TH7154C3 - Production process of titanium dioxide film containing silicon dioxide derived from rice husk. - Google Patents

Production process of titanium dioxide film containing silicon dioxide derived from rice husk.

Info

Publication number
TH7154C3
TH7154C3 TH1003000578U TH1003000578U TH7154C3 TH 7154 C3 TH7154 C3 TH 7154C3 TH 1003000578 U TH1003000578 U TH 1003000578U TH 1003000578 U TH1003000578 U TH 1003000578U TH 7154 C3 TH7154 C3 TH 7154C3
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
solution
titanium dioxide
rice husk
film
husk
Prior art date
Application number
TH1003000578U
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH7154A3 (en
Inventor
เจียรากร นางสิริลักษณ์
Original Assignee
นางสาวผ่องศรี เวสารัช
นางสาวเชาวนี สนธิธรรม
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวผ่องศรี เวสารัช, นางสาวเชาวนี สนธิธรรม filed Critical นางสาวผ่องศรี เวสารัช
Publication of TH7154C3 publication Critical patent/TH7154C3/en
Publication of TH7154A3 publication Critical patent/TH7154A3/en

Links

Abstract

DC60 (15/06/54) การเติมวัสดุนาโนเอ็มซีเอ็ม 41 ซึ่งสังเคราะห์จากซิลิกาแกลบหรือขี้เถ้าแกลบลงในโครงสร้างของฟิล์ม ไททาเนียมไดออกไซด์โดยการเติมสารละลายเอ็มซีเอ็ม 41 ลงในสารละลายของไททาเนียมบิวทอกไซด์ใน สัดส่วนโมลของเอ็มซีเอ็ม 41 ต่อโมลของไททาเนียมไดออกไซด์ เท่ากับ 1 0.25-1 กวนสารละลายที่อุณหภูมิ 80 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 4 วัน และนำสารละลายมาเคลือบเป็นฟิล์มบนผิวของกระจกด้วยวิธีการจุ่มเคลือบ การ เตรียมฟิล์มด้วยวิธีนี้จะช่วยปรับปรุงสมบัติของฟิล์มไททาเนียมไดออกไซด์ให้มีประสิทธิภาพในการบำบัด มลพิษทางน้ำและทางอากาศได้ การเติมวัสดุนาโนเอ็มซีเอ็ม 41 ซึ่งสังเคราะห์จากซิลิกาแกลบหรือขี้เถ้าแกลบลงในโครงสร้างของฟิล์ม ไททาเนียมไดออกไซด์โดยการเติมสารละสายเอ็มซีเอ็ม 41 ลงในสารละลายของไทนาเนียมบิวทอกไซด์ใน สัดส่วนโมลของเอ็มซีเอ็ม 41 ต่อโมลของไททาเนียมไดออกไซด์ เท่ากับ 1:0.25-1 กวนสารละลายที่อุณหภูมิ80 องศาเซลเซียส ป็นเวลา 4 วัน และนำสารละลายมาเคลือบเป็นฟิล์มบนผิวของกระจกด้วยวิธีการจุ่มเคลือบ การ เตรียมฟิล์มด้วยวิธีนี้จะช่วยปรับปรุงสมบัติของฟิล์มไททาเนียมไดออกไซด์ให้มีประสิทธิภาพในการบำบัด มลพิษทางน้ำและทางอากาศได้: DC60 (15/06/54) The addition of MCM 41 nanomaterial, which is synthesized from silica husk or rice husk ash, to the film structure. Titanium dioxide by adding MCM 41 solution to the titanium butoxide solution in The mole ratio of MCM 41 per mole of titanium dioxide is 1 0.25-1. Stir the solution at 80 ° C for 4 days and apply the solution to film on the glass surface by dip method. Coating film preparation by this method will improve the properties of titanium dioxide film to be effective for treatment. Pollution of water and air. The addition of Nano MCM 41 material, which is synthesized from silica rice husk or rice husk ash, was added to the film structure. Titanium dioxide by adding MCM 41 strains to a solution of titanium butoxide in The mole fraction of MCM 41 per mole of titanium dioxide was 1: 0.25-1. Stir the solution at 80 ° C for 4 days and the solution was filmed on the glass surface by means of the method. Dipping, coating, film preparation by this method will improve the properties of titanium dioxide film to be effective for treatment. Water and air pollution can be:

Claims (6)

1.กรรมวิธีการผลิตฟิล์มไททาเนียมไดอ๊อกไซด์ที่มีส่วนประกอบของซิลิกอนไดอ๊อกไซด์ที่ได้จาก แกลบ มีขั้นตอนดังนี้ ก. นำสารละลายซิลิกอนไดอ๊อกไซด์ (เอ็มซีเอ็ม 41) มาผสมกับ สารละลายไททาเนียมไดอ๊อก ไซด์ในอัตราส่วน 1:0.25-1 ข. กวนสารละลายที่ได้จากข้อ ก ที่อุณหภูมิ 80 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 4 วันในระบบปิด ค. นำสารละลายที่ได้จากข้อ ข มาจุ่มเคลือบลงบนแผ่นกระจกด้วยเครื่องจุ่มเคลือบที่ควบคุม ความเร็วในการเคลือบเท่ากับ 8-15 เซนติเมตรต่อนาที ขึ้นอยู่กับความหนาของฟิล์มที่ ต้องการ ก่อนผ่นกระบวนการจุ่มเคลือบ แผ่นกระจกต้องผ่านการล้างด้วยสารละลาย กรดซัลฟูริกและสารละลายไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์ป็นเวลา 15 นาที เพื่อกำจัดสิ่ง สกปรกบนพื้นผิวกระจกและเป็นการเพิ่มความขรุขระบนพื้นผิวซึ่งจะช่วยทำให้เนื่อฟิล์ม ติดแน่นบนผิวกระจก ได้ดียิ่งขึัน ง. นำฟิล์มที่เคลือบแล้วไปอบที่อุณหภูมิ 103 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 30 นาที และเผาที่ อุณหภูมิ 550 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 1-5 ชั่วโมง ขึ้นกับความหนาของฟิล์ม 2. 1.1.3ล้างแกลบด้วยน้ำจนน้ำล้างมีค่าพีเอชเป็นกลาง ทดสอบน้ำล่างด้วยกระดาษลิตมัสจนกระดาษลิตมัสไม่เปลี่ยนสี 1.1.4นำแกลบไปอบที่อุณหภูมิ 100-115 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 24ชั่วโมง 1.1.5แกลบที่ผ่านการกรอบแห้งจะถูกนำไปเผาในเตาที่ตั้งอุณหภูมิไว้ 500-700 องศาเซลเซียส โดยใช้ระยะเวลาทั้งหมดประมาณ 4-6 ชั่วโมง ขึ้นอยู่กับปริมาณ 1.2การเตรียมสารละลายเอ็มซีเอ็ม 41 จสกซิลิกาแกลล 1.2.1เตรียมสารละลายซีทีเอบี โดยละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์ 1 กรัม สารซ๊ทีเอบี 3 กรัม และน้ำกลั่น 150 มิลลิลิตร กวนให้ละลายเป็นเนื้อเดียวกัน 1.2.2เตรียมสารละลายโซเดียมซิลิเกต โดยละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์ 2 กรัม ซิลิกาที่สกัดได้จากแกลบ 5 กรัม ขึ้นกับความบริสุทธิ์ของซิลิกาที่สกัดได้ และกลั่น 10 มิลลิลิตร กวนให้ละลายเป็นเนื้อเดียวกัน 1.2.3ผสมสารละลายที่ได้จากข้อ 1.2.1 และ 1.2.2 เข้าด้วยกัน ปรับพีเอชของสารละลายโดยการเติมกรดไฮโดรลอริกความเข้มข้น 1 โมลาร์ จนสารละลายมีค่าพีเอชเป็น 10 วัดด้วยพีเอชมิเตอร์กวนทิ้งไว้ 1-3 วัน ที่อุณหภูมิห้อง 1.3การเตรียมฟิล์มทีเอ็ม41 1.3.1เตรียมสารละลายไททาเนียม โดยการผสมระหว่างไททาเนียมบิวทอกไซด์ 35 มิลลิตรเอธิลแอลกฮอล์ 175 มิลลิลิตรและอะเซติลอะซิโตน 10 มิลลิลิตร กวนทิ้งไว้ที่อุณหภูมิห้องเป็นเวลา 15 นาที 1.3.2นำสารละลายเอ็มซีเอ็ม 41 ที่เตรียมได้ในข้อ 1.2 มาผสมกับสารละลายไททาเนียม ในสัดส่วนโมลของเอ็มซีเอ็ม 41 ต่อโมลของไททาเนียมไดออกไซด์ เท่ากับ 1:0.25-1 ขึ้นกับความโปร่งใสของฟิล์มที่ต้องการ 1.3.3กวนสารละลายที่ได้ข้อ 1.3.2 ที่อุณหภูมิ 80 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 4 วัน ในระบบปิด 1.3.4นำสารละลายที่ได้ในข้อ 1.3.3 มาจุ่มเคลือบลงบนแผ่นกระจกด้วยเครื่องจุ่มเคลือบที่ควบคุมความเร็วในการเคลือบเท่ากับ 8-15 เซนติเมตรต่อนาที ขึ้นอยู่กับความหนาของฟิล์มที่ต้องการก่อนผ่านกระบวนการจุ่มเคลือบ แผ่นกระจกต้องผ่านการล้างด้วยสารละลายกรดซัลฟูริกและสารละลายไฮโดรเจนเปอร์ออกไซดืเป็นเวลา 15 นาที เพื่อกำจัดสิ่งสกปรกบนพื้นผิวกระจกและเป็นการเพิ่มความขรุขระบนพื้นผิวซึ่งจะช่วยทำให้เนื้อฟิล์มติดแน่นบนผิวกระจกได้ดียิ้งขึ้น 1.3.5นำฟิล์มที่เคลือบแล้วไปอบที่อุณหภูมิ 103 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 30 นาที และเผาที่อุณหภูมิ 550 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 1-5 ชั่วโมง ขึ้นกับความหนาของฟิล์ม1. The production process of titanium dioxide film containing silicon dioxide from rice husk has the following steps: a. Take a silicon dioxide solution (M MCM 41) was mixed with titanium dioxide solution. B. Stir the solution obtained from the clause A at 80 ° C for 4 days in a closed system. C. Dip the solution obtained from the clause on the glass plate with a dip coating machine. That controls The coating speed is 8-15 centimeters per minute. Depends on the required film thickness prior to the dipping process. Glass plates must be washed with a solution. Sulfuric acid and hydrogen peroxide solution for 15 minutes to remove Dirt on the glass surface and this increases the surface roughness which will help make the film Stick firmly on the glass surface D. The coated film is baked at 103 ° C for 30 minutes and burned at 550 ° C for 1-5 hours depending on film thickness. 2. 1.1.3 Wash the rice husk as well. Water until the washing water has a neutral pH. Test the bottom water with litmus paper until the litmus paper doesn't change its color. 1.1.4 The husk is baked at a temperature of 100-115 degrees Celsius for 24 hours.1.1.5 The dried husk will be burned in an oven set at 500-700 degrees Celsius for a total duration of approximately 4. -6 hours depending on the quantity 1.2 Preparation of MCM 41 Jsc silica gall solution 1.2.1 Prepare CTAB solution. By dissolving 1 g of sodium hydroxide, 3 g of STA, and 150 ml of distilled water, stir to dissolve homogeneously. 1.2.2 Prepare a solution of sodium silicate. By dissolving 2 g of sodium hydroxide, 5 g of silica extracted from rice husk, depending on the purity of the extracted silica, 10 ml of distillation was stirred to homogeneously. 1.2.3 Mix the solution obtained from clauses 1.2.1 and 1.2.2 together, adjust the pH of the solution by adding 1 molar concentration of hydroloric acid until the solution has a pH of 10. With PH meter stirring, leave for 1-3 days at room temperature 1.3 Preparation of TM41 film 1.3.1 Prepare titanium solution By mixing 35 ml of titanium butoxide, 175 ml of ethyl alcohol and 10 ml of acetone, stir and leave them at room temperature for 15 minutes. MCM 41 solution prepared in clause 1.2 was mixed with titanium solution. The mole ratio of MCM 41 per mole of titanium dioxide is 1: 0.25-1, depending on the desired film transparency. 1.3.3 Stir the solution obtained in item 1.3.2 at 80 ° C for 4 days in a closed system. 1.3.4 The solution obtained in item 1.3.3 is dipped into the glass plate with a speed-controlled dip-coating machine. The coating is 8-15 centimeters per minute. Depends on required film thickness before dipping coating process The glass panels must be washed with sulfuric acid and hydrogen peroxide solution for 15 minutes to remove dirt on the glass surface and to increase surface roughness, which will help the film to adhere to the surface. Better glass. 1.3.5 The coated film was baked at 103 ° C for 30 minutes and burned at 550 ° C for 1-5 hours depending on the thickness of the film. 2. กรรมวิธีการผลิตฟิล์มไททาเนียมไดอ๊อกไซด์ที่มีส่วนประกอบของซิลิกอนไดอ๊อกไซด์ที่ได้จาก แกลบ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งสารละลายไททาเนียมไดอ๊อกไซด์คือ ไททาเนียมบิวท๊อกไซด์ 35 มิลลิตร ผสมเอธิลแอลกอฮอล์ (175) มิลลิลิตร และอะเซติลอะซิโตน 10 มิลลิลิตร กวนทิ้งไว้ที่ อุณหภูมิห้องเป็นเวลา 15 นาที2. Production process of titanium dioxide film containing silicon dioxide obtained from rice husk according to claim 1, where the titanium dioxide solution is 35 ml of titanium butoxide, mix with ethyl alcohol (175) and 10 ml of acetone, stir and leave at Room temperature for 15 minutes 3. กรรมวิธีการผลิตฟิล์มไททาเนียมไดอ๊อกไซด์ที่มีส่วนประกอบของซิลิกอนไดอ๊อกไซด์ที่ได้จาก แกลบ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งสารละลายไททาเนียมไดอ๊อกไซด์คือ สารประกอบของเฮกซะเดซิลไต เมทธิล แอมโมเนียมโบรไมด์ (ซีทีเอบี) ผสมกับสารละลายโซเดียมซิลิเกต กวนทิ้งไว้ 1-3 วันที่อุณหภูมิห้อง ปรับค่าพีเอช (pH) ให้มีค่าพีเอช (pH) 103. Production process of titanium dioxide film containing silicon dioxide obtained from rice husk according to claim 1, where the titanium dioxide solution is The hexadecyl tymethylammonium bromide (CTAB) compound was mixed with a stirred sodium silicate solution for 1-3 days at room temperature, adjusting the pH (pH) to have PH value (pH) 10 4. กรรมวิธีการผลิตฟิล์มไททาเนียมไดอ๊อกไซด์ที่มีส่วนประกอบของซิลิกอนไดอ๊อกไซด์ที่ได้จาก แกลบ ตามข้อถือสิทธิ 31 ที่ซึ่งสารประกอบของเฮกซะเดซิลไตรเมทธิลแอมโมเนียมโบรโมด์ (ซีทีเอบี) คือสารละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์ 1 กรัม สารซีทีเอบี 3 กรัม และน้ำกลั่น 150 มิลลิลิตร กวนให้ละลาย เป็นเนื่้อเดียวกัน4. Production process of titanium dioxide film containing silicon dioxide obtained from husk according to claim 31, where hexadecyl trimethyl ammonia compounds Mbromide (CTAB) is a solution of 1 g of sodium hydroxide, 3 g of CTA B, and 150 ml of distilled water, stirred to be dissolved. 5. กรรมวิธีการผลิตฟิล์มไททาเนียมไดอ๊อกไซด์ที่มีส่วนประกอบของซิลิกอนไดอ๊อกไซด์ที่ได้จาก แกลบ ตามข้อถือสิทธิ 3 ที่ซึ่งสารละลายโซเดียมซิลิเกต คือสารละลายโซเดียมไอดรอกไซด์2 กรัม ผสมกับซิลิกาแกลบ 5 กรัม และน้ำกลั่น 10 มิลลิลิตร5. Production process of titanium dioxide film containing silicon dioxide obtained from rice husk according to claim 3, where the sodium silicate solution Is a solution of 2 g of sodium hydroxide mixed with 5 g of silica husk and 10 ml of distilled water. 6. กรรมวิธีการผลิตฟิล์มไททาเนียมไดอ๊อกไซด์ที่มีส่วนประกอบของซิลิกอนไดอ๊อกไซด์ที่ได้จาก แกลบ ตามข้อถือสิทธิ 5 ที่ซึ่งซิลิกาแกลบคือ แกลบที่ผ่านขั้นตอน ก.ล้างทำความสะอาด ข. รีฟลักซ์แกลลด้วยกรดไฮโดรคลอริกที่ตวามเข้มข้น 1-5 โมลาร์ ที่อุณหภูมิ 50-80 องศาเซลเซียส ค. ล้างแกลบด้วยน้ำจนน้ำล้างมีค่าพีเอชเป็นกลาง ทดสอบน้ำล้างด้วยกระดาษลิตมัสจน กระดาษลัตมันไม่เปลี่ยนสี ง. นำแกลบไปอบที่อุณหภูมิ 100-115 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 24 ชั่วโมง จ. แกลบที่ผ่านการอบแห้งจะถูกนำไปเผาในเตาที่อณหภูมิไว้ 500-700 องศาเซลเซียส โดย ใช้ระยะเวลาทั้งหมดประมาณ 4-6 ชั่วโมง ขึ้นอยู่กับปริมาณ6. Production process of titanium dioxide film containing silicon dioxide from rice husk according to claim 5, where silica husk is Rice husk that has been processed Wash and clean b. Reflux gall with hydrochloric acid at a concentration of 1-5 molar at a temperature of 50-80 ° C. C. Rinse the husk with water until the rinse water has a pH value. neutral Test the water, rinse with litmus paper until The lattice paper does not change color. D. The chaff is baked at a temperature of 100-115 degrees Celsius for 24 hours. E. The dried rice husk will be burned in an oven at 500-700 degrees Celsius. The total duration is approximately 4-6 hours depending on the quantity.
TH1003000578U 2010-07-01 Production process of titanium dioxide film containing silicon dioxide derived from rice husk. TH7154A3 (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH7154C3 true TH7154C3 (en) 2012-05-15
TH7154A3 TH7154A3 (en) 2012-05-15

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103232170B (en) Preparation method of hollow glass bead with surface hydrophobic property
CN107057422A (en) A kind of inorganic silicate painting coating of the high soil resistance of high rigidity and preparation method thereof
CN104016313B (en) A kind of preparation method of six side's copper selenide nanometer sheet
CN105870328B (en) A kind of preparation method of the perovskite solar cell light absorption layer of stabilization
CN102351434B (en) Preparation method of cerium-aluminum codoped zinc oxide film
CN107057417A (en) Antistatic nano self-cleaning coating for glass and antistatic nano self-cleaning glass prepared therefrom
CN105789339A (en) Perovskite solar cell nano silicon dioxide coating liquid and application thereof
CN106893378A (en) A kind of preparation method of potassium silicate base nano-composite emulsion
CN103555198B (en) The preparation method of modified organic silicone resin coating liquid and the method with its manufacture packaging glass of solar cell
CN105000589B (en) Citric acid-modified nanometer zinc oxide
CN101225063A (en) Method for preparing cysteamine hydrochloride by alkali hydrolysis
CN101058430A (en) Method of preparing basic magnesium carbonate three-dimensional nanostructure
CN112358496B (en) Silane coupling agent applied to silicone adhesive and preparation method thereof
WO2018108016A1 (en) Graphene modified nano heat-insulating slurry and preparation method therefor
TH7154A3 (en) Production process of titanium dioxide film containing silicon dioxide derived from rice husk.
TH7154C3 (en) Production process of titanium dioxide film containing silicon dioxide derived from rice husk.
CN102746846A (en) Preparation method of zinc oxide-titanium oxide composite semiconductor film with adjustable luminescent intensity
CN105016699A (en) Composite modified nanometer anti-ultraviolet exterior wall panel and manufacturing method thereof
CN102974282A (en) Preparation method of oxide sol
CN102515559A (en) Method for preparing copper sulfide film with microwave hydrothermal assisted sol-gel method
CN112919525A (en) Preparation method of nano cuprous oxide
CN105129853A (en) Method for synthesizing MoO3 powder with hexagonal prism morphology induced by citric acid
CN118771741B (en) A hierarchical structure of aluminum phosphate and its preparation method
CN105753034B (en) A kind of Cu2The preparation method of O nano thin-films
CN105645369B (en) A kind of preparation method of aluminium dihydrogen phosphate crystalline solid powder