SU475003A3 - Тонкопленочна структура - Google Patents
Тонкопленочна структураInfo
- Publication number
- SU475003A3 SU475003A3 SU1685902A SU1685902A SU475003A3 SU 475003 A3 SU475003 A3 SU 475003A3 SU 1685902 A SU1685902 A SU 1685902A SU 1685902 A SU1685902 A SU 1685902A SU 475003 A3 SU475003 A3 SU 475003A3
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- layer
- electrodes
- film structure
- capacitor
- thin film
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000158147 Sator Species 0.000 description 1
- 229910004479 Ta2N Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIRRSBIRSIPRGM-UHFFFAOYSA-N [N].[Hf] Chemical compound [N].[Hf] AIRRSBIRSIPRGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011505 plaster Substances 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/006—Thin film resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
(54) ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ СТРУКТУРА Другими подход щими материалами вл ютс алюминий, ниобий, титаний и цирконий. Затем провод щий слой покрываетс маской известным фоторезистивным способом и вытравл етс дл образовани металлических электродов 11-15, каждый из .которых соответственно предназначен дл выполнени функций электрода-подложки конденсаторов 5-9. Указанные электроды могут формироватьс по технологии, отличной от техники создани фоторезисторной маски, например может использоватьс ионный нучок. Одновременно с формированием электродов формируютс взаимосоедин ющие полоски 16 и обща металлическа контактна площадка 17. Эта соединительна площадка вместе с взаи: осоедин ющими .полоока м-и образует общее электрическое соединение дл электродов во врем последующего анодирующего процесса. На всей поверхности танталовых электродов образуетс слой хорощего диэлектрического материала путем анодировани метал.гнческих участков слоев в соответствующем электролите. По окончании анодировани площадка 17 и взаимосоедин ющие полоски 16 дл электродов 11-15 могут удал тьс из структуры путем спиливани подложки 10 но лини м 18 (см. фиг. 2). Оксидное покрытие 19 образуетс по всей поверхности подложки 10 и анодированных электродов //-15. Например , двуокись кремни (Si02) может распыл тьс на поверхности, создава слой онределенной толщины, например 2500 А, дл обеолечешг требуемой ем кОСти; двуоки;С1 кремни имеет емкость 0,55 пф/мм. Толщина сло двуокиси кремни может точно регулироватьс в предела.х ±2%. Таким образом, величина емкости конденсатора может задаватьс точно. Слой 20 материала с хорошим активным сопротивлением наноситс на оксидное покрытие 19, например слой азотистого тантала ( Tai.X), толщ; ной 800 А с помощью рсактн1пного разбрызгивани . .Могут примен тьс и другие aтepиaлы, обладаюн ис активным сопротииление.м, такие как iinxpoM, азотистый гафний и рений. Голн1и;.а сло активного сопротивлени может .мен тьс в зависимости от требуемом величины (в пределах от 200 А до нескольких тыс ч). Типова толщина - 30-50 см/см. Следхющий этап изготовлени тонкоил, н .эчной структуры - покрытие резистивно.) сло провод щим .металлическим слоем 21 пре.апочтительно из хро.чгопого золота СгАи, но с включением низкопробного золота С примесью никел и меди по любой удобной технологии , нанример разбрызгиванием или испарением до необходимой . На этой стадии изготовлени делаетс стандартна универсальна структура подложки. В данном случае предусмотре1 о только п ть подложек дл конденсатора, однако значительно ольшее количество предусмотрено на универальной подложке, прИ этом электроды имеют различные габариты и расположены по периферии подложки. Больша часть подложки , расположенна в центре, необходима дл создани различных резисторов н взаимосоединений в схеме, а также определени места дл подключени транзисторов к схеме. Любые требуемые электроды конденсатора могут использоватьс в дальнейще.м развитии микросхемной техникн. Эти универсальные структуры онредел ютс конструкторами схем при разработке бесчисленного количества схем. Ширина элементов резисторов определ етс с помощью маски но способу фоторезистора , после чего идет травление сло 21 из СгАи и резнстивпого сло 20 из TaaN с поверхности SiOs оксидного нокрыти 19 и площадок 22- 25 (см. фиг. 4). Впещние электроды конденсатора, необходимые взаимосоединени между элементамн, а также и внешние соед1нп1тельные участки нанос тс на пластину через соответствующую маску -па слой 21 из СгАи. Электропровод щий материал, такой как золото или медь, используетс в данном случае и распыл етс до требуемой толщины, т. е. /4 - -иПлощадки 26-29 (см. фиг. 4) вл ютс внешннмн соеднннтельны.ми элементами дл конденсаторов 5, 7, 8 и 9, н.чощадка 30 необходима дл взаимосв зи (в качестве внешнего соеднннтельного элемента) с резистором 3, площадка 31 необходима дл взаимосв зи одной стороны конденсатора 6 с конденсатором 5 и резистором 2, а площадка 32 соедин ет другую сторону конденсатора 6 с кон .чеисатором 7 и резисторо.м 4, площадка оЗ соедин ет конденсатор 8 и резистор 2, а плоп адка 34 - конденсатор 9 н резистор 4. плони1дки 31, 32 н 35 св зывают резисторы 2, 3 н 4 и транзистор / в yпo нyтoй структуре. Следующий этап - применение фоторезисторной маски и техники травлени . Слой 21 из СгАп и затем резисторный слой 20 из Ta2N удал ютс со всех площадок 36 (как между сло м1г, так и вокруг различных элементов). Затем слой 2 из Сг.Ап удал етс путе.м травлени с плоп1адс К 37, 38, 39. оставл слой резнстивного м-лтериала (ТаоХ) дл образовл .ни на этих нлопихчках резисторов 2, 3, 4. Резисторна пленка стабплнзнруетс путем помещени подложки в печь при 425±3°С на определен1 ый период времени, например 10 мин± 10 сек. Предмет изобретени 1. Тонкопленочна структура, содержаща подложку и последовательно расположенные на ней слои первого 1прово.д щего, основного днэлектрнческого и второго провод щего мате-рнало.в, а также слой резистивного материала , отличающа с тем, что, с целью получени полуфабриката универсального назначеНИИ и упрощени технологии изготовлени , на основной диэлектрический слой нанесен дополнительный слой диэлектрического материала , расположенный по всей поверхности подложки , причем основной диэлектрический слой имеет конфигурацию нижележащего первого провод щего сло , а резистивный слой расположен по всей поверхностп дополнительного д электрического сло .
2. Тонканленочна структура по п. 1, отличающа с тем, что, с целью выполнени ею функций конденсатора, первый провод щий и резистивный слои пространственно разделены в плоскости.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US5661070A | 1970-07-20 | 1970-07-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU475003A3 true SU475003A3 (ru) | 1975-06-25 |
Family
ID=22005551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1685902A SU475003A3 (ru) | 1970-07-20 | 1971-07-20 | Тонкопленочна структура |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
CA (1) | CA970878A (ru) |
DE (1) | DE2135567B2 (ru) |
FR (1) | FR2103114A5 (ru) |
GB (2) | GB1358388A (ru) |
MY (2) | MY7500235A (ru) |
NL (1) | NL7109916A (ru) |
SE (1) | SE369659B (ru) |
SU (1) | SU475003A3 (ru) |
-
1971
- 1971-06-25 CA CA116,636A patent/CA970878A/en not_active Expired
- 1971-07-16 DE DE2135567A patent/DE2135567B2/de active Pending
- 1971-07-19 SE SE09274/71A patent/SE369659B/xx unknown
- 1971-07-19 NL NL7109916A patent/NL7109916A/xx unknown
- 1971-07-20 GB GB4800473A patent/GB1358388A/en not_active Expired
- 1971-07-20 GB GB3402771A patent/GB1358387A/en not_active Expired
- 1971-07-20 FR FR7126543A patent/FR2103114A5/fr not_active Expired
- 1971-07-20 SU SU1685902A patent/SU475003A3/ru active
-
1975
- 1975-12-30 MY MY235/75A patent/MY7500235A/xx unknown
- 1975-12-30 MY MY222/75A patent/MY7500222A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE369659B (ru) | 1974-09-09 |
DE2135567B2 (de) | 1974-10-10 |
NL7109916A (ru) | 1972-01-24 |
DE2135567A1 (de) | 1972-01-27 |
MY7500235A (en) | 1975-12-31 |
FR2103114A5 (ru) | 1972-04-07 |
GB1358388A (en) | 1974-07-03 |
GB1358387A (en) | 1974-07-03 |
CA970878A (en) | 1975-07-08 |
MY7500222A (en) | 1975-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3256588A (en) | Method of fabricating thin film r-c circuits on single substrate | |
US3949275A (en) | Electric thin-film circuit and method for its production | |
US3699011A (en) | Method of producing thin film integrated circuits | |
JPS62118560A (ja) | アナログ集積回路装置に適した耐火金属コンデンサ構造 | |
JP2001085230A (ja) | インダクタ | |
US20070262846A1 (en) | Fine line thick film resistors by photolithography | |
US3615949A (en) | Crossover for large scale arrays | |
SU475003A3 (ru) | Тонкопленочна структура | |
US7005722B2 (en) | RC terminator and production method therefor | |
US3778689A (en) | Thin film capacitors and method for manufacture | |
JPH09199365A (ja) | 高周波インダクタの製造方法 | |
JP3759381B2 (ja) | 電子回路基板 | |
JPS58191451A (ja) | 集積回路の電気接触用孔への相互接続線の位置決め形成方法 | |
JP2707717B2 (ja) | 混成集積回路 | |
JPS6252952B2 (ru) | ||
JPH03138973A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH0247862A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2002033560A (ja) | 電子回路基板の製造方法 | |
JPH11121264A (ja) | チップ型lcフィルタの製造方法 | |
JPS626702Y2 (ru) | ||
JPS63169058A (ja) | 薄膜集積回路 | |
JPH10135077A (ja) | 薄膜キャパシタ | |
JP4178896B2 (ja) | Lr複合部品 | |
JPS62266861A (ja) | 薄膜抵抗容量ネツトワ−ク | |
JP2003059725A (ja) | Lr複合部品 |