TW200413578A - Tin plating method - Google Patents

Description

200413578 玖、發明說明： 相關申請交互參者 本申請聲明2002年九月十三日提出申請的美國專利 臨時申請案第60/410,637號於35 u.s c· §n9(c)下之權 益，其整體内容以引用方式併入本文。 【發明所屬之技術領域】 正月且而3，本發明係關於錫和錫合金鍍覆領域。特別 的疋，本發明係關於；在基材上電沈積錫或錫合金層的方 法，該方法可在沈積膜上減少之晶鬚形成。 【先前技術】 錫和錫合金層典型地係用在電子工業中以提供 之良好可銲性。例如’可於銅導線架上沈積錫和錫合全岸 二^可銲的鐘層㈣der義finish)。不幸的是，錫㈣ 泛至層，特別是電沈積錫和錫合 #| 〇，，曰·^，，尨A W a 士 m令易自發地形成晶 4 _係由錫層表面長出的類似毛髮之單晶體。 錫晶彡貞之直徑在數微米到約 .4括日t : 。 ϋ u未靶圍内，長度可達數毫 種晶鬚可造成短路及引入雜訊到電子電路中，因: 造成電子裝置之可靠性問題。 ，’ 已提出使用錫鉛合金作為錫晶鬚 辦法。-般都同意這種合金比錫本身明 晶鬚。不過，日二A 4 承身月頋地較不容易形成

不過 刖全球性禁止鉛的使用夕本I 鬚問題重新浮出表面，而促使㈣儿 2已造成錫晶 越多。 ’’σ 土錫/尤知層之使用越來 92424 200413578 ^成勺、果，雖然也都相信錫之整體擴散也有牽涉其中。 不過，錫晶鬚的正確生成機制仍然尚未 :、 種，應力的因素已被推測…，其中，二= 、’、子勺存在所造成的晶格應力Mims) ·，由於錫 鍍復ir、件所產生的殘留應力（⑴id⑽卜⑽sses )，因為錫層 的機械負載或加工作業而來之應力，目與相鄰層之交互作 用’而來之應力，例如金屬間化合物之形纟，熱膨脹之差 異和類似者。請參考例如，Ewell等人著作之仏 and Passive Components: A Review of the Concerns, ~LtflX^J1^^SJStor T^ULQlogy Svmposh氣 pp 222-228,

March, 1 998 ° ， 關於減少錫或錫合金膜内錫晶鬚的主要焦點是在於 錫或锡合金沈積製程的條件。例如，# —種減少錫晶鬚形 成的方法是使用相對較厚的錫層，例如，約1〇微米厚度之 層。不過，這種厚層不全然實用或此種厚層對於某些應用 可能太厚，例如當前之微電子應用。另一種減少錫晶鬚形 成的方法為美國專利第5,75〇,〇17號（Zhang)中所述及者， 該專利揭示一種使用脈衝鍍覆條件來電沈積錫或錫合金於 金屬基材上的方法。此種鍍覆方法提供一種典型地具有3 到6微米厚度之錫層，其中該錫的顆粒大小為2到8微米。3 雖然Zhang推斷此種顆粒大小可減少錫晶鬚之形成，但是 這種錫沈積層仍然有錫晶鬚生成的問題。 K.N5 TU? Materials Chemistry and Physics 46 (1996) 217-223 與 K.N，Tu，Physical Review b，Volume 49 (3) 92424 6 200413578 (1994)，2030-2034證實晶鬚生成初期與金屬間化合物 (IMC )有相關聯。不過，並非只是純的大4說來啟始 晶鬚生成。在基材與錫電沈積層之間的IMC層的形態且特 別是均勻性也至少具有同樣重要性。根據Lee and Spontaneous Growth mechanism of Tin Whiskers (Acta 46，ηο· 10，ρρ37〇1·37 14, 1 998)，mc 層 ^ 質性增加了造成所謂雙轴壓縮應力，而後該應力以晶鬚生 成的形式釋放出來。該文件根據此點判定平滑盥均句的 IMC層可提供一種顯著減少晶鬚生成的手段。 的錫晶鬚之錫與 於技藝中存在著對於提供具有減少 锡合金層的方法之需要。 【發明内容】 々人馬訝且意外地發現’經由在鍍覆步驟之前 覆的基材施以處理裎庠可 站益 ' 处至牙王序了 U頒者地減少錫晶鬚之形 據本發明之第-觀點，提供—種在基材上電沈積錫或錫/ 二層的方法。該方法包括使用含有鱗酸與 : :理基材，並於處理過之基材表面上電沈積錫或：:: 低爆不赞明之另一觀點，提供一種在基材上恭 或錫合金層的方法。兮古 ^ / ^ 法忒方法包括使用含有50到8〇蝴 的叛酸之溶液I @ & 月豆 合成兔解處理基材，並於處理過之臭好主 沈積錫或錫合金層。 土 表面- 【實施方式】 如在本說明書中所使用者，下面諸縮寫具有下歹“ 92424 200413578 義’除非上下文有清楚地另外指明：t指的是攝氏 為克，L為升；mL為毫升；A為安培；如為公寸； :微米㈤cron或micrometer)。所有量為體積百分比，: 非有不同的指明。所有數值範圍都是内含且可以任一次岸 合併者’除非此等數値範圍有明顯受 100%。 〜问建 據此，本發明提供-種電沈積錫或踢合金層於基材上 面的方法。基材典型地為電子 土 板A i 4 凌置基材，例如，印刷線路 η: 半導體封I件，晶片電容器，晶片電阻 ’連接器，接觸點，及類似物。 於，銅，銅合金例如黃鋼，二、=材 、。金’及類似物。較佳者該基材為含銅的美 如銅或鋼合金層。銅合金例如C7025, C1 :才’例 :是特別合適者。不過，這些銅合金都特別容易生成:Γ1 某些銅合金，例如C7G25的另—項 易生成_。 在錫或錫合金電鑛程序之前二 =汗斑之形成。 方式的處理以預調理表面供電^所^材典型地係經過電解 有效益地實施以使基材表面抛光及平滑理係經 使後來沈積的錫均勻擴散到基材， 心这種表面可 合物層。在表面拋光之下 /成均勾的金屬間化 I材的不均白表 1 基材表面的較低部位優先地移 基材表面拋光而是㈣的表面預調理 ^以不疋將 從基材表面將材料非優先地移除 Θ者。蝕刻是指 化的基材表面，使得錫不均勾擴係形成經粗缝 基材内並造成在錫或 92424 8 200413578 錫合金層内之局部化 形成。 怎力區域，於該處可能誘導錫晶鬚的 根據本發明之— 酸與叛酸的溶液電解預調理處理包括使用含有填 該預處理溶液含有50:f材。根據本發明之另-觀點， 浴之PH值為從約〇至约0體積％的缓酸。典型地，此等 至約3，且較佳者為約i。 該磷酸可為，你丨4 τ丄 酸為較佳者且在溶Γ:二，酸或焦鱗酸。於其中，正填 8。體㈣之量，型：量為以該溶液計… 彳土者為30至40體積％之量。 該羧酸可為經取冲& y ,, 代者，且可以a夕 羥基羧酸，《為未經取 :者且：：為多元叛酸。合適之幾酸包括，例 丙-酸，甲基丙二酸，二甲基丙二酸，順丁婦早 丁二酸，檸蘋酸（citramaIicacid)，酒-^ 檸檬酸，戊二酸，經基乙酸，乳酸，丙酮酸 酮基戊一酸（a-ket〇gIutaric acid)，水揚酸 _ _ 及彼等之組合。其中’較佳的羧酸包括羥基丁 ^ : 以 酸，檸檬酸’乳酸，與其他糖酸酸與路醇：酸7:及：： 之組合。預處理溶液中羧酸的含量在與磷 型地為10至600克/升，而在沒有磷 °使用柃典 至800克/升。 下使用時為400 例^情要地’預處理溶液可包括驗金屬氫氧化物， 例如虱虱化鈉或氫氧化鉀。於需要時， J W使用遙合今vi # 氧化物來調整pH值。預處理溶液中之八 、’虱 戏孟屬氫負化你 典型含量以該溶液計係自〇至300克/升。 勺 92424 9 200413578 該預處理溶液中所使用之溶劑典型地為去離子水。視 情況需要地，除了去離子水之外，還可以使用有機溶劑。 經發現’在預處理程序中的電流密度可以經由使用有機溶 劑予以調整，藉此可促成額外的程序控制以選擇性地達到 所期望的表面拋光電壓（polishing voltage)如在帛i圖中所 顯示者。合適之有機溶劑包括，例如，乙二醇，丙二醇， 丙三醇及低分子量醇類例如乙醇和異丙醇。有機溶劑在子溶 液中的含量典型地為從〇至40體積％。 視情況需要可以你田_ -V' ^ ^ 一種或數種添加劑於預處 液中。這些添加劑包括，例如，潤濕劑及熟諸此‘： 的其他界面活性劑。 在有所知 基材係、經^導引至古士方+ 型地，於處理過程中上 5谷液之預處理槽中。典 =，交佳者為自約20t至坑。在預處理過程：至 二Ι:ΓΠ壓及/或陰極偏壓。較佳者，該基材係施 以％極偏壓。特殊電解虛 基材及欲沈積之層的：理的心取決於’例如，特定的 預調理步驟中的電壓較佳地係 光比接受I虫刻較為有利 疋使基材接叉拋 溶液之電流密度對電壓之並=，：；圖為鐘覆預處理 理之基材）…溶、、夜接觸：：線…'壓為在陽極（欲處 該圖可以看出，在點AflJf占=之間的d。如從 增加而增加。在此…內 電流密度會隨㈣的 子形式（MO而導致基^面金屬㈣會直接轉換為其離 ^ 的蝕刻。進一步增加電壓之 92424 10 200413578 下’在點B和C之間會發生電流密度的急劇降低，此標示 出在由金屬變為其離子形式的直接轉換與間接轉換之間的 過渡區域。間接轉換會促成基材拋光，在金屬轉換為其離 7弋之鈾金屬會轉換成為金屬氧化物（Me〇）。在點◦ 與點D之間的區域標示出最有利的拋光範圍，其中電流密 度在包1遞增之下都維持固定值。因此宜使用最小施加電 L來拋光基材。在點D與點£之間，電流密度係隨著電壓 5 ::而:t曰加。隨然有效拋光基材之電壓係取決於欲處理 的4寸疋基材與預處理溶液，不過該電壓典型地是從3至 伏^^ 1乂佳為從4至8伏。此電壓值典型地導致1〇至 女^ /平—方公寸（A/dm2)的電流密度，取決於，例如，溶 /夜組成，溶液槽之幾何及攪動。 預處理程序典型地係進 ^ , 反射性的基材表面為止。程序7广…度拋光及有 序4間典型地為從15至90秒， 罕乂 1 土：^為攸1 5至3 0秒。 除了具有對晶鬚形成之古、， 預處理π士 成之有盃效應之外，根據本發明的 預處理私序可以有效地防 曰] 生在八A i u / 1的形成，該污斑係經常發 生在銅合金基材的表面上者。 在預處理程序之後，即 你I 4士 用去綠子水沖洗基材以確定 攸基材移除掉預處理溶液。 土秄隹疋 水沖洗。視需要地，該水沖,决者，該水汗洗為-種高屡 該預浸程序中係使基材、可接著施以預浸程序， 與隨後鐘覆程序所用電解質7接觸。較佳者，該酸容液 地係在25t：進行-段從/所使用者相同。該預浸典型 主4〇秒之期間。 ]] 92424 200413578 下來是電沈積錫或錫合金。，，錫合 一種或多種1他 ° 係指包含錫和 一一 ，、他合金兀素的任何金屬，因此勺匕 一元合金，二亓人入^ 匕括，例如， 一兀合金及類似物。合適的人八_ 不限定於，鉍，如力 σ孟兀素包括，但 鉍，銅，銀，鉛，銻及鋅，且 與銀。特別合適的錫合金為錫_銅 …乂 土者為鉍，鋼 能含有，例如m1〇%的銅，直餘^種錫-銅合金可 金可視需要含有少量其他合金元素一。二種錫-銅合 的濃度可能有大範圍的變化。這種人全元各5金元素 諸此藝者的能力之…錫或錫合：：：厂 =圍係在熟 圍的變化，取決於特定的應用。例如:大範 沈積於導線架上面之時，…i耗：錫或錫合金層係 了兴序度典型地為從1至〗〇 錫或錫合金層可以用多種方法予以沈積。較佳者:錫 或錫合金層係於高速電鐘系統中以電解方式沈積。此等李 、者。電鍍溶液係經導引至此系統内 一貝也充鍍·覆電池，持續溢流到溢流池中，且連續 地送回到電池内。使基材通過電池中的電鐘溶液。此種電 解沈積可為，如，使用直流電（“Dc”）或脈衝鐘覆，包括 肢衝周期性逆反鍍覆。沈積技術的選定取決於，例如，特 定之基材與欲進行沈積之層。典㈣，錫或錫合金 的溫度為從約2(TC至約6(rc，較佳者為從約35艺至451。 典型地，錫或錫合金電鍍所用之電流密度為從】至％安培 /平方公寸，較佳者為從5至3 〇安培/平方公寸。 口適的$解型錫或錫合金鍍覆浴可為酸性者或鹼性 者。一範例酸性錫電鍍浴係含有一種或多種溶液可溶解的 ]2 92424 200413578 錫化合物，一種或多種酸性電解質，及視需要之一種或多 種添加劑。合適的錫化合物包括，但不限定於，鹽類例如 _化錫，硫酸錫，烷磺酸錫例如★曱烷磺酸錫，芳基磺酸錫 例如笨基磺酸錫，苯酚磺酸錫與甲苯磺酸錫，烷醇磺酸錫， 及滿似物。錫化合物較佳者為硫酸錫，氯化錫，烧績酸錫 或芳基磺酸錫，且更佳者為硫酸錫或甲烷磺酸錫。在此等 電解質組成物中的錫化合物含量典型地為可提供在5至 15〇克/升，較佳者30至8〇克/升，且更佳者40至6〇克/ 升範圍内的錫含量之量。多種錫化合物之混合物可視需要 以如上面所述之量使用。 任何溶液可溶解，適合用來製備穩定的錫電解質，且 對電解質組成物沒有其他不良影響的酸性電解質均可以使 用。合適的酸性電解質包括，但不限定於，烷磺酸類例如 甲燒〜SiSL，乙烧、酸及丙燒石黃酸，芳基磺酸類例如笨基磺 ^，笨酚硕酸與甲苯磺酸，硫酸，胺基磺酸，鹽酸，氫溴 馱，氟硼酸及彼等之混合物。典型地，酸性電解質的量為 k 10至400克/升，較佳者為從5〇至4〇〇克/升，且更佳 者為從150至300克/升之範圍。當錫化合物為鹵化物時， 較佳者該酸性電解質為對應的酸，，當本發明中使用 氯化錫時，該酸性電解質較佳者為鹽酸。 u尺巾一禋或； 口金金屬化合物。合適的其他金屬包括，但不限定於，$ 鎳’銅’鉍’辞’銀，銻，銦及類似物。特別合適之! 金為錫-銅。可用於本發明中之其他金屬化合物為可以】 92424 13 200413578 溶形式於電解質組成物 化合物包括，但 -孟萄之任何者。因此，金屬 酸鹽，金屬燒福酸趟：Γ二鹽類例如金屬“物，金屬硫 鹽例如金屬笨基；峨鹽，金屬芳基續酸 土 ” Θ夂鹽與金屬曱茉石蔷酴gg 鹽，及類似物。兩@ 金屬烧醇續酸 电角午質組成物中，豆他今 量的選定取決於，彻I /、孟屬化合物及其用 ϋ，要沈積的錫合金，此為$社+ -者所習知者。 此马A 4此蟄 熟諳此藝者都了解一種或多 合金電鍍浴中，办丨丄J用於錫或錫 幻如遇原劑，微晶劑例如 與其他濕潤劑，辩古兩丨> γ I方無化合物 ^ A 日冗劑，抗氧化劑及類似物。添加劑之、、曰 ό物也可用於本發明 ^ 強…… 劑可用來，例如，增 強電鍍的效率及/或品質。 還原劑亦可加到錫合 姓产π 一 A 妫σ金包解貝組成物中以協助錫保 持在可浴的二價狀態。合適的還原劑包括，但不限定於， 虱酿，和經基化芳族化合物’例如間笨二酉分，兒茶齡及類 似物。合適的還原劑為揭示於，例如，美國專利第4,871，429 唬之中者。此等還原劑的含量典型地為從0· i克/升至5克 /升。 亮光沈積層可以經由添加增亮劑於錫與錫合金電解 質組成物中而得到。此等增亮劑為熟諳此藝者所熟知者。 合適的增亮劑包括，但不限定於，芳族族醛例如萘甲醛， 苯曱醛，烯丙基苯甲醛（allylbenzaldehyde)，曱氧基笨甲酸 (meth〇xybenxaldehyde)及氯苯曱醛，芳族醛之衍生物，例 如苯曱基丙酮與亞笨曱基丙酮（benzylidine acet〇ne)，脂族 92424 ]4 200413578 醛類例如乙醛’戊二醛，及酸類例如丙烯 及吡啶羧酸。典型地，增亮劑的用量為〇丨 土丙烯酸 較佳者為0.5至2克/升。 克/升’且 合適的非離子性界面活性劑或 於，相對低分子體積的 2 I不限定 乙…。及/或環氧丙烧(”二^ 的環氧乙烧及以環氧丙烧衍生物。脂族醇可以是== 不飽和的。此等脂族醇與芳族醇可進一 +人古 或 师嶋團之取代基。合適的濕潤劑包V，但不= 含12莫耳Ε〇的乙氧化聚苯乙物，含有5莫：： 乙氧化^醇，含有16莫耳^乙氧 e〇之乙氧化丁醇，含有12莫 、 1〇 ^ ^ 吁之乙乳化辛醇，含有 2莫耳£0之乙氧化辛基苯酚，乙氧化/ ^ 乙燒/環氧丙统嵌段共聚物（ethylen i平了醇，環氧 M 〗 y ne 〇Xlde/propylene oxide :人了一叫，含有8或13莫耳E0之乙氧化万-萘 s有10莫耳E0之乙氧化m分，含有1〇莫耳E〇 乙：化㈣A，含有13莫耳E0之乙氧化雙酴A，含有 U耳EO之硫酸化乙氧化雙酿A，以及含有8莫耳E〇 之乙氧化雙酚A。典型地，舲笪非雜7， 潤劑的添加量為。·…。克=Γ/… 升。 見/升，且較佳者為0.5至10克/ 熟諳此藝者都了解筘其2 1 Α , _ , 基方私化合物或其他濕潤劑亦 ^ °到電解f組成物中以進-步形成微晶化。這些微晶劑 入可以進一步改善沈積物外觀及操作電流密度範圍。 92424 ]5 200413578 合適的其他濕潤劑包括，但不限定&，烷氧化物類 (alkoxylates)，例如聚乙氧化胺類⑺e τ_4〇3戋

Triton RW ’硫酸化烷基乙氧化物類例如τ幻丁⑽奶七以 及明膠或明膠衍峰必7。& μ γ 一 生物此寻可用之微晶劑的用量皆為熟浐 此藝者所熟知者，日i别上& 、°曰 且/、型地為從〇.01至20毫升/升，較# 者為〇·二至8毫升/升，且更佳者為1至5毫升/升。 门視而要地，抗氧化劑化合物可用於電解質組成物中以

St化：防止亞錫的锡氧化發生，例如，從二價轉變為四 二地°適的抗氧化劑化合物皆為熟諳此藝者所熟知者。 此等抗氧化劑化合物在電解質組成物中之用量 攸〇至2克/升。 里钓 的♦舌加：：解質組成物中的視.需要選用之添加劑，如果有 :係取決於所期望之沈積物的結果與種類。 %明之錫層可 上。合適的底層材料:Γ 積於一或更多底層之 合金。，，錄-合全，，=!括’但不限定於，鎳，钻及彼等之 何金屬，因此包：：：：：一種或多種不同合金元素的任 包括二元合公，口孟兀素的任何金屬，因此 但不限定於？銘—70合金及類似物。合適的合金元素包括， 與鈷合金中之鍅旦鎳磷及類似物。鎳合金中之鎳量 力範圍内者“士 =大範圍的變化且為在熟諸此藝者之能 及錦冬特別的底層包括錄m古，錄-碟 按昭本/ 鎳_磷合金包括具有2至13%之磷者。 饮；本發明之仏 叮W , 百 、.·。果，可減少錫與錫合金層'中的晶鬚形 92424 ]6 200413578 成甚至消除。 以下的實施例係示範說明根據本發明減少錫晶鬚形 成之方去’而不是將本發明之範圍限定於任一觀點。 實施例 1 、、、工化合4〇體積％正磷酸（85%)，15〇克/升乳酸， 40克/升虱氧化鈉及其餘用去離子水加到丨升製備鍍覆預 處理溶液。該溶液之溫度為25t且其PH值為}。將C194 銅合金導線架引導到該溶液中並施加3伏以上陽極偏壓3〇 t二致20至30安培/平方公寸之電流密度。將處理過之 V秦架以去離子水沖洗並以目視檢查污斑的形成。 中導線架浸到含# 15體積％甲燒項酸的抑溶液 y。經由混合50克/升錫（為甲烷磺酸錫（II)形式）， 160克/升游離甲俨石兰缺； ^ ^ } R 欠，25克/升含有8莫耳£0之乙氧化 β -奈酉分，及5克/升儿擁 ― 雙私Α製備«浴。將該導線架 置方;该冷内在高速電鍍系 方公寸電流密度下採度’和20安培/平 又卜知用直流電鍍覆予以電鍍。 導入該鍍覆溶液使其實質：H先中 溢流池，且連續地送回電、、也= …池，連續地溢流到 溶液。 /將基材通過在電池中的電鍍 電鎮之後’使用SEM分析 電銀過的導線架則存放在 Μ日日須的存在。其

嶋的檢驗室中。每隔—個月^驗^度且濕 分析晶鬚的存在。 至出敉品並用SI 實施例2 92424 ]7 200413578 重覆實施例1的栽床 丁· 序不同處在於使用C7025銅合金 導線架及採用4伏以上的預處理電壓。 實施例 3 重覆實施例1的程序，又円+ 、者 狂斤不冋處在於使用Κ75鋼合金導 線架，且預處理溶液係經由、、曰 、、工由此合30體積％正磷酸（85% )， 360克/升乳酸，及2〇體藉。/工 ^ 版積/°丙二醇，其餘加入去離子水到 1升製備成者。導線架係摊η 加化以4伏以上陽極偏壓30秒，導 致電流密度為5至1 〇安培/平方公寸。 實施例4 ’不同處在於導線架是用Cl 94 經由混合40體積％正磷酸 ’及1 0體積％丙二醇且其餘加 。導線架施以4伏以上陽極偏 15到20安培/平方公寸。 重覆實施例1的程序 銅合金’且預處理溶液係 (85%)，1〇〇克/升蘋果酸 入去離子水到1升製備成者 壓30秒，導致電流密度為 實施

重覆實施例 的程序，不同處在於將乳酸換成檸檬 實施魁6 重覆實施例 實施 的程序，不同處在於乳酸換成蘋果酸 重覆實施例1的程序 由混合400克/升乳酸，及 離子水而製備成者。 預期在預處理後檢杳 ，不同處在於該預處理溶液係經 4〇克/升氫氧化納且其餘加入去 導線架應顯*丨平滑，經高度抛 92424 18 200413578 光且具反射性的表，且該等表面是無污斑的。進一步預 期SEM /刀析結果應顯示電鍍層係實質地無晶鬚者。 雖然本發明業已參考特定具體實例詳細說明過，不過 對方、熱扣此蟄者頒然地可在不違背後附專利申請範圍之範 圍做出各種改變與修飾，及採用等效物。 【圖式簡單說明】 第1圖為根據本發明之範例電鑛預處理溶液之電流穷 度對電壓之曲線。 (本案圖式無元件符號） 92424 19

Claims (1)

1. 200413578 拾、申清專利範圍： 卜種電沈積锡或錫合金層於基材上面之方法，包括·· 以包括磷酸與羧酸之溶液電解處理基材；以及 地理之基材表面上電沈積錫或錫合金層。 2.如申請專利範圍第1項 / ，/、中，該基材係以含銅 金屬或金屬合金構成者。 3·如申請專利範圍第1或2項之方法，其中，該電子裝置基 材係印刷線路板美姑， —抑 材 V、，泉罙，半導體封裝件，晶片電 谷益，晶片電阻器，連接器或接觸點。 4·如申請專利範圍第1至3項中任—項之方法’其中，該石舞 酸為在该溶液中之含量為2〇至晴積。相正碟酸。 5. ==圍第1至4項中任-項之方法，其中，該羧 &酒石酸，檸檬酸，乳酸，或彼等之组合。 6. 如申請專利範圍第…項中任一項之方 ’ 酸係經基羧酸。 T綠 7·如利範圍第…項中任—項之方法，其中，該溶 液復匕括鹼金屬氫氧化物。 8.如申請專利範圍第⑴項中任一項之方法 液復包括有機溶劑。 Τ — 9_ 士 ：巧專利乾圍第1至8項中任-項之方法，其中，該電 解處理步驟係以能使該基材的表面有效拋光的電声進行。 1〇.一種電1積錫或錫合金層於基材上面之方法，包括： =含有50至80體積％羧酸之溶液電解處理基材；及 电沈積錫或錫合金層於已處理過的基材之表面上。 92424 20