TH7154C3 - กรรมวิธีการผลิตฟิล์มไททาเนียมไดอ๊อกไซด์ที่มีส่วนประกอบของซิลิกอนไดอ๊อกไซด์ที่ได้จากแกลบ - Google Patents
กรรมวิธีการผลิตฟิล์มไททาเนียมไดอ๊อกไซด์ที่มีส่วนประกอบของซิลิกอนไดอ๊อกไซด์ที่ได้จากแกลบInfo
- Publication number
- TH7154C3 TH7154C3 TH1003000578U TH1003000578U TH7154C3 TH 7154 C3 TH7154 C3 TH 7154C3 TH 1003000578 U TH1003000578 U TH 1003000578U TH 1003000578 U TH1003000578 U TH 1003000578U TH 7154 C3 TH7154 C3 TH 7154C3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- solution
- titanium dioxide
- rice husk
- film
- husk
- Prior art date
Links
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 30
- 239000010903 husk Substances 0.000 title claims abstract 20
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 title claims abstract 17
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract 15
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 title claims abstract 13
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 title claims abstract 13
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title claims 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 7
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 title 1
- 241000209094 Oryza Species 0.000 claims abstract 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract 10
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 5
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims abstract 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 12
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 3
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 claims 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims 3
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 claims 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 2
- 241000143437 Aciculosporium take Species 0.000 claims 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims 1
- WCVHUIPWSPEOIG-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylheptadecan-1-amine Chemical class CCCCCCCCCCCCCCCCCN(C)C WCVHUIPWSPEOIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 238000003915 air pollution Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 abstract 1
- 238000003911 water pollution Methods 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (15/06/54) การเติมวัสดุนาโนเอ็มซีเอ็ม 41 ซึ่งสังเคราะห์จากซิลิกาแกลบหรือขี้เถ้าแกลบลงในโครงสร้างของฟิล์ม ไททาเนียมไดออกไซด์โดยการเติมสารละลายเอ็มซีเอ็ม 41 ลงในสารละลายของไททาเนียมบิวทอกไซด์ใน สัดส่วนโมลของเอ็มซีเอ็ม 41 ต่อโมลของไททาเนียมไดออกไซด์ เท่ากับ 1 0.25-1 กวนสารละลายที่อุณหภูมิ 80 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 4 วัน และนำสารละลายมาเคลือบเป็นฟิล์มบนผิวของกระจกด้วยวิธีการจุ่มเคลือบ การ เตรียมฟิล์มด้วยวิธีนี้จะช่วยปรับปรุงสมบัติของฟิล์มไททาเนียมไดออกไซด์ให้มีประสิทธิภาพในการบำบัด มลพิษทางน้ำและทางอากาศได้ การเติมวัสดุนาโนเอ็มซีเอ็ม 41 ซึ่งสังเคราะห์จากซิลิกาแกลบหรือขี้เถ้าแกลบลงในโครงสร้างของฟิล์ม ไททาเนียมไดออกไซด์โดยการเติมสารละสายเอ็มซีเอ็ม 41 ลงในสารละลายของไทนาเนียมบิวทอกไซด์ใน สัดส่วนโมลของเอ็มซีเอ็ม 41 ต่อโมลของไททาเนียมไดออกไซด์ เท่ากับ 1:0.25-1 กวนสารละลายที่อุณหภูมิ80 องศาเซลเซียส ป็นเวลา 4 วัน และนำสารละลายมาเคลือบเป็นฟิล์มบนผิวของกระจกด้วยวิธีการจุ่มเคลือบ การ เตรียมฟิล์มด้วยวิธีนี้จะช่วยปรับปรุงสมบัติของฟิล์มไททาเนียมไดออกไซด์ให้มีประสิทธิภาพในการบำบัด มลพิษทางน้ำและทางอากาศได้:
Claims (6)
1.กรรมวิธีการผลิตฟิล์มไททาเนียมไดอ๊อกไซด์ที่มีส่วนประกอบของซิลิกอนไดอ๊อกไซด์ที่ได้จาก แกลบ มีขั้นตอนดังนี้ ก. นำสารละลายซิลิกอนไดอ๊อกไซด์ (เอ็มซีเอ็ม 41) มาผสมกับ สารละลายไททาเนียมไดอ๊อก ไซด์ในอัตราส่วน 1:0.25-1 ข. กวนสารละลายที่ได้จากข้อ ก ที่อุณหภูมิ 80 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 4 วันในระบบปิด ค. นำสารละลายที่ได้จากข้อ ข มาจุ่มเคลือบลงบนแผ่นกระจกด้วยเครื่องจุ่มเคลือบที่ควบคุม ความเร็วในการเคลือบเท่ากับ 8-15 เซนติเมตรต่อนาที ขึ้นอยู่กับความหนาของฟิล์มที่ ต้องการ ก่อนผ่นกระบวนการจุ่มเคลือบ แผ่นกระจกต้องผ่านการล้างด้วยสารละลาย กรดซัลฟูริกและสารละลายไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์ป็นเวลา 15 นาที เพื่อกำจัดสิ่ง สกปรกบนพื้นผิวกระจกและเป็นการเพิ่มความขรุขระบนพื้นผิวซึ่งจะช่วยทำให้เนื่อฟิล์ม ติดแน่นบนผิวกระจก ได้ดียิ่งขึัน ง. นำฟิล์มที่เคลือบแล้วไปอบที่อุณหภูมิ 103 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 30 นาที และเผาที่ อุณหภูมิ 550 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 1-5 ชั่วโมง ขึ้นกับความหนาของฟิล์ม 2. 1.1.3ล้างแกลบด้วยน้ำจนน้ำล้างมีค่าพีเอชเป็นกลาง ทดสอบน้ำล่างด้วยกระดาษลิตมัสจนกระดาษลิตมัสไม่เปลี่ยนสี 1.1.4นำแกลบไปอบที่อุณหภูมิ 100-115 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 24ชั่วโมง 1.1.5แกลบที่ผ่านการกรอบแห้งจะถูกนำไปเผาในเตาที่ตั้งอุณหภูมิไว้ 500-700 องศาเซลเซียส โดยใช้ระยะเวลาทั้งหมดประมาณ 4-6 ชั่วโมง ขึ้นอยู่กับปริมาณ 1.2การเตรียมสารละลายเอ็มซีเอ็ม 41 จสกซิลิกาแกลล 1.2.1เตรียมสารละลายซีทีเอบี โดยละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์ 1 กรัม สารซ๊ทีเอบี 3 กรัม และน้ำกลั่น 150 มิลลิลิตร กวนให้ละลายเป็นเนื้อเดียวกัน 1.2.2เตรียมสารละลายโซเดียมซิลิเกต โดยละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์ 2 กรัม ซิลิกาที่สกัดได้จากแกลบ 5 กรัม ขึ้นกับความบริสุทธิ์ของซิลิกาที่สกัดได้ และกลั่น 10 มิลลิลิตร กวนให้ละลายเป็นเนื้อเดียวกัน 1.2.3ผสมสารละลายที่ได้จากข้อ 1.2.1 และ 1.2.2 เข้าด้วยกัน ปรับพีเอชของสารละลายโดยการเติมกรดไฮโดรลอริกความเข้มข้น 1 โมลาร์ จนสารละลายมีค่าพีเอชเป็น 10 วัดด้วยพีเอชมิเตอร์กวนทิ้งไว้ 1-3 วัน ที่อุณหภูมิห้อง 1.3การเตรียมฟิล์มทีเอ็ม41 1.3.1เตรียมสารละลายไททาเนียม โดยการผสมระหว่างไททาเนียมบิวทอกไซด์ 35 มิลลิตรเอธิลแอลกฮอล์ 175 มิลลิลิตรและอะเซติลอะซิโตน 10 มิลลิลิตร กวนทิ้งไว้ที่อุณหภูมิห้องเป็นเวลา 15 นาที 1.3.2นำสารละลายเอ็มซีเอ็ม 41 ที่เตรียมได้ในข้อ 1.2 มาผสมกับสารละลายไททาเนียม ในสัดส่วนโมลของเอ็มซีเอ็ม 41 ต่อโมลของไททาเนียมไดออกไซด์ เท่ากับ 1:0.25-1 ขึ้นกับความโปร่งใสของฟิล์มที่ต้องการ 1.3.3กวนสารละลายที่ได้ข้อ 1.3.2 ที่อุณหภูมิ 80 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 4 วัน ในระบบปิด 1.3.4นำสารละลายที่ได้ในข้อ 1.3.3 มาจุ่มเคลือบลงบนแผ่นกระจกด้วยเครื่องจุ่มเคลือบที่ควบคุมความเร็วในการเคลือบเท่ากับ 8-15 เซนติเมตรต่อนาที ขึ้นอยู่กับความหนาของฟิล์มที่ต้องการก่อนผ่านกระบวนการจุ่มเคลือบ แผ่นกระจกต้องผ่านการล้างด้วยสารละลายกรดซัลฟูริกและสารละลายไฮโดรเจนเปอร์ออกไซดืเป็นเวลา 15 นาที เพื่อกำจัดสิ่งสกปรกบนพื้นผิวกระจกและเป็นการเพิ่มความขรุขระบนพื้นผิวซึ่งจะช่วยทำให้เนื้อฟิล์มติดแน่นบนผิวกระจกได้ดียิ้งขึ้น 1.3.5นำฟิล์มที่เคลือบแล้วไปอบที่อุณหภูมิ 103 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 30 นาที และเผาที่อุณหภูมิ 550 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 1-5 ชั่วโมง ขึ้นกับความหนาของฟิล์ม
2. กรรมวิธีการผลิตฟิล์มไททาเนียมไดอ๊อกไซด์ที่มีส่วนประกอบของซิลิกอนไดอ๊อกไซด์ที่ได้จาก แกลบ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งสารละลายไททาเนียมไดอ๊อกไซด์คือ ไททาเนียมบิวท๊อกไซด์ 35 มิลลิตร ผสมเอธิลแอลกอฮอล์ (175) มิลลิลิตร และอะเซติลอะซิโตน 10 มิลลิลิตร กวนทิ้งไว้ที่ อุณหภูมิห้องเป็นเวลา 15 นาที
3. กรรมวิธีการผลิตฟิล์มไททาเนียมไดอ๊อกไซด์ที่มีส่วนประกอบของซิลิกอนไดอ๊อกไซด์ที่ได้จาก แกลบ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งสารละลายไททาเนียมไดอ๊อกไซด์คือ สารประกอบของเฮกซะเดซิลไต เมทธิล แอมโมเนียมโบรไมด์ (ซีทีเอบี) ผสมกับสารละลายโซเดียมซิลิเกต กวนทิ้งไว้ 1-3 วันที่อุณหภูมิห้อง ปรับค่าพีเอช (pH) ให้มีค่าพีเอช (pH) 10
4. กรรมวิธีการผลิตฟิล์มไททาเนียมไดอ๊อกไซด์ที่มีส่วนประกอบของซิลิกอนไดอ๊อกไซด์ที่ได้จาก แกลบ ตามข้อถือสิทธิ 31 ที่ซึ่งสารประกอบของเฮกซะเดซิลไตรเมทธิลแอมโมเนียมโบรโมด์ (ซีทีเอบี) คือสารละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์ 1 กรัม สารซีทีเอบี 3 กรัม และน้ำกลั่น 150 มิลลิลิตร กวนให้ละลาย เป็นเนื่้อเดียวกัน
5. กรรมวิธีการผลิตฟิล์มไททาเนียมไดอ๊อกไซด์ที่มีส่วนประกอบของซิลิกอนไดอ๊อกไซด์ที่ได้จาก แกลบ ตามข้อถือสิทธิ 3 ที่ซึ่งสารละลายโซเดียมซิลิเกต คือสารละลายโซเดียมไอดรอกไซด์2 กรัม ผสมกับซิลิกาแกลบ 5 กรัม และน้ำกลั่น 10 มิลลิลิตร
6. กรรมวิธีการผลิตฟิล์มไททาเนียมไดอ๊อกไซด์ที่มีส่วนประกอบของซิลิกอนไดอ๊อกไซด์ที่ได้จาก แกลบ ตามข้อถือสิทธิ 5 ที่ซึ่งซิลิกาแกลบคือ แกลบที่ผ่านขั้นตอน ก.ล้างทำความสะอาด ข. รีฟลักซ์แกลลด้วยกรดไฮโดรคลอริกที่ตวามเข้มข้น 1-5 โมลาร์ ที่อุณหภูมิ 50-80 องศาเซลเซียส ค. ล้างแกลบด้วยน้ำจนน้ำล้างมีค่าพีเอชเป็นกลาง ทดสอบน้ำล้างด้วยกระดาษลิตมัสจน กระดาษลัตมันไม่เปลี่ยนสี ง. นำแกลบไปอบที่อุณหภูมิ 100-115 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 24 ชั่วโมง จ. แกลบที่ผ่านการอบแห้งจะถูกนำไปเผาในเตาที่อณหภูมิไว้ 500-700 องศาเซลเซียส โดย ใช้ระยะเวลาทั้งหมดประมาณ 4-6 ชั่วโมง ขึ้นอยู่กับปริมาณ
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH7154C3 true TH7154C3 (th) | 2012-05-15 |
| TH7154A3 TH7154A3 (th) | 2012-05-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103232170B (zh) | 具有表面憎水性能空心玻璃微珠的制备方法 | |
| CN107057422A (zh) | 一种高硬度高防污性的无机硅酸盐面涂涂料及其制备方法 | |
| CN104016313B (zh) | 一种六方硒化铜纳米片的制备方法 | |
| CN105870328B (zh) | 一种稳定的钙钛矿太阳电池光吸收层的制备方法 | |
| CN105789339A (zh) | 一种钙钛矿太阳电池纳米二氧化硅涂布液及应用 | |
| CN106893378A (zh) | 一种硅酸钾基纳米复合乳液的制备方法 | |
| CN107057417A (zh) | 用于玻璃的抗静电纳米自洁涂料及其制备的抗静电纳米自洁玻璃 | |
| CN103555198B (zh) | 改性有机硅树脂镀膜液的制备方法及用其制造太阳能电池封装玻璃的方法 | |
| CN105000589B (zh) | 一种柠檬酸改性的纳米氧化锌 | |
| CN101225063A (zh) | 碱水解制备半胱胺盐酸盐的方法 | |
| CN101058430A (zh) | 一种制备碱式碳酸镁三维纳米花结构的方法 | |
| CN112358496B (zh) | 一种应用于硅酮胶的硅烷偶联剂及其制备方法 | |
| WO2018108016A1 (zh) | 一种石墨烯改性纳米隔热浆料及其制备方法 | |
| TH7154A3 (th) | กรรมวิธีการผลิตฟิล์มไททาเนียมไดอ๊อกไซด์ที่มีส่วนประกอบของซิลิกอนไดอ๊อกไซด์ที่ได้จากแกลบ | |
| TH7154C3 (th) | กรรมวิธีการผลิตฟิล์มไททาเนียมไดอ๊อกไซด์ที่มีส่วนประกอบของซิลิกอนไดอ๊อกไซด์ที่ได้จากแกลบ | |
| CN113861645B (zh) | 一种可快速降解的抗菌塑料薄膜及其制备方法 | |
| CN102746846A (zh) | 能够调节发光强度的氧化锌和氧化钛复合半导体薄膜的制备方法 | |
| CN105016699A (zh) | 一种复合改性纳米抗紫外外墙板及其制备方法 | |
| CN106565462B (zh) | 一种制备月桂酸镍的方法 | |
| CN102974282A (zh) | 一种氧化物溶胶的制备方法 | |
| CN102515559A (zh) | 微波水热辅助溶胶凝胶法制备硫化铜薄膜的方法 | |
| CN105129853A (zh) | 利用柠檬酸诱导合成具有六棱柱形貌的MoO3粉体的方法 | |
| CN118771741B (zh) | 一种磷酸铝分级结构及其制备方法 | |
| CN105753034B (zh) | 一种Cu2O纳米薄膜的制备方法 | |
| CN105645369B (zh) | 一种磷酸二氢铝结晶体粉末的制备方法 |