TWI748192B

TWI748192B - 具有纖維研磨層的化學機械研磨拋光墊修整器及製作方法

Info

Publication number: TWI748192B
Application number: TW108119330A
Authority: TW
Inventors: 謝榮哲; 林冠宏
Original assignee: 中國砂輪企業股份有限公司
Priority date: 2019-06-04
Filing date: 2019-06-04
Publication date: 2021-12-01
Also published as: TW202045348A

Abstract

本發明提供一種具有纖維研磨層的化學機械研磨拋光墊修整器，包含研磨層，研磨層包括纖維以及和纖維混合的光阻劑；研磨層經過選擇性地照射光源，形成複數個排列為立體圖案化且具有突起外型的研磨單元。據此，本發明透過選用含有光阻劑與纖維的研磨層，並搭配使用具有高能量的光源對研磨層進行曝光，同時藉由可客觀控制的參數，亦能使製程更加簡便。

Description

具有纖維研磨層的化學機械研磨拋光墊修整器及製作方法

本發明關於化學機械研磨拋光墊修整器，尤指一種具有纖維研磨層的化學機械研磨拋光墊修整器。

在半導體晶圓的製造過程中，為了讓晶圓的表面達到平坦化的目標，常使用化學機械研磨(Chemical mechanical polishing)製程，利用固定在一旋轉台的研磨墊接觸並對晶圓進行研磨。但研磨所產生的碎屑及研磨漿料會累積在研磨墊的孔洞中，日積月累下使研磨墊產生耗損也降低研磨效果。因此，常使用修整器(Conditioner)來移除研磨墊中殘留的碎屑和研磨漿料。但目前的修整器大都是涉及人工方式植入和排列研磨顆粒，製作過程通常較為繁雜，並容易產生精度誤差，進而影響修整效能和品質。

中國發明專利公開第CN108527182號揭示一種利用掩膜版製備磨粒有序排佈的單層化學氣相沉積製備金剛石磨料工具的方法，包括如下步驟：將基體經預處理後，在表面塗覆光刻膠，並在光刻膠的表面鋪設掩膜版；在掩膜板的表面佈設金剛石磨料，振動基體，使磨料進入掩膜版的分佈孔中；去除分佈孔外的多餘金剛石磨料，取下掩膜版，將黏有金剛石磨料的基體進行化學氣相沉積，形成金剛石塗層，得到金剛石磨料工具。本習知技藝，具有如下的有益效果：適合精密磨削加工；操作簡便，有利於批量生產。然，本習知技藝主要的改善客體為研磨墊磨料布鑽的凹槽，並非關於修飾研磨墊的修整器，且本習知技藝是透過人工的方式佈設金剛石磨料，故，本習知技藝不免存在有製作過程繁雜，或是容易產生精度誤差的問題。

中華民國發明專利公告第TWI656948號揭示一種樹脂結合劑砂輪、樹脂結合劑砂輪的製造方法及加工裝置。藉由在硬化樹脂內混入來源於生物的纖維狀部件而提高樹脂結合劑砂輪的親水性。樹脂結合劑砂輪具備：樹脂部，樹脂部為由樹脂材料硬化而成型的硬化樹脂；磨粒，被混入到樹脂部內；以及纖維素奈米纖維。藉此，本習知技藝可進一步地延長砂輪壽命。然，砂輪領域並不屬於化學機械研磨製程領域，且亦未有關於移除堆積碎屑的其他說明。

再參，日本發明專利公開第JP19850080567A號，揭示一種分段式固定顆粒磨料結構的製作方法，其包括：由金剛石磨粒和金屬黏結劑構成的厚度約0.5毫米的磨料結構底板的兩側塗有負極型幹膜狀光致抗蝕劑，其中，在一側形成的分段部分透光，同時分段之間的凹槽遮罩光，緊密地附著在基板上，然後其兩側暴露於光源，提供留下的光致抗蝕劑膜通過顯影弱鹼性溶液在板的段部分和反面上，最後將得到分段式固定顆粒磨料結構。據查，本習知技藝為光碟製程領域，與化學機械研磨製程領域並未有所關聯，且如前述習知技藝相似地，並無關於製程中碎屑後續處理的相關說明。

綜合來說，習知的化學機械研磨拋光墊修整器仍存在研磨顆粒或者研磨尖端形貌不均、不易控制、分佈不均、製程繁雜、精度欠佳等問題，仍具有極大開發及改善空間。

本發明的主要目的在於解決習知化學機械研磨拋光墊修整器的研磨顆粒或者研磨尖端形貌不均、不易控制、分佈不均、製程繁雜、精度欠佳的問題。

為達上述目的，本發明提供一種具有纖維研磨層的化學機械研磨拋光墊修整器，包含一研磨層，該研磨層包括一纖維以及一和該纖維混合的光阻劑。

於本發明一實施例中，還包括一承載該研磨層的基座。

於本發明一實施例中，該纖維在該研磨層中的體積百分比介於0.5%至80%之間。

於本發明一實施例中，該光阻劑在該研磨層中的體積百分比介於5%至30%之間。

於本發明一實施例中，該研磨層還包括一結合劑。

於本發明一實施例中，該結合劑在該研磨層中的體積百分比介於5%至60%之間。

於本發明一實施例中，該研磨層還包括複數個磨料。

於本發明一實施例中，該磨料在該研磨層中的體積百分比介於10%至60%之間。

於本發明一實施例中，該研磨層透過一光源進行一曝光而形成複數個排列為一立體圖案化的研磨單元。

於本發明一實施例中，該研磨單元彼此之間具有一間距，該間距對該研磨單元的一寬度的比值介於1.5至10之間。

於本發明一實施例中，該研磨單元具有一突起外型。

於本發明一實施例中，該研磨單元具有一排列，該排列選自於一陣列排列、一螺旋排列、一放射狀排列、一不規則排列及其組合所組成的群組。

於本發明一實施例中，該突起外型為一錐狀或一柱狀。

於本發明一實施例中，該錐狀為一角錐或一圓錐。

於本發明一實施例中，該纖維選自於一動物纖維、一植物纖維、一合成纖維及其組合所組成的群組。

於本發明一實施例中，該光阻劑為一正型光阻劑。

於本發明一實施例中，該結合劑選自於一金屬材料、一硬焊材料、一樹脂材料、一陶瓷材料及其組合所組成的群組。

於本發明一實施例中，該磨料選自於鑽石、氧化鋁、碳化矽、立方氮化硼及其組合所組成的群組。

本發明另提供一種化學機械研磨拋光墊修整器的製造方法，包括以下步驟：提供一研磨層，該研磨層包括一纖維以及一和該纖維混合的光阻劑；對該研磨層選擇性地照射一光源，以形成複數個排列為一立體圖案化且具有一突起外型的研磨單元。

於本發明一實施例中，該研磨單元的該突起外型係根據該光源的一參數而決定。

於本發明一實施例中，該參數選自於一照射時間、一照射角度、一照射能量及其組合所組成的群組。

於本發明一實施例中，該研磨層包括複數個第一待曝光區域以及複數個第二待曝光區域，該光源照射於該第一待曝光區域的該照射時間大於該第二待曝光區域以於該第一待曝光區域形成一凹陷部並於該第二待曝光區域形成一凸出部。

於本發明一實施例中，該研磨層包括複數個第一待曝光區域以及複數個第二待曝光區域，該光源照射於該第一待曝光區域的該照射能量大於該第二待曝光區域以於該第一待曝光區域形成一凹陷部並於該第二待曝光區域形成一凸出部。

據此，本發明透過選用含有光阻劑與纖維的研磨層，搭配曝光製程以及參數(如：照射角度、照射時間、照射能量等)的控制，相較於傳統的化學機械研磨拋光墊修整器需要以人工方式採用篩網及模板進行佈鑽，容易產生磨料位移、平坦度誤差等問題，本發明的化學機械研磨拋光墊修整器可以簡易且精準地控制研磨單元的突起外型以及排列位置，更方便根據使用需求提供不同的設計。因此，本發明除了使化學機械研磨拋光墊修整器具有更彈性且更優異的研磨性能，亦能使製程更加簡便。

10:研磨層

11:磨料

101:第一待曝光區域

102:第二待曝光區域

20:基座

30:光源

40:研磨單元

41:凹陷部

42:凸出部

S:間距

W:寬度

『圖1A』，為本發明一實施例研磨層的結構示意圖。

『圖1B』，為本發明一實施例研磨層的具研磨單元的研磨層的一結構示意圖。

『圖1C』，為本發明一實施例研磨層的具研磨單元的研磨層的另一結構示意圖。

『圖1D』，為本發明一實施例研磨層的具研磨單元的研磨層的立體示意圖。

『圖2A』，為本發明另一實施例研磨層的結構示意圖。

『圖2B』，為本發明另一實施例研磨層的具研磨單元的研磨層的一結構示意圖。

『圖2C』，為本發明另一實施例研磨層的具研磨單元的研磨層的另一結構示意圖。

『圖3』，為本發明一實施例中複數研磨層的組合結構示意圖。

『圖4A』，為本發明一實施例的製造方法示意圖。

『圖4B』，為本發明一實施例的接續製造方法示意圖。

『圖4C』，為本發明一實施例的再接續製造方法示意圖。

有關本發明的詳細說明及技術內容，現就配合圖式說明如下：請參閱『圖1A』。本發明提供一種具有纖維研磨層的化學機械研磨拋光墊修整器，主要包含一研磨層10，並於該研磨層10包含一纖維以及一和該纖維混合的光阻劑。

在本發明中，該纖維選自於一動物纖維、一植物纖維、一合成纖維及其組合所組成的群組；若以該動物纖維來說，可為毛纖維、或絲纖維等；若以該植物纖維來說，可為韌皮纖維、或葉纖維等；若以該合成纖維來說，可為尼龍、或奧綸等。本發明中，該纖維在該研磨層10中的體積百分比介於0.5%至80%之間。

而所謂的該光阻劑，更具體地，即是一種能量敏感物質，以適當能量，如光子、電子、離子、輻射、介穩粒子等照射後，將能引起化學反應；在本發明中，該光阻劑為一正型光阻劑，並該光阻劑在該研磨層10中的體積百分比介於5%至30%之間。

在一實施例中，本發明還可包括一結合劑，或還可包括複數個磨料11，以適量增加本發明的研磨性能。其中，該結合劑在該研磨層10中的體積百分比介於5%至60%之間；該磨料11在該研磨層10中的體積百分比介於10%至60%之間。並在一非限制性實例中，該結合劑可選自於一金屬材料、一硬焊材料、一樹脂材料、一陶瓷材料及其組合所組成的群組；該磨料11可選自於鑽石、氧化鋁、碳化矽、立方氮化硼及其組合所組成的群組。

補充說明的是，本發明的該研磨層10，可為包含前述成分，即該纖維、該光阻劑、該結合劑、以及該磨料11的組合。具體言之，在一態樣中，該研磨層10可僅包括該纖維、以及該光阻劑；或在一態樣中，該研磨層10可包括該纖維、該光阻劑、以及該結合劑；或在一態樣中，該研磨層10可包括該纖維、該光阻劑、以及該磨料11；或在一態樣中，該研磨層10可包括該纖維、該光阻劑、該結合劑、以及該磨料11。舉例而言，在一實施例中，本發明的該研磨層10可以為二成份組成，包含有體積百分比為80%的該纖維(如植物纖維)及體積百分比為20%的該光阻劑(如正型光阻劑)；或者，在另一實施例中，本發明的該研磨層10可以為三成份組成，包含有體積百分比為70%的該纖維(如植物纖維)、體積百分比為15%的該光阻劑(如正型光阻劑)、及體積百分比為15%的該結合劑(如環氧樹脂、酚醛樹脂等樹脂材料)；或者，又一實施例中，本發明的該研磨層10可以為四成份組成，包含有體積百分比為70%的該纖維(如植物纖維)、體積百分比為10%的該光阻劑(如正型光阻劑)、體積百分比為10%的該結合劑(如環氧樹脂、酚醛樹脂等樹脂材料)、及體積百分比為10%的該磨料11(如鑽石顆粒)。上述實施例僅係為方便說明的目的而舉例，本發明並非僅限於上述實施例。

請續搭配參閱『圖1B』、『圖1C』、『圖1D』、『圖4A』、以及『圖4B』。如『圖4A』、以及『圖4B』所示地，該研磨層10經過選擇性地照射一光源30進行一曝光後，將使該含有該光阻劑的該研磨層10產生類似蝕刻的效果，所謂選擇性地，即是針對不同部分的該研磨層10進行相異的該曝光方式，而使該研磨層10形成複數個排列為一立體圖案化且具有一突起外型、以及一排列的研磨單元40。關於該光源30，舉例來說，可為雷射光源、或其他具有適當能量的光源。補充說明的是，該研磨單元40彼此之間具有一間距S，該間距S對該研磨單元40的一寬度W的比值介於1.5至10之間。舉例而言，若該研磨單元40的該寬度W為300μm時，則該研磨單元40彼此之間的該間距S可以為450μm、600μm、900μm或更大者，可以依據使用者的需求而任意變化，本發明並未侷限於此。

此外，該突起外型亦將因物理構造關係，而形成相對的一凹陷部41、以及一凸出部42，並該些凸出部42之間的高度差介於5μm至200μm之間(即，最高的該凸出部42高度及最低的該凸出部42高度的高度差不高過200μm)，使該研磨層10具有一平坦化的表面，是此，在化學機械研磨的過程中，將可以有效改善由於修整器表面的高度不一致而造成拋光墊刮傷的問題。

該研磨單元40的該突起外型係根據該光源30的一參數而決定，更具體地，該參數可選自於一照射時間、一照射角度、一照射能量及其組合所組成的群組，透過調整該光源30的該參數，譬如，調整該照射時間的長短、該照射角度的大小、該照射能量的強弱，可使該突起外型、以及該排列形成多個不同的態樣，例如，該排列可選自於一陣列排列、一螺旋排列、一放射狀排列、一不規則排列及其組合所組成的群組，如『圖1D』所示地，即為以該放射狀排列作為態樣的釋例。該突起外型可為一角錐或一圓錐的一錐狀、或一角柱或一圓柱的一柱狀，亦即，該突起外型可為三角錐、四角錐、五角錐、六角錐、七角錐、八角錐、三角柱、四角柱、五角柱、六角柱、七角柱、八角柱、圓錐、圓柱、橢圓錐、橢圓柱以及其組合所組成之群組，相關釋例可續參閱『圖1B』、『圖1C』，分別表示該突起外型為該錐狀、以及該柱狀的態樣。

請續搭配參閱『圖2A』、『圖2B』、『圖2C』。在一實施例中，該研磨層10更可搭配一基座20用以承載該研磨層10，適用於本發明的該基座20的材料舉例可為不鏽鋼、金屬材料、高分子材料、陶瓷材料或其組合。請續搭配參閱『圖3』，在本發明的一實施例中，可將多數個該研磨層10以環狀排列(如：同心圓或輻射狀)的方式組合至該基座20上，其中關於該研磨層10的數量、排列方式可依據本領域技術人士依照實際情況進行調整。

以上已針對本發明該研磨層10態樣作詳細介紹，以下將更進一步詳述本發明的製造方法：請續搭配參閱『圖4A』。首先，提供一研磨層10，該研磨層10主要包括一纖維以及一和該纖維混合的光阻劑，或於一實施例中，更可包括一結合劑、或複數個磨料11，而相關態樣變化即如前述，不另行說明。本發明中，該研磨層10亦可搭配一基座20用以承載該研磨層10，於前述中亦有相關敘述，故不再行敘述。應說明的是，在本實施例中，亦可只單獨提供該研磨層10，而不搭配該基座20。

請續參閱『圖4B』。接著，對該研磨層10選擇性地照射一光源30進行一曝光。由於該光源30經過調整該光源30的一參數而對該研磨層10選擇性地進行該曝光，將使該含有該光阻劑的該研磨層10的不同區域產生不同的類似蝕刻效果，使該研磨層10形成複數個排列為一立體圖案化且具有一突起外型、以及一排列的研磨單元40，如『圖4C』所示。其中關於該突起外型、該排列的相關變化與細項說明可參前述的說明書內容，以及『圖1B』、『圖1C』或『圖2B』、『圖2C』，不另行敘述。

如前所述地，該參數可選自於一照射時間、一照射角度、一照射能量及其組合所組成的群組。為使本領域技術人士能更了解本發明關於調整該參數而形成該研磨單元40的方式，尤是調整該照射時間、以及該照射能量，以下將提供更進一步的說明，請續參閱『圖4A』、『圖4B』、以及『圖4C』：首先，是關於調整該照射時間形成該研磨單元40的方式。將該研磨層10定義為兩個部分，即複數個第一待曝光區域101以及複數個第二待曝光區域102，再使該光源30照射於該研磨層10，但該光源30照射於該第一待曝光區域101以及該第二待曝光區域102的該照射時間(如0秒、10秒、30秒、1分鐘、3分鐘或更長者)是不同的，在本實施例中，是使照射於該第一待曝光區域101的該照射時間大於該第二待曝光區域102，因該研磨層10含有該光阻劑的緣故，讓該第一待曝光區域101以及該第二待曝光區域102被該光源30照射後產生類似蝕刻的效應，又因照射於該第一待曝光區域101的該照射時間大於該第二待曝光區域102，使該第一待曝光區域101承受的類似蝕刻的效應大於該第二待曝光區域102，而於該第一待曝光區域101形成一凹陷部41，並相對地於該第二待曝光區域102形成一凸出部42。

再來，是關於調整該照射能量形成該研磨單元40的方式。亦將該研磨層10定義出複數個第一待曝光區域101以及複數個第二待曝光區域102，再使該光源30照射於該研磨層10，在本實施例中，是使照射於該第一待曝光區域101的該照射能量大於該第二待曝光區域102，因該研磨層10含有該光阻劑的緣故，讓該第一待曝光區域101以及該第二待曝光區域102被該光源30照射後產生類似蝕刻的效應，又因照射於該第一待曝光區域101的該照射能量大於該第二待曝光區域102，使該第一待曝光區域101承受的類似蝕刻的效應大於該第二待曝光區域102，如同前述地，亦於該第一待曝光區域101形成一凹陷部41，並相對地於該第二待曝光區域102形成一凸出部42。

前述實施例已分別將關於調整該照射時間、以及該照射能量形成該研磨單元40的方式做一系列說明，但如先前所述地，本發明的該光源30的該參數尚有其他，例如：該照射角度，在本發明中，本領域技術人士可自由地於前述實施例搭配使用該照射角度對該研磨單元40進行修飾，經由該照射角度變換，譬如，以直角(即入射光線與水平面的夾角為直角)照射，或以斜角照射，可使該研磨單元40形成稜角、或周圓，而讓該研磨單元40進一步形成該角錐、該圓錐、該角柱、該圓柱的形態。