TW200300131A - Process for treating hydrogen ion-containing waste liquid - Google Patents

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Ryuji Kojima
Humihide Nakamura
Yoshiyasu Yoneyama
Kuniji Yashiro
Toshiko Totsuka
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Nihon Parkerizing
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Description

200300131 五、發明說明(l) '~ 【技術領域】 / 現行氰化物無毒化之排放處理法,屬鹼金屬氯法最廣為 使用’於驗性條件下添加氯使其P JJ值為中性後,再繼續添 加氣之二階段工程,以行分解氰化物。一般下氯皆使用次 氣酸鈉溶液,以0RP計行下列藥注控制: 一段反應:pHIO〜1 2,氧化還原電位3〇0〜350mV NaCN + NaOCl ~>NaCN0 + NaCL ...........................⑴
二段反應—:pH7〜8,氧化還原電位60 0〜650mV 2NaCN0 + 3Na0Cl + H20 -^N2 + 3NaCl + 2NaHC03 .........(2) 「公害防止技術與法規•水質篇·五訂」(日本通商產業 省環境立法局監修,第2 6卜262頁)中記載,藉上述鹼金屬 氣法’可將游離氰與鋅、銅之氰基配位化合物經〇Rp計予 以藥注控制行氧化分接。相反,鎳、銀氰基配位化合物因 與過剩氯行長時間反應,可一開始便行分解。從而,因需 過分解必須量之氯進行定量藥注,因此無法以〇Rp計 行樂注控制。再者,形成安定配位化合物之鐵、鈷、金氰 基配位化合物,即使存有過剩氯,為求安定性而難以藉鹼 金屬氣法進行分解。 被水污染防治法列為有害物質之氰基,係指包含配位氰 在内所有氰基’因而需研發包含安定氰基配位化合物在内 之氰基廢液處理方法。 〆 特開昭49- 1058號公報指ψ ^ ^ ^ 叛扣出’將含有氰基配位化合物之 貳基廢液置於壓力容器内,如舶u \ & ^ ^ η 加熱至1 5 0 C以上,加水分解 亂基配位化合物,解離德夕、、故私# 床俊之游離貳經熱分解為氨及甲酸,
200300131 五、發明說明(2) 此稱熱加水分解法 參此ST Ϊ生之甲酸具廢水性C〇D成分,氨屬氮規定對 象,因此需行二次處理。 麻! 不需二次處理’於進行上述相同壓力容器内,反 二郝^ 口虱化工程,此稱濕式氧化法(特開平7- 1 1 6 672號 △報)、。此法能將氰化物氧化分解為磋酸與氮。 先上Ϊ ^方式皆屬理化式反應,就氰化物無毒處理係屬可 U:方式皆屬高壓處理,因此需高額設備費用。 中配二二t =解法或濕式酸化法處理含配位氰廢水,氰基 ★以氫氧化物或氧化物型態沉澱析出,產生淤 i置於有此淤渣之廢水,需機器攪拌。但設置攪拌 ^器内需確保容器密閉性,亦將大幅提高設備 成本’使此方式窒礙難行。 旬 處者為f設備ΐ本低廉、▼靠性高之含配位氰廢水 所7恭I办大耗圍搜尋文獻後,發現特公昭π— 1 1 8 962號 :ίϊ=含:刚配位化合物廢液•,注入定量 本。…、毋]用此方法可於常壓下處理且降低設備成 ^#^e,5〇^i 8 96 2 ^^ , 液i保牲15 周整。至10〜人1 ’添加氧化劑(次氣酸鹽)並使 條:;心』备95 C。鐵氰基配位化合物於上、pH及溫度 特Η⑽成為氧化鐵沉㉟,氰基則分解為碳酸與氮。 :開麗號自發明至今已過25年有 " 及’現今相關業者對含錄、銀、鐵、#、金等配位氰廢水
第7頁 200300131 五、發明說明(3) 處理法’全然不知加以應用。 本,明者經連串試驗結果,得出如明細書所記載,可 含鐵氰基配位化合物廢液無毒化。 本發明者就此發明無法普及之原因,做出以下推斷: 1.特開昭50- 1 18 96 2號,因係需處於氧化劑過剩條件下, 方得以行氧化分解處理之過剩氯處理法,導致反應結 月讀、作為氣化物無毒化處理實欠缺可靠性。 2:過剩之-次氯酸鹽於80。(;以上溫度下即行自 樂品使用量過大。 肝 ¥致 ❿ 【發明開示】 液等氰基 氯法(特 者就含有 維持於80 需定量藥 ’特徵係 原型化合 點範圍内 檢測上述 鹽入廢 〇 依序說明 本發明者就鹽浴氮化處理之洗淨廢液、電鍍廢 廢液無毒化,解決設備成本低廉之加熱型鹼金屬 開昭50 -1 1 89 62)所存有之問題。特別是,本發明 ,、銀、鐵、鈷等安定氰基配位化合物之廢液, C以上溫度範圍内以氧化分解氯之方法,得出不 注過剩氯,而改以0RP計行藥注控制。 其結果,本發明者提出一種氰基廢液處理方法 ,3有游離氰、配位氰、鹼性水溶液具揮發性還 物1種一上之^廢液,於鹼性條件下加溫至室溫〜沸 之80 C以上间溫域温度範圍後行保溫,於室羞下 二液之氧化還原電位,I連續或斷續添加次氯酸 、之’直至能檢測出次氯酸鹽之氧化還原電位為止 以下主要以鹽浴氮化處理廢液無害化處理為例,
第8頁 200300131 五、發明說明(4) 本發明。 (1)反應式 (2 )氧化還原電位 (3) 反應溫度依存性 (4) pH範圍 (5 )氧化還原電位與溫度檢測 > (6 )二階段法 (7 ) —階段法 (8 )次氯酸鈉理論量 (9 )廢水規定值
(1〇)固體廢棄物無害化 (11 )有價金屬氰基配位化合物之分解 (1 2 )發明實施最佳型態 (a )貫施例1 (二階段法;鹽浴氮化處理線之洗淨廢液) (b) 實施例2(二階段法;鹽浴氮化處理線之洗淨廢液) (c) 實施例3 (二階段法;除滓淤渣) (d) 實施例4 (二階段法;電鍍廢液) (e) 對照例1 (習知方式-過剩氮處理法) (f )對照例2 (同上)
(g) 對照例3 (同上) (h) =施例5( 一階段法;鹽浴氣化處理線之洗y淨廢液) 1)貫施例6 ( —階段法;除滓淤渣) 鸯例7、8、9 ( 一階段法;電鍍廢液、電鍍廢液與擴 欣岑氮廢液之混合廢液、低濃度廢液) ’、
第9頁 200300131 五、發明說明(5) 0〇對照例4、5 、6 ί +备“ w %丄丄 邱理~曰, 人氣馱鈉添加法··加溫後直接投入全 口Ρ理論$,加溫前投入+ 八旦 η λ ^ ^ . Μ Λ . 仅八王口^里觸里,投入兩倍理論量) (1 ) μ施例1 0 (銅電鍍廢液處理) («0實施例11(陳化aging) (1 3 )產業上利用之可能性 〈反應式〉 為主:5化Ϊ理,以加熱至580 °c前後之氰酸鹼與碳酸驗 面形成i化声Ξ ί:材浸潰至炼融鹽浴中’於鐵系部材表 時it!t硬化法。鐵系部材浸潰於上述鹽浴中 :鋼表面之觸媒作用而依照下述反應分 氮係於鋼中進行固體内擴散氮化。 5NaCN0 ->3NaCN + Na2C03 + C02 + 2N......(3) 隨(3)式反應同時生成之氰化物即積存於鹽浴中。 以鹽浴所處理鐵系部材表面上附著之鹽,次 ^ ^ ^ ^ . T 守所得洗淨廢液,除含先前 、碳酸驗外,尚有氰化物(游離氰)、氰 反應所,生成之亞鐵氰化物(配位氰)、尚有經 氰鲛孤(4)式加水分解反應所分解生。
NaCN0+2H20-^C0 2 + NH3 + Na0H.........(4) ^ 刀 人=水溶液中配位氰藉氣進行氧化分解,<使用之氣化 、漂㈣、次氣酸鹽蘇打溶液。氯氣係有 nur =。“粉係粉狀難以操作,且易 產生μ鈣垢’就廢水處理多所限制。就安…操作性
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五、發明說明(6) 考量,以使用次氣酸鹽蘇打溶液為理想。 就鹽浴氮化所排放之洗淨廢液,推斷次氯酸鹽可產生以 下反應。 1 ·氰化物之氰酸鹽氧化
NaCN + NaClO-^NaCNO + NaCl ...............(5) 2·從(5)式所生氰酸鹽之分解 、 2NaCN0 + 3NaC10 + H20 ~>2C02 + N2 + 2Na0H + 3NaCl ......(6 ) 2’· (4)式未反應氰酸鹽之分解 2NaCN0 + 3NaC10 + H2 0 -^2C02 + N2 + 2Na0H + 3NaCl .........(6,) 3·亞鐵氰化物至鐵氰化物之氧化 2Na2Fe(CN)6+Na0Cl+H20 ->2Na3Fe(CN)6 + 2Na0H+NaC 1 ...... (7) 4·鐵氰化物至氰酸鹽之分解
Na3Fe(CN)6 + 6NaOCL + 3NaOH —Fe(0H)3 + 6NaCNP + 6NaCl …… (8) 5·從(8)式所生氰酸鹽之分解 2NaCN0 + 3NaCl〇 + H2 0 -^2C02 + N2 + 2Na0H + 3NaCl ............... (6,,) 6.氨之分解 2NH3 + 3NaC10 -^N2 + 3NaCl +3H20..................·〆·................ (9) 〈氧化還原電位〉
第11頁 200300131 五、發明說明(7) 本發明者為求0 R P計之藥注控制基礎資料,遂測定上述 (5)〜(9)式反應之氧化還原電位曲線。調製、NacN〇、
Na4Fe(CN)6、(NH4)2S04 之單獨溶液,pi{係ιι·5、液溫保 持8 0 C ’逐次滴入次氣酸鈉溶液,測得各氧化還原電位曲 線。如第1圖所示’其變曲點表示於第1表。(測定電極係 使用白金電極’照合電極係使用A g / A g C1電極) 第1表
藥劑 第1變曲點 第2變曲點 第3變曲點 NaCN 0 〜400mV 550〜700Mv NaCNO 600〜740mV Na4[Fe(CN)6] 0 〜220mV 25(M50mV 550~600mV —(NH4)2S〇4 300~600mV
NaCN第1變曲點(0〜400mV)係(5)式氰化物氧化為氰酸鹽反 應之終點。另’該反應所生成乳酸鹽無害。
NaCN第2變曲點(550〜700 mV)係(6)式氰酸鹽分解為碳酸氣 體及氮反應之終點。
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NaCNO第1變I點(6 00〜740inV)係⑷式,亦即與Na(:Nw變 曲點相同分解為碳酸氣體與氮反應之終點,反應終了後次 氯酸鹽略為過剩,表示於氧化還原電位上。
Na4[Fe(CN)6]第1變曲點(0〜220mV)係(7)式亞鐵氰化物氧 化為鐵氰化物反應之終點,反應終了後次氯酸鹽略為過 剩,表示於氧化還原電位上。 ’
Na4[Fe(CN)6]第3變曲點(25 0〜45 0mV)係(8)式鐵氰化物八 解為氰酸-鹽與氫氧第二鐵反應之終點。 鐵鼠化物刀
Na4[Fe(CN)6]第 3 變曲點( 55 0 〜60 0mV)係(6)式,即與 NaCN 第2變曲點及NaCNO第1變曲點相同,氰酸鹽分解為碳酸氣 體與氮反應之終點。 (NH4)2S04第1變曲點(3〇〇〜400mV)係(9)式,氨氧化分解為 氮反應之終點。 〈反應溫度依存性〉 以下就實際廢液依假定調製混合NaCN、NaCNO、Na4Fe(CN) 6、(NH4)2S04各試劑之溶液,PH係11·5、液溫保持於85 C ’逐次滴入次氯酸納溶液,測得各氧化還原電位曲線。 其結果如第2圖所示。 可發現以下3變曲點:
1·0〜200mV 2·300〜420mV " 3·570〜650mV 各變曲點對應以下反應。 變曲點1 ·亞鐵氰化物氧化為鐵氰化物,與氰化物氧化為
第13頁 200300131 五、發明說明(9) 氨之分解。 氰酸鹽之分解。 2表,對(5 )〜(9 )之反應溫度依存性做出以下考 氰酸鹽 變曲點2. 變曲點3. 按照第1 察。 (5 )式反應易於室溫下進行。 、 (6) 式反應係屬鹼側,於室溫下反應極慢,亦即氰化物最 普遍無毒北法之鹼金屬氯法,係於pH>1〇狀態下進行(1)、 (5)式反應後,調整pH至7〜8後再行(2)、(6)"式
因此亦稱驗金屬氯2段法。PH>10狀態下,提二 以上)即進行反應。 反mu L (7) 式反應易於室溫下進行。 (8) 式反應於室溫下完全無法發生,8(rc以上才進行反 應。 式反應於鹼性室溫下解離次氯酸、且效率低下, 6 0 C以上則易於進行。 · ; 如上(5 )式易於室溫下進行,違反本發明者所具知 ίΐίΐίί!氯法之特開昭50-1 1 8962號公報提及,由 &貝右下欄弟卜8仃)。本發明去湓切 亞鐵氰化物氧化為携备几从η士合客a y ,a者雖確為 馬鐵乱化物日年曰產生低溫,為转關077 2行)。 添加(公報第272頁右上攔第20行-左下攔第 200300131 五、發明說明(ίο) < pH範圍〉 以次氯酸蘇打分解含配位氰廢水時,廢水之pH值必須維持 於鹼性。若廢水處於酸性狀態下,次氯酸蘇打即行分解, 有產生氣氣之虞。 含配位氰廢水大多含有游離氰,為避'免含游離氰水溶液產 生有毒HCN(氰基氣體),必須維持其為驗性(pjj8〜1 4為理 想,或pH9〜14亦可)。 基於以上理由,經本發明處理之原水務必保持鹼性。
鹽洛氮化處理洗淨廢水中之配位氰分解完畢時,自個別反 應之氧化還原電位測定,氰酸完全分解、顯示出次氯酸鹽 存在之電位(550〜740mV)。 到達此電位時,即停止藥注次氣酸蘇打,藉〇Rp計以控制 藥注。 此反應氧化還原電位曲線係受pH值影響,自pjjg] 3 · 5範圍 内顯示出明顯變曲點。未滿ρΗ9時電位震盪不安定,超過 1 3· 5則電位缺乏變化,變曲點不明顯難以控制藥注。 因此處理廢水時應維持在ρΗ9〜13· 5範圍内為宜。
〈氧化還原電位與溫度檢測〉 本,月基於以上觀察’於低溫中進行(5)式之〆反應—氰化物 之氛酸鹽氧化;反應終了氧化還原電位=約250mV-、(7)式 之反應-亞鐵氛化物之鐵氰化物氧化;反應終了氧化還原 電位=約200idV—、c戌卜 及C 9 )式之反應—氨之分解;反應終了氧
第15頁 200300131 五、發明說明(π) 化還原電位=約400mV-於未滿8(rc :匕;預先於低溫環境下將具蒸散可能之氨:游進離^ 即可防止加熱至高溫之鹼性 ^ 離氘分解, 氰基氣體。上述低溫環境;m未反應即蒸散為氨及 個或2個以上作為設定電位數氧化還原電幻 添加次氣酸鹽’檢測出氧化、:疋電位低於设定電位時 之添加。 乳化遇原電位後即可控制次氣酸鹽 再者’於南溫以外進行遲緩 鹽之分解;反應終了氧化還二f進行之⑷式反應-氰酸 〇nnfnlr ^ J, ^ 久應終了乳化逛原電位二約 Ϊ帶另為求 約8。。·於低溫:二二應:了氧化還原電位 化ΪΪ:氯酸鹽,藉以抑制自我分解。 IS中;ί =氧化還原電位多為,〇〜+ 1_。 廢液之氧& ^ ^ ^ μ及保持於高溫過程以檢測出被處理 =氧:還=位.,i至檢測出次氯酸鹽之氧化還原電 俊,逐停止添加次氯酸鹽。 错上述測定電極與照合雷纟 > 位,雖多屬驗性60 0:700fflV\但、3皮之/^酸5氧化還原電 多或少有些許差昱’以進r麻一^處理廢液種類不同或 為理相。# 每,、 進仃苽液處理前於實驗室實際測量 i;氧u:上隨添加次氯酸鹽及加熱、持續保持高 右乳化运原電位達上述600〜700mv範圍内,即可檢測 200300131 五、發明說明(12) -- 出次氣酸鹽之氧化還原電位。 另,保持高溫係指將廢液溫度維持於8 〇 1〜沸點範圍内, 具體而言以9 5 °C維持1小時。 〈二階段法〉 本發明中,可於80。(:以下即實質結束父低溫階段,行 (5) 、(7)、(9)式之反應,之後將液溫加熱至8〇它以上行 (6) 、(8)式之反應,此即二階段法。藉此方法可於低溫階 段分解氨。 加熱型驗金屬氯法中,其分解反應槽上方係開放型,本發 明即使未滿8 0 °C亦會產生反應,因此未分解氨有蒸散可能 性,必須具備使氣體無法外漏出反應槽之構造。 本發明二階段法中,首先於低溫模式下輸入設定溫度與設 定電位,將反應槽中洗淨廢液自室溫加熱至設定溫度了 首先將氧化還原電位設定值,設定為(5 )、( 7 )、( 9 )式低 溫反應中變曲點電位最高之(9 )式氨分解反應電位(一般約 為40 0mV,隨廢液不同亦不此限,須事先確認)。(5)式反 應於室溫下進行,(9,)之反應於室溫下遲缓,但伴隨溫度 上升而逐步加快,分解處理時間亦隨之縮短,從防止有&害 氣體蒸散之觀點來看,次氯酸鹽之注入,宜從室溫開始^ 理想。 〆 σ' 隨低溫域反應進行,測定電位安定地到達設定電位同時, 即自低溫域切換至高溫域模式,亦即將設定溫度變更為高 溫域值,同時設定電位亦換為高溫域,亦即,設定為
200300131 五、發明說明(13) 彳式之高溫域反應中,變曲點電位較高之(6)式, 61二=反/結束後所出現之次氣酸鹽電位(-般約為 Λ /Λ不同亦不此限’須事先確認)。隨高溫域反 其結果淑電位到達設定電位時, 注 乳酸鹽。 人 〈一階段法〉 本發明中、亦可將(5)、(7)、(9)式及(6)、( J室溫加熱至8 0。。以上、沸點以下之高溫:
度以逐步進行。 仪丨卞竹々/JEL 第么4圖係一階段法實施樣態,第3圖橫軸係處理時間 (刀)。、縱軸(左側)係氧化還原電位(mV)、縱軸(右側)係㈤ =(C)。第4圖之橫軸係處理時間(分)、縱 1 之:度(mg/L)、縱軸(右側)係ρΗ值。次丄 之添加,以總計理論值之h 〇5倍連續添加。 鼠 l CN(總氰化物)之分解··隨加熱至6〇它,顯示 ::之反應式(5)。之後將CN維持,度達1〇~25::1。 ^者,25分鐘以後行處理,隨鐵氰化鐵之分解,再度減 2赴NH3 :5分,至45分之間,將溫度自45。。以下加熱 *' ,隨之持續減少。此與反應式(9)相當。〆 ‘ ^亞鐵氯化鐵至鐵氰化鐵之氧化反應:此反應與 虽,且隨Fe濃度變化即不發生。 )式相 4.鐵氰化鐵之分解反應:此反應與(8)式相當,於Μ分鐘 第18頁 200300131
五、發明說明(14) 以後之處理期間内進行,且Fe濃度隨之變化。 5·氧化還原電位(〇rp)之變化··氧化還原變化逐步上 50 ^鐘以後即達一定值。本實驗中預先求得次氯^酸鹽之氧 化還原電位(6 7 0 m V ),持續添加次氯酸鹽到5 〇分鐘為止。 另一辦法,係於5 0〜6 0分鐘時確認氧化還原電位為二定 值,60分鐘時即停止添加次氯酸鹽亦♦。此時,5〇〜61分 鐘内所添加之次氯酸鹽,於(9 )式中過剩。 刀 6·廢液顏~色變化:經過丨〇分鐘後顏色即開始染為褐色,經 20分鐘後產生紅褐色沉澱物。之後經紅色、褐色、黃色後 於50分鐘時完全脫色,呈透明狀。 、 7· pH值變化:大略與氧化還原電位之變化相對應,自1 〇. 5 開始降低,至9 · 5固定。 8 · /m度·從室溫開始至約9 5它為止4 〇分鐘内加溫,之後即 保持固定溫度。 〈次氣酸鈉理論量〉 氮、氰酸、氨、亞鐵氰離子等鹽浴氮化處理廢液主成 :分解所需之次氯酸鈉理論量,係如(5 )〜(9 )式第2表所 示。本發明中,例如6 0〜1 2 0分鐘處理時間範圍内,添加合 5十里約為理論量之1 · 〇卜1 · 〇 5倍,次氣酸鈉可自處理開始 至處理結束為止連續或斷續添加。 /
第19頁 200300131 五、發明說明(15) 第2表 物質 NaCIO使用量涯論量)— 游離氰 7.16g/CN(lg) — CNCT 2.66g/CNO - (lg)— nh3 7.98g/N(lg) —' Fe(CN), 7.40g/CN(lg) —^ 〈廢水規定值〉 關於廢水基準,總氰化物之規制值因國家而異。歐美各國 及曰本多規定於lppm以下,亞洲地區中國則為〇· 5ppm以 下、泰國為〇· 2ppm以下、印尼為〇· 04ppm以下。 從上述狀況推斷,亞洲地區實施之理想情況,杏 拳系 至少須保證〇· ippm之廢水方法。 ·田 〜、 以下就實施例說明本發明。 〈固體廢棄物無害化〉 鹽浴^化處理所行之洗淨廢水,處理過程於鹽浴中所增加 ^不=性鐵化合物渣潰須定期清理,含氰化物之固體廢棄 、亦隨之,生。此固體廢棄物(以下稱「除滓淤渣」)通常 ^ π官理產業廢棄物而外包處理,係屬達成不排放有 二目標之一大障礙。除滓淤渣因從鹽浴而^生,鹽浴成分 佔大半且屬水溶性。 t =明者、’將除滓游湩經洗淨廢水後溶解分散,藉本發明 方法達到無毒化,可使鹽浴氮化處理工廠排放特定管
第20頁 200300131
五、發明說明(16) 理廢棄物完全達零。 / 〈有價金屬氰基配位化合物之分解〉 現行Au、Ag、Cu、Zn等有價金屬可藉氰鍍浴加以電鍍。此 任一氰配位化合物如第3表所示,其CN解離定數較鐵氰基 配位化合物要高,因此可於鹼性狀態高溫下經NaCl 0分解 CN °
第3表 化學式 配位離子 解離定數 Na2ZN(CN)4 Zn(CN)42· ι.3χΐσ17 Na2Cd(CN)4 Cd(CN)42· L4xl0'19 Na3Ag(CN)4 Ag(CN)43_ 2.ΐχΐσ21 Na2Ni(CN)4 Ni(CN)43* ι·〇χΐ(Γ22 Na3Cu(CN)4 Cu(CN)43' 5.0xl〇·28 Na2Au(CN)4 Au(CN)43· 5·0χ1(Γ39 K4Fe(CN)6 Fe(CN)64· 1·3χ1(Γ35 K4Fe(CN)6 Fe(CN)63' 1.3x1ο-42
第21頁 200300131 五、發明說明(17) 將含有價金屬氰基係電鍍廢液置於鹼性高溫中,添加欠氯 酸鈉,進行如(10)〜(21)式之反應。 1. Ag氰基配位化合物
Na3Ag(CN)4+4NaC10->AgCl+4NaCN0+3NaCl ..................... (10) > 2NaCN0 + 3NaC10 + H2 0 ->2NaHC03 + N2 + 3NaCl ..................... (ID ^ (10)+(11)式
Na3Ag(CN)4+10NaC10 + 2H20 —
AgCl+4NaHC0 3 + 2N2 + 4Na0H + 9NaCl ……(12) 2. 1價金屬離子氰基配位化合物 Na3Me(CN)4+4NaC10+Na0H->
Me(0H)+4NaCN0 + 4NaCl .....................(13) 2NaCN0 + 3NaC10 + H20-> 2NaHC03 + N2 + 3NaCl ................................. (14) (13)+(14)式
Na3Me(CN)4+10NaC10 + NaOH + 2H20 Me(OH)+4NaHCO3 + 2N2 + 10NaCl …(15) 2Me(0H)—
Me20+H20 ................................... …(16) 3. 2價金屬離子氰基配位化合物
Na2Me(CN)4 + 4NaC10 + 2Na0H —
200300131 五、發明說明(18) /
Me(0H)2 + 4NaCN0 + 4NaCl.....................(17) 2NaCN0 + 3NaC10 + H20 — ...... . .. . ............................................(18) (17)+(18)式
Na2Me(CN)4+10NaC10+2H20+2NaOH->
Me(0H)2 + 4NaHC03 + 2N2 + lONaCl …(19),
Me(0H)2 —
Me0+H20 ....................................................... ......(20) 4 ·金之氰基配位化合物 Na3Au(CN)4 + 4NaC10 —
NaAuC12 + 4NaCN0 + 2NaCl .................................(21) 4NaCN0+6NaC10+2H20-^ (22) 2N2+4C02+4Na0H+6NaCl .......
Na3Au(CN)4+10NaC10 + 2H20 —
NaAuCl2 + 2N2 + 4NaHC03 + 8NaCl ...............(23) 本發明因與氧化劑共存,因此未將金作為氫氧化物、氧化 物以沉殿析出’而以,氯金酸型態存於處理液中。對此,銀 等其他重金屬多以不溶性之氯化銀、氧化金屬型態存在, 只有金能單獨脫離。 反應式一般與鹼金屬氣法相同,氰基形成氰4之第1氧化 -(10)、(13)、(17)、(21)式-及氰酸形成氮氣與碳酸鹽之 第2氧化-(11)、(14)、(18)、(23)式_。此類反應多於高 溫環境下連續產生。
第23頁 200300131 五、發明說明(19) (10)〜(12)式係顯示竑氰基配位化合物如上述反應,沉澱 析出AgCl。各!價金屬與2價金屬如(16)及(2〇)式所示,因 在高溫下與氧化劑共存,因此各自形成金屬氧化物。 (12)、(15)式及(19)式中4摩爾CN對10摩爾NaCIO反應因此 需要 lgCN 對 7.16g 之 NaC1()。 以下就實施例說明本發明。 > 【實施發明最佳型態】 利用第5圖流程圖所千夕骷 ^ ^ ψ . . ^ ^ & 口所不之裝置,將自鹽浴氮化處理線所排 士净廢液,!本發明之一階段法與二階段法加以處理。 ,糸原廢液儲存槽,2係藥劑槽(次氯酸 熱,亦可視裝設地本7以加 置。8係授拌機、氣:具效率之加熱裝 -Λ , , , 〇 , 係將產生氨氣回收至洗滌器之導瞢, 、、係分別測定 1 4、1 6〜1 8係运液暂、、占 ^ ^ ^ 槽4係密閉構造。幫浦18以定量幫浦為理想。反應 貫施例1 / 利用如第5圖流程(si 出之洗淨廢液經本圖/明示,裝置,二鹽/氣化一 果如第4表所示。明之二階段法處理。洗淨廢液分析結
第24頁 200300131 五、發明說明(20) 將上述廢液1 m3注入第5圖之反應槽4 ,溫度設定 電位設定為35〇mV後開始處理。開始時液溫與氧化^雪 位(0RP)分別為25 °C與-71mV。 定原電 測定電位低於設定電位時,自藥劑槽2將次氯酸 液,經10L/分鐘之定量幫浦18斷續注入反應槽4。 水办 開始25分鐘後液溫到達設定溫度之79七。氧化還 (0RP)於開始30分鐘後到達設定電位。 、電位 測定電位Μ到設定電位時,為進入高溫模式,即將溫产嗖 定改為95°C、電位設定改為600mV。藉定量幫浦18斷皿續又添又 加-人氟酸納1 0 %水溶液。開始後9 5分鐘,氧化還原電位 (0RP)達600mV。為等待稍微過剩之次氯酸鈉分解,停止加 熱,行25分鐘攪拌。後藉幫浦16送往中和槽5,自藥7劑槽3 將10%硫酸注入中和槽5,使pH值呈8·5,為求分换 t層澄淨液。實驗結果狀第4表。 ^取其 分析結果,按上述方法處理之液體,總氰化物未達 〇· 1 mg/L ’亦無檢測出氨態氮。次氯酸鈉之注入量,照廢 液分析值計算係為理論值之1. 〇3倍。 實施例2 利用如第5圖流程圖所示之裝置,將鹽浴氮化處理線所排 出之洗淨廢液經本發明之二階段法處理。洗參廢液分析結 果如第4表所示。 將上述廢液1 m3注入第5圖之反應槽4,溫度設定為75 t, 電位設定為40OmV後開始處理。開始時液溫與氧化還原電
200300131 五、發明說明(21) / 位(0RP)分別為24 °C與-65mV。 測定電位低於設定電位時,自藥劑槽2將次氯酸鈉丨〇%水溶 液’經10L/分鐘之定量幫浦18斷續注入反應槽4。 開始23分鐘後液溫到達設定溫度75它。氧化還原電位 (0 R P )於開始3 5分鐘後到達設定電位。 測定電位到達設定電位時,為進入高溫模式,將溫度設定 改為95 t:、電位設定改為60 0mV。開始後1〇〇分鐘,氧化還 原電位(0RP)達6 00mV。為等待稍微過剩之次氯酸鈉分解, =止加熱,行20分鐘攪拌。後藉幫浦16送往中和槽5,自 藥劑槽3將10%硫酸注入中和槽5,使H值呈8 採取其上層潑淨液。實驗結果列於第3表。.5為求刀析 刀析結果,按上述方法處理之液體,總氰化物未達 O.lmg/L,亦無檢測出氨態氮。次氣酸鈉之注入量,昭廢 液分析值計算係為理論值之1· 〇5倍。 ." 實施例3 鹽/合氮化冷所產生之除滓廢渣5〇kg,以鹽浴氮化處理洗 工程之廢液溶解成lm3廢液,經本發明之二階段法處 。該液體分析結果如第4表所示 =上述廢液1 m3注入第5圖之反應槽4,溫度設定為7〇 電位設定為33〇mV後開始處理。開始時液溫與/氧化還 位(0RP)分別為25 °C與-52mV。 電
°C 原
第26頁 200300131 五、發明說明(22) 開始20分鐘後液溫到達設走溫度之7 0 °C。測定電位達到設 定電位時,為進入高溫模式,即將溫度設定改為8 5 °C、電 位設定改為6 50mV。開始後93分鐘,氧化還原電位(0RP)達 6 5 0 m V。為等待務微過剩之次氯酸納之分解,停止加熱, 行7分鐘攪拌。後藉幫浦1 6送往中和槽5,自藥劑槽3將1 0% 硫酸注入中和槽5,使pH值呈7. 7,為求分析採取其上層澄 淨液。實驗結果列於第4表。 分析結果4按上述方法處理之液體,總氰化物未達檢測標 準,亦無檢測出氨態氮。次氯酸納之注入量,照廢液分析 值計算係為理論值之1.05倍。
第4表 項目 實施例1 實施例2 實施例3 PH 11.4 11.0 11.1 游離氰 (mg/L) 2200 500 250 處 總氰化物 (mg/L) 3250 1200 880 理 、,一 氰酸 (mg/L) 3200 3000 3320 ‘ 1J 氨態氮 (mg/L) 1380 290 300 總氮 (mg/L) 1860 500 650 低溫域設定溫度 CO 79 75 70 處 理 高溫域設定溫度 (°C) 95 95 85 低溫域設定電位 (mV) 350 400 — 330 1 高溫域設定電位 (mV) 600 600 650 件 次氯酸注入量(理論量比) 1.03 1.05 1.05 處理時間 (分鐘) 120 120 120
第27頁 200300131 五、發明說明(23) PH 處 總氰化物 理 (mg/L) 後 氨態氮_ (mg/L) 總氮 (mg/L) 8.4 <0.1 未檢出 200 7.7 未檢出 未檢出 0 實施例4 將電錢工廠所排放之氰化銀電, 、 法進行無害化處理。將第5表所又示成分以:上明之二階段 入第5圖之反應槽4,溫度設定為79χ:,弘鑛^液 ΐ f-H理開始#液溫與氧化還原電位(0RP) 注
電位設定為250mV 〇C 與-92mV 〇 ” 分別為23 測定電位低於設定電位時,自藥劑样〆 液,經10L/分鐘之定量幫浦18斷續^入^^納10%水溶 開始26分鐘後液溫到達設定溫度之汉,钇4/ 開始後30分鐘達到設定電位。 。虱化還原電位於 二電位時’為進入高溫模式,…度設 :ifU 定改為66〇mV。藉定量伽8連續添 加么氣馱鈉1(U水溶液。開始後95分 (〇RP)達_mV °為等待務微過剩之:欠氣酸鈉分解加 熱,行25分鐘攪拌。後將10%硫酸注入中和槽5,使pH值呈 200300131 五、發明說明(24) 8· 0,為求分析採取其上層渣淨液。實驗結果列於第5表。 分析結果,按上述方法處理之液體,總氰化物未滿 0· 1 mg/L,亦無檢測出氨態氮。次氣酸鈉之注入量,照廢 液分析值計算係為理論值之1. 0 2倍。 第5表 項目 處 理 刖 ΡΗ 總氰化物 銀 總氮 (mg/L) (mg/L) (mg/L) 處 理 條 件 低溫域設定離 高溫域設定雛 β域設定電位 局溫域設定電位 次氯酸注入量 處理時間 (C) (°C) (mV) (mV) (理論量比) (分鐘) 處理後 PH 總氨基 銀 氨態氮 (mg/L) (mg/L) (mg/L) ,實施例4 12.5 10600 4900 550 79 95 250 * 660 1.02 ___120 8.0 <0.1 0.5 未檢出 對照例1 對照例係習知鹽浴氮化處理線排出洗淨廢液之處理方法, 亦即按上述「公害防止技術與法規」所稱過剩氮處理法 (一開始即以較理論值為多之氧化劑定量藥注方法)加以處 理。 於10升之不銹鋼燒杯中注入實施例1所用之同批廢液5L, 以攪拌機攪拌,投入分析值計算必要量1 · 〇 5倍之次氣酸納 水溶液(10%溶液)。開始加熱2〇分鐘後達所定溫度9〇〇c。
第29頁
200300131 五、發明說明(25) 後行100分鐘之氧化分解(反應時間12〇分鐘)。 氧化分解處理結束後,為求分析採取其上層澄淨液。處理 液分析結果列於第6表。 分析結果,按上述方法處理液體之總氰化物為2 6· 〇mg/L, 超過廢水規制值所規定之lmg/L。雖未檢出氨態氮,但從 處理過程中所散發之氨臭味,可知有一部份已蒸發至大氣 中〇 對照例2 於10升之不銹鋼燒杯中注入實施所用之同批廢液5L, 以攪拌機攪拌,投入分析值計算必要量15倍之次氣酸鈉 。水溶液U0%溶液)^後開始加熱,2〇分鐘後達所定溫度9〇 C。後行1 0 〇分·鐘之氧化分解。 氧化分解處理結束後,為求分析採取其 液分析結果列於第6表。 平成處理 二析結果,按上述方法處理液體之總氰化物 ,過廢水規制值所規定之lmg/Le雖未檢出 J理過程中所散發之氨臭味’可知有一部份已;氮發至= 對照例3 , *蠓 於10升之不錄鋼燒杯中注入實施例1所用之 以授拌機授拌,投入分析值計算 ^廢液5L, 水溶液⑽溶液)。後開始加熱,2〇分㈣氣酸納 刀里傻建所定溫度90 第30頁 200300131 五、發明說明(26) t:。後行100分鐘之氧化分解(反應時間120分鐘)。 氧化分解處理結束後,為求分析採取其上層澄淨液。處理 液分析結果列於第6表。 分析結果,按上述方法處理液體之總氰化物為0. lmg/L, 低於廢水規制值所規定之1 m g / L。雖未檢出氨態氮,但從 處理過程中所散發之氨臭味,可知有二部份已蒸發至大氣 中 〇 但,投入計算值2倍量之次氣酸納方法,與本發明相較 下,除不經濟外,且若直接排水,氮之殺菌作用對自然生 態亦有不良影響。 第6表 項目 對照例1 對照例2 對照例3 pH 11.4 11.4 11.4 游離氰 (mg/L) 2200 2200 2200 處 Iffl 總氰化物 (mg/L) 3250 3250 3250 哩 Λ 刖 氰酸 (mg/L) 3200 3200 3200 氣態氣 (mg/L) 1380 1380 1380 總氮 (mg/L) 1860 1860 1860 處 溫度 fc) 90 90 90 理 處理時間 (分鐘) 120 120 120 11木 件 次氯酸注入量(理論量比) 1.05 1.50 2.0 L PH 9.7 9.5 r 9.5 處 總氰化物 (mg/L) 26.0 3.0 <0.1 後 氨態氮 (mg/L) 未檢出 未檢出 未檢出 總氮 (mg/L) 450 280 250 第31頁 1^·! 200300131 五、發明說明(27) 實施例5 本貫施例’係將鹽浴氮化之軟滲氮處理之鐵類零件水洗水 (以下稱「軟滲氮洗淨水」)(pH丨〇 · 4 ),以本發明之一階段 法處理。此水洗水含游離氰7〇〇mg/L、總氰化物 1160mg/L、氰酸99 0mg/L、N-NH3470mg/L、總N5 20mg/L。 總氰化物與游離氰相差之氰化合物大多以氰亞鐵配位化合 物型態存查。將此廢液lm3注入反應槽5,以丨· 5它/分速度 加熱’同時將1 2%次氯酸鈉溶液以1 〇 〇kg/h速度投入直至 0RP電位達到640 mV (約1 · 2小時)。約4 5分鐘後溫度到達9 5 C時即行保溫。後與實施例1相同行攪拌25分鐘,擷取上 層澄淨液,得到處理水。處理後液量為丨·丨m3。其結果列 於第7表。 實施例6 將鹽浴氮化時所產生之廢渣(游離⑶約5 %、氰酸約3 〇 % )以 軟滲氮洗淨水溶解成1 〇 %溶液,以本發明一階段法處理。 此被處理液中含總CN880mg/L(大多為游離CN)、氰酸 CN03320mg/L、N-NH3300 mg/L。將此廢液im3 注入反應槽 5 ’以1.5 °C/分速度加熱,同時將丨2%次氯酸鈉溶液以 100kg/h速度投入,約ι·5小時後〇Rp電位達到w〇mv,停止 送液幫浦2。後3 〇分鐘將溫度保持於8 5 °c並蒋續攪拌。後 與實施例1相同操作,得到處理水。處理後之液量為 1· 12m3。其結果列於第7表。
200300131 五、發明說明(28) 第7表 實施例1 實施例5 ,, 實施例6 實施例7 被處理液pH 11.4 10.1 10.4 11.1 被處理液游離CN濃度(mg/L) 2200 3600 700 - 總CN濃度(mg/L) 3250 4810 1160 880 CNO 濃度(mg/L) 3200 6900 990 3320 N-NH3 濃度(mg/L) 1380 3100 470 300 總N濃度(mg/L) 1860 3650 520 - 處職m3) 1 1 1 1 處理溫度 RT->95〇C RT-^95〇C RT-^95〇C RT—95〇C ORP控制 640mV 640mV 640mV 640mV 藥劑添加速度(kg/小時) 300 500 100 100 NaClO添加量(對理論比) 1.03 1.03 1.05 1.05 處理時間(不含固液分離工程) 120分 120分 120分 120分 處理後pH 8.4 8.4 7.8 7.7 處理後總CN濃度(mg/L) <0.1 <0.1 ND ND 處理後N-NH3濃度(mg/L) ND ND ND ND 處理後總N濃度(mg/L) 200 280 40 - 處理後Fe濃度(mg/L) 0.2 0.5 <0.1 - 處理後Cr濃度(mg/L) 0.02 0.05 - - 處理後Ni濃度(mg/L) 0.01 0.01 - - ΙΙΒΙΙ 第33頁 200300131 五、發明說明(29) / 實施例7、8、9 含有石酸鉀鈉之氰化銅電鍍廢液,同樣藉本發明方法進行 無毒化處理結果如實施例7所示。實施例8之調整廢液係氰 化銅電鍍廢液與實施例1之擴散滲氮廢液混合液案例,全 如第8表所示以達成氰基無毒化。特別是即使混入有機物 亦無法對無毒化產生影響。 實施例9缚用低濃度氰基,取上述擴散滲氮廢液1 0倍稀釋 液,行相同無毒化處理之例。得到低濃度鐵氰配位化合氰 分解之滿意結果。
上述實施例7、8、9之固液分離係凝集沉澱法。
實施例7 實施例8 實施例9 賊理液pH 12.5 11.6 10.6 被處理液游離CN濃度(mg/L) - - - 總CN濃度(mg/L) 10700 5760 410 CNO 濃度(mg/L) - - - Ν·ΝΗ3 濃度(mg/L) 350 650 120 總N濃度(mg/L) 550 770 150 處理量(m3) 1 1 1 處理溫度 RT 一 95〇C RT—95〇C RT^95〇C ORP控制 660mV 630mV 600mV 藥劑添加速度(L/小時) 500 300 50 NaCIO投入量(對理論比) 1.02 1.05 ^ 1.04 處理時間(不含固液分離工程) 120分 120分 100分 處理後pH 8.0 8.2 7.8 處理後總CN濃度(mg/L) <0.1 <0.1 ND 處理後N-NH3濃度(mg/L) ND ND ND 處理後總N濃度(mg/L) 180 160 15 第34頁 200300131 五、發明說明(30) 對照例4、5、6 / 對照例,係有加熱次氣酸鈉溶液後即於初期投入最大理論 量之對照例4 ;以及加熱前投入最大理論量、後將溫度升 高至9 0 °C之對照例5 ;以及於90 °C下持續加入次氣酸鈉溶 液直至檢測不出CN為止之對照例6。反應時間皆為加熱至 9 0 °C後1 2 0分鐘。但因於開放反應槽内》進行,特別是對照 例2、3會於加熱時散發氨臭味,此氨非於反應中加以處 理,而係於反應槽内行氨剝離,對作業環境具不良影響\ 且會散發氨氣至空氣中。
對照例4、5之目標廢水規制值不能清除總CN1 mg/L,且處 理後可自ORP確認有次氯酸鈉殘留。對照例6中,若不投入 近2倍理論量之次氣酸納,.即無法處理。 第9表
對照例4 對照例5 對照例6 被處理液Ph 11.4 11.4 11.4 賊理液游離CN濃度(mg/L) 2200 2200 2200 總CN濃度(mg/L) 3250 3250 3250 CNO 濃度(mg/L) 3200 3200 3200 N-NH3 濃度(mg/L) 1380 1380 1380 總N濃度(mg/L) 1860 1860 1860 處理量(m3) 1 1 1 處理溫度 95〇C 95i〇C 95°C 10%NaC10投入量(對理論比) 1.05 1.05 1.9 處理時間(不含固液分離工程) 120分鐘 120分鐘 120分鐘 處理臟CN濃度(mg/L) 81.5 26.0 <0.1 處理纖N-NH3酿mg/L) tr ND ND 處理後總N濃度(mg/L) 620 450 250 第35頁 200300131 五、發明說明(31) 實施例1 0 將2 0 0L氰化銅電鍍液置入反應器,加熱至約95它,後以 40kg/h速度投入1 〇%次氯酸鈉溶液,同時測定⑽p電位。如 第6圖所示,0RP電位於5〇〇〜8〇〇mv變化。於事先求得該〇Rp 變化曲線之情況下,設定電位為600mv,將同一電鍍液以 同一條件連續添加次氯酸鈉溶液直至設定電位。後行3 〇分 鐘攪拌,靜置3小時後分析其上層澄淨液,如表2所示CN已 完全分解,析出黑色沉澱物。以XRD分析該析出物,判定 為Cu20 ’Cu之回收率達99.8%以上,且析出物中cu2〇比率 為 9 3 · 5 % 〇 實施例11 利用按照第5圖所示流程為基準之實驗裝置,將鹽浴氮化 處理線所排出之洗淨廢水,經本發明處理方法進行無毒化 處理。 鹽浴氮化處理線排出之洗淨廢水分析結果列於第10表中。 將此廢水100L放入附於攪拌機8之反應槽4,藉加熱器7自 室溫打40分鐘加熱至設定溫度95χ:。室溫(25。〇下之〇Rp 為2 8mV,伴隨加熱其電位亦降低,於設定溫度9 5 π時,顯 示一88mV °達設定溫度時,自儲存槽2藉定量/幫浦22開始注 入次氯酸蘇打(有效氯12%)。開始注入後,經5〜6分鐘達 0〜100mV第1變曲點,1〇〜12分鐘達3〇〇42〇mV第2變曲點, 40〜45分鐘達530〜5qnmV楚q枚.. 咬Dyumv第3變曲點,於600mv時電位上升結
200300131 五、發明說明(32) 束,即停止注入次氣酸蘇打。 維持於奶持續授拌,經i。分鐘:為t =樣=液溫 效果’進行採樣並停止加熱與攪里拌3。°刀鐘後為調查其陳化 堆匕赤褐色氧化鐵於渣後,將殘存液體移至中 u $中澱槽内之熱交換器將液溫冷卻之60 t:
以下,0RP電位降至25〇mV ^ 1 L 入#亞护舻茲,V /,、 自圖面未不之儲存槽内注 /L :夂沐打液(1〇%溶液),分解殘留氮後,法入儲存 分子凝集劍,作 再注入圖面未示之儲存槽高 ^ ^ Τ ^ τ止攪拌後形成絮凝體,清除底部淤渣後, 液體移至另—處理水儲存槽。分析處理水之總氛化 Η面夫輯持於規制值内以後,經圖面未示之過滤塔,以 圖面未不之放流槽結束處理過程。 實驗結果記載於第10表 0RP電位上升結束時,即停止注入次氣酸蘇打後,一定時 間内維持原溫度並持續攪拌以調查陳化效盆 化工程有極大助益。 八對隊 若二1!^化%,總氰化物係6· gppm,超過規制值1 ρ叩。陳化 10分鐘即成〇.9ppm,.30分鐘即低於檢測界限(〇 ippm)。 ^氣酸蘇打注入量雖低於理論量,但推測藉此可自室溫升 高至9 5 °C間,同時行氨之剝離。 反應槽底部所清出之淤漿,經乾燥爐乾燥,知得〇2g之淤 渣:依“、、了 IS K 0 1 0 2 / 3 8之總氨分析方法(但於蒸鶴之際所 力^鱗酸’因完全溶於淤渣,須另加上5〇ml或4〇1111之過剩 里)’其結果總氰化物未達檢測界限。 200300131 五、發明說明(33) 〆/ 據此結果判斷,隨本發明處理所產生之淤渣,可視作一般 產業廢棄物處理。 第10表 項目 實施例11-1 實施例11-2 實施例11-3 PH 11.4 11.4 11.4 游離氰(mg/L) 2200 2200 2200 處 理 總氰化—;mg/L) 3250 3250 3250 前 氰酸(mg/L) 3200 3200 3200 氨態氮(mg/L) 1380 1380 1380 雖·。C) 95 95 95 處 理 到達電位(mV) 600 600 600 麗 次氯酸蘇打注入量理論量比) 0.78 0.78 0.78 忏 陳化時間(分) 0 10 30 PH 10.2 10.2 10.2 處 理 總氰化物(mg/L) 6.8 0.9 <0.1 後 氨態氮(mg/L) <1 <1 <1
【產業上利用可能性】 熱處理加工業、電鍍產業中,不須龐大設備開銷即可將 含有安定配位氰之氰基廢液無毒化,且可靠植/高。本發明 設備費開銷低廉,且可有效處理含配位氰之廢液。
第38頁 200300131 五、發明說明(34)
ΗΗ 第39頁 200300131 圖式簡單說明 【圖面簡單說明】 第1 圖係NaCN、NaCNO、Na4Fe(CN)6、(NH4)2S045 之單獨溶 液氧化還原電位曲線。 第2 圖係NaCN、NaCNO、Na4Fe(CN)6、(NH4)2S045 之混合溶 液氣化還原電位曲線。 ,3圖係表示氧化還原電位與溫度之時:間變化圖。 圖係表示CN、NH3、Fe濃度及pH之時間變化圖 ,5圖係表示本發明法實施裝置及流程。 第6圖係表示銅電鍍廢液無害化處理實施例之氧化 位圖。 艰原電

Claims (1)

  1. 200300131
    申請專利範圍 【申請專利範圍】 / 1· 一種氰基廢液處理方法 入 氰、鹼性水溶液且揎恭# β寺徵係將3有游離氰、配位 4文/、揮發性逛原型化合物 於鹼性條件下加溫至 物1種一上之廢液, °c以上高溫域溫度範圍德一?乾圍内’即加熱至包含80 述廢液之氧化還原電位,後連續或斷力至〉:開=測上 液’直至能檢測出次氯 加次氯酸鹽入廢 2.如申請專利範圍!所% /Λ氧化,原電位為止。 亂、配位氰及驗性水溶液具揮 上述广離 須包含配位氰。 疋7仃化口物中,至少 3.如申請專利範圍2所述氰基廢液處理方法, 鎳、鐵:㉝、金至少1種金屬氰配位化合物。 糸 4:如申請專利範圍卜3所述任—氰基廢液處理 係於上述保持80 °C以上高溫域中,上述氧化還特徵 定值時,即停止添加上述次氣酸鹽。 、位達- 5.如申請專利範圍丨〜4所述任一氰基廢液處理方 係停止添加上述次氯酸鹽後,將液溫維持於上沭’特徵 點溫度範圍間以行陳化。 ’ C〜沸 6·如申請專利範圍丨所述氰基廢液處理方法, 述未滿8 0 C低溫域内,分解鹼性水溶液具揮發二_、处上 化合物,後行上述高溫域之處理。 / 遏原型 7·如申請專利範圍1〜5所述任一氰基廢液處理方法, 廢液係鹽浴氮化處理後之鋼鐵零件洗淨廢液。 ’上述 8·如申請專利範圍卜5所述任一氰基廢液X處 々次’上述
    200300131 六、申請專利範圍 廢液係氰基系電鍍廢液。
    ΙΙΙΙΙϋΙΙ 第42頁
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