SU1819070A1 - Способ изготовления биполярных интегральных схем с поликремниевым резистором - Google Patents

Способ изготовления биполярных интегральных схем с поликремниевым резистором

Info

Publication number
SU1819070A1
SU1819070A1 SU4794892/25A SU4794892A SU1819070A1 SU 1819070 A1 SU1819070 A1 SU 1819070A1 SU 4794892/25 A SU4794892/25 A SU 4794892/25A SU 4794892 A SU4794892 A SU 4794892A SU 1819070 A1 SU1819070 A1 SU 1819070A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
resistor
mask
polysilicon
regions
transistor
Prior art date
Application number
SU4794892/25A
Other languages
English (en)
Inventor
С.И. Гайдук
С.В. Балабуцкий
В.А. Сасновский
В.Н. Чаусов
Original Assignee
Научно-производственное объединение "Интеграл"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-производственное объединение "Интеграл" filed Critical Научно-производственное объединение "Интеграл"
Priority to SU4794892/25A priority Critical patent/SU1819070A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1819070A1 publication Critical patent/SU1819070A1/ru

Links

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Использование: изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем. Сущность изобретения: на кремниевой подложке формируют боковую изоляцию биполярных транзисторов путем селективного окисления эпитаксиального слоя. После создания тонкого слоя диэлектрика на поверхности изолированных областей формируют область поликремниевого резистора требуемой конфигурации, пассивирующий слой над областью транзистора и резистора и контактные окна к областям транзистора и резистору. Через соответствующую маску легируют область базы транзистора и контактные области поликремниевого резистора. Затем формируют маску с окнами над областью эмиттера и резистора за исключением контактных окон к нему и последовательно легируют примесь p-типа сквозь пассивирующий слой для получения требуемой проводимости высокоомной части поликремниевого резистора, а затем примесь n-типа, которая не проникает сквозь пассивирующий слой для формирования эмиттера. После удаления маски проводят отжиг внедренных примесей. 9 ил.
SU4794892/25A 1990-02-26 1990-02-26 Способ изготовления биполярных интегральных схем с поликремниевым резистором SU1819070A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4794892/25A SU1819070A1 (ru) 1990-02-26 1990-02-26 Способ изготовления биполярных интегральных схем с поликремниевым резистором

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4794892/25A SU1819070A1 (ru) 1990-02-26 1990-02-26 Способ изготовления биполярных интегральных схем с поликремниевым резистором

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1819070A1 true SU1819070A1 (ru) 1996-10-27

Family

ID=60514767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4794892/25A SU1819070A1 (ru) 1990-02-26 1990-02-26 Способ изготовления биполярных интегральных схем с поликремниевым резистором

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1819070A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2658310C1 (ru) * 2017-08-07 2018-06-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный технологический университет" Способ изготовления резистивных плёнок методом магнетронного распыления

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2658310C1 (ru) * 2017-08-07 2018-06-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный технологический университет" Способ изготовления резистивных плёнок методом магнетронного распыления

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4507171A (en) Method for contacting a narrow width PN junction region
CA2024640A1 (en) Bicmos process
ATE494630T1 (de) Herstellungsverfahren eines feldeffekttransistors aus siliziumkarbid
EP0395358A3 (en) Bipolar transistor and manufacturing method thereof
DE3861424D1 (de) Verfahren zur herstellung eines voll selbstjustierten bipolartransistors.
US3576475A (en) Field effect transistors for integrated circuits and methods of manufacture
KR870006675A (ko) 공유실리콘 기판에 쌍극성 트랜지스터 및 상보 mos-트랜지스터를 동시 제조하기 위한 공정
KR850006775A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR870006673A (ko) 자기정열된 쌍극성트랜지스터 구조의 제조공정
KR860008617A (ko) 자기정합된 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
KR840005927A (ko) 반도체 집적 회로 장치 및 그의 제조 방법
KR970067611A (ko) 트랜지스터 제조용 절연체 상의 실리콘(soi) 타입 기판 및 상기한 기판의 제조 공정
SU1819070A1 (ru) Способ изготовления биполярных интегральных схем с поликремниевым резистором
KR960019765A (ko) 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법
EP0147626A3 (en) Semiconductor device comprising bipolar and mos transistors, and method of producing the same
FR2422258A1 (fr) Dispositif semiconducteur monolithique a transistors de types mos et bipolaire
JPS6439069A (en) Field-effect transistor
KR880005690A (ko) 선택적인 에피켁샬층을 사용한 BiCMOS 제조방법
KR900001036A (ko) 분리식 수직형 바이폴라 및 jfet트랜지스터를 제조하기 위한 처리 공정
WO1996030940A3 (en) METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BiCMOS CIRCUIT
KR900001035A (ko) 분리식 수직형 수퍼베타 바이폴라 트랜지스터를 제조하기 위한 방법
JPS6185863A (ja) 半導体集積回路装置
JPS56157042A (en) Manufacture of semiconductor device
KR920005344A (ko) 고밀도 cmos 구조와 가로방향 쌍극형 트랜지스터 특성의 집적회로 및 그 제작방법
JP3158404B2 (ja) 半導体装置の製造方法