Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Физики Полупроводников Со Ан СссрfiledCriticalИнститут Физики Полупроводников Со Ан Ссср
Priority to SU2829783/25ApriorityCriticalpatent/SU803747A1/ru
Application grantedgrantedCritical
Publication of SU803747A1publicationCriticalpatent/SU803747A1/ru
Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed
(AREA)
Abstract
Способ получения полупроводниковых структур, включающий маскирование подложки, создание в маске окон, локальное травление и наращивание в процессе жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и улучшения качества структур, травление подложки расплавом бинарной системы осуществляют через окна маски толщиной 0,2 - 2,0 мм, а наращивание проводят из слоя раствора-расплава толщиной 0,5 - 1,5 мм, нанесенного на поверхность маски.
SU2829783/25A1979-10-101979-10-10Способ получения полупроводниковых структур
SU803747A1
(ru)