SU915668A1 - Способ получения эпитаксиальных структур (его варианты) - Google Patents

Abstract

1. Способ получения эпитаксиальных а основе соединений типа ABжидкофазной эпитаксией, включающий приведение в контакт с подложкой первого насыщенного раствора-расплава, содержащего компоненты соединения, галлий и амфотерную примесь, и введение в первый раствор-расплав второго насыщенного раствора-расплава, содержащего дополнительно изовалентный металл, преимущественно индий, отличающийся тем, что, с целью получения структур с перестраиваемой энергией квантов излучения и улучшения их качестве, вводят второй раствор-расплав со скоростью, удовлетворяющей соотношениюV=V/K(T+5+30),где V - скорость изменения соотношения концентрацией индия к галлию (I/с);V- скорость снижения температуры (град/с);K - 0,3-0,4;T- температура инверсии амфотерной примеси в первом растворе-расплаве (K).2. Способ получения эпитаксиальных структур на основе соединений типа ABжидкофазной эпитаксией, включающий приведение в контакт с подложкой первого насыщенного раствора-расплава, содержащего компоненты соединения, галлия и амфотерную примесь, и введение в первый раствор-расплав второго насыщенного раствора-расплава, содержащего дополнительно изовалентный металл, преимущественно индий, отличающийся тем, что, с целью получения структур с перестраиваемой энергией квантов излучения и улучшения их качества, вводят второй раствор-расплав со скоростью изменения соотношения концентраций индия к галлию в результирующем растворе-расплаве 0,01 - 0,1 I/с, а температуру в области роста устанавливают в диапазонеT+ ( 5 - 10) < T < T- (5 - 10),где T, T- температура инверсии амфотерной примеси, соответственно в первом и во втором растворе-расплаве,Т - температура в области роста.