TW200408606A - Micro-machine and method of manufacturing the micro-machine - Google Patents

Description

玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於微型機器 荖办n、 次具t造万法，特別係關於以介 有工間部而橫切輸出電柘 機器及其製造方法。—万万式紅置振動器電極之微型 【先前技術】 隨著在基板上之微細加 基板 技侖疋進展，在矽基板、玻璃 極及丰道 ％成微細構㈣與控制此微細構造體之電 一ft體積體電路等之微型機器技術已逐漸受到注目。 微係被提案利用作為無線通訊用之高頻滤波器之 :力杂。如圖11所示，微小振動器100係在設於基板101 所^則出電極1〇2a上方，介著空間部八配置振動器電極103 成此振動咨電極103之一端部連接於以與輸出電極 $導層所構成之輸人電極1 G2b，有特定之頻率電壓 :施加至輸入電極刪時，介著空間部A而設於輸出電極 、02:上之振動器電極1()3之樑（振動部）咖會振動，使構成 泰輞出私極1〇2a與樑（振動部）1〇3a間之空間部A之電容器之 ^ ^生夂化，並由輸出電極1 02a輸出此變化。此種構成之 从小振#力H 1 〇 〇所構成之高頻遽》皮器與利用表面彈性波 (SAW)或薄膜彈性波（FBAR)之高㈣波器相比，可實現高q 值。 一此種微小振動器係利用下列方式製造。首先，如圖以所 不，在表面覆蓋絕緣層之基板1〇1上，形成多晶矽構成之輸 出電極102a、輸入電極1〇2]3、支持電極1〇2c。此等電極Μ。 85725 200408606 〜l〇2c係在夾著輸出電極心之兩側配置輸入電極⑽與 支持電極赚。接著，以覆蓋此等電極心〜⑽之狀態， 在基板101上形成氧化矽構成之犧牲層1〇5。 其次，如圖12B所示，在犧牲層1〇5形成到達輸入電極嶋 及支持電極102c之連接孔1〇5b、1〇5c。其後，在包含此等連 接孔祕、105c内之犧牲層1〇5上形成多晶梦層⑽。 ’、如圖12(：所不，利用將此多晶碎層1 06施行圖案！虫 刻’形成通過輸出電極⑽上之帶狀振動器電極1〇3。此時 ’為防止多晶$構成之輸人電極㈣及支持電極1心受到融 刻以疋王极盖連接孔1〇5b、105c之方式’施行多晶石夕層106 之圖案飾刻。 經以上工序之後，選擇地除去犧牲層1〇5，藉以如先前圖 U所不，在輸出電極咖與振動器電極⑼之間形成空間部 A而完成微小振動器1〇〇。 、但」如此所製得之微小振動器1〇〇會在接觸樑i〇3a之兩端 ..田K支持# )i〇3bd緣端分形成未被固定於輸入電極 或支持％極l〇2c〈詹邵B。此種|部⑽振動器電極⑻ 進-步縮小時，對樑103a之振動會帶來大的影響。 圖U係表不上述微小振動器1〇〇之揉長匕與固有振動頻率 之關係圖。如本圖所示’依據下式⑴之理論上之固有振動 頻率（Theory)與（1/L2)成正比： L2 Λ .,

P .· · (1) h :膜厚 E :楊氏模量 85725 200408606 κ·電磁力輕合效率 ρ :膜密度 但，在上述微小振動器100中，由使用有限元法之模擬結 果（Simulatl〇n)也可知悉：在樑長L縮小至10心，樑103一 支持此樑H)3a之錯部_之長度呈現相同程度之區域 (100MHz以上），受到底部B之影纒，難 ^ 〜曰雞以利用與（1/L2)成正 比（形悲，貫現固有振動頻率之高頻化。 因此’本發明之目的在純供具有即使在⑽職以 高頻帶下’也可與(1/l2)成正比地 化之振動器電極之微型機器。 百振動頻率《而頻 【發明内容】 上：二=二的’本發明之微型機器係包含設於基板 上（幸…極及輸出電極、與以使兩側 極及基板上之狀態，介著办 持万；輞入遍 、, 、 丨耆工間4知振動邵鋪設於輸出兩叙 〈上賴構成之帶狀振動器電極之微 :- 將振㈣電極之各端部，由前端至振動部間==在於： 定於輸入電極及基板。 ]又王面完全固 成之微型機器由於將振動器電極之兩端 …土振動部間之全面中，完全固 在由 僅振動部介著空間部被配置於與基底板之間：：二現 ’經由輸入電極’將特定頻率之電壓施加 疋以 使該振動器電極振動時，僅振動部會干預到振動：：極而 ^此’固有振動頻率更接近㈣論上之值（與振^而長振動。 〜万成反比〈值）’容易達成利用微細化之高頻化。 85725 200408606 又本發明w係有關此種構成之微型機器之 其特徵在於利用下列步驟執行製造。 σ / 化首二Γ㈣造方法係利用將基板上之第1導電層圖案 :…接及輸出電極後，在輸入電極之上面及夾

煮輪出電極而愈兮於λ兩J 之保確r r Γ 相反側之基板Λ，形成絕緣性 U要耆’將可對保護膜選擇地施行蝕刻之犧牲層 ，以使孩保護膜露出而覆蓋輸入 曰 ^i ^ ^ I夂钿出電極之狀態形 土 ，在保護膜形成達到輸入電極及美板之逵 接孔。其後，在含連接孔之犧牲層 2 將其圖案化，形成兩端部完全覆蓋連接孔内：二=

周緣端位於保護膜±，M / W 哭兩。甘；B 彻出甩極 < 帶狀振動 °口 一 /、/人，k擇地除去犧牲層而在振動哭電；1 ^ + 電極之間設置空間部。 力-兒極與輸出 依據此第1種製造方法，士 蓄士 +山 由於係利用以犧牲層將基板上覆 置成路出形成有連接孔之保護膜之狀態，以覆 ，且兩端邵之周緣端位於保 之圖案。因式7成振動器電極 佩勒的私極可在以其兩端之 接孔及保護膜上之狀態，僅 配置I連 :，在此狀態下’對保護膜選擇地除去犧牲層，:二： U係被形成僅在中央部設置空間部，且兩端部之巧緣： 不起出保護膜而全面地固定於連接孔及保護膜 响 又，由於利用覆蓋連接孔方式形成振動器電 二狀。 使配置於連接孔之下部 固衣，即 材料所構成，振動器電二二=同：振動器電極之 〈圖末形成也不會對連接孔内之 85725 200408606 輸入電極造成影響。 又，第2種製造方法係利用將基板上 ’形成輸入電極及輸出電極後，在基板上r二層圖案化 極之犧牲㊆。p + 杜卷板上形成覆蓋此等電 曰接耆，在犧牲層形成達到輪入泰i7、i ^ 及爽著輸出電極而達到與該輸入電極之;^極《連接孔 連接孔，在含此等連接孔内之犧牲層上，貝’〈基板上之 層選擇地餘刻之第2導電層。其後，利用對^對第1導電 地將第得電層圖案化，形成兩端部之^導電層選擇 孔内’且中央部橫切輸出電極上之帶配置於各連接 ，選擇地除去犧牲居…… 動器電極。其次 空間部。 "&力态電極與輸出電極之間設置 依據此第2種製造方法，由於係在 及基板上之連接孔之犧牲層上，以將:：達：輸入電極 於連接孔内之方式施行振動 奴周緣端配置 動器電極可在以其兩端之全面配置:：=。因此，振 將中央部配置於犧牲層上。在此，=接孔内之狀態，僅 第2導電層可對構成輸入電極之第!道：構成振動器電極之 在振動器電極之圖案形成之際，振選擇地钱刻，故 會對露出連接孔之底部之輸入電梯部二技义圖案形成不 此狀態下，選擇地除去犧牲層刀：成影響。而，在 在中央部之下方設置空間部，且兩μ /為電極係被形成僅 電極及基板之形狀。 〃端°卩全面地固定於輸入 【實施方式】 以下’依據圖式詳細說明本 < Λ施形態。又，在各 85725 -10- 200408606 實施形態中，首先說明製造方法，接著，《明由此所 之微型機器之構成。 于 〈第1實施形態> 圖1 A〜II係表示第1實施形態之製造方法之剖面工序圖 ，圖2〜圖4係說明第丨實施形態之製造方法用之平面圖。在 此，依據圖1A〜；U，一面參照圖2〜圖4，一面說明第i實施 形態《微型機器之製造方法。又’圖1A〜II係對應於圖2〜 圖4之平面圖之A-A剖面。 首先，如圖1A所示，形成以絕緣層3覆蓋單晶矽等之半導 體基板1上所構成之基板4。此絕緣層3之最表面係利用對= 後所施行之犧牲層(氧化矽)之蝕刻除去具有蝕刻耐性之材 枓所構成。因此，例如’可介著用於緩和與半導體基板工間 <應力之氧切膜3a’形成將具有上述㈣耐性之氮化石夕膜 3b依此順序疊層所構成之絕緣層]。 弁，人，如圖1B所 土 /,Ί不1 ▼甩膺圖案化 出電極7a、輸人電極7b、及支持電極7e。構成此 各電極7a〜7c之第1 $泰^ & ”弟導电層例如係含有磷（P)之多晶矽等 極二二此二極7a夾在輸人 <万式被配置於基板4上。 其後，如圖1C所示，w备a ^ 出 以虱化矽膜9覆蓋由各電極7a〜7c 出又基板4〈表面。此時， ’在氮切膜3b上形成氧化々极…極〜〜7。之狀; 到各電極7a〜7e露以止續，利料磨氧切膜9，. 化矽膜9。 ，猎以僅在基板4之表面上形成! 85725 200408606 其次，如圖1D所示，在介著輸入 基板4上，圖案形成對以後所施行:牲 ^電極= 鍅刻耐性之絕緣性材料所構成保護膜虫刻除去具f 化矽膜形成犧牲層之情形時，係形 ，例如，以氧 護膜U(以上參照圖2)。 〜成由虱切膜構成之保 又，保護膜1丨例如係使用光阻圖案（劣 =刻=基板4之上方之氮化_形成= 。因此%Λ 4保護基㈣面之氮切膜3b之膜 厚产時，：=護膜11用之*氮切膜-具有充分之 r ^彳/ 要在前面之工序中形成氧切膜9。而，不 Γ 膜9時，如圖2中之二點短劃線所示，也可以由 ，基板4之表面由對保護膜形成材料之圖案形成且有 =耐性〈絕緣性材料所構成時，也可以設置同樣之二點 短^線所不之保護膜11 a。 以上《後，如圖1E所示，在可露出保護膜11之狀能’以 犧牲層π覆蓋絕緣層3之1方。此犧牲層13係利用對基板4 <表面層（在此為氮化矽膜儿）及保護膜（在此為氮化矽H i 及各電極（在此為多晶矽）7a〜7c被選擇地蝕刻之材料所形 成。此種犧牲層13係以覆蓋各電極7a〜7c之狀態，形成犧 牲層膜，利用研磨犧牲層膜直到露出保護膜i】為止之方式 所形成。 其次，如圖1F所示，在保護膜11形成達到輸入電極7b之 連接孔11 b、與介著支持電極7C而達到基板4之連接孔11 c。 85725 -12- 200408606 以上之後，如圖1 G及IB 1 w - 人* 固3所不，介耆連接孔1丨b、連接 1U連接於輸入電極几及支 I接孔 7a 壯描“並形成橫切輸出電極

^ 力态電極15。此振動器電極15係利用圖案钮#|J 形成於含連接孔1 lb、η ρ ώ、广 口木蚀刻 為…”、 犧牲層13上之第2導電層(例如 1夕曰曰、d料成。此時，係以振動器電極15之兩側 端邯完全覆蓋連接孔i! b、u内，夂：山 膜u上，且中央部橫切輸出二::、7周緣端位於保護 、… 彻出迅極7a义万式，施行圖案蝕刻。 以上之後’如圖1H所示，在振動器電極工5之下方 牲層此狀態，以露出連接㈣人電㈣之配線之:成二 万式，施行犧牲層13之局部的除去。此時，在基板4之 =至少覆蓋振動器電極15及其周圍，且露出連接於輸入 版配線〈形成部之形狀之光阻圖案（省略圖示）。而後 ’以此光阻圖案作為掩膜對保護膜（氮化邦i、各電柄（多 晶⑼7a〜7e、15、基板4之表面層（氮切膜叫選擇地触刻 除去犧牲層（氧化邦3。藉以在振動器電極15與輸出電極^ 之間留下犧牲層13’除去配線形成部分之犧牲層i3。其後 ’除去光阻圖案。 接著，在連接於輸人電極％之露出面之狀態，形成配線 仏形成此配線17時，首丨，在基板4上之全面形成修) 《籽晶層|，形成使形成配線之部分露出而覆蓋其他部分 之光阻圖案（省略圖示）。接著，利用電鍍法使電鍍層在光阻 圖案之開口部内之籽晶層上生長而形成配線17。配線_ 成後，除去光阻圖案，再施行除去籽晶層用之全面敍刻。 以上之後，對保護膜U、各電極7a〜7c、15、基板4之表 85725 -13 - 200408606 =、，選擇地姓刻除去犧牲層13。此時，利用使用緩衝氯 鼠鉍又濕式蝕刻，確實除去振動器電極丨5下之斤 、 之犧牲層U，藉以如圖Π所示，在振動器電極15=下匕=== 空間部A(間隙）A。 y 二上’如圖Η及圖4所示，可獲得使兩側端部支持於輸入 包-上與介者支持電極7c之基板4上之狀態，設有介著办 樑（振動部）16鋪設於輸出電極&之上部所構成之二 圖3尤所其/在上述第1實施形態之製造方法中，如利用圖1〇及 :斤^’由於係以使形成連接孔m、nc之保護M11露出 在土板4上形成犧牲層13之狀態，以覆蓋連接孔出、山 ^兩^部开之周緣端位於保護上之方式施行振動器電極 配置、人： Μ，振動器電極15可在以其兩端之全面 配置U上及連接孔Ub、UC之狀態，僅將其中央部 配置於犧牲層丨3上。 八1 而’在此狀態下，如利用圖π及圖 擇地除去犧牲，私_〜 野保邊 古％ w ^ 文可獍得僅在中央之樑（振動部）16之下 万吕又置芝間部A，R Λ、山、 " 端^心·兩私邵之周緣不超出保護膜U上而由前 崎土橾（振動邵）1 6 $ Ρ^ι 一人 、11C被入& & 王面，介著保獲膜11及連接孔11 b

He被王面地固定於輸 動器電極15。 吐b支持4 《形狀之振 在具有此種形狀夕k 4 ^ Λ ^ ,τ 狀< 振動器電極15之微型機器2〇中，智 軔入極7b施加特定頻 、 ，僅樑（振動部）16會干释 £而使振動器電極15振動時 ^到振動而振動。因此，固有振動頻 85725 -14- 200408606 率更接近於滿足上述之式ίη、 \、 武（1)〈理論上之值（與振動部長 一，人万成反比之值），容 1 M ^ 、成利用微細化之高頻介。Α Λ. 果，可實現獲得Q值齡合 门乂、化。此結 又 、同，且頻帶更高之高頻濾波器。 利用圖2所述，以山击人 其姑ΖΙΡ 、i 由輪入電極％及支持電柘7c^ + 基板4上万式設置保護膜u …咏出 膜山之連接孔m、llc也丄如圖5所"成於此保護 了構成由輸入電極7b及支掊兩打 7。超出基板4上之形狀。 及支持-極 ^ iT 1 ^ 種肖$下，在形成振動哭 兒極15a又際，也可以振動哭 农軔口口 接孔nb n , w兒心15a《兩側端部完全覆蓋連 妖孔I 1 b、11 c内，各端鄭 中 周、、彖端配置於保護膜11a上，且 中央邯檢切輸出電柄7上之古 振動哭♦打κ 、— 芡万式，施行圖案钱刻，藉以構成 勒⑽电極1 5 a之兩端翻 > 岡令么 上山s 4 场卩《周緣不超出保護膜11a上，且由前 * 土樑（振動部）16a之間之全 n 面’介耆保護膜11a及連接孔 、UC被全面地固定於輸入電極7b、支持電極7c。 =具有此種構成之振動器電極15a之微型機器施中，不必 依存於輸入電極几之線寬，即 了叹疋振動态電極l5a之線寬 二又，在圖5所示之構成之微型機器2〇a中，也可以一定之線 =成振動器電極15a。又，因可將端部之寬設定為充分寬 万承橾（振動部）16a之寬，故可確實支持樑（振動部）心，達成 更接近理論值之高頻振動。 <第2實施形態> 圖6A〜6G係表示第2實施形態之製造方法之剖面工序圖 ，圖7〜圖9係說明第2實施形態之製造方法用之平面圖。在 此’依據圖6A〜6G，一面參照圖7〜圖9,—面說明第】實施 形態之微型_之製造方法。又，圖6Α〜6〇係對應於圖7 85725 -15 - 200408606 圖9之平面圖之a-a剖面。 賴3b::l執仃工序，形成利用在氧切膜3a上疊層氮化 基ΓΓ構成之絕緣層3覆蓋單晶碎等之半導體基板！上之 横Γ二如圖6B所示’在基板4形成將第1導電層圖案化所 電極7al、輸入電極7bl、及支持電極7cl。在本 1料怨中’其特徵在於··使用在施行其後形成之振動 圖案形成之際具有_耐性之材料，作為構成此 寺口 ^7al〜7cl之第1導電層。因此，例如，在利用多晶 石夕寺石夕層構成振動器電極時，利用料之㈣具有㈣耐 2導電材料’例如歛及鈇合金、鶴及鵪合金、含侧⑻之 多晶矽、金剛石類竣（DLC)、含删（B)或氮（N)之金剛石形成 此=各電極7al〜7c卜又，此等各電極7al〜7ci之配置狀態 與第1實施形態之電極7a〜電極7c相同。 其後，如圖6C所示，在覆蓋各電極7al〜7cl之狀態下， 以犧牲層13覆蓋基板4之上方。此犧牲層13係利用對基板* 之表面層（在此為氮化矽膜3a)及對各電極7al〜7cl被選擇 地蝕刻除去之材料（例如氧化矽）所形成。 其次，如圖6D及圖7所示，在犧牲層13形成達到輸入電極 7bl之連接孔13b、與介著支持電極7cl而達到基板4上之連接 孔1 3 c。此等連接孔1 3 b、1 3 c也可形成於輸入電極7b丨及支持 電極7 c 1上之範圍。如圖7中之二點短劃線所示，也可以設置 作為由輸入電極7bl及支持電極7cl上超出基板4上方之連接 85725 -16- ^00408606 孔 1 3 b 1、1 3 c 1。 、人：上：後，如圖证及圖8所示’介著連接孔13b、"c連接 二2:極，及支持電極％ ’並形成橫切輸出電極7al上 Γ二、'動益電極15。此振動器電極15係在含連接孔m、 芬牲層13上’形成可對輪出電極7al、輸入電極7bl 及支持電極7cl施行選擇的蝕刻 苹7蝕刻乏罘2導電層（例如為多晶矽 月吴），並利用將其選擇地圖案蝕刻所形成。 此振動器電極1 5係以兩^ γ 、、 句响#不由連接孔13b、13c内超出基 及去二〈万式形成圖案。因此，只要採用由輸入電極7bl =持：極7cl上超出基板4之上方之形狀之連接孔咖、 =成振動器電極15之兩端部也可以超出基板4之上方之方 以上《後’如圖6F所示’在振動器電極15之下方之間留 下犧牲層1 3，而局部的@ j $ 朴，μ、、 線形成部分之犧牲層13，接 者 J成連接於輸入電極7b 1之配飧】7 , 與w此 < 配、、泉17 °此工序係與在第1 貝她形怨利用圖m所述之同樣方式施行。 以上之後，對各電極7al〜7cl、15 -g- ^ , 7 _ 、基板4之表面層及配 、、泉17，邊擇地蝕刻除去犧牲。 ,U此，如圖6(5及圖9所示 二動’電極15之下部形成空間部(間隙μ。此工序係與 在弟1貫施形態利用圖11所述之同樣方式施行。 虫！=方式，可獲得使兩側端部支持於輸入電極飢 與介耆支持電極7cl之基板4上之狀態，〜 樑（振動部则設於輸出電柘％之叹盖丨Μ間部八將 器電極15之構成之微型機器；卜 錢構成之帶狀振動 85725 -17- 200408606 尤其’在上述第2實施形態之製造方法中，如利用圖6E及 ^ 8所过係、利用將兩端部之周緣端配置於設在犧牲層η之 1接孔内之方式騎振動器電_之圖案形成。此 時，由於構成㈣器電極15之第2導電層可對構成輸入電極 7 1及支持電極7Cl之第1導電層選擇地钱刻，故在振動器電 枉（圖末形成〈際’可在不會對露出連接孔13卜η。之底部 之輸入電極7bl及支持電極7el造成影響下，形成振動器電極 15H而㈣此圖案形 振動器電極15可在以盆兩 端之全面配置㈣接孔内叫,之狀態，僅將中配 於犧牲層1 3上。 而’在此狀態下’如利用圖6G所述，可選擇地除去犧牲 曰故可獲仔僅在中央《樑（振動部）16之下方設置空間部 A ’且兩端部全面地固定於輸入電極μ及基 極化丨之形狀之振動器電極15。 支持呢 ,即使在具有此種形狀之振動器電極15之微型機器h之情 形’也與第1實施形態之微型機器2〇、2〇a同樣地，在經由輸 入電極7b施加特定頻率之電壓而使振動器電極μ振動時： 僅樑(振動部)會干預到振動而振動。因此，固有振動頻率更 接近於滿足理論上之值（與振動部長L之二次方成反比之值） ’客易達成利用微細化之高頻化。此結果，可實現獲得⑽ 車父南’且頻帶更高之高頻濾波器。 又’如利用圖7所述，設置由輸入電極％及支持電極 出基板4上之連接孔i3bl、13(；1時，如圖1()所示，振動哭兩 極…之兩側之端部也可超出基板4上而形成，因此，不二 85725 -18 - 200408606 存於輸入電極7bl之線寬，即可設 此種振動器電極15a既可 a、 動器電極15a之線寬。 、 —定之線f"犯a 邵之線寬較粗之構成。又，因β夕見木成，也可形成僅端 於樑（振動部）1 6a之貧，始^、口于鲕°卩之寬設定為充分寬 心見故可確實支梏 ，可獲得達成更接近理論值、* 、知（振動部）16a。因此 又，在上述第2實施形能中頻振動之微型機器仏。 用圖6D所述之工序中，利用將連持電極^時，在利 狀態時，可獲得同樣效果之微關^㉘成達到基板4之 【產業上之可利用性】 如以上所說明，依據本發明 nb、人4- J機器及並絮产女、土 由於採用形成僅在樑（振動部 ，、版k万法， 而門士、 卜万权置空間部，將#姓心 《振動益電極之構成，在經由輸入、 展基板 壓而使振動哭命；h·舡# *· 私二她加特定頻率之電 使振動杏电極振動時，僅樑（振動 可獲得更接近於理& ) θ干預到振動，而 人饮从万、理順上艾值又固有 達成利用振動哭兩打、％ ，因此，容易 微細化之高頻化，實現Q值Η 頻帶更高之高頻濾波器。 …罝車…且 【圖式簡單說明】 圖1Α〜U係表示^實施形態之製造方 圖2係對應於圖m之平面圖。 序圖。 圖3係對應於圖1 G之平面圖。 圖4係對應於圖II之平面圖。 圖5係第1實施形態之另一構成例之平面圖。 圖6A〜6G係表示第2實施形態之製造方法之剖面工序圖。 85725 -19- 200408606 圖7係對應於圖6D之平面圖。 圖8係對應於圖6E之平面圖。 圖9係對應於圖6G之平面圖。 圖1 0係第2實施形態之另一構成例之平面圖。 圖11係表示以往之微型機器（微小振動器）之構成之圖。 圖12A〜12C係表示以往之製造方法之剖面工序圖。 圖1 3係說明以往之微型機器之問題用之圖表。 【圖式代表符號說明】 1 半導體基板 3 絕緣層 4 基板 9 氧化矽膜 15 帶狀振動器電極 16 樑（振動部） 17 配線 20 微型機器 100 微小振動器 101 基板 103 振動器電極 105 犧牲層 106 多晶矽層 102a 輸出電極 102b 輸入電極 102c 支持電極

85725 -20- 200408606 103a 樑（振動部） 105b， 105c 連接孔 11，11a， 保護膜 11b， 11c 13bl，13cl 連接孔 15a 振動器電極 16a 樑（振動部） 20a 微型機器 3 a 氧化矽膜 3b 氮化矽膜 7a，7al 輸出電極 7b， 7bl 輸入電極 7c， 7cl 支持電極 A 空間部 85725

Claims (1)

1. 200408606 拾、申請專利範園： 1 · 一種微型機器，兑 ^ έ纟又杰基板上之輸入電極及 輸出電極； 與以使兩側端部支持於前述輸入電極與前述基板上之 狀態’隔著空間部將振動部鋪設於前述輸出電極之上部 所構成《帶狀振動器電極者，其特徵在於： 將前述振動器電極之久进立 .^ 、 口 ％ 4，由珂端至前述振動部 〈全面完全固定於前述輸人電極及前述基板者。 2·如申請專利範圍第丨項之微型機器，其中 丽述振動器電極係利用可對構成前述輸入電柘、 施行選擇的蝕刻之材料所構成者。 ^ <材料 J •如申叫專利範圍第1項之微型機器，其中 固疋於則述輸入電極側之前述振動器電極之、、 係大於該輸入電極之寬者。 斤之寬 4. -種微型機器之製造方法，其特徵在於施行下列工、 利用將基板上之第丄導電層圖案化，以形成序，： 及輸出電極之工序； 境極 輸 在前述輸入電極之上面及夾著前逑輸出電極而與^ 入電極相反側之基板上，形成絕緣性之保護膜之工、碌奉 將可對前述保護膜選擇地施行蝕刻之犧牲層，2序， 保護膜之表面露出而覆蓋前述輸入電極及前^輪該 之狀態形成於前述基板上之工序； 兒杨 在前述保護膜形成達到前述輸入電極及美板、 之工序； 一 土 <連接孔 85725 200408606 將形成於含前逑連接孔 . 鬥又·則述板牲層上之第2道當 層施行圖案化，以、 足罘2寸私 爷兩端邱、π 乂兩崎邯芫全覆蓋前述連接孔内， 3兩娜#〈周緣端位於前述 述輸出電極之帶狀振動器電核：工序：：A部橫切前 m去則逑犧牲層而在前述振動器電極與前述輸 出电極·^間設置空間部之工序。 5· 一種微型機哭^^ . 拽如惑万法，其特徵在於施 利用將基板上之第丨導兩；R安仆,』序者. . ^ ^曰圖木化，以形成輸入電極及 輸出電極之工序； ％ t & 在前述基板上形成覆蓋前述輸入電極及輸出電極之犧 牲層之工序； 在^述犧牲層形成達到前述輸入電極之連接孔及夾著 珂述輸出電極而達到與該輸入電極之相反側之基板上之 連接孔之 工序； 在含前述各連接孔内之前述犧牲層上，形成可對前述 第1導電層選擇地蝕刻之第2導電層之工序； 利用對前述第1導電層選擇地將前述第2導電層圖案化 ’以形成兩端部之周緣端配置於前述各連接孔内，且中 夬部橫切前述輸出電極上之帶狀振動器電極之工序；及 選擇地除去前述犧牲層而在前述振動器電極與前述輸 出電極之間設置空間部之工序。 85725