KR100780842B1 - 공진 구조체를 가지는 압전 공진자의 형성방법들 - Google Patents
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Abstract
공진 구조체를 가지는 압전 공진자의 형성방법들을 제공한다. 이 형성방법들은 압전 공진자의 제조 공정을 단순하게 하고 그리고 제조 공정 동안 성형체로부터 공진 구조체의 수율을 높일 수 있는 방안을 제시한다. 이를 위해서, 기저 구조체, 보호 구조체 및 성형체를 준비한다. 상기 성형체는 선택된 두 면들에서 분극 전극들을 각각 갖는다. 상기 성형체는 소정 방향을 향해서 일렬로 정렬된 분극 축들을 가지는 결정들을 갖는다. 상기 성형체 및 분극 전극들을 소정 폭들로 절단해서 공진판들을 형성한다. 상기 공진판들 상에 공진 전극들을 형성한다. 상기 공진 전극들 및 공진판들을 절단해서 공진 구조체들을 형성한다. 그리고, 상기 보호 구조체 및 기저 구조체 사이에 공진 구조체를 삽입해서 압전 공진자를 형성한다.
압전 공진자 및 성형체.
Description
도 1 내지 도 9 는 각각이 본 발명에 따르는 압전 공진자의 형성방법을 설명해주는 개략도들이다.
본 발명은 압전 공진자의 형성방법들에 관한 것으로써, 상세하게는, 공진 구조체를 가지는 압전 공진자의 형성방법들에 관한 것이다.
일반적으로, 압전 공진자는 공진 구조체를 가지고 특정 주파수에서 공진하는 전기적 개별 소자이다. 상기 공진 구조체는 공진 패턴, 공진 연결 전극들 및 공진 전극 패턴들을 갖는다. 이를 위해서, 상기 공진 구조체는 성형체를 목적하는 두께로 연마하고, 성형체를 소정 폭들로 절단해서 공진 패턴들을 형성하고, 상기 공진 패턴들 중 하나를 선택해서 분극시키고, 그리고 선택된 공진 패턴에 공진 연결 전극들 및 공진 전극 패턴들을 차례로 형성하는 단계들을 이용해서 형성될 수 있다. 상기 성형체는 압전 물질을 사용해서 형성될 수 있다.
그러나, 상기 압전 공진자는 공진 구조체를 가지고 특정 주파수 및 그 주파 수 주변의 유사 주파수에서 공진할 수 있다. 왜냐하면, 상기 압전 공진자의 공진은 공진 구조체 내 공진 패턴의 두께에 의존하기 때문이다. 이때에, 상기 공진 패턴의 두께는 성형체를 연마하는 단계 그리고 성형체를 소정 폭들로 절단하는 단계에 의존될 수 있다. 따라서, 상기 공진 패턴은 목적하는 두께를 가지고 공진 구조체 내 구비되기가 어려울 수 있다. 또한, 상기 공진 구조체는 성형체를 가지고 높은 수율로 확보되기가 어렵다. 왜냐하면, 상기 공진 구조체는 성형체를 소정 폭들로 절단해서 공진 패턴들을 형성하는 단계, 공진 패턴들 중 하나를 선택해서 분극시키는 단계, 그리고 선택된 공진 패턴에 공진 연결 전극들 및 공진 전극 패턴들을 차례로 형성하는 단계에 의존되기 때문이다.
상기 공진 구조체(= 압전 공진 소자)의 형성방법이 한국공개특허공보 제1984-0003164 에 이노우에 지로우(Inoue Jiro)에 의해서 개시되었다. 상기 한국공개특허공보 제1984-0003164 에 따르면, 장방형의 세라믹 판이 준비된다. 상기 세라믹 판 상에 래핑(Lapping)이 수행된다. 상기 세라믹 판 상에 도전성 박막들이 형성된다. 상기 도전성 박막을 이용해서 세라믹 판을 분극시킨다. 상기 세라믹 판 상에 다이싱 소어(Dicing Saw)의 기술을 수행해서 칩(Chip)이 형성된다. 상기 칩 상에 전극들을 위치시켜서 압전 공진 소자가 형성된다.
그러나, 상기 압전 공진 소자의 형성방법은 공간을 많이 차지하는 압전 공진 소자를 제공하고 있다. 왜냐하면, 상기 압전 공진 소자는 칩의 동일 면상에 전기적으로 서로 분리되는 전극들 및 도전성 박막들을 가지기 때문이다. 이때에, 상기 도전성 박막들은 압전 공진 소자의 공진에 기여하지 않는다. 상기 전극들은 압전 공 진 소자의 공진에 기여한다. 따라서, 상기 압전 공진 소자는 전극들 및 도전성 박막들이 차지하는 면적을 유지하기 위해서 칩의 체적을 크게 갖는다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 공진 구조체의 제조 공정을 단순화하고, 공진 구조체를 성형체로부터 높은 수율을 가지고 확보하고, 그리고 공진 구조체가 공간을 차지하는 체적을 최소화할 수 있는 압전 공진자의 형성방법들을 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 구현하기 위해서, 본 발명은 공진 구조체를 가지는 압전 공진자의 형성방법들을 제공한다.
이 형성방법들 중 제 1 실시예는 여섯 개의 평면들로 둘러싸인 성형체를 준비하는 것을 포함한다. 상기 성형체 상에 분극 전극들을 형성한다. 상기 분극 전극들은 성형체의 서로 마주보는 두 개의 면들에 각각 위치하도록 형성된다. 상기 성형체를 분극시킨다. 상기 성형체의 서로 마주보는 두 개의 면들을 소정 폭으로 나누고, 그리고 성형체 및 분극 전극들을 소정 폭만큼 절단해서 공진 구조판을 형성한다. 상기 공진 구조판은 분극 전극 패턴들 및 그 전극 패턴들 사이에 공진 성형체를 갖는다. 상기 공진 구조판 상에 공진 전극들을 형성한다. 상기 공진 전극들은 분극 전극 패턴들과 각각 접촉해서 공진 성형체를 사이에 두고 서로 중첩하도록 형성된다. 상기 분극 전극 패턴들 사이를 지나도록 공진 성형체를 소정폭으로 나누고 그리고 공진 구조판 및 공진 전극들을 소정 폭만큼 절단해서 공진 구조체를 형성한 다.
상기 형성방법들 중 제 2 실시예는 성형괴(成形塊) 상에 프레스(Press)의 기술을 수행해서 성형체를 형성하는 것을 포함한다. 상기 성형체는 여섯 개의 평면들로 둘러싸이도록 형성된다. 상기 성형체 상에 분극 전극들을 형성한다. 상기 분극 전극들은 스퍼터(Sputter)의 기술을 수행해서 성형체의 서로 마주보는 두 개의 면들에 각각 위치하도록 형성된다. 상기 성형체를 분극시킨다. 상기 성형체의 서로 마주보는 두 개의 면들을 소정 폭으로 나누고, 그리고 성형체 및 분극 전극들을 와이어 소우(Wire Saw)의 기술을 수행하여 소정 폭만큼 절단해서 공진 구조판을 형성한다. 상기 공진 구조판은 분극 전극 패턴들 및 그 전극 패턴들 사이에 공진 성형체를 갖는다. 상기 공진 구조판 상에 공진 전극들을 형성한다. 상기 공진 전극들은 분극 전극 패턴들과 각각 접촉해서 공진 성형체를 사이에 두고 서로 중첩하도록 형성된다. 상기 분극 전극 패턴들 사이를 지나도록 공진 성형체를 소정폭으로 나누고 그리고 공진 구조판 및 공진 전극들을 소정 폭만큼 절단해서 공진 구조체를 형성한다.
상기 형성방법들 중 제 3 실시예는 성형괴(成形塊) 상에 캐스팅(Casting)의 기술을 수행해서 성형체를 형성하는 것을 포함한다. 상기 성형체는 여섯 개의 평면들로 둘러싸이도록 형성된다. 상기 성형체 상에 분극 전극들을 형성한다. 상기 분극 전극들은 스크린 프린팅(Screen Printing)의 기술을 수행해서 성형체의 서로 마주보는 두 개의 면들에 각각 위치하도록 형성된다. 상기 성형체를 분극시킨다. 상기 성형체의 서로 마주보는 두 개의 면들을 소정 폭으로 나누고, 그리고 성형체 및 분극 전극들을 와이어 소우(Wire Saw)의 기술을 수행하여 소정 폭만큼 절단해서 공진 구조판을 형성한다. 상기 공진 구조판은 분극 전극 패턴들 및 그 전극 패턴들 사이에 공진 성형체를 갖는다. 상기 공진 구조판 상에 공진 전극들을 형성한다. 상기 공진 전극들은 분극 전극 패턴들과 각각 접촉해서 공진 성형체를 사이에 두고 서로 중첩하도록 형성된다. 상기 분극 전극 패턴들 사이를 지나도록 공진 성형체를 소정폭으로 나누고, 그리고 공진 구조판 및 공진 전극들을 소정 폭만큼 절단해서 공진 구조체를 형성한다.
이제, 본 발명의 공진 구조체를 가지는 압전 공진자의 형성방법들을 첨부된 참조 도면들을 참조해서 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1 내지 도 9 는 각각이 본 발명에 따르는 압전 공진자의 형성방법을 설명해주는 개략도들이다.
도 1 을 참조하면, 성형괴(成形塊; 도면에 미 도시)로부터 성형체(3)를 형성한다. 상기 성형체(3)는 당업자에게 잘 알려진 프레스(Press), 캐스팅(Casting) 또는 압출의 기술을 성형괴에 수행해서 형성될 수 있다. 상기 성형체(3)는 여섯 개의 평면들로 둘러싸이도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 성형체(3)는 가로 및 세로의 소정 폭들(W1, W2) 그리고 소정 두께(T1)로 한정되는 입체 도형을 가질 수 있다. 상기 성형괴는 압전 물질(Piezoelectric Material)을 사용해서 형성될 수 있다. 이때에, 상기 성형괴는 복수 개의 결정들로 이루어질 수 있다.
도 1 및 도 2 를 참조하면, 상기 성형체(3) 상에 분극 전극들(10, 15)을 형성한다. 상기 분극 전극들(10, 15)은 성형체(3)의 서로 마주보는 두 개의 면들 상 에 각각 위치하도록 도 2 와 같이 형성될 수 있다. 상기 분극 전극들(10, 15)은 당업자에게 잘 알려진 스크린 프린팅(Screen Printing) 또는 스퍼터(Sputter)의 기술을 수행해서 형성될 수 있다. 상기 분극 전극들(10, 15)은 은(Ag)을 포함한 도전 물질을 사용해서 형성될 수 있다. 상기 스크린 프린팅(Screen Printing) 또는 스퍼터(Sputter)의 기술은 성형체(3) 상에 한 번 또는 다수 번 수행될 수 있다. 상기 분극 전극들(10, 15)의 각각은 가로 및 세로의 소정 폭들(W1, W2), 그리고 소정 두께(T1)로 한정될 수 있다.
한편, 상기 스퍼터의 기술을 수행하는 경우에, 상기 스퍼터의 기술은 불순물 이온들(Impurity Ions)을 성형체(3)의 서로 마주보는 두 개의 면들 상에 소정 두께(T2)로 증착해서 분극 전극들(10, 15)을 각각 형성할 수 있다. 그리고, 상기 스크린 프린팅의 기술을 수행하는 경우에, 상기 스크린 프린팅의 기술은 마스크(Mask)를 이용해서 성형체(3)의 서로 마주보는 두 개의 면들 상에 소정 두께(T2)의 도전막을 프린팅해서 분극 전극들(10, 15)을 각각 형성할 수 있다.
도 2 및 도 3 을 참조하면, 상기 분극 전극들(10, 15)에 전기 도선들을 직접 각각 접촉시켜서 성형체(3)를 분극시킨다. 이때에, 상기 성형체(3)는 분극 축(20)들이 일렬로 정렬된 결정들을 도 3 과 같이 가질 수 있다. 즉, 상기 성형체(3) 내 결정들의 분극 축(20)들은 분극 전극들(10, 15) 사이에 위치해서 그 전극들(10, 15) 사이에 유기된 전기장의 방향을 따라서 평행하게 배열될 수 있다.
이와는 다르게, 상기 성형체(3) 주변에 외부 전기장을 형성시켜서 성형체(3) 내 결정들의 분극 축(20)들을 일렬로 정렬시킬 수 있다. 이때에, 상기 성형체(3)는 외부 전기장에 반응해서 분극 전극들(10, 15) 사이에 내부 전기장이 발생하도록 해서 결정들의 분극 축(20)들을 도 3 과 같이 일렬로 정렬시킬 수 있다. 즉, 상기 성형체(3) 내 결정들의 분극 축(20)들은 분극 전극들(10, 15) 사이에 위치해서 그 전극들(10, 15) 사이에 유기된 전기장의 방향을 따라서 평행하게 배열될 수 있다.
도 3 및 도 4 를 참조하면, 상기 분극 전극들(10, 15) 및 성형체(3)를 절단해서 공진 구조판(25)들을 형성한다. 이때에, 상기 공진 구조판(25)들은 성형체(3)의 서로 마주보는 두 개의 면들을 소정 폭들로 나누고 그리고 성형체(3) 및 분극 전극들(10, 15)을 소정 폭들만큼 절단해서 도 4 와 같이 형성될 수 있다. 이를 통해서, 상기 공진 구조판(25)들의 각각은 분극 전극 패턴들(12, 17) 및 그 전극 패턴들(12, 17) 사이에 공진 성형체(6)를 가질 수 있다.
한편, 상기 공진 성형체(6)는 체크 포인트(CP)의 화살표 방향에서 볼 때 체크 포인트(CP)의 화살표 방향에 직각으로 위치하는 제 1 및 제 2 면들(A1, A2), 그리고 체크 포인트(체)의 화살표 방향에 평행하게 위치하는 제 3 및 제 4 면들(A3, A4)을 도 4 와 같이 가질 수 있다. 이때에, 상기 공진 성형체(6)는 가로 및 세로의 소정 폭들(W2, W3) 그리고 소정 두께(T1)로 한정될 수 있다. 상기 분극 전극 패턴들(12, 17)의 각각은 가로 및 세로의 소정 폭들(W2, W3) 그리고 소정 두께(T2)로 한정될 수 있다. 이를 통해서, 상기 공진 구조판(25)들의 각각은 가로 및 세로의 소정 폭들(W2, W3) 그리고 소정 두께(T4)로 한정되는 입체 도형을 가질 수 있다.
도 4 및 도 5 를 참조하면, 상기 공진 구조판(25)들 상에 공진 전극들(32, 34)을 형성한다. 상기 공진 전극들(32, 34)을 상세하게 설명하기 위해서, 상기 공 진 구조판(25)들 중 하나를 선택하고 그리고 선택된 하나를 도 4 로부터 90 회전하여 체크 포인트(CP)의 방향에서 제 1 및 제 2 면들(A1, A2) 만을 도 5 와 같이 취하기로 한다. 상기 공진 구조판(25)의 제 1 면(A1)은 지면(紙面)으로부터 상부를 향하도록 위치된다. 상기 공진 구조판(25)의 제 2 면(A2)은 지면을 향하도록 위치된다. 이때에, 상기 공진 전극들(32, 34)은 제 1 및 제 2 면들(A1, A2) 상에 각각 형성될 수 있다.
한편, 상기 공진 전극들(32, 34)은 공진 구조판(25)들을 사이에 두고 서로 중첩하도록 형성될 수 있다. 상기 공진 전극들(32, 34)은 제 1 및 제 2 면들(A1, A2)을 통해서 소정 폭(W6)만큼 서로 중첩할 수 있다. 상기 공진 전극들(32, 34)은 제 1 및 제 2 면들(A1, A2)을 통해서 분극 전극 패턴들(12, 17)과 각각 접촉하도록 형성될 수 있다. 상기 공진 전극들(32, 34)은 제 1 및 제 2 면들(A1, A2)을 통해서 분극 전극 패턴들(12, 17)과 소정 폭(W4)만큼 각각 중첩하도록 형성될 수 있다. 그리고, 상기 공진 전극들(32, 34)은 은(Ag)을 포함한 도전 물질을 사용해서 형성될 수 있다. 상기 공진 전극들(32, 34)은 하나 또는 다수개의 도전물질들을 사용해서 형성될 수도 있다.
더불어서, 상기 공진 구조판(25)들 중 선택된 하나 및 공진 전극들(32, 34)과 동일한 구조를 가지도록 공진 구조판(25)들 중 나머지 상에 다른 공진 전극들(도면에 미 도시)이 계속해서 각각 형성될 수 있다.
도 5 및 도 6 을 참조하면, 상기 공진 전극들(32, 34) 및 공진 구조판(25)들을 절단해서 공진 구조체(45)들을 형성한다. 상기 공진 구조체(45)들은 공진 전극 들(32, 34)을 가로지르도록 공진 구조판(25)의 제 1 및 제 2 면들(A1, A2)을 소정 폭들로 나누고 그리고 공진 구조판(25)들 및 공진 전극들(32, 34)을 소정 폭들만큼 도 6 과 같이 절단해서 형성될 수 있다. 이를 통해서, 상기 공진 구조체(45)들의 각각은 공진 전극 패턴들(36, 38), 공진 연결 전극들(14, 19), 및 공진 패턴(9)을 갖는다. 상기 공진 패턴(9)은 공진 연결 전극들(14, 19) 및 공진 전극 패턴들(36, 38)로 둘러싸이도록 형성될 수 있다.
도 5 및 도 7 을 참조하면, 도 5 의 분극 전극 패턴들(12, 17) 사이를 지나도록 공진 성형체(6)를 소정폭으로 나누고 그리고 공진 구조판(25) 및 공진 전극들(32, 34)을 소정 폭만큼 절단해서 공진 구조체(45)를 도 7 과 같이 형성할 수 있다. 이때에, 상기 공진 구조체(45)는 공진 전극들(32, 34), 분극 전극 패턴들(12, 17) 및 공진 성형체(6)에 각각 대응하는 공진 전극 패턴들(36, 38), 공진 연결 전극들(14, 19) 및 공진 패턴(9)을 갖는다. 상기 공진 전극 패턴들(36, 38)은 공진 패턴(9)의 상면으로부터 돌출하고 그리고 공진 패턴(9) 상에 소정 폭(W6)만큼 서로 중첩하도록 형성될 수 있다.
한편, 상기 공진 전극 패턴들 중 하나(36)은 가로 및 세로의 소정 폭(W5, W8)들, 그리고 소정 두께(T3)를 가지도록 형성될 수 있다. 상기 공진 전극 패턴들 중 나머지(38)는 가로 및 세로의 소정 폭(W7, W8)들, 그리고 소정 두께(T3)를 가지도록 형성될 수 있다. 상기 공진 연결 전극들(14, 19)은 공진 전극 패턴들(36, 38)과 소정 폭(W4)만큼 각각 중첩하도록 공진 패턴(9) 상에 형성될 수 있다. 이때에, 상기 공진 연결 전극들(14, 19)은 가로 및 세로의 소정 폭들(T2, W8)만큼, 그리고 소정 두께(W3)로 한정될 수 있다.
상기 공진 구조체(45)는 도 1 의 성형체(3)의 소정 두께(T1)를 공진 패턴(9)의 소정 길이로 가질 수 있다. 따라서, 상기 공진 구조체(45)를 형성하기 위해서, 본 발명은 도 1 의 성형체(3) 상에 연마의 기술을 수행하지 않아도 된다. 더불어서, 본 발명은 도 4 또는 도 5 의 분극 전극 패턴들(12, 17)을 공진 연결 전극들(14, 19)로 각각 사용하기 때문에 공진 전극 패턴들(36, 38)과 관련된 측면 전극들을 따로 형성하지 않아도 된다. 또한, 본 발명은 제조 공정을 단순화할 수 있기 때문에 성형체(3)로부터 공진 구조체(45)를 높은 수율을 가지고 확보할 수 있다. 이를 통해서, 본 발명은 공진 패턴(9)에서 공진 연결 전극들(14, 19) 및 공진 전극 패턴들(36, 38)을 서로 다른 상면들에 각각 가지는 공진 구조체(45)를 제공하기 때문에 종래 기술 대비 공간을 차지하는 체적을 줄일 수 있다.
도 6 및 도 8 을 참조하면, 상기 공진 구조체(45)들 중 하나를 선택하고 그리고 선택된 하나를 기저 구조체(78) 상에 형성한다. 상기 기저 구조체(78)는 공진 구조체(45)들과 동일 개수로 준비될 수 있다. 상기 기저 구조체(78)는 기저판(74) 및 세 개의 기저 전극들(63, 66, 69)을 도 8 과 같이 가질 수 있다. 상기 기저 전극들(63, 66, 69)은 기저판(74) 상에 소정 거리를 가지고 서로 이격하도록 형성될 수 있다.
상기 기저 전극들(63, 66, 69)은 주석(Sn)을 포함한 도전 물질을 사용해서 형성될 수 있다. 상기 기저판(74)은 세라믹(Ceramic)을 포함한 절연 물질을 사용해서 형성될 수 있다. 상기 공진 구조체(45)들의 각각은 공진 연결 전극들(14, 19) 및 공진 전극 패턴들(36, 38)을 공진 패턴(9)에서 서로 다른 상면들에 각각 가지기 때문에 종래 기술과 다르게 기저 구조체(78)의 체적을 줄이는데 기여할 수 있다.
한편, 상기 기저 구조체(78)는 전극 접착제(55)들을 사용해서 공진 구조체(45)들 중 선택된 하나와 전기적으로 접속할 수 있다. 상기 전극 접착제(55)들은 공진 전극 패턴들(36, 38) 및 공진 연결 전극들(14, 19)을 기저 전극들(63, 66, 69) 중 두 개(63, 69)와 전기적으로 접속시킨다. 이를 통해서, 상기 공진 전극 패턴들(36, 38) 및 공진 연결 전극들(14, 19)은 기저 전극들의 두 개(63, 69)와 전기적으로 접속해서 공진 패턴(9)을 공진시킬 수 있다.
또한, 상기 공진 구조체(45)들 중 선택된 하나 및 기저 구조체(78)와 동일한 구조를 가지도록 공진 구조체(45)들 중 나머지 상에 다른 기저 구조체들(도면에 미 도시)이 계속해서 각각 형성될 수 있다.
도 8 및 도 9 를 참조하면, 기저 구조체(78) 상에 보호 접착제(85)를 형성한다. 상기 보호 접착제(85)는 공진 구조체(45)들 중 선택된 하나를 둘러싸도록 기저 구조체(78) 상에 도 9 와 같이 형성될 수 있다. 상기 보호 접착제(85)는 실리콘(Si)을 포함한 절연성 접착제를 사용해서 형성될 수 있다. 상기 공진 구조체(45)들 중 선택된 하나를 덮도록 기저 구조체(78) 상에 보호 구조체(94)가 형성될 수 있다. 상기 보호 구조체(94)는 Fe-Ni 및 Al2O3 를 포함한 도전 물질을 사용해서 형성될 수 있다.
한편, 상기 보호 구조체(94)는 보호 접착제(85) 및 그 구조체(94)의 접촉 면(98)을 사용해서 공진 구조체(45)들 중 선택된 하나에 접착될 수 있다. 이를 통해서, 상기 공진 구조체(45)들 중 선택된 하나는 보호 구조체(94) 및 기저 구조체(78)와 함께 본 발명에 따르는 압전 공진자(100)를 형성할 수 있다. 계속해서, 상기 공진 구조체(45)들 중 선택된 하나, 기저 구조체(78) 및 보호 구조체(94)와 동일한 구조를 가지도록 공진 구조체(45)들 중 나머지 상에 다른 기저 구조체들 및 다른 보호 구조체들(도면에 미 도시)을 위치시켜서 다른 압전 공진자들을 계속해서 형성할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 공진 구조체를 가지는 압전 공진자의 형성방법들을 제공한다. 이를 통해서, 본 발명은 공진 구조체의 제조 공정을 단순화하고, 공진 구조체를 성형체로부터 높은 수율을 가지고 확보하고, 그리고 공진 구조체가 공간을 차지하는 체적을 최소화할 수 있는 압전 공진자의 형성방법들을 제공할 수 있다.
Claims (22)
- 여섯 개의 평면들로 둘러싸인 성형체를 준비하고,상기 성형체 상에 분극 전극들을 형성하되, 상기 분극 전극들은 상기 성형체의 서로 마주보는 두 개의 면들에 각각 위치하도록 형성되고,상기 성형체를 분극시키고,상기 성형체의 상기 서로 마주보는 두 개의 면들을 소정 폭으로 나누고 그리고 상기 성형체 및 상기 분극 전극들을 상기 소정 폭만큼 절단해서 공진 구조판을 형성하되, 상기 공진 구조판은 분극 전극 패턴들 및 그 전극 패턴들 사이에 공진 성형체를 가지고,상기 공진 구조판 상에 공진 전극들을 형성하되, 상기 공진 전극들은 상기 분극 전극 패턴들과 각각 접촉해서 상기 공진 성형체를 사이에 두고 서로 중첩하도록 형성되고,상기 분극 전극 패턴들 사이를 지나도록 상기 공진 성형체를 소정폭으로 나누고 그리고 상기 공진 구조판 및 상기 공진 전극들을 상기 소정 폭만큼 절단해서 공진 구조체를 형성하는 것을 포함하는 압전 공진자의 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 공진 구조체 및 상기 공진 구조판을 형성하는 것은 와이어 소우(Wire Saw)의 기술을 사용해서 수행되는 것이 특징인 압전 공진자의 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 공진 구조체는 공진 전극 패턴들, 공진 연결 전극들 및 공진 패턴을 가지도록 형성되되,상기 공진 전극 패턴들, 상기 공진 연결 전극들 및 상기 공진 패턴은 상기 공진 전극들, 상기 분극 전극 패턴들 및 상기 공진 성형체에 각각 대응하는 것이 특징인 압전 공진자의 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 공진 전극들은 하나 또는 다수개의 도전물질들을 사용해서 형성되는 것이 특징인 압전 공진자의 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 성형체는 복수 개의 결정들을 가지는 압전(Piezoelectric) 물질을 사용해서 형성되는 것이 특징인 압전 공진자의 형성방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 성형체를 분극시키는 것은,상기 분극 전극들에 전기 도선들을 직접 각각 접촉시켜서 상기 성형체 내 결정들의 분극 축들을 일렬로 정렬하는 것을 포함하는 것이 특징인 압전 공진자의 형 성방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 성형체를 분극시키는 것은,상기 성형체 주변에 전기장을 형성시켜서 상기 성형체 내 결정들의 분극 축들을 일렬로 정렬하는 것을 포함하는 것이 특징인 압전 공진자의 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 분극 전극들을 형성하는 것은,상기 성형체의 상기 서로 마주보는 두 개의 면들 상에 불순물 이온들을 소정 두께로 증착시키는 스퍼터(Sputter)의 기술을 한 번 또는 다수 번 사용해서 수행하는 것을 포함하는 것이 특징인 압전 공진자의 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 분극 전극들을 형성하는 것은,상기 성형체의 상기 서로 마주보는 두 개의 면들의 각각 상에 스크린 프린팅(Screen Printing)의 기술을 사용해서 하나 또는 다수 개의 도전막들을 형성하는 것을 포함하는 것이 특징인 압전 공진자의 형성방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 성형체를 준비하는 것은,성형괴(成形塊) 상에 프레스(Press), 캐스팅(Casting) 또는 압출의 기술을 수행해서 형성되는 것을 포함하는 것이 특징인 압전 공진자의 형성방법.
- 성형괴(成形塊) 상에 프레스(Press)의 기술을 수행해서 성형체를 형성하되, 상기 성형체는 여섯 개의 평면들로 둘러싸이도록 형성되고,상기 성형체 상에 분극 전극들을 형성하되, 상기 분극 전극들은 스퍼터(Sputter)의 기술을 수행해서 상기 성형체의 서로 마주보는 두 개의 면들에 각각 위치하도록 형성되고,상기 성형체를 분극시키고,상기 성형체의 상기 서로 마주보는 두 개의 면들을 소정 폭으로 나누고 그리고 상기 성형체 및 상기 분극 전극들을 와이어 소우(Wire Saw)의 기술을 수행하여 상기 소정 폭만큼 절단해서 공진 구조판을 형성하되, 상기 공진 구조판은 분극 전극 패턴들 및 그 전극 패턴들 사이에 공진 성형체를 가지고,상기 공진 구조판 상에 공진 전극들을 형성하되, 상기 공진 전극들은 상기 분극 전극 패턴들과 각각 접촉해서 상기 공진 성형체를 사이에 두고 서로 중첩하도록 형성되고,상기 분극 전극 패턴들 사이를 지나도록 상기 공진 성형체를 소정폭으로 나누고 그리고 상기 공진 구조판 및 상기 공진 전극들을 상기 소정 폭만큼 절단해서 공진 구조체를 형성하는 것을 포함하는 압전 공진자의 형성방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 공진 구조체는 공진 전극 패턴들, 공진 연결 전극들 및 공진 패턴을 가지도록 형성되되,상기 공진 전극 패턴들, 상기 공진 연결 전극들 및 상기 공진 패턴은 상기 공진 전극들, 상기 분극 전극 패턴들 및 상기 공진 성형체에 각각 대응하는 것이 특징인 압전 공진자의 형성방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 공진 전극들은 하나 또는 다수개의 도전물질들을 사용해서 형성되는 것이 특징인 압전 공진자의 형성방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 성형체는 복수 개의 결정들을 가지는 압전(Piezoelectric) 물질을 사용해서 형성되는 것이 특징인 압전 공진자의 형성방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 성형체를 분극시키는 것은,상기 분극 전극들에 전기 도선들을 직접 각각 접촉시켜서 상기 성형체 내 결정들의 분극 축들을 일렬로 정렬하는 것을 포함하는 것이 특징인 압전 공진자의 형 성방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 성형체를 분극시키는 것은,상기 성형체 주변에 전기장을 형성시켜서 상기 성형체 내 결정들의 분극 축들을 일렬로 정렬하는 것을 포함하는 것이 특징인 압전 공진자의 형성방법.
- 성형괴(成形塊) 상에 캐스팅(Casting)의 기술을 수행해서 성형체를 형성하되, 상기 성형체는 여섯 개의 평면들로 둘러싸이도록 형성되고,상기 성형체 상에 분극 전극들을 형성하되, 상기 분극 전극들은 스크린 프린팅(Screen Printing)의 기술을 수행해서 상기 성형체의 서로 마주보는 두 개의 면들에 각각 위치하도록 형성되고,상기 성형체를 분극시키고,상기 성형체의 상기 서로 마주보는 두 개의 면들을 소정 폭으로 나누고 그리고 상기 성형체 및 상기 분극 전극들을 와이어 소우(Wire Saw)의 기술을 수행하여 상기 소정 폭만큼 절단해서 공진 구조판을 형성하되, 상기 공진 구조판은 분극 전극 패턴들 및 그 전극 패턴들 사이에 공진 성형체를 가지고,상기 공진 구조판 상에 공진 전극들을 형성하되, 상기 공진 전극들은 상기 분극 전극 패턴들과 각각 접촉해서 상기 공진 성형체를 사이에 두고 서로 중첩하도록 형성되고,상기 분극 전극 패턴들 사이를 지나도록 상기 공진 성형체를 소정폭으로 나누고 그리고 상기 공진 구조판 및 상기 공진 전극들을 상기 소정 폭만큼 절단해서 공진 구조체를 형성하는 것을 포함하는 압전 공진자의 형성방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 공진 구조체는 공진 전극 패턴들, 공진 연결 전극들 및 공진 패턴을 가지도록 형성되되,상기 공진 전극 패턴들, 상기 공진 연결 전극들 및 상기 공진 패턴은 상기 공진 전극들, 상기 분극 전극 패턴들 및 상기 공진 성형체에 각각 대응하는 것이 특징인 압전 공진자의 형성방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 공진 전극들은 하나 또는 다수개의 도전물질들을 사용해서 형성되는 것이 특징인 압전 공진자의 형성방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 성형체는 복수 개의 결정들을 가지는 압전(Piezoelectric) 물질을 사용해서 형성되는 것이 특징인 압전 공진자의 형성방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 성형체를 분극시키는 것은,상기 분극 전극들에 전기 도선들을 직접 각각 접촉시켜서 상기 성형체 내 결정들의 분극 축들을 일렬로 정렬하는 것을 포함하는 것이 특징인 압전 공진자의 형성방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 성형체를 분극시키는 것은,상기 성형체 주변에 전기장을 형성시켜서 상기 성형체 내 결정들의 분극 축들을 일렬로 정렬하는 것을 포함하는 것이 특징인 압전 공진자의 형성방법.
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040027353A (ko) * | 2002-09-25 | 2004-04-01 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 압전 공진자, 압전 필터, 통신장치 |
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|---|---|---|---|---|
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| KR20060119999A (ko) * | 2003-10-06 | 2006-11-24 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 공진기 구조체, 필터, 공진기 구조체의 제조 방법과 이들을사용하는 송/수신기 |
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