖。 第6圖是顯示第1圖的處理裝置之局部槪略結構的變形 · 例的圖。 第7圖是顯示本發明的第2實施形態之處理裝置的局部 槪略結構的圖。 第8圖是顯示以往的電漿處理裝置的局部槪略結構的 圖。 [圖號說明] W…半導體晶圓 1…處理室 2…承受器 3…靜電夾 6…聚焦環 __ 6 a…薄板狀環構件 6b…下側環構件 7 6a···熔融射出環 -21 -

Claims (1)

1. (1) (1)200416801 拾、申請專利範圍 1. 一種電漿處理裝置，其特徵爲： . 具有：電漿處理室； 配置於前述電漿處理室內，載置被處理基板的載置台 I 由前述被處理基板的外周緣部設置間隔，而包圍前述 被處理基板的周圍地加以配置的環構件；以及 配置成位於前述被處理基板及前述環構件的下側之下 側環構件。 2 .如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中對於 前述被處理基板的每單位面積之阻抗，前述環構件的每單 位面積之阻抗的比大約爲5以下。 3 ·如申請專利範圍第2項之電漿處理裝置，其中對於 前述被處理基板的每單位面積之阻抗，前述環構件的每單 位面積之阻抗的比大約爲3以下。 4 .如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置，其中對於鲁_ 前述被處理基板的每單位面積之阻抗，前述環構件的每單 位面積之阻抗的比大約爲1 . 5以下。 5 .如申請專利範圍第〗項之電漿處理裝置，其中構成 前述環構件的材料是與前述被處理基板實質上阻抗相同的 材料， · 前述環構件的厚度爲前述被處理基板的厚度之大約5 倍以下。 6 ·如申請專利範圍第丨項之電漿處理裝置，其中構成 -22- (2) (2)200416801 前述環構件的材料是與前述被處理基板相同的材料， 前述環構件的厚度爲前述被處理基板的厚度之大約5 倍以下。 7 .如申請專利範圍第6項之電漿處理裝置，其中前述 ’ 被處理基板爲厚度〇. 8 mni的矽製半導體晶圓， 前述環構件由厚度4mm以下的矽製構件所構成。 8 .如申請專利範圍第6項之電漿處理裝置，其中前述 被處理基板爲矽製半導體晶圓， n 前述環構件由與前述半導體晶圓大致形同厚度的矽製 構件所構成。 9 .如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中前述 環構件是由S i C、或在表面形成有熔融噴射膜的鋁、或石 英、或陶瓷所構成的。 1 0.如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中前述 載置台具有導電性的下部電極， 前述環構件藉由熔融噴射來形成於前述下部電極表面 m 〇 1 1 .如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中前述 環構件是由形成在前述電漿處理室內的電漿，保護前述載 置台。 · 1 2 . —種電漿處理裝置，其特徵爲： . 具有：電漿處理室； 配置於前述電漿處理室內，載置被處理基板的載置台 -23- (3) (3)200416801 由前述被處理基板的外周緣部設置間隔，而包圍前述 被處理基板的周圍地加以配置的環構件；以及 配置成位於前述被處理基板及前述環構件的下側之前 述載置台上的靜電夾。 > 1 3 · —種電漿處理裝置，其特徵爲： 具有：電漿處理室； 配置於前述電漿處理室內，載置被處理基板的載置台 ;以及 __ 由前述被處理基板的外周緣部設置間隔，而包圍前述 被處理基板的周圍地加以配置的環構件， 對於前述被處理基板的每單位面積之阻抗，前述環構 件的每單位面積之阻抗的比大約爲5以下。 1 4 . 一種聚焦環，是在配置於電漿處理裝置的電漿處 理室內之載置台上設置成包圍被處理基板的周圍之聚焦環 ，其特徵爲： 由從前述被處理基板的外周緣部設置間隔’而包圍前 述被處理基板的周圍地加以配置的環構件；及 配置成位於前述被處理基板及前述環構件的下側之下 側環來構成。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之聚焦環，其中對於前述 ♦ 被處理基板的每單位面積之阻抗，前述環構件的每單位面 . 積之阻抗的比大約爲5以下。 1 6 .如申請專利範圍第1 4項之聚焦環，其中構成前述 環構件的材料是與前述被處理基板實質上阻抗相同的材料 -24 - (4) (4)200416801 則述構件的厚度爲前述被處理基板的厚度之大約5 倍以下。 ^ 1 7 .如申請專利範圍第1 4項之聚焦環，其中構成前述 . 環構件的材料是與前述被處理基板相同的材料， 前述環構件的厚度爲前述被處理基板的厚度之大約5 倍以下。 1 8 .如申請專利範圍第〗4項之聚焦環，其中前述環構 馨· 件是由S i C、或在表面形成有熔融噴射膜的鋁、或石英、 或陶瓷所構成的。 1 9 .如申請專利範圍第1 4項之聚焦環，其中前述環構 件藉由熔融噴射來形成於導電性下部電極的表面。 2 〇. —種聚焦環，是在配置於電漿處理裝置的電漿處 理_內之載置台上設置成包圍被處理基板的周圍之聚焦環 ’其特徵爲： 由配置成包圍前述被處理基板的周圍之環構件所構成 對於則述被處理基板的每單位面積之阻抗，前述薄型 環的每單位面積之阻抗的比爲大約5以下。 -25-