TW200409561A - El display device and method of manufacturing the same - Google Patents

El display device and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
TW200409561A
TW200409561A TW091134302A TW91134302A TW200409561A TW 200409561 A TW200409561 A TW 200409561A TW 091134302 A TW091134302 A TW 091134302A TW 91134302 A TW91134302 A TW 91134302A TW 200409561 A TW200409561 A TW 200409561A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
opening
substrate
electrodes
scope
Prior art date
Application number
TW091134302A
Other languages
English (en)
Inventor
Paulus Cornelis Duineveld
Coen Theodorus Hubertus Fransiscus Liedenbaum
Eliav Itzhak Haskal
Oscar Johannes Antoinetta Buijk
Herbert Lifka
Original Assignee
Koninkl Philips Electronics Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninkl Philips Electronics Nv filed Critical Koninkl Philips Electronics Nv
Publication of TW200409561A publication Critical patent/TW200409561A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42384—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
    • H01L2029/42388—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor characterised by the shape of the insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/2901—Shape
    • H01L2224/29011—Shape comprising apertures or cavities
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent

Description

200409561 ⑴ 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 本發明關於一種裝置，如電激發光（EL)顯示裝置，其包 含一基板，安排在基板上之第一電極，安排在第一電極上 之第二電極，及至少一電絕緣裝置安排在至少一第一電極 之上並將二個第二電極隔開。本發明進一步關於該裝置之 製造方法。 上述之電激發光顯示裝置在此技藝中已為人知。該裝置 之一例如圖1及2所示之裝置，分別顯示一 el裝置之剖面， 及一半完成之EL·裝置在第二電極沉積前之頂視平面圖。該 特殊結構包含一透明基板1由玻璃製成，其上有一相當寬之 平行條’此例下為導電透明材料如沉積氧化銦錫（ITQ)以物 理蒸氣沉積（PVD)之陽極2。實質上，電絕緣材料之平行條3 以90度角安排在陽極2上。此等絕緣結構3包含下方絕緣基 座或足部4及一上方脊部5。 EL材料條6以噴墨印刷或真空蒸氣方式沉積於絕緣結構3 之間。該EL條6可包含二個或多個子層，即下方洞運輸層 ，一放射層，及上之方電子運輸層。陰極層7沉積在£1條6 及絕緣結構4，5之上。由於此結構4，5之存在，陰極7可不 用屏罩而製成，換言之，其可自行對齊。 第一段之裝置與圖丨及2所示之裝置相似，並揭示於1；尺專 利申請號瑪GB 2347017。本揭示之圖丨顯示包括備有盥條狀 預定間隙之陽極之EL裝置之剖面圖，為了獲得陰極之圖案 及共同絕緣，陽極備有複數個肋部，各對肋部成並列，以 便彼此以預定間隔相隔離。 200409561
(2) 電連接裝置之陰極與陽極如上所述至一共同連接器或一 控制器需要許多空間，因此導致主動面積之損失及/或必須 有一相當尺寸之裝置。 本發明之目的為達成裝置之更緊密設計可用。 為達此目的，本發明之特徵為絕緣結構包含一開口，其 自結構之頂表面延伸至結構下方之電極。較佳為安排導電 $料於絕緣結構中，及/或在其頂表面上並接觸結構下方之 弟 電極。 乂下詳述本發明之裝置可達成不複雜之接線路由以連 接第-及第二電極至一位於裝置一侧之連接器或控制器。 本發明進一步關於裝置如EL顯示裝置之製造方法，該方 法之特徵為絕緣結構備有—開口，其自電絕緣結構之頂表 =延伸至結構下方之第—電極。較佳為導電材料沉積於中 間層及電絕緣結構上，因而構成—層與結構下方之第 極接觸。 降ί裝置設計之相關 …d、土屋展置之屏罩之 可局没計外，生產程序本身， 一 各別私績步驟之性質及順 媒為與現有之程序基本上不同。 該導電材料與第一電極間之電接 j <电接觸如開口壁之至少一邱 分建立一正角，艮卩盘其士L· 士 之卢磁4 U板之上表面或與基板上表面成平行 =擬平面之角度大於9〇度，則其間電接觸可增強。 1用負光致蝕刻劑為電絕緣材料， 度外劈之βg J月匕獲仔一具有負角 革為該開口之壁。 …緣結構’即以單一屏 (3) (3)200409561
本發明將以圖式加以說明，其中圖解顯示本發明數個實 施例。 圖1為習知技藝之EL裝置之部分剖面圖。 圖2為圖1之半完成EL裝置之頂部平面圖。 圖3為本發明之el裝置之部分剖面圖。 圖4為圖3之半完成之eL裝置之細節平面圖。 圖5 A-5F為圖4開口之六種適當形式。 圖6為圖3之EL裝置之進一步部分剖面圖。 圖7A-7D為本發明製造第二裝置之方法之四步驟。 ，同顯示裝置之零件具有相同或實施相同功能者均以相 同號碼表之。圖1及2已討論如上。 圖3顯示一本發明之顯示裝置之部分剖面圖，其包含一玻 璃基板1厚度約為〇.3_〇7 mme實際上條狀陽極2圖案以光 刻程序安排在基板U，如沉積透明導電材料薄膜如氧化銦 錫（㈣），厚度在·3⑽nm，並將其實施涉及光阻_圖 案之邊緣處理。 隨後，-電絕緣聚合物層如正光刻蝕刻劑被旋轉塗層在 :板1及陽極2之總成上。一隔離條圖案4以圖案屏罩方式限 =於此層’屏罩將維持之聚合物層部分蓋住，而未蓋住部 分暴露在UV-輻射之下，該層得以顯影。根據本發明，每 :隔離條4較佳以相同屏罩備製，其有一開口以使陽極巧 :離•之構成程序以負光致姓刻劑重復為之。為此目的 -負光致蝕刻層沉積在所得之結構上’進一步之圖案屏 200409561
罩置於此旋轉塗層之層上。此屏罩用以將結構暴露在包含 與隔離條4中開口全部或部分對齊之洞之光致蝕刻劑中。以 此方式，脊部5於是獲得，其二側之壁與基板丨建立一負角 ，而因此造成之開口 8(圖4)之壁與該基板丨平行之平面及陽 極2建立^正角。 在次特殊實施例之隔離條4之間，一厚度為50_5〇〇〇 a之 洞運輸層（HTL)6a及一厚度為5-5000 A之放射層讣加以沉 積。此一沉積可用真空沉積（如顯示為所謂有機LEd顯示） ，或噴墨印刷（LED)。現代因印刷技術提供在材料沉積之面 積上及總成保留未涵蓋處之精確控制。開口中材料之沉積 得以避免。 其次，一陰極層沉積於全結構之上，因而構成一自行對 齊之平行陰極於於脊部5與脊部5頂部引線9之間。對比下， 開口 8之各壁之正角構成一引線9與陽極2間之穩固電連接。 以十子形構型之引線9與陰極7成平行，並在該陰極7終端 處之同側終止。因此，不需要自陽極終結處至陰極7終結處 之一側引線所需之複雜及耗費空間之路由，陰極7與陽極2 可用位於裝置一側之單一及相當小（窄）之連接器及彎曲薄 片連接至控制器。 通常，每一引線9可包含一開口 8，此時，引線9與單一特 殊之陽極2相關，或每一引線9可包含複數個開口 8，此時， 單一引線9可用以驅動一組陽極2。如脊部5為夠寬，亦可移 除一或多個引線9之中間部分，因而有效構成二（或更多）平 订引線9，其可經對應號碼之選擇性交差之開口 8連接至對 200409561
應號之陽極。 圖5 A-5F顯示數個適當之負及正屏罩形狀用以構成開口 8 ’以此開口，引線9與陽極2間之電連接可進一步提升。如 用負光阻钱刻劑，形狀代表屏罩中之一開口，如用正光阻 姓刻劑，形狀代表屏罩部分。 在負光阻蝕刻劑情況下，圖5A之形狀包含三個6〇度之角 ，根據圖5B，則包含四個270度角，其為有效的9〇度，及八 個90度角。90度或小於9〇度之銳角似乎造成有正斜率之壁 。此效應可能由於光阻蝕刻劑曝光期間之干擾及/或衍射效 應造成，因而導致局部低曝光。準此，較佳為，構成開口 8 之屏罩包含複數個90度或小於90度角或27〇度角或更大之 角。 圖5C-5F顯示適當形狀之其他舉例，即星形包含四個，五 個及32個銳角，及圖5B之十字形，包含24.個銳角而非12個。 引線9與陽極2間之電接觸可提供一結構如正光致蝕刻劑 之小滴10於陽極2上而獲得改進。自圖6可見，顯示自圖4 之線νι-ν：[之剖面，此小滴10可降低絕緣結構5之頂部表面 及陽極2間之步進之高度，因而進一步改進引線&與陽極2 間之電接觸。該小滴1G亦使光致#刻劑曝光㈣改變光< 反射，其將用以作為構成絕緣結構5。此等改變之使用可影 響、纟巴緣結構5之壁之形狀及斜度，因而谁、 丨又連一步便利該步進之 橋路形成。 圖7顯示製造本發明另一實施例之四個步驟，其中之開口 8及引線9沿脊部5全長度延伸。 ^ (6) (6)200409561 隔離材料之條狀物4，如氧化矽具有1〇〇 nm之厚度沉積在 備有條狀陽極2之基板上。此等條狀物4每一包含一洞或開 口（未示出）以使陽極2與引線9間成電接觸，該引線隨後丟 掉。 光致蝕刻劑之一犧牲結構丨丨隨後沉積在條狀物4上並由 第二隔離材料如厚度為200 nm之氮化矽層及光致蝕刻劑之 厚層12之氮化矽層5所蓋住。此層12係沿層5所發展，其部 刀以電漿蝕刻移除以暴露出犧牲結構丨丨及（部分）陽極2。之 後，光致蝕刻劑厚層12及犧牲結構u以剝皮及蝕刻方式被 完全移除，因而形成包含一開口或溝道8之脊部一洞運 輸層’ -放射層及-電子運輸層順序以蒸氣沉積或喷墨印 刷法沉積於脊部5之間，一陰極層沉積在全部結構之上。此 陰極層構成陰極7及引線9,該每一引線9與陽極2接觸（經由 離條4之對應開口或洞），及運行及與陰極7平行緣社。 本發明不受限於上述實施例，其可在申請專利範圍口内以 數種方式變化。例如’除電激發光顯示裝置之外，本發明 可用於為電機械裝置或掃描電子微觀之用。 圖式代表符號說明 1 基板 2 陽極 3 平行條 4 絕緣結構 5 絕緣結構 6 電激發光條 200409561 ⑺ 發哦_攻瑪 7 陰極 8 開口 9 引線 10 小滴 11 犧牲結構 12 厚層
-12-

Claims (1)

  1. 200409561 拾、申請專利範圍 1.-種如電激發光顯示裝置之裝置，包含_ :丨 電極⑺安排在基板⑴之上，第二電㈣()第^ 及至少一電絕緣結構(3、5)安排 ^一電極⑺之上，並隔開二第二電極⑺，其特徵^ 七緣結構(4, 5)包含一開口⑻’其自;: 伸至在結構（4,5)下方之第一電極（2)。，）之頁錢 圍广項之裝置，其中-導電材料(9)安排 緣構（4，））之中及/或之上，並與結構（4,5)下方之 第一電極（2)接觸。 3.如申請專利範圍第夏或2項之裝置，其中該開口（8)之 至少-部分與基板⑴之上表面或與基板⑴之上表面平 行之虛擬表面建立一正角。 4·如前述申請專利範圍中任何一項之裝置，其中該裝置包 σ複數個κ貝·上平行之第一電極（2)，複數個實質上平行 之第二電極（7)與第一電極（2)構成一角度，複數個長形 實質上平行之電絕緣結構（4, 5)將第二電極（7)隔開，及 一電激發光層（6)安排在第一及第二電極（2, 7)之間。 y如申請專利範圍第4項之裝置，其中該導電材料構成電 引線（9)於至少某絕緣結構（4,5)之頂部，及其中至少某引 線（9)電連接至單一第一電極（2)。 6. 一種如電激發光顯示裝置之裝置之製造方法，該方法至 少包含以下步驟，安排第一電極（2)於基板（1)之上，安 排至少一電絕緣結構（3 ; 4, 5)在第一電極之上，安排一
    鞠·亂幾質 、第 丁丨〜/百 唁η达 ”一，八％电您琢活構(4, 5)之会 ”付域為該絕緣結構備有開口（8 方 表面延伸至結構（4,5)下之4自極=緣結_， 如，明專利範圍第6項之方法，其中一導 積在中間層⑹及電絕緣結構（4, 5)之上，:9)沉 (9)與結構（4,5)下之第-電極（2)接觸。 成—層 二申：專利範圍第6或7項之方法，其令該開口⑻之、 :-部分與基板⑴之上表面或 (:之 9 之虛擬平面建立一正角度。 ）上表囬平行 如申請專利範圍第8項之方法，甘占 包含-光致㈣，其結… 罩方式構成，1右門. ，）及°亥開口（8)由屏 a如申請專利範圍第成\處，含複數個銳角⑷。 光致蝕刻劑。 ’、中5亥光致蝕刻劑係負 U.如申請專利範圍第6_9項中之 ^ 項之方法，其中該開口 )之〇 ^係由_犧牲結
TW091134302A 2001-12-10 2002-11-26 El display device and method of manufacturing the same TW200409561A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP01204744 2001-12-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200409561A true TW200409561A (en) 2004-06-01

Family

ID=8181377

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091134302A TW200409561A (en) 2001-12-10 2002-11-26 El display device and method of manufacturing the same

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7180239B2 (zh)
EP (1) EP1459393A1 (zh)
JP (1) JP2005512298A (zh)
KR (1) KR20040066156A (zh)
CN (1) CN1608327A (zh)
AU (1) AU2002347476A1 (zh)
TW (1) TW200409561A (zh)
WO (1) WO2003050893A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4360918B2 (ja) 2002-03-20 2009-11-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ アクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP4120279B2 (ja) * 2002-06-07 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器
EP1554756B1 (en) * 2002-09-20 2016-07-20 Koninklijke Philips N.V. A method for manufacturing an electrical device
KR20050068794A (ko) * 2003-12-30 2005-07-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
US7772763B2 (en) * 2004-12-02 2010-08-10 Lg Display Co., Ltd. Organic electro-luminescence display device comprising grid shaped auxiliary electrode
TWI259027B (en) * 2005-04-29 2006-07-21 Univision Technology Inc Organic electroluminescence device capable of preventing long-distance short circuit
DE602006016109D1 (de) * 2005-05-23 2010-09-23 Thomson Licensing Leuchtschirm zum beleuchten oder anzeigen von bilden elektrode
KR101143356B1 (ko) 2005-06-30 2012-05-09 엘지디스플레이 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
JP2014089825A (ja) * 2012-10-29 2014-05-15 Nitto Denko Corp 有機エレクトロルミネッセンス発光装置、及びその製造方法
WO2017217113A1 (ja) * 2016-06-15 2017-12-21 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US43928A (en) * 1864-08-23 Improvement in spring catch-buttons
US5472913A (en) 1994-08-05 1995-12-05 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating porous dielectric material with a passivation layer for electronics applications
JPH1197182A (ja) * 1997-09-24 1999-04-09 Pioneer Electron Corp 発光ディスプレイパネル
JPH11204267A (ja) * 1998-01-14 1999-07-30 Sharp Corp エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法
JP3641963B2 (ja) 1999-02-15 2005-04-27 双葉電子工業株式会社 有機ｅｌ素子とその製造方法
KR20010103000A (ko) * 1999-11-29 2001-11-17 요트.게.아. 롤페즈 유기 전기발광 디바이스와 그 제조 방법
JP2001223079A (ja) * 2000-02-09 2001-08-17 Futaba Corp 有機ｅｌ表示素子
JP4423767B2 (ja) * 2000-08-22 2010-03-03 ソニー株式会社 有機電界発光素子及びその製造方法
US6699728B2 (en) * 2000-09-06 2004-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Patterning of electrodes in oled devices
TW594395B (en) * 2000-09-29 2004-06-21 Nippon Zeon Co Photoresist composition for insulating film, insulating film for organic electroluminescent element, and process for producing the same
KR100388271B1 (ko) * 2000-10-14 2003-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
JP2002208489A (ja) * 2000-11-10 2002-07-26 Toyota Industries Corp 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法
TW595249B (en) * 2001-01-08 2004-06-21 Chi Mei Optoelectronics Corp Organic electroluminescent element structure and its manufacturing method
JP2002318556A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Toshiba Corp アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1459393A1 (en) 2004-09-22
JP2005512298A (ja) 2005-04-28
WO2003050893A1 (en) 2003-06-19
US7180239B2 (en) 2007-02-20
AU2002347476A1 (en) 2003-06-23
CN1608327A (zh) 2005-04-20
KR20040066156A (ko) 2004-07-23
US20050017631A1 (en) 2005-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11050036B2 (en) Electrode contacts
JP3641963B2 (ja) 有機ｅｌ素子とその製造方法
JP4595143B2 (ja) 有機ｅｌデバイスとその製造方法
CN109560088A (zh) 柔性显示基板及其制作方法
TWI275183B (en) Structure of thin film transistor array and method for making the same
JP4103045B2 (ja) 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法
TW200427355A (en) Deposition mask, method for manufacturing display unit using it, and display unit
JP2002117975A (ja) 単純マトリクス式画素配列型有機電界発光装置の製造方法
TW200409561A (en) El display device and method of manufacturing the same
WO2019041829A1 (zh) 薄膜晶体管及制作方法、显示基板及制作方法、显示装置
CN109166862A (zh) 柔性oled显示面板及其制备方法
JP3736179B2 (ja) 有機薄膜発光素子
CN108122932B (zh) 一种阵列基板及制备方法
JP3663876B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
CN103941448B (zh) 一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、液晶显示器
JPH11307268A (ja) 有機薄膜発光素子およびその製造方法
JP2007503686A (ja) 有機電子デバイスの製造方法および有機電子デバイス
TWI321362B (en) Semiconductor structures and fabrication method thereof
JP2006164973A (ja) 有機電界発光素子およびその製法
TWI379140B (en) Pixel structure and active device array substrate
JP3755727B2 (ja) 有機薄膜発光ディスプレイパネルおよびその製造方法
CN110379930A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示面板
KR100311307B1 (ko) 풀칼라 유기 전기 발광 소자의 제조 방법
TW200810106A (en) An integrated shadow mask and method of fabrication thereof
CN103941489B (zh) 液晶显示装置以及tft阵列基板的制作方法