TW200301971A

TW200301971A - In-situ vacuum method for making OLED devices

Info

Publication number: TW200301971A
Application number: TW91133380A
Authority: TW
Inventors: Michael Louis Boroson; Steven A Van Slyke; Aneglo Giuseppe Pignata
Original assignee: Eastman Kodak Co
Priority date: 2001-12-27
Filing date: 2002-11-14
Publication date: 2003-07-16
Also published as: EP1324404A2; CN1428874A; US6555284B1; KR20030057451A; CN1319181C; EP1324404A3; KR100933405B1; TWI295857B; EP1324404B1; JP2003234185A

Description

(1) 200301971 玫、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技銜領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 技術領域發明領域本發明係有關OLED裝置之製造。先前技術發明背景

具β彩色像素諸如紅色、綠色及藍色像素（一般稱為RGB 冗像素）陣列之彩色或全色彩有機電致發光（EL)顯示器（亦稱為有機發光二極體裝置，或〇LED裝置）中，產生色彩之有機EL媒質需準確地圖案化，以製得RGB像素。基本之〇led 裝置一般具有陽極、陰極及夾置於該陽極與陰極之間的有機EL媒質。該有機EL媒質可由一或多層有機薄膜構成，其中一層主要用以發光或電致發光。此一特別層通常稱為有機EL媒質之發射層。其他存在於該有機el媒質中之有機層主要提供電子輸送功能，且稱為電洞輸送層（輸送電洞）或電子輸送層（輸送電子）。於全色$〇led顯示面板中形成RGB像素日寺，需想出-個使有機㈣質之發射層或整體有機E L媒質準確地圖案化之方法。 -般，電致發光像素係藉由蔭罩式技術形成於該顯示上’諸如US-A-5,742，129所示。雖然此種方式有效，但且許多缺點。難以使用陰罩法達到高解析度像素尺寸。而且基材與蔭罩幕之間存有校準之問 ._ ^ L , Ί 乂，需謹慎地於週當之置中形成像素。當.期望增加基材尺寸時，難以操作該降幕以形成適當定位之像素。陰罩式方法之另一缺點是罩 >6- 200301971 (2) 發明說明:續頁會隨時間而阻塞。該罩幕上被阻塞之孔於該EL顯示器上導致無法作用之像素的負面結果。適於使高解析度〇LED顯示器圖案化之方法已揭示於 Grande等人之US-A〇,851，709中。此種方法包括下列次序之步驟：1)提供具有相對之第一及第二表面的基材；2)於該基材之第一表面上形成透光隔熱層；3)於該隔熱層上形成吸光層；4)於該基材上配置自該第二表面向該隔熱層延伸之開口陣列；5 )於該吸光層上形成可轉移色彩形成有機供體層；6)準確地校準該供體基材與該顯示基材，使該基材中之開口與該裝置上對應之彩色像素之間成配向關係；及 7)採用輻射源’1於位在開口上之吸光層上產生充分之熱，使得位於該供體基材上之有機層轉移至該顯示基材上。 Grande等人之研究的問題在於需於供體基材上進行開口陣列之圖案化。此種情況產生許多與蔭罩幕方法相同之方法，包括供體基材及顯示基材之間需準確機械化地校準。另一項問題係為供體圖案固定，無法輕易地改變。使用未經圖案化之供體元件及準確之光源諸如雷射，可解決經圖案化供體所發生的部分困難。Littman&Tang(US-A-5,688,55 1 )教示有機EL材料自未經圖案化之供體板至EL 基材的圖案轉移。Wolk等人之一系列專利（US-A-6，1 14,088 ; US-A-6，140,009 ; US-A-6,214,520 B1 ;及 US-A-6,22 1,553 B1)教示一種方法，可藉由雷射光束加熱該供體之特定部分.，使:. E L裝置之發光層自供體元件轉移至基材。於共讓受US-A-5,937,272中，丁ang教示一種藉由EL材料之 200301971 發明說明續頁 (3) 氣相沉積而使多色彩像素（例如紅、綠、藍亞像素）圖案化於薄膜電晶體（TFT)陣列基材上的方法。該EL材料係經由位在載體上之供體塗層及孔眼罩幕（aperture mask)於基材上沉積特定圖案。該孔眼罩幕可為位於供體層與基材之間的個別實體（如前述專利之圖1 )，或可收納於該供體層内（如前述專利之圖4、5及6)。

該EL材料轉移以於減壓下進行為佳，使用諸如Tang描述於前述專利中之艙室。該供體層（及孔眼，若分隔）及基材需保持極為接近。例如，Tang顯示孔眼或供體層保持接近或位於被動層上，因此供體層與底部電極所需供體靶極之間存有一較佳距離。使用具空或降壓有利於EL材料自供體轉移至該基材。於轉移期間使用該種條件亦有利於部分對於氧及/或濕氣敏感之EL材料。例如，已知使用於〇LED裝置中之羥基4： 4链（A1 q)與水反應。此外，使用於小分子及聚合物EL裝置上（電極材料於空氣中極不安定。於轉移步驟期間使用真空有助於降低〇LED裝置故障率。此外，在Littman、Tang及Wolk所教示之方法中，會發生裝置損失之原因是供體材料在轉移至基材之前降解。該供體材料通常係自其製備邵位傳送至將其轉移至基材的部位。此時可能發生供體被氧、濕氣、及/或其他氛圍成份污染之情況。此情況會$致自邊供體製備之OLED顯示器的良率降低。發明内容種不需使用孔眼罩幕的方因此，本發明之目的係提供一 200301971 (4) 發明說明續頁法。本發明另一目的係提供一種方法，其使用供體元件，但不會有在欲使用供體元件之遙遠位置配置該供體元件且在不使該供體元件污染或受損地輸送該供體元件時所產生的問題。本發明另一目的係提供一種改良之無蔭罩幕方法，其可有效地用以製造全色彩OLED顯示器。此項目的係藉由一原處真空方法達成，其製造-至少一部分-濕度或氧-敏感性OLED裝置，該方法係包括下列步驟： a) 於一真空塗覆器中配置一接收元件，其形成1該OLED裝置之一部分； b) 於該真空塗覆器中配置一供體載體元件，塗覆該供體載體元件，以產生具有製得所有或部分OLED裝置所需之一或多料層的供體元件；

c) 將該供體元件之塗面與欲塗覆之接收元件放置成材料轉移之關係；及 d) 施加輻射於該供體元件，以於真空中自該供體元件選擇性地轉移一或多層料層至該接收元件上。實施方式優點本發明所描述之方法的優點在於可用於製造OLED裝置，而不導入濕氣、氧、或其他氛圍成份且不使用蔭罩幕。根據本發明，供體元件係使用與自供體元件將材料轉移 200301971 (5) 發明說明續頁至〇LED接收元件所使用者相同之真空塗覆器製造。此種情況提供數項優點，包括降低供體儲存及輸送之需求，且減低伴生之污染物；降低或消除供體面與該供體之載體面接觸所致之損傷及污染；及降低保持該供體的需求。另一優點係為此種方法可完全自動化，包括供體及基材媒質操作。本發明適合在具有許多OLED顯示裝置之大型區域上形成有機層，其係包括於形成過程中，因而增加通

“OLED裝置’'一辭係意指包括有機發光二極體之裝置，有時稱為電致發.光裝置，及EL裝置，如同Tang於共讓受115-A-5,937,272及 Littman及 Tang於共讓受 US-A-5,688,55 1 中所述。 “顯示器”或“顯示面板” 一辭係用以表示可電子顯示影像或文字之螢幕。“像素”一辭於技藝界中係用以指稱顯示面板可被激勵而與其他區域獨立地發光的區域。“多色彩” 一辭係用以描述可於不同區域發射不同色澤之光線的顯示面板。尤其用以描述可顯示具有不同顏色之影像的顯示面板。此等區域並非必要連續。“全色彩” 一辭係用以描述可發射可見光譜中之紅、綠及藍色區且於任何色澤組合下顯示影像的多色彩顯示面板。該紅、綠及藍色構成三原色，可藉由適當地混合此三原色而生成所有其他色彩。“色澤” 意指在可見光譜内之發光強度曲線，不同色澤具有視覺可辨視之色差。像素或亞像素通常係用以表示顯示面板中最小可定址單元。就單色顯示器而言，像素或亞像素之間沒有分別。“亞像素”一辭係使用於多色彩顯示面板中，且係 -10· (6)200301971 用以指稱像如，藍色亞彩顯示器中 “螺距”一辭之距離。因圖1係為. 體元件3 0之艙中進行。得供體載體隨之於真空真空塗覆器載鎖或相同露於非真空文所使用之覆器1 0係藉載鎖1 4，其器1 0亦包括 3 1。負載鎖使外界環境包括塗覆站内，以藉諸站2 2係位於熱轉移而轉供體載體發明說明續頁素可獨互定址以發射特定色彩像素係為像f可定& y彳何部分。例 " 素了疋相發射藍光之部分。全色，‘素通常包括三原音巴丨乂兑像素，即誃、係用以表示在顯示面 f ~ 、.工。此，亞伊I 瑕中刀丨-兩像素或亞像素不素螺距意指兩亞像辛> 仁發明第—…『〈間的間距。具月豆貝例〈剖面視圖，其中塗覆及到達接收元件42之錄移 ” 、入 π和係於相同抽真空真…器10係為本文所描述之密閉裝置，使 :?。：諸如氣相沉積而塗覆，所塗覆之材料條件下㈣如熱轉移而轉移至接收元件^上。 10可包括—艙室或任何數量之艙室，其可藉負作用（裝置諸如隧道或緩衝艙連接，以在不曝條件之情沉下傳送該供體元件及接收元件。本 “真空’’ 一辭意指1托耳或更低之壓力。真空漁真空栗1 2保持於真空下。真空塗覆器丨〇包括負係用以於艙内裝入供體載體元件3 〇。真空塗声負載鎖1 6，其係用於卸除使用過之供體元件 1 4及1 6係自真空塗覆器丨〇導入及移除材料而不污染内邰條件之裝置。真空塗覆器1 〇之内部係 20及轉移站22。塗覆站20係位於真空塗覆器1〇如氣相沉積塗覆供體載體元件3 0的位置。轉移真空塗覆器1 0内，以幫助經塗覆之材料諸如藉移至接收元件4 2的位置。元件3 0係藉負載鎖1 4導入真空塗覆器1 〇内。供 200301971 __ (Ί\ 發明說明續頁體載體元件3 0係為可藉諸如氣相沉積或濺射接收塗層，且可隨之藉由諸如熱轉移以轉移所有或部分塗層的元件。供體載體元件3 0可視情況藉供體載體3 2承載。供體載體元件 3 0係藉機械裝置轉移至塗覆站2 0。塗覆站2 0係包括塗覆裝置3 4。塗覆裝置3 4可包括任何可於真空中塗覆材料之裝置，包括但不限於蒸發及濺射。此可為例如氣相沉積裝置諸如US-A-6,237,529所描述者，或任何其他可於真空中塗覆材料之裝置。若欲於一層中塗覆多種材料，例如主體及摻雜劑材料，則該材料可混合且自單一來源沉積，或可使用多種來源，將不同材料放置於個別來源。此外，可於真空塗覆器1 0内於不同時間使用多個來源，以於供體載體元件 3 0或於接收元件42上塗覆個別層，或可用以塗覆附加供體載體元件3 0。塗覆器3 4被啟動（例如，將所需之材料加熱以使之蒸發）且供體載體元件3 0均勾地塗覆材料，使其進入供體元件3 1内。供體元件3 1係為塗覆有一或多種可隨之整體或部分諸如藉熱轉移而轉移之塗層。該供體載體元件3 0可由數種材料中之任何一種或材料組合物製得，其至少符合下列要求：供體載體元件3 0需係為充分可撓性且具有適當之拉伸強度，以於進行本發明時容受塗覆步驟及載體載體自滾筒輸送至滾筒或層合板輸送。供體載體元件3 0需可於在一側面上加壓的同時輻射-加熱-感應轉移步驟中及於用以移除揮發性成份諸如水蒸汽的任何預熱步驟中保持結構完整性。此外，供體載體元件3 0需可於一表面上接收相對薄之材料塗層，使得該塗層在經塗 -12- 200301971 (8) 發明說明續頁覆載體之預定儲存周期内不會降解。符合此等要求之載體材料包括例如金屬薄箔、塑料薄箔及纖維強化塑料薄箔。雖然適當之載體材料的選擇可視已知之工程研究而定，但已知當構成可用以進行本發明之供體載體元件3 0時，需進一步考慮特定載體材料之特定層面。例如，供體載體元件 3 0在塗覆材料之前會需要多階清洗及表面製備過程。若該載體材料係為輻射穿透性材料，則當使用來自適當之輻射源之輻射閃光諸如來自適當之雷射的雷射光時，於供體載體元件3 0内或其表面上收納輻射吸收性材料有利於更有效地加熱供體載體元件3 0，且促進材料自供體元件3 1轉移至接收元件42。 1 典型OLED裝置可含有下列薄層，通常依序為：陽極、電洞注射層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、及陰極。塗覆於供體載體元件3 0上之材料可為電洞注射材料、電洞輸送材料、電子輸送材料、發射材料、主體材料、陽極材料、陰極材料、輻射吸收性材料、或任何此等材料之组合物。該材料可為濕度及/或氧敏感性，意指存有水、水蒸汽、或氧時，會對該材料之性能或品質產生負面影響。電洞注射（ΗΠ材料雖非始終必要，但經常可於有機發光顯示中配置電洞注射層。該電洞注射材料可用以改善後續有機層之薄膜形成性質，有助於將電洞注射於該電洞輸送層内。適用於電洞注射層之材料係包括但不限於US-A-4,720,432所述之樸啉化合物、及US-A-6,208,075 B1所述之電漿沉積氟碳聚合物。 200301971 (9) 發明說明續頁記載可使用於有機EL裝置中的備擇電洞注射材料伤^ τ'询述於 ΕΡ 0 89 1 12 1 Α1 及 £p 1029,909 Α1 中。電洞幸命送（Η Τ)教』可作為塗覆材料之電洞輸送材料已知包括化合物諸如芳狹一級月女其中已知後者係為含有至少一個僅鍵結於子之三價氮原予令斤八私甘士 $丨、严、之一員芳基胺 ^ <化合物，其中至少一氮原子係為芳族環於:^式中，該芳族三級胺可為芳基胺，諸如單一万基胺、三芳基胺 '或聚合芳基胺。例示單三芳基胺係由iClu f 1 $ /

Mupfelf 人說明於 us_A-3，18〇,73(^。並一或多個乙烯基取技日/十^人八 ^ 取代且/或包含至少一個含活性適當三芳基胺係七π tl — 一 rant ey寺人揭示於US-A-3,567,450及⑽- A-3,658,520 中。更佳足芳族三贫文岁、月 4 為如 US-A-4,720,432 及 US-A〇,061，569 所述般地包括至今A彳〃乂兩個方秩三級胺部分者。該化合物係包括由結構式（A)所示者：

A .〇2 其中： (^及1個別選白#、A 一 - 目方狹二級胺部分；且 G係為竣對雙|康& —、杰或伸烷基於 ^ ^ 、接基團諸如伸芳基、伸環烷基、一具體貫例φ，接 ,.._ 1 Q2中至少一者含有多環稠合環結構，例如奈〇當一 η η係為方基日寺，傳統上其係為伸苯基、伸聯冬基或奈基部^^。 -14- 200301971 發明說明續頁 (ίο) 滿足結構式（A)且含有兩個三芳基胺部分的可使用三芳基胺類型係由結構式（B)表示： 1 R2

I

^ I r4 其中：

!^及112個別表示氫原子、芳基、或烷基，或I及R2—起表示構成環烷基之原子；且 R3及R4個別表示芳基，其依序經由經二芳基取代之胺基所取代，如結構式（C)所示： i R5 \ N- 其中： R5及R6係個別選擇之芳基。於一具體實例中，R5或R6中至少一者含有多環稠合環結構，例如萘。另一類芳族三級胺係為四芳基二胺。期望四芳基二胺係包括雨個經由伸芳基連接之二芳基胺基，諸如式（C)所示。可使用之四芳基二胺係包括通式（D)所示者。

其中： -15 - 200301971 (Π) 發明說明續頁各個Are係為個別選擇之伸芳基，諸如伸苯基或蒽部分； η係為由1至4之整數，且

Ar、R?、Rs及R9係為個別選擇之芳基。典型具體實例中， Ai*、R?、Rs及R9中土 V 者係為多環稠合環結構，例如萘。前述結構式（A)、（B)、（C)及（D)之各種烷基、伸烷基、芳基及伸芳基部分可依序經取代。典型取代基係包括烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、及素諸如氟 '氯、及溴。各種烷基及伸烷基部分一般含有由約丨至6個碳原子。該環燒基部分可含有由3至約1 0個碳原子一、 1 一奴含有五、7T、 :戈七個環碳原子’例如環戊基、環己基、及環庚基環結構。孩芳基及伸芳基部分通常係為苯基及伸苯基部分。該電洞輸送層可由單一芳族二幼p A人、·及肸化合物或其混合物形成。詳言之，可採用三芳基胺，扭 ^ %如滿足式（B)之三芳基胺’結合以四芳基二胺，諸如式（D 一所不者。當三芳基胺與四芳基二胺結合使用時，後者係货、配且成夾置於三芳基胺 Μ電子注射及電子輸送層之間的層 g狀。可使用之芳族三級胺的說明例如下： 1，1 -雙（4 ---對β甲苯基胺基苯基）環己燒 1，1-雙（4-二-對-甲苯基胺基笨基 )4 -枣基裱己烷 4,4 -雙（一冬基胺基）四苯雙（4-二甲胺基-2 -甲基苯基卜苯基甲烷 N，N，N-三（對-甲苯基）胺 4-(二-對-甲苯基胺基）-4，-[4_(二芪 ^ 野-甲冬基胺基）苯乙烯] -16- 200301971 發明說明續頁 (12) N，N,N’，N’-四-對-甲苯基-4-4’-二胺基聯苯 ^>^’3’-四苯基-4-4’-二胺基聯苯 N -苯基咔唑聚（N -乙晞基σ卡嗤），及 Ν，Ν’-二-1-萘基- Ν，Ν’-二苯基-4,4’-二甲基聯苯。 4,4..’-雙[>^(1-莕基）-^苯基胺基]聯苯 4,4”-雙[N-(l-莕基）-Ν-苯基胺基]對-聯三苯 4,4’-雙[Ν-(2-萘基）-Ν-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[Ν-(3-苊基）-Ν-苯基胺基]聯苯 1，5-雙[N-(l-萘基）-Ν-苯基胺基]萘 |4,4’-雙[Ν-(9-Ε基）-Ν-苯基胺基]聯苯 4,4”-雙[N-(l-E基）-Ν-苯基胺基]-對-聯三苯 4,4’-雙[Ν-(2-菲基）-Ν-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[Ν-(8-螢莲、基）-Ν-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[Ν-(2-芘基）-Ν-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[Ν-(2-丁省基）-Ν-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[Ν-(2-3£基）-Ν-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[N-(l-暈苯基）-Ν-苯基胺基]聯苯 2.6- 雙（二-對-甲苯基胺基）萘 2.6- 雙[二-(1-茶基）胺基]萘 2.6- 雙[N-(l-莕基）-Ν-(2-莕基）胺基]萘 >1，1^,>1’，>^’-四（2-萘基）-4,4”-二胺基-對-聯三苯 4,4’-雙{Ν-苯基-N-[4-(l-莕基）-苯基]胺基}聯苯 4,4’-雙[Ν-苯基-Ν-(2-芘基）胺基]聯苯 200301971 (13) 發明說明續頁 2,6-雙[N，N-二（2-莕基）胺]氟 1，5-雙[N-(l-萘基）-N-苯基胺基广恭。另一類可使用I電洞輸送材料係包括多環芳族化合物，如EP i 009 04丨所述。此外，可使用聚合電洞輸送材料，諸如聚（N-乙晞基咔唑）（PVK)、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、及共聚物諸如聚（3,4-乙二氧基噻吩）/聚（4/笨乙烯磺酸酯），亦稱為PEDOT/PSS。發光材料可作為’至覆材科之發光材料係已知。如US-A-4,769,292及 US-A-5,93 5,721所更充分描述，有機EL元件之發光層（LEL) 係包括發光或螢光材料’其中因為電子-電洞對於此區域中重組，而導致電致發光。該發光層可包括單一材料，但更常係由摻雜有客體化合物或化合物等之主體材料，其中光發射主要係來自摻雜劑且可為任何顏色。發光層中之主體材料可為下文所定義之電子輸送材料、前文所定義之電洞輸送材料、或其他支持電子-電洞重組之材料。該摻雜劑通常係選自高螢光性染料，但亦可使用燐光化合物，例如 WO 98/55561、WO 00/1 885 1、WO 00/57676及 WO 00/70655 所述之過渡金屬錯合物。摻雜劑一般係為在主體材料中0.0 1 至10重量百分比之塗層。選擇染料作為摻雜劑之重要關係係為能帶隙之比較值，定義為分子最高佔用分子軌道與最低未佔用分子軌道之間的能量差。就自主體至摻雜劑分子之有效能量傳送而言，必要條件係為摻雜劑之能帶隙小於主體分子者。 -18· 200301971 (14) 發明說明續頁已知可使用之主體及發光分子係包括-但不限於-US-A-4,768,292 ; US-A-5，141，671 ; US-A-5,1 50,006 ； US-A-5,1 5 1 ?629 ； US-A〇,294,870 ； US-A-5,405,709 ； US-A-5,484,922 ； US-A- 5,593,788 ; US-A-5,645,948 ; US-A-5,683,823 ; US-A-5,755,999 ； US-A-5,928,802 ; US-A〇,935,720 ; US-A〇,935,72 1 ; &US-A-6,020,078所揭示者。 8-羥基喹啉之金屬錯合物及類似衍生物（通式E)構成一類可支持電致發光之可使用主體化合物，尤其適用於發射波長長於5 0 0奈米之光線，例如綠色、黃色、橘色、及紅色。

其中： Μ係表示一金屬； η係為由1至3之整數；且 Ζ個別表示構成一個具有至少兩個稠合芳族環之分子核心（nucleus)白勺原子。根據前文，顯然該金屬可例如為鹼金屬，諸如鋰、鈉或鉀；鹼土金屬，諸如鎂或鈣；或土金屬，諸如硼或鋁。通常，任何已知可作為鉗合金屬之單價、二價、或三價金屬皆可使用。 Z構成含有至少兩個稠合芳族環之雜環分子核心，其中 200301971 發明說明續頁 (15) 至少一環係為吐（azole)環或吖畊（azine)環。若需要，可於該兩個必要環上稠合附加環，同時包括脂族及芳族環。為避免增加分子體積而未改善功能，環原子數通常保持於1 8 或更少。可使用之鉗合類喔星化合物之說明例係如下列者： C〇-1 ··三喔星鋁[別名，三（8 - 4：啉醯）鋁（111)] CO-2 :雙喔星鎂[別名，雙（8-喹啉醯）鎂（II)]

C〇-3 :雙[苯并{f}-8-4啉醯]鋅（II) C〇-4 :雙（2 -甲基-8-喹啉醯）鋁（III)- // -合氧基-雙（2 -甲基-8-喹啉醯）鋁（III) C〇-5 ··三喔星銦[別名，三（8 -喹啉醯）銦] C〇-6 :三（5 -甲基喔星）鋁[別名，三（5 -甲基-8 - 4 4木醯）鋁 (III)] C Ο - 7 :喔星鋰[別名，8 -(喹啉醯）鋰（I)]

9，1 0 -二-(2 -莕基）E (通式F )之衍生物係為一種可承受電致發光之可用主體，尤其適於波長長於4 0 〇奈米之光發射’ 例如藍、綠、黃、橘或紅。

R5

•20- 200301971 發明說明續頁 (16) R1、R2、R3及R4係表示一或多個位於各環上之取代基，其中各取代基係個別選自下列基團：基團1 :氫或具有由1至2 4個碳原子之烷基；基團2 :具有由5至2 0個碳原子之芳基或經取代之芳基；基團3 :完成蒽、芘基、或茈基之稠合芳族環所必需由4 至2 4個碳原子；

基團4 :完成呋喃基、4吩基、吡啶基、喹啉基或其他雜環系統所需由5至2 4個竣原子之雜芳基或經取代之雜芳基；基團5 :具有由1至24個碳原子之烷氧胺基、烷胺基或芳胺基；及；基團6 :氟、氯、溴或氰基。吲嗓（benzazole)衍生物（通式G)係為另一種可支持電致發光之可使用主體，尤其適用於波長長於400奈米之光發射，例如藍、綠、黃、橘或紅。

其中： η係為由3至8之整數； Ζ係為〇、NR或S ; R’係為氫；具有由1至24個碳原子之烷基，例如丙基、第三丁基、庚基及其類者；具有由5至20個碳原子之芳基 -21 - 200301971 (17) I發明說明讀頁或經雜原子取代之芳基，例如苯基及萘基、咬喃基、癌吩基、被咬基、。奎淋基及其他雜環系統；或鹵基諸如氯、氟；或完成稠合芳族環所需之原子；且 L係為由烷基、芳基、經取代之烷基或經取代之芳基所構成之連接單元，其係共軛或非共軛地接合多個吲哚。可使用之啕哚的實例有2，2 ’，2 ” - (1，3，5 -伸苯基）三[1 -苯基 -1H-苯并咪唑]。

所需之螢光摻雜劑係包括蒽、丁省、咕噸、茈、紅螢烯、香豆素、若丹明（rhodamine)、奎 β S同（quinacridone)、二氰基亞甲基p比喃化合物、硫代吹喃化合物、聚甲炔化合物、叶匕瑞鑌（pyrilium)及4 p比瑞i翁（thiapyriliiim)化合物、及藏基苯乙烯基化合物的衍生物。可使用之摻雜劑的說明實例係包括-但不限於-下列者：

-22 - 200301971 (18) 發明說明續頁

-23 - 200301971 (19) 發明說明續頁

R1

X R1 R2 L9 L10 0 〇 Η 甲基 L11 〇甲基 Η L12 0 甲基_ 甲基 L13 〇 Η 第三丁基 L14 〇第三丁基 Μ L15 〇第三丁基第_三丁基 L16 S Η II L17 S Η 甲基 L18 S 甲基 Η L19 S 甲基_ 甲基 L20 S Η 第三丁基 L21 S 第三τ基 Η L22 S 第三丁基第三丁基

2222222 33333 3 LLLLLLLLLLLLLL 3 4 5 6 8 901234 5 6

Χ-0000000 SSSSSSS R1 Η Η 基基甲甲 Η 第三丁基第三丁基 Η Η 甲基甲基 Η 第三丁基第三丁基 R2Η 甲基Η 甲基第三丁基Η 第三丁基Η 甲基Η 甲基第三丁基Η 第三丁基

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L47 其他有機發光材料可為聚合物，例如聚伸苯基乙烯衍生物、二坑氧基-聚伸苯基乙晞、聚-對-伸苯基衍生物、及聚苐衍生物，如Wolk等人於共受讓US-A-6，194，1 19 B1及其中之參考資料中所教示。電子輸送（ΕΊΠ材料使用於本發明有機EL裝置的較佳電子輸送材料係為金屬鉗合類喔星化合物，包括喔星本身之鉗合物（一般亦稱為8 -喹啉酚或8 -羥基喹啉）。該化合物幫助注射及輸送電子，同時具有高階性能且易製成薄膜形式。所述之類喔星化合物的實例係為滿足前述結構式（E)者。 -26- 200301971 (22) 發明說明續頁其他電子輸送材料係包括US-A-4,3 56,429所揭示之各種丁二埽衍生物，及US-A-4,539,507所描述之各種雜環光學增白劑。滿足結構式（I)之吲哚亦為可使用之電子輸送材料0 其他電子輸送材料可為聚合物質，例如聚伸苯基乙晞衍生物、聚對-伸苯基衍生物、聚蔡衍生物、聚，塞吩、聚乙炔：、及其他導電性合有機材料，諸如Handbook of Conductive

Molecules and Polymers，Vols· 1-4, H.S· Nalwa，ed·，John Wiley and

Sons，Chichester (1997)所列者。邵分情況下，單一層即可同時支持發光及電子輸送之功能’因此包括發光材料及電子輸送材料。 i 陽極材料該導電性陽極層係發光時，應可使所研本發明之一般透明陽使用其他金屬氧化物化鋅、氧化鎂銦及氧氮化物諸如氮化鎵，硫化物，諸如硬化辞觀測EL發光之設備而使用任何導電性材料種設備所使用之例示及鉑。典型陽極材料或更大之功函數。&

形成於該基材上，且當自陽極觀測EL 究之發射光透射或實質透射。使用於極材料係為氧化銦錫及氧化錫，但可 ’包括但不限於摻雜鋁或摻雜銦之氧化錄鎢。除了此等氧化物之外，金屬及金屬硒化物，諸如硒化鋅，及金屬 ’可作為陽極材料。就經由頂部電極 5 ’陽極材料之穿透特性不重要，可透明、不透明或反射性者皆然。此導體係包括但不限於金、銥、鉬、鈀 •透光性或非透光性-具有4.1電子伏特需之陽極材料可藉任何適當之方式諸 -27- 200301971 P3) 發明說明續頁陽極材如瘵發、賤射、化學氣相沉積或電化學裝置沉積料可使用已知之微影術圖案化。當光發射係穿透陽極時，該陰極材料可包括幾乎至何導電性材料。期望之材料具有良好薄膜形成性質，以確定= 底層有機層充分接觸，促進於低電壓下之電子、、主射且具

有民好之安定性。可使用之陰極材料經常含有低功函數金屬（<4.〇電子伏特）或金屬合金。其中—種較佳陰極材料包括Mg:Ag合金，其中銀之百分比係介於1至2〇百分比範圍内，如US-A-4,885,22 1所述。另一種適當之陰極材料係包括雙層物’包括薄層之低功函數金屬或金屬鹽，罩蓋較厚層之導氧性金屬。一個該種陰極係包括薄層之L丨F，及後續較厚層之A卜如US-A-5,677,572所述。其他可使用之陰極材料係包括但不限於 US-A-5,〇59,86 1、5,〇59,86muS-A-6，14〇,763 所揭示者。二由陰觀測光發射時，該陰極需透明或接近透明。就

X種應用rtr： & ’金屬需薄或需使用透明導電性氧化物或此 I材料之組合物。光學透明之陰極已更詳細地描述於uS_ A〕’776,623中。陰極材料可藉蒸發、濺射、或化學氣相沉 #而’儿和、。需要時’可經由許多眾所周知之方法進行圖案化包括但不限於經由罩幕沉積、US-A-5,276.3 80及EP 0 732 868所述之整體陰罩法、雷射切除、及選擇性化學氣相沉積0 材料 -28- (24) 200301971 發明說明續頁輻射吸收性材料可為染料

諸如共受讓US-A-5,578,4 16K 列不之木料，顏料諸如碳，或金屬諸如鎳、鉻、鈦等。接收元件42係藉負載鎖16導入真空塗覆器⑺内，且藉機 j裝置傳送至轉移裝置36。此可於供體載體元件3〇導入之可、之後或之期間進行。轉移裝置36可包括任何有助於於真二中在供骨豆元件3 1上藉由熱或轉化成熱之輻射轉移經塗復材料的裝置。轉移裝置3 6簡便地以關閉結構出示，但其

亦具有開啟結構，其中進行供體元件3丨及接收元件〇之裝載及卸除。供體元件31係藉機械裝置自塗覆站2〇輸送至轉迗站22。供體元件3 1及接收元件42係放置成材料轉移關係，即，供體元件3 1之塗覆面係放置成與接收元件42之接收表面緊密地接觸，且於壓力艙44中藉諸如流體壓力手段保持位置，如Phillips等所述。供體元件3 1隨之可經由透明邵分4 6藉施加之輻射諸如來自雷射3 8之雷射光束4 〇照射c 供體元件3 1之圖案化照射導致所塗覆之材料自供體元件3 轉移至接收元件42，如Phil lips等所述。

接收元件4 2可為有機固體、無機固體、或有機與無機固體之組合物，提供接收來自供體發射之材料的表面。接收元件42可為剛性或可撓性，且可以個別工作片形式進行處理’諸如片料或晶圓，或以連續捲料形式進行處理。典型接收元件材料係包括玻璃、塑料、金屬、陶瓷、半導體、金屬氧化物、半導體氧化物、半導體氮化物、或其組合物。接收元件4 2可為材料之均勻混合物、材料之複合材料、或多層材料。該接收元件42可為透光性或不透明，視光發射 -29 - 200301971 發明說明續頁 (25) 之所需取向而定。透光性係由接收元件4 2觀測該EL發光所需之性質。此等情沉/般採用透明玻璃或塑料。就經由頂部電極觀測EL發光之設備而了’接收元件42之透光性不重要，因此可為透光性、吸光性或反光性。使用於此種情沉之接收元件包括但不限於玻璃、塑料、半導體材料、陶资及電路板材料。接收元件42可在進行本發明方法之前使用一或多層前述材料（例如陽極材料、陰極材料、電洞輸送材料等）進行處理。接收元件4 2可在進行本發明方法之後進一步使用一或多層前述材料（例如陽極材料、陰極材料、電子輸送材料等）及保護層進行處理。此等處理可在真七塗覆器1 0外或真空塗覆器1 〇内於塗覆站2 0上進行。照射完成之後，開啟轉移裝置3 6，供體元件3丨及接收元件4 2可經由負載鎖1 6移動。圖2係為本發明另一具體實例的剖面視圖，其中供骨#載體元件係塗覆多於一料層，且到達該基材之轉移係於相同抽真空艙中進行。真空塗覆器丨〇係藉真空泵1 2保持於真空下。真空塗覆器1 0係包括負載鎖i 4，其係用以在該膽中置入新供體載體元件。真空塗覆器丨〇亦包括負載鎖丨6，其係用以卸除已使用過的供體元件。真空塗覆器丨〇之内部包括塗覆站2 0、塗覆站2 4、及轉移站2 2。供體載體元件30係藉負載鎖μ導入真空塗覆器。供轉載體元件3 0可視情況藉供體載體3 2支撐。供體載體元件3 〇係藉機械裝置輸送至塗覆站2〇，其包括塗覆裝置34。啟動 '^设I置3 4 (例如所需之材料加熱以蒸發），供體載體元件 -30- 200301971 (26) 發明說明續頁 3 0均勻塗覆以塗覆讨科，使”進入供體元件3 1内。供體元件3 1係藉機械装1自’至覆站20輸送至塗覆站24 其包括塗覆裝置34a ^啟動’至覆裝置34a(例如將所需、/、、塗覆載鎖16導入真空塗覆器丨〇，、，秸璣械裝冒。此可於導入供體載體元件3〇之前移裝置36係簡便地以關閉結構出示< 覆材料加熱以蒸發），供體元件3 1均句塗覆以附如〈材料層。接收元件4 2藉輸送至轉移裝置36。後或之期間進行。轉 ..…一…結構出示

但其亦具有開啟結構’其中進行供體元件丁久暴材足負載卸除。供體載體元件3 1係藉機械裝置自塗, 土杈站2 4輸送至移站22。供體元件31及接收元件42係放置成材料轉移係，即，供體元件31之塗面係放置成與接收元件杉今= 面緊密接觸’且藉壓力艙44中之流體壓力保持原妖 Phillips等所述。供體元件31隨之藉由施加輻射諸如t自射38之雷射光束40經由透明部分46照射。依圖案昭射供

元件3丨導致經塗覆之材料自供體元件”轉移至接收^ 42，如Phillips等所述。冤成照光之後，開啟轉移裝置3 6，噯由g Ό 、.工田貝、載鎖1 6取出體元件3 1及接收元件4 2。雖然此具體實例係說明兩料層之塗覆及轉移，但熟習此技藝者可輕易明瞭依此方式可塗覆且轉移三或多層。或圖2中之具骨豆貝例可用以依不同圖案轉移地將多於一料層轉移至接收元件。此方法中，可將多個供體載體元件 3 0導至真2塗覆斋1 〇 ’使得該塗覆站2 〇及2 4配置有獨特之 -31- (27) 200301971 發明說明績頁供體載體元件3 0。各個供體載髀；从， 711件30藉其個別塗覆裝置均勻塗覆以塗覆材料，使其各成A w ^ 合成為獨特供體元件3 1.。此具體實例中，各供體元件3】伯茲祕u ir 3 1係稭機械裝置自其個別塗覆站（2 0或24)依序傳送至轉移站丄、奸4 22。接收元件42係籍負載鎖1 6導至真空塗覆器1 〇，且藉機奸义士田土褙彳幾械裝置傳送至轉移裝置 3 6。此可於導入供體載體元件3 〇夕a 、匕斤則、之後或期間進行。轉移裝置3 6係簡便地以關閉結構出千 w tq tf ’但其亦具有開啟結構，其中進行供體元件及基材之畲 ^ ^

土 π心貝戟及卸除。供體兀件3 1 及接收元件42係放置成材料轉移關係，即，供體元件3 1之塗面放置成與接收元件42之接收表面緊密接觸，且於塵力搶44中藉流體壓力保持原位’如phi丨丨扣等所述。供體元件 3 1隨之藉施加輻射諸如來自雷射38之雷射射線4〇而經由透明部分46照射。供體元件31依圖案進行之照射導致經塗覆之材料自供體元件31轉移至接收元件42，如phiuips等所述0

芫成輻射之後，開啟轉移裝置3 6，經由負載鎖丨6取出供體元件31 «該第二供體元件31係藉機械裝置傳送至轉移站 2 2，且重衩轉和過私。分成數個轉移操作之轉移過程可依循與雷射照射相同之圖案，或每次轉移皆使用不同之雷射照射圖案。熟習此技藝者已知此種方法可用以製造全色彩顯示裝置，諸如全色衫OLED裝置。該種裝置通常包括紅色、綠色及監色亞像素。具有二個塗覆站之真空塗覆器可用以製備所需之供體元件3 1。各供體元件3丨係使用不同有機發 -32- (28)200301971 射層塗層藍、或綠其個別塗成材料轉由透明部所塗覆之 Phillips 等亞像素，色發光材進行本發陽極材料在進行本極材料、等處理可進行。圖3係j 載體元件件上之塗覆器1 〇藉鎖14，其覆器1 0亦真空塗覆站26 〇供體載發明:說曝續頁製備，以反射所需之輸出色彩或色澤，即或為紅、色發射層。各個供體元件3 1皆藉機械裝置依序自覆站傳送至轉移站22，依序排列成與接收元件42 移關係’之後藉諸如來自雷射38之雷射光束40經知力1田射。依圖案進行之供體元件輻射導致材料依圖案自供體元件3 1轉移至接收元件42，如斤述例如’紅色發光材料係依圖案轉移至紅色藍色發光村料係依圖案轉移至藍色亞像素，而綠料係依圖案s y & π 夕土、，求色亞像素。接收元件4 2可在月所述 < 方法之前使用一或多層材料處理（例如匕極材料、電洞輸送材料等）。接收元件4 2可發明方法乏# 後進一步使用一或多層材料（例如陽陰極材料、電子輸送材料等）及保護層處理。此在土仅站2 〇於真空塗覆器1 〇外或真空塗覆器1 〇内 •务月另—具體貫例之剖面視圖，其中該供體 <堂覆、到達該基材之轉移、及殘留於該供體元覆材料的移除係於相同抽真空艙中進行。真空塗真空泵12保持於真空下。真空塗覆器⑺包括負載係用以於孩艙内置入新的供體載體元件。真空塗包括負載鎖丨6，其用以卸除使用過的供體元件。器10之内部係包括塗覆站2〇、轉移站22、及清洗把疋件J 0耠負載鎖14導入真空塗覆器1 〇内。供體 200301971 (29) 發明說明續頁載體凡件30可視情況藉供體載體32支撐。供體載體元件30 係軋機械裝置傳送至塗覆站2 0，其包括塗覆裝置3 4。啟動 •、仅裝置j 4 (例如所需之塗覆加熱至蒸發），且供體3 〇均勻土後以塗覆材料，使其進入供體元件3 1内。接收元件4 2係藉負載鎖1 4或負載鎖1 6導入真空塗覆器1 〇一機械t置和送至轉移裝置3 6。此可於導入供體載體一、七之後或期間進行。轉移裝置3 6係簡便地以關 1、。構出不’但其亦具有開啟結構，其中進行供體元件及基材疋裝載及卸除。供體載體元件3工係藉機械裝置自塗覆站2〇^运至轉送站22。供體元件3 1及接收元件42係放置成材料轉移關係，即，供體元件3Γ之塗覆面係放置成與接收疋件42之接收表面緊密地接觸，且於壓力艙〇中藉諸如流二壓力手段保持位置，如Phillips等所述。供體元件3 1隨之 σ、二由透明邛分4 6藉施加之輻射諸如來自雷射3 8之雷射光束40照射。供體元件31之圖案化照射導致所塗覆之材料自、元件3 1轉私至接收元件42，如Phillips等所述。 .完成照光之後，開啟轉移裝置36,經由負載鎖16或負載鎖14取出接收元件42。供體元件”係藉機械装置輸送至清洗站26。清洗站26係為真空塗覆器⑺内之位置，其容許一裝置自供體元件3 1移除所塗覆之材料，使得供體載體元件 3〇可再利用。清洗站26係包括加熱器5〇或輻射源，諸如閃光燈泡51及蒸汽移除裝置52。供體元件31係籍加熱器50或輻射源諸如閃光燈泡51於清洗過程中加熱，即加熱或輻射使供體元件31之經塗覆材料蒸發或昇華，且藉蒸汽移除器 -34- 200301971 (30) 發明說明績頁 5 2移除。蒸汽移除器5 2可為例如真空孔入口、冷阱、可移動之屏幕等。供體元件3 1此時係為供體載體元件3 0且可藉機械裝置經由負載鎖1 6取出。或供體載體元件3 0可藉機械裝置傳送至塗覆站20，以再次塗覆並重複使用。此等操作可各站同時地進行。例如，供體元件3 1可使用於位在轉移站2 2之輻射誘導轉移中，而先前已轉移之供體元件3 1係於清洗站2 6加熱或照光，且未經塗覆之供體載體元件3 0係於塗覆站2 0進行塗覆。圖4係為本發明另一具體實例之剖面視圖，其中該供體載體元件之塗覆及到達基材之轉移係於不同連接抽真空艙中進行。此具體實例中之真空塗覆器1 0包括塗覆艙1 Oa及轉移艙1 Ob。兩者皆藉真空泵1 2保持於真空下，且藉負載鎖1 8連接。真空塗覆器1 0包括負載鎖1 4，其係於該艙中送入新的未經塗覆供體元件。真空塗覆器1 0亦包括負載鎖 1 6，其用以卸除使用過之供體元件。真空塗覆器1 0之内部係包括位於塗覆艙1 0 a中之塗覆站2 0及位於轉移艙1 0 b中之轉移站2 2。供體載體元件3 0係藉負載鎖1 4導入真空塗覆器1 0之塗覆艙1 0 a中。供體載體元件3 0可視情況藉供體載體3 2支撐。供體載體元件3 0係藉機械裝置輸送至塗覆站2 0，其包括塗覆裝置34。啟動塗覆裝置34(例如，所需之塗覆材料經加熱以蒸發），供體3 0均勾塗覆以塗覆材料，使其進入供體元件3 1中。接收元件42藉負’載鎖16導入真空塗覆器10之轉移艙10b -35- 200301971 (31) 發明說明績頁

中’ I機械裝置傳送至轉移裝置3 6。此可於導入供體載體凡件3〇之前、之後或期間進行。轉移裝置36簡便地以關閉結構出示，但其亦具有開啟結構，於其中進行該供體元件及基材的裝載及卸除。供體元件3 1係藉機械裝置自塗覆站 2 〇絰由負載鎖1 8輸送至轉移站2 2。供體元件3丨及接收元件 42放置成材料轉移關係，即，供體元件3 ^之塗面係放置成與接收7L件42之接收表面緊密地接觸，於壓力艙44中藉諸如流體壓力之手段保持於原位，如ph⑴加等所述。供體元件3 1 Ik疋藉由施加足輻射，諸如來自雷射列之雷射光束㈣紅由透明邵分46照光。供體元件3丨依圖型進行之照光導致經塗覆之材料自供體元件31轉移至接收元件42，如等所述。完成照光之後，開啟轉移裝置36，經由負載鎖16取出4 體元件3丨及接收元件42。或供體元件31可經由負載鎖“巧出，而接收元件42保持於原位。轉移過程可使用接收元々 42及新供體元件31重複。

顯然可改變此種方法。接收元件42可於塗覆站2〇塗釋> 可使用於OLED製造中之附加材料層。該塗覆可在輻射、導轉移之前、之後或同時於之後及之〜俛進仃。例如，接q 元件42可連續於塗覆站20施加電洞輪送〗适材枓、於轉移站2 施加發光材料、且於塗覆站2 0施加電子仏…u % 丁輸材料。圖5係為本發明另一具體實例之剖面 j向視圖，其中供體；件係為連續網之一部分，即，其形成一择綠* ^ , <、·，貝片材，其塗覆到達基材之轉移、及殘留於供體元件卜士 ^西

工 < 塗覆材料的移P -36- 發明說明續頁 200301971 (32) 係於相同抽真空艙中進行。真空塗覆器1 0係藉真持於真空下。真空塗覆器1 0係包括負載鎖1 6，其載及卸除基材。真空塗覆器10之内部係包括可 6 0，其係為供體載體元件3 0之連續片材。可移動保持於輪62上，於行進64方向中轉動。真空塗覆部亦包括塗覆站2 0、轉移站2 2、及清洗站2 6，沿 6 0之路徑排列。當轉移裝置3 6為開啟結構時，可移動網6 0係動。可移動網6 0之未塗覆部分係移入塗覆站2 0内塗覆裝置34。啟動塗覆裝置34(例如，所需之塗加熱而蒸發）且可移動網6 0之一部分均勾地塗覆料。因此，可移動網6 0之一部分變成供體元件3 1 接收元件42藉負載鎖1 6導入真空塗覆器1 0中，裝置輸送至轉移裝置3 6。轉移裝置係簡便地以關示，但其亦具有開啟結構，於其中進行供體元件裝載及卸除。當轉移裝置3 6係為開啟結構時，可 6 0係藉輪6 2旋轉，其使可移動之網6 0經塗覆之部站2 0移動至轉移站2 2。此可於導入接收元件4 2之或之後進行。可移動網6 0之塗面放置成與接收元地接觸，隨之於壓力艙44中藉流體壓力保持原位，等所述。可移動網6 0隨之藉施加輻射諸如來自雷射光束4 0經由透明部分4 6照光。可移動網6 0經塗圖案藉雷射光束40照射導致所塗覆之材料自可移移至接收元件42，如Phillips等所述。空泵1 2保係用以裝移動之網之網6 0係器10之内可移動網藉輪6 2轉，其包括覆材料經以塗覆材〇且藉機械閉結構出及基材之移動之網分自塗覆前、之間件4 2緊密如 Phillips 射3 8之雷覆部分依動網6 0轉 200301971 發明說明續頁 (33) 完成照光之後，開啟轉移裝置3 6，接收元件4 2經由負載鎖1 6移動。當轉移裝置3 6處於開啟結構時，可移動網6 0藉輪6 2旋轉，使可移動網6 0已使用之經塗覆部分自轉移站2 2 移動至清洗站2 6。清洗站2 6包括加熱器或輻射源諸如閃光燈泡5 1及蒸汽移除裝置5 2。可移動網6 0部分藉加熱器5 0或輻射源諸如閃光燈泡5 1加熱，其清洗彼者，即，導致可移動網6 0經塗覆部分之塗覆材料蒸發或昇華，且藉蒸汽移除器5 2移除。當轉移裝置3 6處於開啟結構時，可移動網6 0藉輪6 2旋轉，其使可移動網6 0之目前未塗覆部分自清洗站2 6 移動至塗覆站2 0，以再次塗覆且重複使用。此等操作可於各站同時地進行。例如，可移動網6 0 —部分可使用於轉移站22之輻射誘導轉移，而可移動網60之先前轉移部分於清洗站2 6被加熱或照光，可移動網6 0未塗覆部分係於塗覆站2 0被塗覆。備擇具體實例中，可移動網6 0可為長但非連續之片材。此可於各站之前及之後使用退繞及捲取輥達成。圖6係為本發明另一具體實例的剖面視圖，其中供體元件形成一連續片材，其塗覆多於一料層，到達該基材之轉移、及殘留於供體元件上之塗覆材料的移除係於相同抽真空艙中進行。真空塗覆器1 0係藉真空泵1 2保持於真空下。真空塗覆器1 0包括負載鎖1 6，其用以裝載及卸除基材。該真空塗覆器1 0之内部包括可移動網6 0，其係為供體載體元件3 0之連續片材。可移動網6 0係保持於輪6 2上，其係於行進方向64上轉動。真空塗覆器10之内部亦包括塗覆站20、 200301971 發明說明續頁 (34) 轉移站2 2、及清洗站2 6，沿可移動網6 0之路徑排列。當轉移裝置3 6係處於開啟結構時，可移動網6 0係藉輪6 2 旋轉。可移動網6 0之未塗覆部分移入塗覆站2 〇内，其包括塗覆裝置3 4。啟動塗覆裝置3 4 (例如，所需之塗覆材料加熱以蒸發），可移動網60部分均勻塗覆以塗覆材料。因此，可移動網60部分變成供體元件3 1。當轉移裝置36係處於開啟結構時，可移動網60係藉輪62 旋轉。可移動網6 0之單次塗覆部分自塗覆站2 0移動至塗覆站24。啟動塗覆裝置3 4(例如，加熱所需之塗覆材料以使之蒸發）且可移動網60均勻塗覆以第二層塗覆材料。接收元件42藉負載鎖1 6導入真空塗覆器1 〇 ’藉機械裝置輸送至轉移裝置3 6。轉移裝置3 6簡便地以關閉結構表示’ 但其亦具有開啟結構，於其中進行供體元件及基材之裝載及卸除。當轉移裝置3 6處於開啟結構時，可移動網6 0藉輪 6 2旋轉，其使可移動網6 0之經塗覆部分自塗覆站2 0移動至轉移站2 2。此可於接收元件4 2之前、之間或之後進行。可移動網60之塗面放置成與接收元件42緊密地接觸’且於壓力艙44中藉流體壓力保持定位，如Phillips等所述。可移動網6 0隨之藉施加之輻射諸如來自雷射3 8之雷射光線4 0經由透明部分46而照光。可移動網60經塗覆部分藉雷射光束40 依圖案照光導致所塗覆之材料自可移動網6 0移動至接收元件42，如Phillips等所述。完成照光後，開啟轉移裝置3 6 ’經由負載鎖1 6取出接收元件42。當轉移裝置36處於開啟結構時，可移動網60藉輪 200301971 發明說明續頁 (35)

6 2旋轉，其使可移動網6 0使用過之經塗覆部分自轉移站2 2 移動至清洗站2 6。清洗站2 6包括加熱器5 0或輻射源諸如閃光燈泡5 1及蒸汽移除裝置5 2。可移動網6 0之一部分藉加熱器5 0或輻射源諸如閃光燈泡5 1加熱，導致可移動網6 0之經塗覆部分的塗覆材料蒸發或昇華，而藉蒸汽移除器5 2移除。當轉移裝置3 6處於開啟結構時，可移動網6 0藉輪6 2旋轉，其使可移動網60目前未經塗覆部分自清洗站26移至塗覆站2 0，以再次塗覆且重複使用。雖然此具體實例係說明雙層之塗覆及轉移，但熟習此技藝者已知可依此方式塗覆且轉移三層或多層。或圖6中之具體實例可用以依不同圖案轉移將一層以上之料層轉移至接收元件。此方法中，各塗覆站2 0及2 4係塗覆可移動網6 0之不同部分，因而使該網之不同部分進入獨特之供體元件3 1内。

此具體實例中，可移動網6 0之各塗覆部分依序自其個別塗覆站（20或24)輸送至轉移站22。接收元件42藉負載鎖16 導入真空塗覆器1 0，且藉機械裝置傳送至轉移裝置3 6。可移動網60經塗覆部分及接收元件42係放置成材料轉移關係，即，可移動網6 0之塗面放置成與接收元件4 2之接收面緊密接觸，且於壓力艙44中藉流體壓力保持定位，如Phillips 等所述。可移動網6 0隨之藉施加輻射諸如來自雷射3 8之雷射光束40而經由透明部分46照光。可移動網60經塗覆部分依圖案之照光導致所塗覆之材料自可移動網6 0轉移至接收元件42，如Phillips等所述。 -40- 200301971 發明說明續頁 (36) 完成照光時，開啟轉移裝置3 6，可移動網6 0之其他塗覆部分輸送至轉移站2 2且重複轉移程序。分數個轉移操作之轉移程序可依循相同之雷射照光圖案，或每次轉移皆可使用不同之雷射照光圖案，諸如製備全色彩OLED裝置。可移動網6 0三種經塗覆部分各使用不同有機發光層之塗覆製備，以反射所需輸出之色彩或色澤，即紅色、藍色或綠色發光層。可移動網6 0之各個塗覆部分係依序自個別塗覆站轉移至轉移站2 2，依序與接收元件4 2放置成材料轉移關係，且依序藉諸如來自雷射3 8之雷射光束4 0的手段而經由透明部分4 6進行照光。可移動網6 0經塗覆部分的依圖案照光導致所塗覆材料自可移動網60依圖案轉移至接收元件 42，如Phillips等所述。例如，紅色發光材料依圖案轉移至紅色亞像素，藍色發光材料依圖案轉移至藍色亞像素，而綠色發光材料依圖案轉移至綠色亞像素。圖7 A係為未經塗覆供體元件結構之剖面視圖的一實例。供體載體元件30最少係包括可撓性載體70，其包括非轉移性表面7 8。可撓性載體7 0輻射-熱轉化層7 2。輻射-熱轉化層7 2係包括可吸收具有所研究波長之輻射且發出熱的材料。圖7B係為供體元件塗覆一層塗覆材料之結構的剖面視圖的一實例。供體元件3 1係包括可撓性載體7 0，其包括非轉移性表面7 8。可撓性載體7 0均勻塗覆有輻射-熱轉化層7 2。輻射-熱轉化層7 2係包括可吸收具有所研究波長之輻射且發出熱的材料。可撓性載體70另外均句地塗覆有塗覆材料 -41 - 200301971 (37) 發明說明續頁 7 4。所塗覆之材料係構成供體元件3 1之塗面8 0。圖7 C係為塗覆多於一層塗覆材料之供體元件結構的剖面視圖之一實例。供體元件3 1係包括可撓性載體7 0，其包括非轉移性表面7 8。可撓性載體7 0已均勻塗覆輻射-熱轉化層72。輻射-熱轉化層72包括可吸收具有所研究波長之輻射且發出熱的材料。可撓性載體7 0另外均勻塗覆有塗覆材料74及塗覆材料76。塗覆材料76係構成供體元件3 1之塗面 80 0 圖8係為本發明另一具體實例之剖面視圖，其中供體載體元件的塗覆及到達基材之轉移至於不同抽真空艙中進行。此1具體實例中，真空塗覆器1 0係包括塗覆艙1 0a、轉移艙10b、及輸送艙90，所有艙室皆保持於真空下。塗覆艙1 0 a包括負載鎖1 4，其係用以裝載及卸除該艙。轉移艙1 0 b 單純包括負載鎖1 6，其係用以裝載及卸除該艙。塗覆艙1 0 a 係包括塗覆站2 0，而轉移艙1 0 b係包括轉移站2 2。輸送艙9 0 係可移動且包括負載鎖92，其係設計以形成具有負載鎖1 4 及1 6之氣密性密封物。輸送艙9 0亦可包括於輸送過程中保持真空之裝置（未示）。供體載體元件3 0係藉負載鎖1 4導入塗覆艙1 0 a。供體載體元件3 0可視情況由供體載體3 2所支撐。供體載體元件3 0 係藉機械裝置傳送至塗覆站2 0，其包括塗覆裝置3 4。啟動塗覆裝置34(例如，將所需之塗覆材料加熱以蒸發），供體 3 0均勻塗覆以塗覆材料，使其進入供體元件3 1内。輸送艙9 0移至一位置，使得負載鎖9 2可與負載鎖1 4成為 -42 - (38) (38)200301971

氣密性連接。供體元件3 1係认、.，a 风械衣置自塗覆站20傳送至輸运艙90。輸送艙9〇隨之自塗空。上设10a脫離，而内部保持真接收元件4 2藉备裁梢1 &道λ & 、„ s絲載鎖丨6寸入轉移搶l〇b，藉機械裝置达…多裝置36。轉移裝置36係簡便地以關閉結但其亦具有開啟結構，人立不’ 稱万、其中進行供體元件及基材之及卸除。輸送艙90係移至一位置载 1 6可氣密性地連接。供體元^^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ·、、丨、缸7L什3 1精機械裝置自輸送艙9〇送至轉移站22。供體w31及接收元件42放置成材料轉移關係L即，供體元件31之塗面放置成與接收元件42之接收面緊密接觸，且於壓力艙44中藉流體壓力保持定位，如

Phillips等所述。供體元件3丨隨之藉施加輻射諸如來自雷射 :8之雷射光束40經由透明部分46照光。供體元件^依圖案之照光導致所塗覆之材料自供體元件31轉移至接收元： 42，如Phillips等所述。完成照光後’開啟轉移裝置36，經由負載鎖16取出元件31及接收元件42。或供體元件31可經由負載: 出，而接收元件42係俣地、人広 /、取 . "保持万；原位。孩轉移過程可使用接收元件4 2及新供體元件3 1重複。由以下对貫施例可進—步明瞭本發明及其優點。實施级丄依下列方式構诸、，黑7 ~ 再成4 /雨足本發明要求之OLED裝置： 1 不銹鋼供體#駚+ > • 戰疋彳丁 4英吋寬且0.001英吋厚-於本文所述類髮之真空塗覆器中故置於真空下。 -43 - 200301971 (39) I發明說明續頁 2 .於塗覆站-包括加熱之舟（t a n t a 1 u m b 〇 a t)源-中將3 7 5埃之三（8_喳啉醯）鋁（III)(Alq3)厚層沉積於該供體載體元件上。’儿積速率為4埃/秒。 3 .塗覆有氧化銦錫陽極層且經清洗之玻璃接收元件經由負載鎖置入真空塗覆器内，不擾亂該供體元件之真空環境0 4.於真空塗覆器中於第二塗覆站上，藉自鈕舟源蒸發而

於該接收元件上沉積1 5 00埃4,4、雙·[Ν·(1•莕基）_N_苯基胺基]聯苯（NPB)電洞輸送層。 5 .供體元件於直空塗霜哭φ 士人絲

-丄玉復叩〒於轉移站上放置於塗覆有NPB 破璃接收元件下方1。μ m 万i /二不處。使用石英燈以將供體元件之非轉移表面輻射加敎至足丁…土疋以使所塗覆之層在約2秒鐘内完全自供體元件轉移至接收元件的溫度。 6 ·於包括加熱姮舟源之塗覆设3上，將3 7 5埃Alq3電子輸送層沉積於接收元件上。 7 ·於具有個別叙舟之塗，址

又、上’將2 2 0 0埃陰極層沉積於該接收元件上，其一含有銀八、且其一含有鎂。該陰極層係為 1 0 :1原子比的鍰及銀。依實施例1所述之方式構成 ^ t 十肊〇LED裝置，不同處係$ 驟1及2所製備之供體元件隨 ^ ^ 暴露於空氣下歷經5分鐘，同時使供體儿件自真空塗覆… 而.# 、Μ 、、輪运至個別真空轉移艙。S| 路空氣《便，該供，體元件再班之後續步驟中。 Μ真空下，使用於實施例 '44 . 200301971 發明說明續頁 (40) 實施例3 依實施例1所述之方式構成對照〇LED裝置，不同處係步驟1及2所製備之供體元件隨之曝露於空氣下歷經2 0分鐘’ 同時使供體元件自真空塗覆器輸送至個別真空轉移艙。曝露空氣之後，該供體元件再置於真空下，使用於實施例1 之後續步驟中。結果

實施例4 供體元件曝露於空氣之時間 (分鐘）於 20 mA/cm2 下之原始照度(cd/m2) 於 20 A/cm2 下之電壓(V) 於20 A/cm2下之操作安定性(；原始照度％) 10小時 100小時 250小時 500小時 1 0 620 7.9 86% 75% 67% 60% 2 5 360 7.3 61% 45% 37% 30% 3 20 275 7.5 63% 46% 38% 29% 前述實施例所製備之裝置於2 0毫安/米2之電流下操作。測量原始且在使用不同期間之後的每平方米照度新燭光婁丈。下表出示結果。 _ _

實施例1之原始照度-製造期間未曝露於空氣-係為620 cd/m2。實施例2及3-其供體元件個別於空氣中輸送5及20 分鐘-個別具有3 60 cd/m2及27 5 cd/m2之原始照度，或實施例1之5 8 %及4 4 %。因此，供體元件於空氣中曝露一段短時間對於OLED裝置之原始照度具有負面影響。此外，實施例2及3之照度更快，地隨時間而降低。例如，在操作2 5 0小時之後，實施例1之照度係為其原始照度620 cd/m2之67% • 45， 200301971 發明說明續頁 (41) 或為4 1 5 cd/m2。在相同操作期間之後，實施例2之照度係為原始照度3 60 cd/m2及之37%或135 cd/m2。下文包括本發明其他特徵。該方法進一步包括於該接收元件上塗覆所需數量之塗層。該方法進一步包括將供體元件配置成可移動網之一部分的步驟，其移動以與接收元件成為材料轉移關係。該方法進一步包括清洗該供體元件，以再次塗覆之步驟。圖式簡單說明圖1係為本發明第一具體耆例之剖面視圖，其中供體載體元件之塗覆及到達該基材之轉移係於相同真空塗覆器中進行；圖2係為本發明另一具體實例之剖面視圖，其中該供體載體元件上一層以上之料層的塗覆，及到達該基材之轉移係於相同真空塗覆器中進行；圖3係為本發明另一具體實例之剖面視圖，其中該供體載體元件之塗覆、到達該基材之轉移及殘留於該供體元件上之塗覆材料的移除係於相同真空塗覆器中進行；圖4係為本發明另一具體實例之剖面視圖，其中該供體載體元件之塗覆及到達該基材的轉移係於包括兩個藉由負載鎖（load lock)連接之艙室的真空塗覆器中進行；圖5係為本發明另一具體實例之剖面視圖，其中該供體載體元件形成一連/續板，其塗覆、到達該基材之轉移、及 -46 - 200301971 (42) 發明說明續頁殘留於該供體元件上之塗覆材料的移除係於相同真空塗覆器中進行；圖6係為本發明另一具體實例之剖面視圖，其中該供體載體元件形成一連續板，其多於一層之料層的塗覆、到達該基材之轉移、及殘留於該供體元件上之塗覆材料的移除係於相同真空塗覆器中進行；圖7 A係為未經塗覆之供體元件的結構之剖面視圖；

圖7B係為塗覆有一層塗覆材料之供體元件的結構之剖面視圖；圖7 C係為塗覆有一層以上之塗覆材料的供體元件結構之剖面視圖；且 1 圖8係為本發明另一具體實例之剖面視圖，其中該供體載體元件之塗覆及到達該基材之轉移係於兩個分隔且抽真空之艙室中進行。

因為裝置特徵尺寸諸如層厚經常係介於次微米範圍内，是故圖式之大小係為具體呈現方便，而不具有尺寸準確性。圖式代表符號說明 10 真空塗覆器 10a 塗覆艙 10b 轉移艙 12 真空泵 1 4，1 6，負載鎖 18,92 丨 -47 - 200301971 ⑷、 I發明說明續頁 20 塗覆站 2 2 轉移站 26 清洗站 30 供體載體元件 3 1 使用過供體元件 32 供體載體 34 塗覆裝置 34a 塗覆裝置 36 轉移裝置 38 雷射 40 雷射光束 4 2 接收元件 44 壓力艙 46 透明部分 5 0 加熱器

5 1 閃光燈泡 52 蒸汽移除裝置 6 0 可移動網 6 2 輪 64 行進方向 70 可撓性載體 72 輻射-熱轉化層 74,76塗覆材料 78 非轉移性表面 -48 - 200301971 (44) 發明說明續頁 8 0 塗面 90 輸送艙

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Claims

200301971 拾、申請專利範圍 1. 一種製造至少一部分為濕敏性或氧敏性之OLED裝置之原處真空方法，該方法係包括下列步驟： a) 於一真空塗覆器中配置一接收元件，其形成該OLED " 裝置之一部分；。 b) 於該真空塗覆器中配置一供體載體元件，塗覆該供體載體元件，以產生具有製得所有或部分OLED裝置所需之一或多料層的供體元件；籲 c) 將該供體元件之塗面與欲塗覆之接收元件放置成材料轉移之關係；及 d) 施加輻射於該供體元件，以於真空中自該供體元件選擇性地轉移一或多層料層至該接收元件上。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包括下列步.驟： e) 藉真空塗覆器於該接收元件上塗覆一或多層，其形成該OLED裝置之一部分。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包括下列步驟： 6 e)重複步驟b)至d)，以製得該濕敏性或氧敏性裝置的所有或一部分。 4. 如申請專利範圍第3項之方法，其進一步包括於該接收 ’ 元件上塗覆所需數量之塗層。。 5. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包括下列步騾： e)清洗該供體元件，以使其可再次塗覆。 6.如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包括將該供體元件配置成一可移動網之一部分，其移動而與該接收元 200301971 ^ 申請專利範圍績頁件成為材料轉移關係的步驟。 7. 如申請專利範圍第6項之方法，其進一步包括清洗該供體元件，以使其可再次塗覆之步驟。 8. —種可用以製造由數個OLED裝置形成之全色彩顯示器的原處真空方法，該顯示器係為濕敏性或氧敏性，該方法係包括下列步驟： a) 於一真空塗覆器内配置接收元件，其形成該顯示器之一部分； b) 於該真空塗覆器内配置多個供體載體元件，於該供體載體元件上塗覆材料，其中各個供體載體元件係具有至少一種不同之材料，以自對應之OLED裝置提供不同輸出色彩； c) 依序將各供體元件之塗面與欲塗覆之接收元件放置成材料轉移關係；及 d) 依序施加輻射於已定位之供體元件，以於真空中自各供體元件選擇性轉移一或多料層至在接收元件中形成之對應OLED裝置。 9. 如申請專利範圍第8項之方法，其進一步包括下列步驟： e) 藉真空塗覆器於該接收元件上塗覆一或多料層，其形成該OLED裝置之一部分。 10. 如申請專利範圍第8項之方法，其進一步包括下列步驟： e)於該真空塗覆器内配置一或多個供體載體元件，且塗覆該供體載體元件，以製得具有製得所有或部分OLED 裝置所需之一或多料層的供體元件； 200301971 申請專利範圍績頁 f) 於該真空塗覆器内將該供體元件之塗面與欲塗覆之接收元件放置成材料轉移關係； g) 施加I昌射於該供體元件，以於真空中使一或多料層自該供體元件轉移至該接收元件；及 h) 重複步驟f)至g)以製得所有或部分濕敏性或氧敏性裝置。