SU475003A3 - Тонкопленочна структура - Google Patents

Description

(54) ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ СТРУКТУРА Другими подход щими материалами  вл ютс  алюминий, ниобий, титаний и цирконий. Затем провод щий слой покрываетс  маской известным фоторезистивным способом и вытравл етс  дл  образовани  металлических электродов 11-15, каждый из .которых соответственно предназначен дл  выполнени  функций электрода-подложки конденсаторов 5-9. Указанные электроды могут формироватьс  по технологии, отличной от техники создани  фоторезисторной маски, например может использоватьс  ионный нучок. Одновременно с формированием электродов формируютс  взаимосоедин ющие полоски 16 и обща  металлическа  контактна  площадка 17. Эта соединительна  площадка вместе с взаи: осоедин ющими .полоока м-и образует общее электрическое соединение дл  электродов во врем  последующего анодирующего процесса. На всей поверхности танталовых электродов образуетс  слой хорощего диэлектрического материала путем анодировани  метал.гнческих участков слоев в соответствующем электролите. По окончании анодировани  площадка 17 и взаимосоедин ющие полоски 16 дл  электродов 11-15 могут удал тьс  из структуры путем спиливани  подложки 10 но лини м 18 (см. фиг. 2). Оксидное покрытие 19 образуетс  по всей поверхности подложки 10 и анодированных электродов //-15. Например , двуокись кремни  (Si02) может распыл тьс  на поверхности, создава  слой онределенной толщины, например 2500 А, дл  обеолечешг  требуемой ем кОСти; двуоки;С1 кремни  имеет емкость 0,55 пф/мм. Толщина сло  двуокиси кремни  может точно регулироватьс  в предела.х ±2%. Таким образом, величина емкости конденсатора может задаватьс  точно. Слой 20 материала с хорошим активным сопротивлением наноситс  на оксидное покрытие 19, например слой азотистого тантала ( Tai.X), толщ; ной 800 А с помощью рсактн1пного разбрызгивани . .Могут примен тьс  и другие aтepиaлы, обладаюн ис активным сопротииление.м, такие как iinxpoM, азотистый гафний и рений. Голн1и;.а сло  активного сопротивлени  может .мен тьс  в зависимости от требуемом величины (в пределах от 200 А до нескольких тыс ч). Типова  толщина - 30-50 см/см. Следхющий этап изготовлени  тонкоил, н .эчной структуры - покрытие резистивно.) сло  провод щим .металлическим слоем 21 пре.апочтительно из хро.чгопого золота СгАи, но с включением низкопробного золота С примесью никел  и меди по любой удобной технологии , нанример разбрызгиванием или испарением до необходимой . На этой стадии изготовлени  делаетс  стандартна  универсальна  структура подложки. В данном случае предусмотре1 о только п ть подложек дл  конденсатора, однако значительно ольшее количество предусмотрено на универальной подложке, прИ этом электроды имеют различные габариты и расположены по периферии подложки. Больша  часть подложки , расположенна  в центре, необходима дл  создани  различных резисторов н взаимосоединений в схеме, а также определени  места дл  подключени  транзисторов к схеме. Любые требуемые электроды конденсатора могут использоватьс  в дальнейще.м развитии микросхемной техникн. Эти универсальные структуры онредел ютс  конструкторами схем при разработке бесчисленного количества схем. Ширина элементов резисторов определ етс  с помощью маски но способу фоторезистора , после чего идет травление сло  21 из СгАи и резнстивпого сло  20 из TaaN с поверхности SiOs оксидного нокрыти  19 и площадок 22- 25 (см. фиг. 4). Впещние электроды конденсатора, необходимые взаимосоединени  между элементамн, а также и внешние соед1нп1тельные участки нанос тс  на пластину через соответствующую маску -па слой 21 из СгАи. Электропровод щий материал, такой как золото или медь, используетс  в данном случае и распыл етс  до требуемой толщины, т. е. /4 - -иПлощадки 26-29 (см. фиг. 4)  вл ютс  внешннмн соеднннтельны.ми элементами дл  конденсаторов 5, 7, 8 и 9, н.чощадка 30 необходима дл  взаимосв зи (в качестве внешнего соеднннтельного элемента) с резистором 3, площадка 31 необходима дл  взаимосв зи одной стороны конденсатора 6 с конденсатором 5 и резистором 2, а площадка 32 соедин ет другую сторону конденсатора 6 с кон .чеисатором 7 и резисторо.м 4, площадка оЗ соедин ет конденсатор 8 и резистор 2, а плоп адка 34 - конденсатор 9 н резистор 4. плони1дки 31, 32 н 35 св зывают резисторы 2, 3 н 4 и транзистор / в yпo  нyтoй структуре. Следующий этап - применение фоторезисторной маски и техники травлени . Слой 21 из СгАп и затем резисторный слой 20 из Ta2N удал ютс  со всех площадок 36 (как между сло м1г, так и вокруг различных элементов). Затем слой 2 из Сг.Ап удал етс  путе.м травлени  с плоп1адс К 37, 38, 39. оставл   слой резнстивного м-лтериала (ТаоХ) дл  образовл .ни  на этих нлопихчках резисторов 2, 3, 4. Резисторна  пленка стабплнзнруетс  путем помещени  подложки в печь при 425±3°С на определен1 ый период времени, например 10 мин± 10 сек. Предмет изобретени  1. Тонкопленочна  структура, содержаща  подложку и последовательно расположенные на ней слои первого 1прово.д щего, основного днэлектрнческого и второго провод щего мате-рнало.в, а также слой резистивного материала , отличающа с  тем, что, с целью получени  полуфабриката универсального назначеНИИ и упрощени  технологии изготовлени , на основной диэлектрический слой нанесен дополнительный слой диэлектрического материала , расположенный по всей поверхности подложки , причем основной диэлектрический слой имеет конфигурацию нижележащего первого провод щего сло , а резистивный слой расположен по всей поверхностп дополнительного д электрического сло .

2. Тонканленочна  структура по п. 1, отличающа с  тем, что, с целью выполнени  ею функций конденсатора, первый провод щий и резистивный слои пространственно разделены в плоскости.