SU1009242A1 - Способ получения p-n-структур арсенида галлия - Google Patents

Способ получения p-n-структур арсенида галлия

Info

Publication number
SU1009242A1
SU1009242A1 SU2984630/25A SU2984630A SU1009242A1 SU 1009242 A1 SU1009242 A1 SU 1009242A1 SU 2984630/25 A SU2984630/25 A SU 2984630/25A SU 2984630 A SU2984630 A SU 2984630A SU 1009242 A1 SU1009242 A1 SU 1009242A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
structures
producing
melt
solution
arsenide gallium
Prior art date
Application number
SU2984630/25A
Other languages
English (en)
Inventor
Л.Ф. Зайцева
В.Д. Лисовенко
И.Е. Марончук
Ю.Е. Марончук
В.Ф. Соловьев
Н.А. Якушева
Original Assignee
Новосибирский государственный университет
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Новосибирский государственный университет filed Critical Новосибирский государственный университет
Priority to SU2984630/25A priority Critical patent/SU1009242A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1009242A1 publication Critical patent/SU1009242A1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Способ получения р-n-структур арсенида галлия эпитаксиальным наращиванием из жидкой фазы, включающий приготовление насыщенного мышьяком раствора-расплава, содержащего в качестве металла-растворителя галлий с добавкой индия, легирующую примесь-кремний, приведение в контакт раствора-расплава с подложкой и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур, дополнительно водят в раствор-расплав висмут в количестве 3,310 ат.% при содержании индия 6-18,2 ат.%.
SU2984630/25A 1980-09-22 1980-09-22 Способ получения p-n-структур арсенида галлия SU1009242A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2984630/25A SU1009242A1 (ru) 1980-09-22 1980-09-22 Способ получения p-n-структур арсенида галлия

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2984630/25A SU1009242A1 (ru) 1980-09-22 1980-09-22 Способ получения p-n-структур арсенида галлия

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1009242A1 true SU1009242A1 (ru) 1999-11-10

Family

ID=60518975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2984630/25A SU1009242A1 (ru) 1980-09-22 1980-09-22 Способ получения p-n-структур арсенида галлия

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1009242A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2488911C1 (ru) * 2012-03-19 2013-07-27 Общество с ограниченной ответственностью "МеГа Эпитех" СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ p-i-n СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ GaAs-GaAlAs МЕТОДОМ ЖИДКОСТНОЙ ЭПИТАКСИИ
RU2647209C1 (ru) * 2017-02-14 2018-03-14 Общество с ограниченной ответственностью "ЭПИКОМ" Способ получения многослойной гетероэпитаксиальной p-i-n структуры в системе AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2488911C1 (ru) * 2012-03-19 2013-07-27 Общество с ограниченной ответственностью "МеГа Эпитех" СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ p-i-n СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ GaAs-GaAlAs МЕТОДОМ ЖИДКОСТНОЙ ЭПИТАКСИИ
RU2647209C1 (ru) * 2017-02-14 2018-03-14 Общество с ограниченной ответственностью "ЭПИКОМ" Способ получения многослойной гетероэпитаксиальной p-i-n структуры в системе AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS549592A (en) Luminous semiconductor element
SU1009242A1 (ru) Способ получения p-n-структур арсенида галлия
JPS5315299A (en) Liquid-phase epitaxial growth method of electrooptical crystals
JPS53139970A (en) Liquid phase epitaxial growth method of gaas crystal
JPS5243362A (en) Liquid growth method
JPS5211860A (en) Liquid phase epitaxial device
JPS5384457A (en) Liquid-phase epitaxial growth method
JPS57102012A (en) Liquid phase epitaxy method
JPS52135264A (en) Liquid phase epitaxial growth method
JPS5423467A (en) Singlecrystal growing method for binary semiconductor
JPS51139774A (en) Liquid phase growing device
JPS52116072A (en) Process for doping nitrogen to gallium phosphide
JPS547861A (en) Liquid phase epitaxial growth method
JPS5228258A (en) Method for growth of crystals from liquid phase
JPS5227354A (en) Impurity diffusion method for iii-v group compound semiconductor region
GB2015371A (en) Improvements in or relating to the growth of semiconductor compounds
JPS52103952A (en) Liquid phase epitaxial crowth method of semiconductor crystal
JPS5228863A (en) Process for growing in liquid phase
JPS5289599A (en) Liquid phase eptaxial growth
JPS52114269A (en) Selective liquid growing method
JPS51140561A (en) Liquid phase epitaxial growing method
JPS5267257A (en) Gaas vapor growth method by doping sn donor
JPS52116071A (en) Process for liquid phase epitaxial growth
JPS5244193A (en) Epitaxial growth method
JPS5345171A (en) Molecular beam epitaxial growth method