TW200302151A - Polishing pad, process for producing the same, and method of polishing - Google Patents

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200302151 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（1 ) 技術領域 本發明係有關以化學機械硏磨法使製作半導體積體電 路用的晶圓表面之凹凸平坦化的步驟所使用之硏磨墊及其 製法，與使用該墊之硏磨方法者。 背景技術 於製造半導體積體電路的步驟，在晶圓表面上形成導 電性膜後，藉由微影及蝕刻形成佈線圖案之步驟或於該佈 線圖案之上形成層間絕緣膜之步驟存在著。藉由此等步驟 ’於晶圓表面上發生內導電體及絕緣體而成的凹凸。近年 ’以半導體積體電路之高密度化爲目的雖然進展著佈線圖 案之微細化或多層化，惟爲確保於微影步驟之焦點深度而 使晶圓表面之凹凸平坦化的技術亦成爲重要的。 至於使製作半導體積體電路用的晶圓表面之凹凸平坦 化的方法，現在以化學機械硏磨（以下稱作「CMP」）法 正被主要使用著。CMP法係採用硏磨粒已分散於淤漿狀的 加工液（以下稱作「淤漿」），合倂由加工液而成的化學 作用及由硏磨粒而成的機械作用並硏磨的方法。 以CMP法使用的硏磨裝置，係主要由壓板、晶圓載具 頭、淤漿供給噴嘴、修整器所構成的。硏磨墊係予貼合至 該壓板上，製作半導體積體電路用之晶圓係予安裝於晶圓 載具頭。在CMP法之硏磨步驟，若將經予安裝於晶圓載具 頭之晶圓的被硏磨面受擠壓至硏磨墊之硏磨面上，同時 壓板及該晶圓載具頭旋轉，使經予供給至硏磨面上的派 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -5 - I---5*--·---φ-批衣----τ--II----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) rm ...... HI In I ---- - 1..... I j I —I 1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200302151 ΑΊ B7 五、發明説明（2 ) 漿夾入被硏磨面及被硏磨面之間並進行。 在硏磨步驟中或先於硏磨步驟之前，通常主要以黏貼 有鑽石的修整器進行硏磨墊之調理處理。於硏磨步驟中 進行時，調理處理係以去除硏磨墊之硏磨面的表層去除 硏磨屑，達成使淸淨的硏磨墊表面復活的角色。又先於 硏磨步驟之前進行的情形，調理處理係於硏磨面之表面 上亦達成可形成有助於淤漿之運送的細紋理（數// m級） 之角色。 淤漿係依經予硏磨的材料或製程之不同而異，惟一般 以過氧化氫 （H2〇2)或硝酸鐵 （Fe (N〇3) 〇等氧化劑， 溶解劑等溶液之加工液100〜80 重量％ 及二氧化矽 (Si〇〇 、二氧化鈽 （Ce〇2)、氧化鋁 （Al2〇3)等硏磨粒〇 〜2 0重量％而成。於已採用汲發之硏磨步驟，會合倂弓丨 起由加工液中的氧化劑、溶解劑等的溶解、脆化等化學研: 磨作用爲硏磨粒之物理作用。 於C Μ P法之硏磨步驟，對硏磨墊之第一要求係硏磨速 度需高。爲得較高的硏磨速度，硏磨墊之硏磨面係沿硏磨 墊之硏磨面爲晶圓之被硏磨面之切面的全面上，可有效白勺 由淤漿供給噴嘴運送且保持經予供給至硏磨面上，又有可 排出在硏磨部位上發生的硏磨生成物或硏磨墊屑之構造的 必要。爲此目的，於習用技術之硏磨墊，除沿同心圓狀或 螺旋狀的溝槽等之硏磨墊全面的凹凸構造（數百// m級） 外，歸因於製造步驟之氣泡等的局部凹凸構造（數十// m 級）會存在。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6- 1 . mu —-I- I - m 1 --1 I -j- - - ! i t ϋϋ ---In 一 口V - -- - -li- In m ---: . -- i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 200302151 ___ B7 五、發明説明（3 ) 第二要求係硏磨墊之壽命需長，亦即不交換硏磨墊下 可硏磨的晶圓之片數需多。因此，構成硏磨墊之材料有耐 磨耗性較高的必要。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第三要求係平坦化能力需高。尤其於金屬鑲嵌佈線之 鍍銅佈線之硏磨步驟，有硏磨具有1 OOnm以上厚度之銅佈 線之必要，故於電漿製程爲消除由溝槽經予轉印至電鍍表 面上的凹凸，較高的平坦化性能乃被要求著。於由所謂銅 層間絕緣膜、阻絕層（bardeO金屬之不同的材料而成的被 硏磨面之硏磨，被稱作調理磨損之平坦化不良雖會容易發 生，但硏磨墊本身之均勻性高，且需使用硏磨面較難變形 ，有抑制平坦性不良的必要。 向來即爲人所知的CMP用硏磨墊，係可分類成採用具 獨立發泡構造之樹脂的硏磨墊，採用具有連續發泡構造之 樹脂的硏磨墊，採用具有無發泡構造之樹脂的硏磨墊或貼 合此等的二層構造之硏磨墊。 • 至於已採用具有獨立發泡構造之樹脂的硏磨墊，次由 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 聚胺酯之發泡體而成的硏磨墊係爲人所知的。該硏磨墊係 通常依批次式反應經予製成塊狀胺酯發泡體後，藉由將該 塊狀發泡體切成板片狀的步驟予以製造。該硏磨墊係具有 源自經予切成局部的凹凸構造之氣泡的半球狀凹痕（數十 // m級），故通常藉由切削加工形成沿溝槽等的硏磨墊全 面的凹構造予以使用。 然而，在該硏磨墊之製造步驟，欲沿反應容器整體確 保反應溫度之均勻性、發泡倍率之均勻性一事係較困難的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2】0X 297公釐） ~ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200302151 A7 ____ B7_ •五、發明説明（4 ) ，欲沿硏磨墊整體製造均勻的製品一事係較困難的。又， 該硏磨墊因淤漿成分或在硏磨作用已發生的生成物由於容 易堆積於上述的半球狀凹部，而具有在較短的硏磨時間容 易引起塞孔的缺點。因此，爲保持較高的硏磨速度，乃生 成有頻繁的以修整器削除硏磨墊表面之塞孔部分的必要。 因此，於硏磨步驟中有需較長的合計修整時間之問題，硏 磨墊之壽命較短的問題。亦即，由此種聚胺酯之發泡體而 成的硏磨墊，係不限於上述三硏磨墊所被要求的性能（亦 即較高的硏磨速度、耐磨耗性、平坦化性能）可予經常滿 .足者。 至於採用具有連續發泡構造之樹脂的硏磨墊，以於聚 酯製之氈狀纖維板片使浸漬聚酯之硏磨墊爲代表性者（例 如參考美國專利第4，927，43 1號詳細說明書）。該硏磨 墊係使經予溶解於二甲基甲醯胺、甲乙基酮、四氫呋喃等 溶劑內的熱硬化性聚胺酯浸漬於氈狀纖維板片內，藉由乾 燥供溶劑蒸發後，藉由加熱使聚胺酯硬化之步驟予以製造 。該硏磨墊係具有源自毛氈的連續氣泡（數十〜200 // m 級程度）作爲局部的凹凸構造。又淤漿係通過該連續氣泡 並滲入硏磨墊整體，藉由利用被硏磨面之壓力而滲出的機 構予以移送，故在不形成沿硏磨墊全面之溝槽等之下使用 亦係可能的。 然而，該硏磨墊之製造步驟係以乾燥步驟，熱反應步 驟爲主，由於成爲被置於反應組成物較易凝集的狀態’欲 均勻的保持硏磨墊材料之組成，物性至微觀的水準爲止係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） I II ----裝----„---訂------I-----*— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 200302151 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（5 ) 較困難的。又固具有源自連續發泡構造之壓縮性，具有平 坦化性能低劣的問題點。再者，氈狀纖維板片之纖維間的 間隙係以連續氣泡存在，以晶圓硏磨發生的硏磨屑會糾纏 於該纖維內，較常生成利痕至被硏磨製品上的情形。因此 ’於此種聚酯製之氈狀纖維板片內使浸漬聚胺酯的硏磨墊 ’在硏磨速度及平坦化性能之點上未能獲得令人滿意的結 至於已採用具有無發泡構造之樹脂的硏磨墊，有聚胺 酯等固態均聚物被提出著（參閱美國專利第5，489，233號 說明書）。又，以已使用聚胺酯系聚合物之光硬化樹脂製 作的無發泡構造之樹脂之硏磨墊亦正予提出著（參閱美國 專利第5，965，460號說明書）。該硏磨墊係與前述二種硏 磨墊不同，不具有本質的凹凸構造，藉由調理處理等須設 置局部的凹凸構造（紋理：數# m級）。又藉由切削加工 形成沿溝槽等的硏磨墊全面上的凹凸構造（數百// m級） 並予使用。且已採用具有以前述的光硬化樹脂製作的無發 泡構造之樹脂的硏磨墊時，藉由微影法製作溝槽等凹凸構 造一事亦係可能的。 然而，已採用具有上述無發泡構造之樹脂的硏磨墊， 由於僅具有由調理處理等引起的表面之凹凸，未能獲得足 夠的淤漿保持力，有硏磨速度較低的問題點。加上亦有硏 磨墊之壽命較短的問題。 又，使凹凸形成於已採用具有上述無發泡構造之樹脂 的硏磨墊之表面上並爲使淤漿保持力提高’亦提出有對構 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I# 項再填· 裝· 、11 4 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 · 200302151 A7 B7 五、發明説明（6 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 成硏磨墊之光硬化樹脂可添加聚合物塡充劑，氧化Ig，Z 氧化矽，中空陶瓷中空球，中空玻璃珠等塡充劑（參閱_ 國專利弟6’ 036’ 579號說明書）。然而’即使添加爐充 劑至樹脂，各塡充劑係獨立的分散於硏磨墊中，藉由硏_ 由硏磨面可予去除，故使硏磨面之耐磨耗性提高的效集少^ ，未能期待硏磨墊之長壽命化。如此，藉由已採用具有無 發泡構造之樹脂的硏磨墊，去除歸因於已採用具有獨立發 泡，連續發泡構造之樹脂的硏磨墊之製造的缺點即使係可* 能的，亦非爲可同時滿足對上述三個硏磨墊之要求性能者 〇 發明之揭示 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於本發明，與習用的硏磨墊比較，可得較高的硏磨速 度，而且可提供硏磨之均勻性高，且壽命較長的硏磨墊（ 亦即可予提供能同時滿足上述三個要求性能之任一者的研 磨墊）。尤其可提供適於前述的金屬鑲嵌佈線之銅佈線圖 案或鋁佈線圖案等較厚的導電體圖案之硏磨的平坦化能力 較高的硏磨墊。又於本發明，採用上述的硏磨墊硏磨經予 形成於製作半導體積體電路用晶圓之表面上的銅或鋁而成 之佈線圖案的方法。再者，於本發明係可提供製作半導體 積體電路用晶圓之表面硏磨所用的上述之硏磨墊之製法。 亦即，本發明之第一形態，係提供含有可塡埋布帛及 布帛之構成纖維間的間隙之非多孔質之樹脂的硏磨墊者。 於本發明之硏磨墊，至於上述布帛，以由聚酯纖維、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 200302151 Μ Β7 五、發明説明（7 ) 丙烯腈纖維、聚醯胺纖維、絲、羊毛及纖維素而成的群體 選擇的至少一種爲構成纖維之非織物較宜採用。又在2 1°C 8 0 % R Η之水分率爲1 〇 %以上的纖維而成之布帛較宜採 用。兩者，由乾燥時之抗拉強度3 g /D以上的纖維而成的 布帛較宜採用。 至於上述樹脂，宜爲使含有由親水性光聚合性單體、 親水性光聚合性聚合物及寡聚物而成之群體選出的至少 一種之感光性樹脂組成物經予光硬化的光源化樹脂。 本發明之第二形態，係提供以由布帛經予強化的非多 孔質之光硬化樹脂而成的硏磨墊及淤漿硏磨的方法者。 於本發明之方法，至於上述布帛以在21 °C 80% RH 之水分率1 0%以上之纖維而成的布帛或乾燥時之抗拉強 度3g /D以上的纖維而成之布帛係較宜採用。又以具有異 形率1.2以上的截面形狀之纖維而成的布帛亦係較宜使用 〇 本發明之第三形態，係提供以使感光性樹脂組成物浸 漬於由布帛而成的基材內之後，照射紫外線或可見光至 該樹脂組成物並使硬化爲特徵的硏磨墊之製法者。 爲消除已採用具有先前技術之發泡構造的樹脂之硏磨 墊之氣泡的大小或密度分布之不均勻性或伴隨該硏磨墊 之壓縮性的不均勻性爲原因而發生的硏磨之不均句性， 宜爲採用具有無發泡構造之樹脂的硏磨墊。然而已採用 先前技術之無發泡構造之樹脂的硏磨墊，縱然加有塡充 劑，亦爲硏磨速度低且耐磨耗性缺乏者。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -11 · mi n m nn «mu tn mu mu HI ϋϋ -II、一 tin mi 1 . - n - 1 I, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 200302151 A7 B7 五、發明説明（8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此，本發明之發明人爲解決上述問題點，乃考慮組 合由布帛而成的基材及具有無發泡構造之樹脂。於已揭 示前述的固態均聚物（無發泡構造）而成的硏磨墊之美 國專利第5，489，2 3 3號內，爲抑制硏磨之分散性，有於 蓬鬆物質中原本存在的不均勻性係較不合適的記載。又 於已揭示由光硬化樹脂（無發泡構造）而成之研磨墊的 美國專利第6，036，579號說明書內，有塡充劑以不加入 較佳，惟若加入時，以聚合物塡充劑可添加平均尺度1〜 lOOOnm之微粒子塡充劑之內容的記載。因此，若依此等 揭不時，加入布帛等，則由爲感光性樹脂組成物之感光而 用的確保透明性之觀點亦不致考慮等等，但慮及以反應 條件及使用的感光性樹脂組成之最適化係可解決，以至 完成本發明。 實施發明而採的最佳形態 . 以下詳細說明本發明。 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 第1圖係表示本發明之硏磨墊之一實施形態的截面模 式圖，各該模式圖係表示硏磨墊之厚度方向的截面，圖中 ，1係硏磨面，2係經予形成於硏磨墊整體上的溝槽部（ 數百// m級）。於硏磨步驟，將硏磨面1頂住晶圓之被磨 面並予使用。溝槽部2係爲移送淤漿至硏磨面而用的部 位。硏磨墊本身亦依晶圓硏磨而磨耗，惟通常若該溝槽 部2磨耗至消失爲止時，則淤漿之移送效率降低，故在溝 槽部2消失以前交換成新硏磨墊。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2]0X 297公釐） _ 12 _ 200302151 A7 B7 五、發明説明（9 ) 本發明之硏磨墊係由布帛形成的基材及塡埋基材之構 成纖維間的間隙之非多孔質樹脂而成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之硏磨墊係以已採用具有獨立發泡構造之樹脂 的硏磨墊或已採用具有連續發泡構造之樹脂的硏磨墊般 並非爲多孔質，不發生源自氣泡之分布或壓縮性的硏磨 之不均勻性。又本發明之硏磨墊與已採用具有習用的無 發泡構造之樹脂的硏磨墊不同，藉由採用由沿硏磨墊整 體連續的布帛而成之基材，由硏磨墊整體成爲強韌的構 造’磨耗受抑制，可使以一片硏磨墊可硏磨的晶圓之片數 增力口。 再者，將該基材作成吸水率較高者，藉由組合成及/或 組合吸水率較高的光硬化樹脂至基材上，提高硏磨步驟所 用的淤漿之保持能力，因此可提高硏磨速度。尤其如後述 般主要採用由化學作用硏磨的淤漿時，此種吸水率之提高 可在淤漿之保持能力方面發揮效果。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，已露出於硏磨墊之硏磨面的一部分之布帛表面的 數十// m級之凹凸構造（此凹凸構造係歸因於布帛本身的 構造），係有助於淚發之有效的移送及保持，使達成較局 的硏磨速度成爲可能。尤其如後述般主要採用由機械作用 硏磨的淤漿時，此種凹凸構造係在淤漿之移送、保持能力 方面可發揮效果。又如此藉由採用歸因於布帛本身的構造 之凹凸構造，欲迴避對上述氣泡之塞孔或硏磨屑對連續氣 泡之糾纏引起的刮痕類問題即成爲可能。 於本發明之硏磨墊被使用作基材之布帛，不論織物或 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 200302151 A7 B7 五、發明説明（10 ) 非織物均可，惟以非織物較宜採用。非織物之製作方法， 已知有浸漬接著法、針軋法、紡黏法、針黏法或濕式的噴 水法等。至於本發明所使用的布帛，爲提高且均勻的保持 硏磨速度，宜爲高密度且均質者。至於較宜者之一例，可 舉出以噴水法生產的非織物。又藉由模壓等壓縮以其他方 法製作的非織物並予高密度化者亦較宜。 又，至於該基材之構成纖維，可採用聚酯纖維、丙烯 腈纖維、聚醯胺纖維等化學合成纖維、纖維素、羊毛、絲 等天然纖維。其中亦以由抗拉強度較高的纖維而成的布帛 、親水性較高的纖維而成的布帛、或由多孔質、異形截面 或極細的纖維而成的非織物較宜使用。尤其在此等基材之 內，以耐綸非織物、嫘縈非織物、多孔質纖維而成的非織 物由硏磨速度之面係可較宜採用。 於本發明之硏磨方法，於爲硏磨前述的金屬鑲嵌佈線 所使用的銅而用的淤漿，採用氧化鋁作爲硏磨粒，主要利 用機械作用硏磨的淤漿，及使用膠態二氧化矽爲硏磨粒， 主要利用氧化反應或形成錯合物等的化學作用硏磨的淤漿 之二種型式者較宜使用。於主要使用由化學作用硏磨的淤 漿時，硏磨之平坦性，例如欲減少被稱作凹狀扭曲硏磨之 被硏磨面端部的銅佈線之凹陷、或被稱作沖蝕之銅佈線密 度較高的部分之凹陷亦係可能的。 尤其，於本發明之基材之中，由抗拉強度優越的纖維 而成之布帛，爲主要由機械作用硏磨的淤漿會發揮優越的 硏磨性能。此爲由硏磨面呈部分突出的纖維本身（前述的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2】0X 297公釐） 1·= - -= f - - - - -----1 I -- - n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、\u 口 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200302151 A7 ______B7 五、發明説明（11 ) ---8 . 1! III - - H* - -ii .....I— 士I--- I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 硏磨面之數十// m級之凹凸）作用成硏磨材，同時由於負 載較難變形’故可被視作硏磨粒可有效的頂住被硏磨面所 致。尤其於乾燥時以具有3g /D以上的抗拉強度之纖維爲宜 ’以具有4 · 5 g/D以上的抗拉強度之纖維爲較宜。至於此種 纖維之例子，以丙烯腈纖維、耐綸纖維或聚酯纖維之一部 分符合。此纖維之抗拉強度（基於nS L1013 (化學纖維長 纖紗試驗方法）規定的測定方法而得者。 又，由吸水率較高的纖維而成的布帛，係於主要由化 學作用硏磨的淤漿方面，發揮優越的硏磨能力。此可被視 作而露出於硏磨面之一部分的纖維會汲取於淤漿之加工液 並供給至被硏磨面所致。尤其在21 °C 80% RH之條件下以 具有1 0 %以上的水分率之纖維爲宜，以具有1 5 %以上的 水分率之纖維爲較宜。至於此種纖維之例，以螺.縈等纖維 素纖維較合適。此纖維之水分率係基於]IS L1013 (化學纖 維長纖紗試驗方法）規定的測定方法而得者。 •曹 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又即成爲於21 °C 80% RH之條件下的水分率未滿10% 之纖維時，採用截面上具有空孔之多孔質的纖維，或表面 上有切痕，裂縫之纖維而成的布帛之硏磨墊於硏磨時，於 主要由化學作用硏磨的淤漿方面會發揮優越的硏磨能力。 此爲已露出硏磨面之纖維，係在調理處理或由於晶圓之負 載而予壓碎成細粒、汲取淤漿之加工液、或用作補充硏磨 粒之不足的位置而作用。截面係非爲圓形之異形，故對採 用由面積較大的纖維而成的布帛時，亦可期待同樣的效果 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 200302151 A 7 B7 五、發明説明（12 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 異形之程度係以下述方法所測定的異形率予以定義。 首先以切刀切斷布帛並露出纖維之截面。其次以光學式顯 微鏡或電子影微鏡拍攝截面照相。於該截面照相，求取構 成布帛之纖維一條的截面之周邊長度s (於纖維之截面具有 1個以上的空孔部時，以各空孔部之周長之和加算成S者） 。若多數描繪通過該纖維之截面的重心之直線時，以由該 截面之周邊切取的線部分之長度的最大値及最小値之平均 的1 /2爲假想半徑a。以外周長度爲S之圓的半徑爲b (可 以b= S/2 7Γ求取）。構成布帛之各各纖維之形狀難具有相 同的傾向，惟各自僅有少許差異，故由上述截面照相之中 選擇任意的五條纖維，加上對各自的纖維計算b/a並求取 其平均値。將此値定義成異形率。異形率較1大的纖維 雖係異形，惟本發明係爲異形率1.2以上之纖維而成的布 帛爲宜，以1.4以上之纖維而成的布帛爲較宜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述基材（布帛）係使浸漬感光性樹脂組成物後，照 射紫外線或可見光並使該樹脂組成物硬化，故在基材單 體即使爲不透明，實際上若可得以使浸漬感光性樹脂組 成物之狀態可足夠的引起光硬化反應之程度的透明性者 時，則可使用於本發明。 本發明所使用的樹脂，雖需爲非多孔質的樹脂，惟宜 爲非多孔質的光硬化樹脂（感光性樹脂經光硬化而得） 。使用熱硬化樹脂並製造本發明之非多孔質的硏磨墊時 ，有由於源自熱分布等的硬化後之殘留應力使硏磨墊翹 曲的情形。對此，使用光硬化樹脂時，感光性樹脂組成物 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 200302151 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 kl ____________ B7__五、發明説明（13 ) 之光硬化反應與熱硬化比較可在短時間進行，故較難發 生翹曲的問題。又，與熱硬化比較，由於可均勻的進行反 應結果，反應生成物之光硬化樹脂即成爲較熱硬化樹脂 具有均句的組成。 又於CMP製程，爲利用光學方法監視硏磨量，有於 硏磨墊之一部分硏磨面上設置開口並插入透明構件（以下 稱作窗） （例如參閱美國專利第5，893，796號說明書） 。於使用本發明之較佳態樣的布帛及光硬化樹脂時，可使 上述附有窗之硏磨墊的製造步驟簡略化。亦即，使重複擦 拭相當於開口部之部分的布帛浸漬感光性樹脂組成物，藉 由光照射使硬化，欲使該窗及硏磨墊成形成一體物係有可 的。 該光硬化樹脂係對感光性樹脂組成物照射紫外線或可 .見光線並使硬化者，該感光性樹脂組成物係至少包含光聚 合性聚合物或寡聚物，及光聚合性單體中之至少一種。於 本發明爲提高硏磨墊之吸水率，宜爲採用含有親水性光聚 合性聚合物或寡聚體、親水性光聚合性單體中至少一種感 光性樹脂組成物。 至於上述光聚合性聚合物或寡聚體，可舉出不飽和聚 酯、聚醚（甲基）丙烯酸酯、聚酯（甲基）丙烯酸酯 '聚 丁二燒（甲基.）丙烯酸酯、聚環氧基（甲基）丙烯酸酯等 〇 尤其’爲得高吸水率之光硬化樹脂，至於感光性樹脂 ’組成物之構成成分宜爲於終端或側鏈上具有羥基、羧基、 本纸張尺度i用中關家榡準（CNS ) A4規格（21〇>< 297公楚）· —---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} J0 項再填丄 裝· 噃 200302151 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（14 ) 『雜酸基者。例如可舉出如不飽和聚酯般於聚合物鏈之終端 或側鏈上具有羥基或羧基者，可使不飽和聚酯聚合物之羥 基鍵結以具有乙烯性不飽和基之單異氰酸酯，僅殘存羧基 之聚合物或寡聚體爲例。 至於上述光聚合性單體，以於終端或側鏈上具有至少 一個以上的乙烯性不飽和基之化合物爲宜。乙烯性不飽和 基係指於兩烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基、烯丙基等所 含者。具體而言，可舉出具有甲基丙烯酸月桂酯、N- (3-二甲基胺基丙基）（甲基）丙烯醯胺、（甲基）丙烯酸羥乙 酉曰、（甲基）丙傭酸經丙基酉旨、（甲基）丙稀酸乙醋、（甲 基）丙烯酸丙酯等多種乙烯不飽和基一種的化合物、二（ 甲基）丙烯乙二醇酯、二（甲基）丙烯酸二乙二醇酯、二 (甲基）丙烯酸1，4- 丁二醇酯 '二（甲基）丙烯酸ι，6-已二醇酯、二（甲基）丙烯酸三羥甲醋、二（甲基）丙燦 酸丙三醇酯、二（甲基）丙烯酸三乙二醇酯、聚乙二醇 #200二（甲基）丙儲酸酯、聚乙二醇#4〇〇二（甲基）丙嫌 酸酯、二（甲基）丙烯酸1，3 - 丁二醇酯、二（甲基）丙 烯酸新戊二醇酯、二（甲基）丙烯酸1，10-癸二醇酯、雙 酚A之環氧乙烷加成物之二（甲基）丙烯酸酯、三烯丙基 三聚異氰酸酯、三聚異氰酸環氧乙院改質二（甲基）丙嫌 酸酯、三聚異氰酸環氧乙烷改質三（甲基）丙烯酸酯、環 氧乙烷改質三羥甲丙烷三（甲基）丙烯酸酯、二（甲基） 丙烯酸季戊四醇酯、四（甲基）丙烯酸季戊四醇酯、六（ 甲基）丙烯酸二季戊四醇酯、二（甲基）丙烯酸i，9_壬 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I---*-----------——1T-----——«---1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200302151 A7 -------- B7 五、發明説明（15 ) 二醇醋、季戊四醇之三莫耳環氧乙烷加成物之三（甲基） 丙烯酸酯、二（甲基）丙烯酸寡丙二醇酯、聚二（甲基） 丙烯酸四亞甲二醇酯等的多官能單體。 此等的光聚合性單體之中，爲提高光硬化樹脂之吸水 ¥ 尤且爲伸院一醇系及伸院醚系者或分子內含經基之光 聚合性單體。 或亦宜爲於分子內含有使三（甲基）丙烯酸季戊四醇 酯、（甲基）丙烯酸2-羥乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥丙 酯、（甲基）丙烯酸2 -經丁酯等（甲基）丙烯酸經酯類與 單異氰酸酯反應而得的胺酯基之光聚合性單體。 又亦宜爲於分子內含有使含有羥基之化合物與具有乙 烯性不飽和基之單氰酸酯反應而得的胺酯基之光聚合性單 體。 至於具體的例子，可舉出藉由使聚（環氧丙烷）聚醇 、共聚（環氧乙院-環氧丙院）二醇、聚四亞甲@迷二醇等 聚醚多六醇、聚己內酯多元醇等聚酯系多元醇、1，心丁 二醇、1，5-戊二醇、1，6-己二醇、聚丁二烯多元醇等 直鏈狀多元醇、三羥甲基丙烷、新戊二醇、甲基戊二醇、 丙烯酸酯系多元醇酚樹脂多元醇、環氧基多元醇、聚酯聚 醚多元醇、丙烯酸酯、苯乙烯、乙烯基加成、及/或分散聚 醚多元醇、聚碳酸酯多元醇、乙二醇、二乙二醇、丙二醇 、二丙二醇、已內酯二醇、羥乙氧基化雙酚A、經乙氧基 化雙醇S、單官能醇類飽和、不飽和聚酯等含羥基之化合 物與具有乙烯性不飽和基之單氰酸酯反應而得的光聚合个生 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~~~

In m ' m I I m. I —1 -- I - — m I - ―士^I - = = —1---------- HI -- 1"""* ____m_____n . . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 200302151 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（16 ) 單體。 x ’組合此等的含有羥基之化合物之任一者或此等之 中的多數可予使用。又，3，3-二氯-4，4-二胺基苯基甲 i：完等二胺類，亦可與此等含有羥基之化合物組合可予使用 ° i ’各該含有羥基之化合物，係於分子內具有複數的羥 基爲宜。 至於上述的單氰酸酯，宜爲2-異氰酸酯乙基甲基丙烯 酸酯、異氰酸苯基酯、3_異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷等。 其中2-異氰酸酯乙基甲基丙烯酸酯係具有作用作光或熱硬 化之結合點的乙烯性不飽和基，藉由調整2_異氰酸酯乙基 甲基丙烯酸酯及不具有乙烯性不飽和基本身以外的單氰酸 酯之混合比例，亦可控制硏磨墊之硬度。 對於此，於採用使二異氰酸酯之單側的異氰酸酯基與 含羥基之化合物反應而得的單異氰酸酯時，光硬化後的樹 脂之凝集變強，故並不合適。此事係意指使用於硏磨時容 易發生直徑較大的硏磨屑，對硏磨的對象引起刮痕之可能 性有變高的情形。 於本發明較宜使用的感光性樹脂組成物，對光聚合性 聚合物或寡聚體20〜95重量％ ，宜爲配合使用光聚合性 單體80〜5重量％ 。較宜爲光聚合性聚合物或寡聚體爲 3〇〜80重量％ ，光聚合性單體爲70〜20重量％ 。尤宜 爲配合成於伸烷二醇系、伸烷醚系或分子內含有羥基、羧 基、磷酸基之至少一種的親水性光聚合性聚合物或寡聚體 或親水性光聚合性單體20重量％以上。. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20 - I -I. -I - I - · !----1 1:1¾ - i I- -I ! 111一二· - - ; .....- - ....... ,11^ - - ·. I- - - · j -1» (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 200302151 A7 _____B7 五、發明説明（17 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 與本發明有關的感光性樹脂組成物，通常添加光聚合 引發劑而使用的。至於該光聚合引發劑，例如可舉出：二 苯酮類、苯乙酮類、α -二酮類、偶姻類、偶姻醚類、苄 烷基酮醛類、多核醌、二苯并硫喃類、醯基膦類等。具體 而言宜爲二苯酮、氯二苯酮、苯乙酮、苯偶醯、二乙醯基 '苯偶姻、六甲基丁酮醇、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚 、苄基二乙基酮醛、苄基二異丙基酮醛、蒽醌、1，4-萘 醌、2-氯蒽醌、二苯并硫喃、2-氯二苯并硫喃、氧化醯 基膦等。此等可單獨使用或組合使用。 又，光聚合引發劑，對上述光聚合性聚合物或寡聚體 與光聚合性單體之合計量100重量分，宜爲採用添加1〜 20重量分。於本發明，藉由布帛之存在由於光之透過性 降低，宜爲使用光靈敏度較高的光引發劑。 再者，於相關的感光性樹脂組成物內，在不損及本發 明效果之範圍可適宜添加其他添加物。 ' 本發明之硏磨墊，係於前述布帛內，藉由塗佈或浸沾 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 法使浸漬上述感光性樹脂組成物後，照射固應該樹脂組成 物之感光性的波長之紫外線或可見光並使該樹脂組成物硬 化成光硬化樹脂而得。 於本發明之硏磨墊的非多孔質之樹脂，係指空孔率在 1 0%以下的樹脂。空孔率係如下予以定義。由應測定空孔 率之對象物進行1 0點採樣，薄切該試樣片並露出截面，以 光學顯微鏡或電子顯微鏡拍攝60倍之照相。光影像處理等 試求取樣片之縱1 mm、橫1 mm之截面積中的空孔之面積比 本紙張尺度適用"中國國家標準（CMS ) A4規格（210><297公慶1 ~ 200302151 A7 ___ _B7 五、發明説明（18 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ’以1 〇點的平均値定義作空孔率。在此，如本發明般於硏 磨墊含有布帛部分及樹脂部分構成時之硏磨墊之空孔率， 係指對去除硏磨墊內的布帛之部分予以計算的空孔率（空 ?L之面積/硏磨墊內已去除布帛的部分之面積（樹脂之面積 +空孔之面積））者。本發明之硏磨墊所使用的樹脂，係 非多孔質，縱使在浸漬至布帛之步驟混入的氣泡存在，硏 磨墊之空孔率在10%以下者。爲保持硏磨速度及硏磨之均 勻性’硏磨墊之空孔率宜爲5 %以下，較宜爲2 %以下。 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 本發明之硏磨墊如上述係採用非多孔質之樹脂者，如 採用具有習用技術之連續發泡構造之樹脂的硏磨墊，通過 連續氣泡並不可保持，移送淤漿。然而，藉由使用布帛作 爲基材，可負擔於晶圓表面上有效的保持且移送淤漿之能 力。亦即，如前述般，不論採用主要藉由化學作用硏磨的 淤漿時，抑或採用藉由主要藉由機械作用硏磨的淤漿時， 藉由布帛之特性或構造，欲於晶圓表面可有效的保持且移 送淤漿一事係成爲可能的。再者，用作基材之布帛係除已 露出於硏磨面之部分以幾乎塡埋於樹脂之狀態供硏磨，故 硏磨面之起毛現象可予抑制至最小限度。因此，欲滿足選 擇的硏磨晶圓表面上之突起部分並予平坦化的CMP硏磨墊 之基本性能一事係成爲可能的。 於本發明之硏磨墊的布帛及樹脂之比例，係依樹脂之 種類、布帛之種類、構造，予以構成至成以下所定義的布 帛之面積比5〜80%爲宜，以予以構成至成10〜60%爲 較宜。由硏磨墊之硏磨所使用的部分進行1 〇點取樣。薄片 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2]0Χ297公釐） 200302151 A7 B7 五、發明説明（19 ) 該試樣片並露出截面，以光學顯微鏡或電子顯微鏡拍攝60 倍之照相，以影像處理等求取縱1 m m、橫 1 m m之硏磨墊中 所占的布帛之面積比率（％ )，將1 0點平均的値定義成布 帛之面積比。 使用作基材之布帛的纖維係細微且低密度的，布帛之 面積比未滿5 %時，欲得足夠的硏磨速度係較難的，並不 合適的。又布帛之面積比超過80%時，樹脂之浸漬係成爲 困難’成爲未能獲得空孔率較低的非多孔質之樹脂，故並 不合適。 於本發明之硏磨墊較佳的形態，如前述般，藉由採用 吸水率較高的光硬化樹脂及/或吸水率較高的布帛（尤其主 要藉由化學作用使用硏磨的淤漿被指必要的），硏磨所用 的部分之吸水率較高，保持激漿之能力變高。於本發明之 較佳的態樣之硏磨墊之吸水率爲1〜1 5 % ，較宜爲2〜1 0 % ’更宜爲4〜10% 。吸水率在1%以下的硏磨墊，係淤漿 ' 之保持能力不足，未能得足夠的硏磨性能。又，在1 5%以 上的吸水率’使硏磨墊之強度降低，平坦化能力降低且生 成硏磨墊之磨耗變快等的不合適。且在此的吸水率係如下 所述般予以求取。亦即，（1)切削硏磨墊之兩面並使布帛 露出於表面’作爲測定試樣。（2)在50 °C真空乾燥上述 試樣1小時，測定重量（A) 。 （3)在23 °C浸漬於24小 時水中並使試樣吸水後，拭除該試樣之表面，取其水滴， 測定重量（B) 。 （4)以吸水率={ (B- 1) /A] χΙΟΟ (% ) 求取試樣之吸水率。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公襲) :23 - " ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、\u 口 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200302151 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ΑΊ ____Β7_五、發明説明（20 ) 於如上述而得的硏磨墊，藉由切削在硏磨面上經予形 成有第1圖所示的溝槽部2。代表性的溝槽之深度爲200〜 1 000 // m程度，溝槽寬度爲100〜500 μ m程度，溝槽及溝 槽之間距爲1〜5mm程度。 採用本發明之硏磨墊並進行晶圓之硏磨之際，首先將 已形成的溝槽之硏磨墊貼合至CMP硏磨裝置之壓板上。其 次利用修整器對硏磨面表面進行調理處理（細緻的紋理之 製作）之同時使構成布帛之纖維露出至表面上。另一方面 ，安裝晶圓至晶圓載具頭上。邊使晶圓載具頭及壓板旋轉 ，邊捺押晶圓至硏磨墊上的狀態，由淤漿供給噴嘴供給淤 漿至硏磨面，可進行硏磨。 此時爲採用主要藉由化學作用硏磨的淤漿時，若使用 由水分率較高的纖維而成之布帛、或異形率較高的纖維而 .成之布帛時，可得較高的硏磨速度爲宜。又於採用主要藉 由機械作用硏磨的淤漿時，若使用由乾燥時之抗拉強度較 高的纖維而成之布帛時，則可得較高的硏磨速度，較宜者 係如_述般。 可使硏磨速度降低時，對硏磨面進行調理處理並出現 新的硏磨面予以使用。硏磨面係利用硏磨製程及調理處理 會磨耗，故在上述溝槽之殘留部變無之前則將硏磨墊交換 成新硏磨墊。 且，因應需要，於本發明之硏磨墊的單面上貼合其他 材料使用作二層構成之硏磨墊亦係可能的。此時需使用本 *發明之硏磨墊之側爲硏磨面，可得本發明之功效。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格（210X 297公釐） H~' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 1 二 I! - - 1 1 ...... - 1- - - : ·ν - · -♦-裝- 訂 200302151 A7 _一_ 五、發明説明（21 ) 圖式之簡單說明 第1圖爲本發明之硏磨墊的一實施形態之截面模式圖 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〇 實施例 以下利用實施例具體的說明本發明，惟本發明並未受 此等所限定者。 實施例1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使於由乾燥時之抗拉強度3· lg /D，異形率1.5，水分率 1.2%之多孔質的丙烯腈纖維而成的厚度1mm之非織物（ 旭化成股份有限公司）製造「Shnelia」而成的布帛浸漬以 含有不飽和聚酯系寡聚體65重量％ ，含有羥基之單官能 單體17重量％ ，其他單體16重量％ ，光聚合引發劑2 重量％之感光性樹脂組成物，藉由兩面照射紫外線，製作 厚度1.5mm，直徑50cm之硏磨墊。布帛之面積比爲35% ，吸水率5 · 6 % ，空孔率（就硏磨墊內之去除布帛的部分 予以計算的値）爲2.0% 。 在切削加工設置淤漿移送用之溝槽部於本硏磨墊後， 安裝CMP硏磨裝置，使用氧化鋁硏磨粒之淤漿，測定矽晶 圓上的銅膜之平均硏磨速度時，可得最大5 2 0 n m /分鐘之硏 磨速度。又測定硏磨墊之磨耗量時，在100號之金剛鑽尺 度之修整條件下爲〇. 5 // m /分鐘。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 200302151 . A7 B7 五、發明説明（22 ) 實施例2 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 使於由乾燥時之抗拉強度2· lg /D，異形率1.2，水分率 21.3%之嫘縈纖維而成的厚度1mm之非織物（旭化成股份 有限公司製造「Cordon RO260T」）而成的布帛浸漬以與實 施例1相同的感光性樹脂組成物，由兩面照射紫外線，製 作厚度1.5mm，直徑50cm之硏磨墊。布帛之面積比爲13% ，吸水率7.3%空孔率（就硏磨墊內之去除布帛的部分予 以計算的値）爲0.1% 。 在切削加工設置淤漿移送用之溝槽部於本硏磨墊後， 安裝CMP硏磨裝置，使用二氧化矽硏磨粒之淤漿，測定矽 晶圓上的銅膜之平均硏磨速度時，可得最大660nm/分鐘之 硏磨速度。又測定硏磨墊之磨耗量時，在1 00號之金剛鑽 尺度之修整條件下爲0.5// m/分鐘。 實施例3 以下述步驟進行感光性樹脂組成物之製作。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (A)於以由二乙二醇1莫耳分，己二酸〇.5莫耳分，富 馬酸0.5莫耳分之比例藉由正常的聚縮合反應合成的分子量 24 00之不飽和聚酯內，添加胺酯化觸媒之二-N- 丁基月桂 酸錫後’以對上述聚酯之重量比攪拌6.3%之2-異氰酸酯 甲基丙烯酸乙酯，同時滴下並進行胺酯化處理。且上述胺 酯化觸媒’係對2-異氰酸酯甲基丙烯酸乙酯添加至以重量 比計成爲5%之比例。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 200302151 A7 B7 五、發明説明（23 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (B) 於3-甲基-1，5-戊二醇內添加胺酯化觸媒之二_ N- 丁基月桂酸錫後，以對上述二醇1莫耳分攪泮2莫耳分 (以重量比計2.6倍量）之2-異氰酸酯甲基丙烯酸乙酯同 時滴下並進行胺酯化處理。且上述胺酯化觸媒，係對2_異 氰酸酯甲基丙烯酸乙酯添加至以重量比計成爲5%之比例 〇 (C) 於己內酯二醇內添加胺酯化觸媒之二N- 丁基月 桂酸錫後，以對上述二醇1莫耳分攪拌2莫耳分（以重量 比計2.56倍量）之2-異氰酸酯甲基丙烯酸乙酯同時滴下 並進行胺酯化處理。且上述胺酯化觸媒，係對2-異氰酸酯 甲基丙烯酸乙酯添加至以重量比計成爲5 %之比例。 以重量比計以1/1/1/0.2之比例混合反應已完畢的（A) ’ （B) ’ （C)之胺酯化處理化合物及⑴）三烯丙基三 聚氰酸酯，於其中各對（A) ， (B) ， (〇 ， （D)之合 計量，以重量比2%及0.38%添加光聚合引發劑之2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、聚合抑制劑2，6-二-第三丁 基-4-甲基酚，製備黏稠液體之感光性樹脂組成物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使於由重疊由乾燥時之抗拉強度4.9g/D，異形率1.0, 水分率5.2%之耐綸纖維而成的厚度〇.6mm之非織物（旭 化成股份有限公司製造「Cordon LO170T」）及〇.6mm厚之 丙烯腈纖維非織物（旭化成股份有限公司製造的「Sharelia 」）並予模壓者而成之布帛內，浸漬以先前步驟製備的感 光性樹脂組成物，藉由兩面照射紫外線，利用UV交聯法製 備厚度1.5mm，直徑50cm之硏磨墊。 本纸浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 200302151 Μ —___ Β7_ 五、發明説明Ρ4 ) - - I - - y - - -- -1 I —_ n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以耐綸纖維非織物爲硏磨面，於硏磨所用的部分之布 帛的面積比爲42% ，吸水率爲2.1% ，空孔率（對硏磨墊 內的去除布帛之部分予以計算的値）爲1.3% 。在切削加 工設置淤漿移送用之溝槽部於本硏磨墊後，安裝CMP硏磨 裝置，使用與實施例丨同樣的氧化鋁硏磨粒之淤漿，測定 矽晶圓上的銅膜之平均硏磨速度時，可得最大640nm/分鐘 之硏磨速度。又測定硏磨墊之磨耗量時，在1 00號之金剛 鑽尺度之修整條件下爲0.1 // m/分鐘。 比較例1 除無布帛的狀態下單獨採用感光性樹脂組成物外，餘 以與實施例1相同條件，製作於硏磨面上設置淤漿移送用 之溝槽的厚度1.5mm，直徑50cm之硏磨墊。該光硬化樹脂 之吸水率爲3.0% 。 以與實施例1相同的條件下，測定晶圓之平均硏磨速 度時，爲25Onm/分鐘。以與實施例1相同的修整條件下， 測定硏磨墊之磨耗量時，爲3 // m/分鐘。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 比較例2 除混有尿素添加劑取代由布帛而成的基材外，以與實 施例1完全相同的條件，製作設置淤漿移送用之溝槽於硏 磨面上的厚度1.5mm，直徑50cm之硏磨墊。 以與實施例1相同的硏磨條件下，測定晶圓上的銅膜 之平均硏磨速度時’爲2 1 011 m /分鐘。以與實施例1相同的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 200302151 A7 _ B7 五、發明説明（25 ) 修整條件下，測定硏磨墊之磨耗量，爲3 μ m/分鐘。 比較例3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 採用使於由聚酯纖維而成的氈狀內浸漬胺酯彈性體之 具有連續發泡構造的空孔率75% (對硏磨墊內之已去除布帛 的部分予以計算的値）之樹脂之硏磨墊，以與實施例1相 同的硏磨條件下測定晶圓之平均硏磨速度時，爲240nm/分 鐘。 比較例4 除以在不使感光性樹脂組成物浸漬入嫘縈纖維非織物 (旭化成股份有限公司）製造的「Cordon R0260T」之單獨用 作硏磨墊，不設置淤漿移送用的溝槽外，餘以與實施例2 相同的二氧化矽系淤漿之硏磨條件下，求取晶圓上的銅膜 之平均硏磨速度時，爲320nm/分鐘。 產業上之可利用性 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若依本發明時，因可提供耐磨耗性優越，硏磨速度及 硏磨均勻性優越的硏磨墊，故可使製作半導體積體電路用 晶圓之硏磨步驟所需的時間大幅縮短。又若依本發明時， 即使含有經予形成於製作半導體積體電路用晶圓之表面的 *銅或鋁之佈線（例如金屬鑲嵌佈線之銅佈線圖案或鋁佈線 圖案等較厚的導電體圖案）、或二氧化矽等的絕緣體之圖 案，亦可提供於較合適使用的 SIT (Shallow Trench 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐1 H 一 200302151 A7 B7五、發明説明（26 ) Isolation)等平坦面經予要求時的硏磨墊。 I--Λ------.裝----„----訂----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（2】0X297公釐）

Claims (1)

1. 200302151 A8 B8 C8 ___ _ D8 六、申請專利範圍 彳 — 1. 一種硏磨墊，係製作半導體積體電路用晶圓之表面 硏磨所用的硏磨墊，含有可塡埋布帛及布帛之構成纖維間 的間隙之非多孔質之樹脂而成。 2. 如申請專利範圍第1項之硏磨墊，其中前述係由聚 酯纖維、丙烯腈纖維、聚醯胺纖維、絲、羊毛及纖維素而 成的群體選擇的至少一種爲構成纖維之非織物。 3. 如申請專利範圍第1或2項之硏磨墊，其中前述樹 脂係使含有由親水性光聚合性單體、親水性光聚合性聚合 物及寡聚物而成之群體選出的至少一種之感光性樹脂組成 物經予光硬化的光硬化樹脂。 4. 如申請專利範圍第2或3項之硏磨墊，係採用由21 °C 80% RH之水分率10%以上的纖維而成的布帛。 5·如申請專利範圍第2或3項之硏磨墊，係採用由乾 燥時之抗拉強度3 g /D以上的纖維而成的布帛。 6· —種硏磨方法，係硏磨含有經予形成於製作半導體 積體電路用晶圓之表面上的銅或鋁之佈線的方法，採用含 有可塡埋布帛及布帛之構成纖維間的間隙之非多孔質之樹 脂而成的硏磨墊及淤墊而成。 7 ·如申請專利範圍第6項之硏磨方法，其中前述布帛 係由21 °C 80% RH之水分率10% ·以上的纖維而成之布帛 〇 8. 如申請專利翁圍第6項之硏磨方法，其中前述布帛 係採用由乾燥時之抗拉強度3g /D以上的纖維而成的布帛。 9. 如申請專利範圍第6項之硏磨方法，其中前述布帛 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1^—^---€裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200302151 A8 B8 C8 D8 _ 々、申請專利範圍 2 係由具有異形率1.2以上的截面形狀之纖維而成的布帛。 1 0. —種硏磨墊之製法，其特徵在於製作半導體積體 電路用晶圓之表面硏磨所用的硏磨墊之製法，彳吏感、光丨生樹 脂組成物浸漬於由布帛而成的基材後，對旨亥樹β旨卩召_ @外 線或可具光線並使硬化而成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -32、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）