TW200405564A - Monolithic bridge capacitor - Google Patents

Description

200405564 玖、發明說明： 於2002年5月31曰業已在美國提出此申請案，其申請案號 為 10/161423 。 【發明所屬之技術領域】 本發明一般係關於一種電容器，尤其係關於製作於一單 片積體電路（1C)中的電容器。 【先前技術】 單片積體電路，譬如MMIC(單片微波積體電路），係有效 利用合成半導體材料之電子轉移特性以此製造相對高速場 效電晶體（FET)之裝置。因此，近年來，業已提升該等MMIC 在用於衛星、行動電話及其他行動通訊裝置之微波或毫米 波1C中的應用，且對MMIC的需求業已隨著該等行動通訊裝 置之擴散而增加。 一典型MMIC包括主動及被動元件，譬如FET，電阻器， 金屬絕緣體金屬（MIM)電容器，數位間電容器，螺旋電感器 ，薄膜電阻器及各種用以連接該等元件之配線層。 在一標準單片微波IC中’存在的一個問題是如何有效地 製作元件以取得相對緊密性從而減小電路尺寸，藉此增加 產量並減少用於一特定製作方法之製造費用，同時保持個 別元件理想之作業特性。該問題在取得具有高電容之緊密 電容器所需的大量努力中尤其明顯。 在標準的MMIC設計中，MIM電容器係用於需要高電容之 電路的精選典型電路元件。選擇MIM電容係因為其在相對 小量之空間中提供相對有效電容值。遺憾的是，不是總能 85395 200405564 可靠地生產電容值低於約2pf的標準MIM電容器。 儘管製作具有低於2pf電容值的MIM電容器的嘗試偶爾成 功，該等電路的製造產量（定義為電容值中不可接收之變異） 通常係低於多數大規模生產要求之理想產量。由於電容器 的兩個板之間介電層厚度之容差導致了具有低於2pf電容的 MIM電容器之低產量。由於電容器板面積上相對較大百分 比之變化，小電容器中尤其強調該問題，當印刷形成分隔 該電容器板之電容板面積及介電層的金屬板時，由於典型 光學蝕刻製程變異而產生此較大百分比之變化。 在期望高製造產量及較低電容之情況下，設計者通常依 靠一標準數位間電容器。典型數位間電容器能實現具有對 製程變異敏感性較少的小電容，因此，典型數位間電容器 適用於要求較高產量的電路設計。但是，數位間電容器的 一潛在缺點在於，其在面積上顯著大於一傳統MIM電容器 。這意味著，儘管一數位間電容器產生較高的小電容值電 容器產量，但在考慮到總電容器尺寸電容值時，數位間電容 器提供相對較低電容。因此，經常迫使電路設計者犧牲一 1C 尺寸以確保具有經濟上可行之製造產量的可靠電路。對高 頻率通訊電路的不斷需求更加惡化了該問題。 鑒於前述原因應可瞭解，吾人期望增加具有較小電容值 的MIM電容的良品率。此外，吾人亦期望無需額外之新穎 及昂貴之加工步騾，提供用以在較小面積中製作具有較小 電容額定值之電容器之新的方法及技術。此外，自附圖、 前述本發明之背景、下文附圖之詳細說明及附加之申請專 85395 200405564 :::圍及本發明摘要中’熟習此項技藝者將了解额外之理 想特徵。 【發明内容】 本發明係有關—種電容器，其包括：複數個具有一第一 ° 層面，至少部分形成於該等複數個層面之一第一 層面中的第一電容板；一形成於該等複數個層面之一第二 容板之第—部A ’·及—形成於該等複數 古一面之一第三層面中的該第二電容板之第二部分。 【實施方式】 下逑對本發明不同較佳實施例的詳細說明實質上僅具範 例非意欲限制本發明或申請案或其應用。於本發明巳 _ Θ佳Λ她例中，在至少兩個不同層面内形成一單片電容 器之兩板中的至少一個。 本發明之方法使用“空橋法，，劣甘此 兮-兩、 或木二/、他介黾媒體以隔離 Μ —电容板中之某些部分，並中一 八r個私谷板的至少一部分 吟過另一電容板的至少—鄯八益；攸&、 π刀。猎由將電容板的某些部分 f订、、且怨放置丑將一雷交ΑΛ*夕/no、 #、# ^备板的多個邵分放置在對立電容 板炙某些部分之上，命板、上> ^ / 一杜、 二橋法或其他介電媒體之使用有助於 在特疋面積中增加電容。雷交哭、4 ^ ^ 口口惑拓撲中使用的線寬、 ，、泉刀Μ及階層數量將確定—料結構的總電容值。 容=適f製造一根據本發明-較佳實施例之單片橋式電 备斋的一標準或典型方法， 电 曰& 團1至剖面圖顯示圖7所示的 取、'結構之基本形成方式。孰斯 — “、、自此頁技#者將認知，本於 了包含諸多额外步I聚而不 、 4 θ離圖1至6所描述之基本製程 85395 200405564 步驟，並且本發明非意欲詳細描述每一所需之步驟，本發 月僅&出取為續者之步驟。此外，熟習此項技藝者還將認 t,可以運用其他方法以達成相似之結果。該等方法及步驟 皆全邯涵蓋於本發明之方法中。 清參看圖1 ’其展示根據本發明一較佳示範實施例之製造 單片橋式電容器刚的第一製程步驟。如圖!所示，提供一 基板110並在基板11〇上形成第一金屬化層，並且韻刻第 一金屬曰化層U0以製造金屬、結構⑴及112。金屬結構⑴及 112將取終成為用於單片橋式電容器⑽的第一電容板。 ^基板11 G較佳係—合成半導體，譬如神化鎵、鱗化姻 或亂化嫁’在本發明之較佳示範實施例中，可以利用熟習 此項技藝：所了解的任何半導體製造方法中使用的合適的 基板。可猎由任何數量之方法製造第—金屬化層咖，包括 沈積與濺鍍。名太麻日 e 〜 … 在本晷明惑取佳貫施例中，第一金屬化層12〇 可由導電金屬例如金或銅製造金屬化層，但亦可以使用熟 習此項技藝者所了解之任何合適金屬或金屬合金。藉由任 何為熟習此項技藝者了解之合適方法形成金屬化層120。_ _見β看圖2，其展示根據本發明一較佳示範實施例之製造 單片橋式私谷斋丨〇〇之第二製程步騾。於該步騾中，在基板 二〇及一金屬結構m及112上形成一介電層22〇。介電層22〇通 ::、、巴、彖材料且最好由氮化矽或適用於絕緣積體電路不 :相似材料所構成。通常，藉由沈積或使用一 PECVD 万法形成介電層22〇，然後對其蝕刻以形成一系列通路，以 在兩至屬層之間提供任何期望之連接。 85395 ZUU4U!>^()4 現參看圖3，展- 4 單片橋式電容器、100:=發明一較佳示範實施例之製造 除至少-部分介電屛—’私步驟。於該步驟中’蝕刻去 終提供一種料；°::成接觸點310。接觸點31。將最 或元件之方法。 片橋式電容器100連接至一較大電路

單其展示根據本發明-較佳示範實施例之㈣ =、式：㈣100之第四製程步驟。於該步驟中，在介, 型地些13卩分上形成橋接定義層41Q。橋接定義層4_ :以定：=材料，譬如—厚抗触膜，將該絕緣材料圖， :我"列通用於空橋之結構，且在下一金屬沈積泛 私除减緣材料。如W4所示，已將橋接定義層41〇之气 分移除且保留跨接點411、412及413。使用跨接點411、41: 及413以形成用於單片橋式電容器⑽之介電橋。 '看圖/、展7根據本發明一較佳示範實施例之製迕 單片橋式電容器⑽之第五製程步驟。於該步驟中，在跨接 點411，412及413上形成第二金屬化層。概言之，可使用標 準電解電鍍以形減金屬部分511、512及513。金屬部分川 、5 12及513係用於單片橋式電容器1〇〇之第二電容柢之部分

’且如圖5所#，在單片#式電容器1〇〇的至少兩個不同層 面内形成金屬部分511、512及513。特定言之，在單片橋^ 電容器100的第二層面内形成金屬部分511之部分，且在單片 橋式電容器100的第三層面内形成金屬部分511之另一部分 。圖5所示之層面具有一走向，此情況下該走向為水平或2 體上水平。儘管此處所說明或描述之單片橋式電容器各種 85395 -10- 200405564 貫犯例具有水平或大體上水平之層面，但請注意各層面亦 可具有其他走—向。 在圖5中’請注意金屬部分512及513最好係與金屬部分511 正又。藉由參看圖7，可更清晰地了解該關係。金屬部分540 楗供一電性連接，用以將第一電容板與一較大積體電路相 連接。此外，第二電容板之金屬部分511、512及513跨過單 片橋式弘谷斋100第一電容板的金屬部分下文將 進一步祥述關於單片橋式電容器100結構之形成。

現參看圖6，其展示根據本發明一較佳示範實施例之製造 單片橋式電容器100之第六製程步驟。於該步驟中，蝕刻去 除橋接部分411、412及413。該步驟為選擇性步驟，且取決 於不同應用，可將橋接部分4U、412及413置放於適當的位 置。將橋接部分411、412及413置放在適當的位置以求結構 穩足或用以改變電路之電容_合。顯而易見的，若移除橋

接部f4U、412及413，剩餘結構類似空橋，，，且可视: 為一‘空橋”。因此，在該組態中，空氣提供第一及第二 板不同部分之間的介電分離。 現麥看圖7,其展示根據本發明—較佳示範實施例 單片橋式電容器7〇0之第七製程步驟。電容器·係藉由 至6之步驟形成之完整結構。剖面線7〇5係一軸線，圖^ 所示之剖面圖沿著該軸線畫出。如圖7所示 器7〇0具有—第-電容板川及-第二電容板™。 應注意，第-電容板710及第二電容板72〇係由各別車 邓分組成，該等較小部分相似於數位間電容器，並且名 85395 -11 - 200405564 板之每一較小部分一同形成一單個電容板。在單片橋式電 容器700之第一層面中形成第一電容板710的至少一第一部 分，且在單片橋式電容器700之多個層面中形成第二電容板 7 20。由於電容板710及720形成單片橋式電容器700的對立 電容板，電容板7 10及720非直接電性連接而是電容耦合。 可以使用熟習此項技藝者所了解的任何標準光學蝕刻技 術方法製造單片橋式電容器700。通常，在積體電路製造方 法中，沈積然後蝕刻金屬及介電材料的不同層面，藉此形 成不同電路元件。本發明之電容器完全適合該等方法且不 需任何用於製造之非標準製程步騾，或如今技藝中所實施 的標準半導體元件製造之整合或導入。 如上文所述，通常藉由蝕刻去除單片積體電路中沈積之 第一金屬化層的至少一部分，以此形成第一電容板7 1 0。於 本發明之最佳實施例中，在第一層面中完全形成第一電容 板710，且第一電容板710包含在第一層面内。在第二金屬 沈積製程步騾中，在單片橋式電容器700的至少兩個不同層 面中形成第二電:容板720。在本發明之最佳實施例中，當_形 成第二金屬化層時，在單片電容器700的第二層面中形成第 二電容板720的至少第一部分，但當形成第二金屬化層時， 在單片電容器700的第三層面中形成第二電容板720的至少 第二部分。 藉由一金屬連接部分7 1 5，將位於第二層面中的電容板 720的第一部分與位於第三層面中的電容板720的第二部分 電性連接，通常形成金屬連接部分7 1 5以充當第二金屬化層 85395 -12- 200405564 之部分。視乎電容器700之確切組態，可存在多個金屬連接 器7 1 5，其將電容板720的各個部分與電容板720的其他部分 相連接。圖7所示的每個金屬連接器715代表一自第二層面 至第三層面之變化。附圖中為清晰之目的，在圖7中沒有標 明所有金屬連接器715。通常藉由金屬線路730及740將電容 板7 10及720與一較大積體電路相連接。此外，在本發明之 最佳實施例中，第二電容板720之不同部分會跨過第一電容 板7 10之不同部分。 現參看圖8，其展示根據本發明另一較佳實施例之單片橋 式電容器800之示意圖。如圖8所示，單片橋式電容器800具 有一第一電容板810及一第二電容板820。藉由一金屬連接 部分8 1 5將位於第二層面中的電容板820的第一部分及位於 第三層面中的電容板820的第二部分電性連接，通常形成金 屬連接部分8 1 5，以充當第二金屬化層之部分。 視乎電容器800之確切構造，可存在多個金屬連接器815 ，其將電容板820的各個部分與電容板820的其他部分相連 接。圖8所示的每個金屬連接器815代表一自第二層面至_第 三層面之變化。通常藉由金屬線路830及840將電容板810及 820與一較大的積體電路相連接。此外，在本發明之最佳實 施例中，第二電容板820的不同部分會跨過第一電容板810 的不同邵分。 亦應注意，於圖8中，用於第二電容板820某些部分之線 路寬度大體上寬於形成第一電容板810的線路。此凸顯了改 變單片橋式電容器800的電容耦合的另一觀點。藉由增加形 85395 -13- 200405564 成第二電容板820的線路的寬度，可增加單片橋式電容器 800的電容。此外，可以減少電阻損失。 現參看圖9，其展示根據本發明另一較佳實施例之單片橋 式電容器900之示意圖。如圖9所示，單片橋式電容器900具 有一第一電容板910及一第二電容板920。藉由一金屬連接 部分9 1 5，將位於第二層面中的電容板920的第一部分與位 於第三層面中的電容板920的第二部分電性連接，通常形成 金屬連接部分9 1 5，係充當第二金屬化層之部分。 視乎電容器900之確切構造，可存在多個金屬連接器915 ，其將電容板920的各個部分與電容板920的其他部分相連 接。圖9所示的每個金屬連接器915代表一自第二層面至第 三層面之變化。通常藉由金屬線路930及940將電容板910及 920與一較大積體的電路相連接。此外，在本發明之最佳實 施例中，第二電容板920的各個部分將跨過第一電容板9 1 0 的各個部分。如圖9描述之單片橋式電容器900係本發明之 最佳實施例。 現參看圖10，:其展示根據本發明另一較佳實施例之單_片 橋式電容器1000之示意圖。如圖10所示，單片橋式電容器 1000具有一第一電容板1010及一第二電容板1020。藉由一 金屬連接部分1 〇 1 5，將位於第二層面中的電容板1020的第 一部分與位於第三層面中的電容板1020的第二部分電性連 接，通常形成金屬連接部分1 〇 1 5，以充當第二金屬化層之 部分。 視乎電容器1000之確切構造，可存在多個金屬連接器 85395 -14- 200405564 1 015，其將電容板1020的各個部分與電容板1〇2〇的其他部 分相連接。® ίο所示的每個金屬連接器1015代表一自第二 層面至第三層面之變化。通常藉由金屬線路〗〇3〇及1〇4〇將 電谷板1010及1020與一較大積體的電路相連接。此外，在 本發明 < 最佳實施例中，第二電容板1〇2〇的各個部分會跨 過第一電容板1 〇 1 〇的各個部分。

、見《看圖11 ’其展示根據本發明另一較佳實施例之單片橋 式電容器1100之示意目。如圖n所示，單片橋式電容器!⑽ 具有一第一電容板1110及一第二電容板1120。藉由一金屬連 接部分⑴5,將位於第二層面中的電容板⑽的第一部分與 位於第三層面中的電容板⑽的第二部分電性連接，通常形 成金屬連接部分1115，以充當第二金屬化層之部分。

視乎電容器U00之確切構造，可存在多個金屬連接器⑴< ，其將電容板U20的各個部分與電容板U2〇的其他部分相連 接。圖11所示的每個金屬連接器1115代表—自第二層面至第 2面的變化。通常藉由金屬線路⑽及⑽將電容板11K

%」與Γ較大讀體電路相連接。此外，在本發明之最佳-實 她歹丨，罘二電客板1120的各個部分將跨雨 的各個部分。 罘屯合板me 現參看圖12,其展示根 捧爷啦〜 .........议住貫施例之單片 问工兒谷詻1200之示意圖。與圖7至11所-、 電容斤不< 上述單片橋式 备叩相比，單片橋式電容器12〇〇 之描汁、 又目迁為圓形。該實施例 U用以凸顯本發明之電容器結構 狀，招垆杜、 得非局限於傳統矩形形 根據特疋應用，可以各種形態加 A I作。此外，根據 85395 -15- 200405564 本發明較佳實施例之單片橋放、兩 σ 问八兒谷态的整體結構可為三角 形，以此適應一積體電路之拐角， 一 切月故在和體電路上需求較 小表面積。最後，根據行業桿 ^ 加+貫務，可斜接矩形結構之 拐角。 ::圖二所示？片橋式電容器12〇。具有一第一電容板 及第一私谷板1220。藉由—金屬連接部分1215將位 於第二層面中的電容板1220的第一部分與位於第三層面中

的電容板⑽的第二部分電性連接，通常形成金屬連接部 分12〗5，係充當第二金屬化層之部分。 視乎電容器1200之確切構造，可存在多個金屬連接哭 12!5, Μ容板122〇的各個部分與電容板122〇的其他部分 相連接。圖12所示的每個金屬連接表—自第二層 =至第三層面的變化。通常藉由金屬線路123〇及124〇將; I板1210及1220與-較大的積體電路相連接。此外，在本 ，明之最佳實施例中’第二電容板122()的各個部分會跨過 第私备板121 〇的各個部分。此外，可將一通路與電容板 1210或1220的其:中

< —相連接，以形成一並聯電容器，，而 非上述圖中所描述的串聯電容器。 取後Μ盡管藉由三個層面及在第一層面中形成的第一電 各板及在第一及第二層面中部分形成的第二電容板來描述 本發明，但其他組態亦可行。例如，使用其他製作方法， 可在人第兒容板相同的層面中形成第二電容板之第一部 分，且第二層面中可形成第二電容板之第二部分。 本發明足單片橋式電容器在微波或毫米波電路應用中尤 85395 _> 4 a -16- 200405564 其有效。該應用包括（但非局限於）低雜訊放大器、功率放大 器及混頻器。>交高頻率之設計應用最可能得益於本發明中 電容器之運用，因為其可能需要小電容值。此外，本發明 之電容器之緊密性質及緊密結構為一特定電容器提供一增 強之品質因數或“ Q”值。最後，當與一標準MIM電容器之 崩潰電壓相比時，本發明之電容器的崩潰電壓明顯較高。 一標準MIM電容器的崩潰電壓在3伏特至25伏特範圍内，但 本發明之電容器將具有一在25伏特至200伏特範圍之崩潰 電壓。 可使用任何用於MMIC之標準製作方法，包括空橋之使用 ，以實施本發明之電容器。本發明之方法提供具有多達30% 電容或在一相似面積中具有較一標準積體電容器更多電容 的電容器。由於電容器之重疊電容板，至少一部分之性能 改良係來自增強之耦合電容。但是，電容的最大增加係自 電容板不同部分之間的幾何關係實現，該電容板的不同部 分彼此相鄰放置。由本發明之方法實現之設計允許在毫米 波頻率下的更高[產量電路設計，在毫米波頻率下經常需要 較小電容值。與傳統積體電容器設計相比，本文描述之本 發明方法允許電路尺寸的明顯減小。當與使用本文描述之 電容器所實現之改進產量結合時，最終結果為低生產成本 下製造產量中的更大可靠性。本發明之方法使用“空橋”或 某些其他介電質以隔離一單片電容器的兩電容板之某些 部分。藉由使用本發明之方法，可製造使用標準方法無法 實現之特定幾何結構。藉由將電容板之某些部分放置於對 85395 -17- 200405564 立電容板之某些部分之上，空橋 右 间法或其他介電質之使用亦 一特疋面積中增加電容。用於電容器拓撲中的線 見離及階層數量將決定_特定結構的總電容值。 儘賞在W述說明中業已詳細 應了 r W + i 、 辰不各種較佳示範實施例， 心解仍存在大量變異。亦應了解本女张症-A丄、 仓丨版办〜 又所展不的較佳實施 例僅係貫例，而非意欲以任 了万式限制本發明之範園、應 用或組怨。相及祕 μ、+、β Λ 、 —、 也上述评細說明為熟習此項技藝者提供 以貫施本發明較佳示範實施例之便利準則。應理解，在 不月離ik ρ付之申睛專利範圍中所述之本發明的範圍下，可 對在示範性較佳實施例中說明的元件之功能及饰置作各種 改變。 r 口促 【圖式簡單說明】 月J又中已結合附圖描述本發明，附圖中相似 似元件，且： 于代衣相 圖1為根據本發明一示鉻、 ^ 口口、斤 π靶貫施例之製造一早片橋式電容 备 < 罘一製程步驟的剖面圖； 圖2為根據本發明一示範實施製造 器之第二製程步驟的剖面圖； ^ 圖3為根據太义 ^ 如、π 本务明一示範實施例之製造一單片橋式電 I '|王步騾的剖面圖； 圖4為根據太义 一 本务明一示範實施例之製造一單片橋式電 弟四製程步驟的剖面圖； 备 圖5為根據本菸日Η 一外、 ^ ^ ^ 个焱明一不乾實施例之製造一單片橋式# ^ 器之第五製程牛酿t、 π切八兒谷 ν 的剖面圖； 85395 -18- 圖6為根據本發明1 器之第六製程步驟的剖面圖；施例之製造-單片 圖7為一根據太义 一、 ^據本發明-示範， 不意圖； 貧袍例之單片棒六、+、 m h 巧僑式電容器的 圖8為一根據本發明另一二〜 的示意圖； 下軛實施例之單片棒+ + 々衢式電容器 圖9為一根據本發明另〜厂、〜 的示意圖； 「、範貪施例之單片棒式 圖10為一根據本發明另一示〜 的示意圖； $ *實施例之單片橋式電 圖11為一根據本發明另—示〜 的示意圖；及 卞知實施例之單片橋式 圖12為一根據本發明另一示〜 的示意圖。 疋粍實施例之單片橋式 【圖式代表符號說明】 明 橋式電容 電容器 容器 電容器 電容器 100,700,800,900,單片橋式電容器1000， 1100， 12Ό0 110 基板 111， 112 金屬結構 120 金屬化層 220 介電層 310 接觸點 410 橋接定義層 411，412, 413 擒接部分 85395 -19- 200405564 511，512, 513, 540 705 710, 810, 910， 1010， 1110, 1210 715, 815, 915， 1015， 1115, 1215 720, 820, 920， 1020， 1120, 1220 730, 740, 830, 840, 930, 940， 1030， 1040， 1130, 1140， 1230， 1240 金屬部分 剖面線 第一電容板 金屬連接部分 第二電容板 金屬線路 85395 -20-

Claims (1)

1. 200405564 拾、申請專利範園： 1. 一種電容器，其包括： 複數個具有一第一走向之層面； 一至少邵分形成於該等複數個層面之一第一層面中 的第一電容板； 一形成於該等複數個層面之一第二層面中的一第二 電容板之第一部分；及 一形成於該等複數個層面之一第三層面中的該第二 電容板之第二部分。 _ 2. 根據申請專利範圍第1項之電容器，進一步包括一位於 該第二電容板之該至少一第一部分與該第二電容板之 該至少一第二部分之間的電性連接。 3 .根據申請專利範圍第1項之電容器，其中該第二電容板 之該第二部分跨過該第一電容板的至少一部分。 4. 根據申請專利範圍第1項之電容器，進一步包括複數個 位於該第二電容板之該至少一第一部分與該第二電容 板之該至少一:第二部分之間的電性連接。 _ * 5. 根據申請專利範圍第1項之電容器，進一步包括： 一第一電路連接，該第一電路連接將該第一電容板與 一積體電路電性連接；及 一第二電路連接，該第二電路連接將該第二電容板與 該積體電路電性連接。 6. 根據申請專利範圍第5項之電容器，其中該第二電路連 接係與一接地通路相連接。 85395 200405564 7. 根據申請專利範圍第1項之電容器，進一步包括一分離 該第一電容板及該第二電容板的介電橋。 8. 根據申請專利範圍第6項之電容器，進一步包括一分離 該第一電容板及該第二電容板的空橋。 9. 根據申請專利範圍第1項之電容器，其中該第一走向為 一水平走向。 10. —種位於一積體電路中的電容器，該電容器包括： 複數個具有一水平走向的層面； 在該等複數個層面的一第一層面中形成的一第一電 容板的至少一部分； 在該等複數個層面的一第二層面中形成的一第二電 容板的至少一第一部分； 在該等複數個層面的一第三層面中形成的該第二電 容板的至少一第二部分； 一位於該第二電容板之該至少一第一部分與該第二 電容板之該至少一第二部分之間的電性連接； 一第一電路連接，該第一電路連接將該第一電容板-之 該至少一部分與該積體電路電性連接；及 一第二電路連接，該第二電路連接將該第二電容板之 該至少一第一部分與該積體電路電性連接。 11. 根據申請專利範圍第10項之電容器，其中該位於該第二 電容板之該至少一第一部分與該第二電容板之該至少 一第二部分之間的電性連接包括一金屬連接器，該金屬 連接器將該等複數個層面之該第二層面與該等複數個 85395 -2- 200405564 層面之該第三層面電性連接。 12.根據申請專利範圍第10項之電容器，進一步包括一介電 橋，其中該介電橋將該第二電容板之至少一第二部分與 該第一電容板之該至少一部分分離，且其中該第二電容 板之該至少一第二部分跨過該第一電容板之該至少一 部分。 1 3 .根據申請專利範圍第1 0項之電容器，進一步包括一分離 該第一電容板與該第二電容板的空橋。 14. 一種製造一電容器之方法，該方法包括以下步騾： 在一單片積體電路之一第一層面中形成一第一電容 板的至少一部分； 在該單片積體電路之一第二層面中形成一第二電容 板的至少一第一邵分，及 在該單片積體電路之一第三層面中形成該第二電容 板的至少一第二部分。 15. —種在一單片積體電路中製造一單片橋式電容器之方 法，該方法包括以下步騾： - 在一基板上沈積一第一層面； 移除該第一層面的至少一部分，藉此在該單片積體電 路中形成一第一電容板之至少一部分； 在該第一層面上方沈積一介電層； 蝕刻去除該介電層的至少一部分； 在該單片積體電路之一第二層面中形成一第二電容 板的至少一第一邵分； 85395 200405564 在該單片積體電路之一第三層面中形成該第二電容 板的至少一第二部分；及 將該第二電容板之該至少一第一部分與該第二電容 板之該至少一第二部分電性連接。 16. —種單片橋式電容器，其包括： 複數個具有一第一走向之層面； 一形成於該等複數個層面之一第一層面中的第一電容 板， 形成於該等複數個層面之該第一層面中的一第二電 容板之至少一第一部分；及 形成於該等複數個層面之一第二層面中的該第二電 容板之至少一第二部分。 85395 4 -