JP5505596B2 - 共振回路、発振回路、フィルタ回路及び電子装置 - Google Patents
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Description
fn=(1/2π)・(km/meff)1/2・・・(1)
ここで、kmは振動子10の構造から決定されるばね定数、meffは同構造の有効質量である。
fn=(1/2π)・(L1・C1)−1/2・・・(1′)
となる。
C1=η2/km・・・(2)
ここで、ηは電気機械変換係数(振動による変位エネルギーが電気エネルギーに変換されるときの効率)である。そして、上記のバイアス電圧の変位に起因してMEMSレゾネータ10のばね定数kmが低下すると、等価直列容量C1は増加し、これによって上記式(1′)により共振周波数が低下することがわかる。
fn=(1/2π)・(L1・C1)−1/2・{1+C1/(C0+Cc1)}1/2・・・(3)
式(3)は、前記結合容量Cc1が共振周波数を決定する一要素であり、この値を変更する事で共振周波数の制御が可能である事を示している。
fn=(1/2π)・(L1・C1)−1/2・[1+C1(Cc1+Cc2)/{Cc1・Cc2+C0(Cc1+Cc2)}]1/2・・・(4)
なお、この場合にCc1=Cc2であれば、fn=(1/2π)・(L1・C1)−1/2・[1+C1/{0.5Cc1+C0}]1/2・・・(5)となる。
したがって、この場合でも、上記式(1′)で示されるMEMSレゾネータ10自体の共振周波数より高い共振周波数が得られることになる。
fn=(1/2π)・L1−1/2・{1/C1+1/(C0+Cc1)}1/2・・・(6)
この式(6)をみると、等価直列容量C1の逆数と、等価並列容量C0と結合容量Cc1の和の逆数とが同じ重みで共振周波数に影響を与えることがわかる。したがって、バイアス電圧の変化に起因する等価直列容量C1の変化率と結合容量Cc1の変化率との関係にも依存するが、両変化率の大きさに極端な差がなければ、C1と、C0とCc1の和とがほぼ同じ値となっている場合に本発明の共振周波数の変動を最も抑制しやすくなることがわかる。
Claims (12)
- 基板と、
前記基板上に形成された固定電極、及び、前記固定電極の少なくとも一部に対向する可動部を備えた可動電極を有するMEMSレゾネータと、
前記MEMSレゾネータの前記固定電極と前記可動電極の一方に接続された第1の端子側に設けられた第1の入出力部と、
前記MEMSレゾネータの前記固定電極と前記可動電極の他方に接続された第2の端子側に設けられた第2の入出力部と、
少なくとも前記第1の端子に電位を供給して前記第1の端子と前記第2の端子の間にバイアス電圧を印加する電圧印加手段と、
前記第1の端子と前記第1の入出力部の間に接続され、両端の電位差の変化で容量値が変化する可変容量と、
を具備し、
前記可変容量は、その両端の電位差の変化により容量値が単調に変化する電圧依存領域を少なくとも一部に有し、前記電圧依存領域において前記バイアス電圧の増大により容量値が単調に減少する特性を備えることを特徴とする共振回路。 - 前記電圧印加手段は、前記第1の端子に第1の電位を供給するとともに、前記第2の端子を接地電位とすることを特徴とする請求項1に記載の共振回路。
- 前記電圧印加手段は、前記第1の端子に第1の電位を供給するとともに、前記第2の端子に第2の電位を供給することを特徴とする請求項1に記載の共振回路。
- 前記可変容量と並列に接続された付加容量をさらに有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の共振回路。
- 基板と、
前記基板上に形成された固定電極、及び、前記固定電極の少なくとも一部に対向する可動部を備えた可動電極を有するMEMSレゾネータと、
前記MEMSレゾネータの前記固定電極と前記可動電極の一方に接続された第1の端子側に設けられた第1の入出力部と、
前記MEMSレゾネータの前記固定電極と前記可動電極の他方に接続された第2の端子側に設けられた第2の入出力部と、
前記第1の端子に電位を供給することにより前記第1の端子と前記第2の端子の間に前記第1の端子に供給された電位が上昇するに従って増大するバイアス電圧を印加する電圧印加手段と、
前記第1の端子と前記第1の入出力部の間に接続され、前記第1の端子に供給された電位が上昇すると容量値が減少する可変容量と、
を具備することを特徴とする共振回路。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の共振回路と、前記共振回路に接続される増幅回路部を有する外部回路とで構成された発振回路。
- 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の共振回路を含むフィルタ回路。
- 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の回路を含む電子装置。
- 前記MEMSレゾネータ、前記電圧印加手段、前記可変容量が同一基板上に形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の共振回路。
- 前記MEMSレゾネータ、前記電圧印加手段、前記可変容量及び前記増幅回路部が同一基板上に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の発振回路。
- 前記MEMSレゾネータ、前記電圧印加手段及び前記可変容量が同一基板上に形成されていることを特徴とする請求項7に記載のフィルタ回路。
- 請求項6に記載の発振回路と、請求項7に記載のフィルタ回路とが同一基板上に形成されていることを特徴とする電子装置。
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