SU1762339A1 - Держатель полупроводниковых пластин - Google Patents
Держатель полупроводниковых пластин Download PDFInfo
- Publication number
- SU1762339A1 SU1762339A1 SU904874343A SU4874343A SU1762339A1 SU 1762339 A1 SU1762339 A1 SU 1762339A1 SU 904874343 A SU904874343 A SU 904874343A SU 4874343 A SU4874343 A SU 4874343A SU 1762339 A1 SU1762339 A1 SU 1762339A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- clamps
- blades
- holder
- plates
- support
- Prior art date
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
1
(21)4874343/25
(22) 03.08.90
(46) 15.09.92. Бюл. №34
(71)Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов
(72)В.А.Кагадей, Д.И.Проскуровский и Е.Б.Янкелевич
(56) Авторское свидетельство СССР № 1498307, кл. Н 01 L 21/268, 1987. Авторское свидетельство СССР № 1596803, кл. С 23 С 14/50, 1988.
(54) ДЕРЖАТЕЛЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН
(57) Изобретение относитс к технологии микроэлектроники и может быть использовано при обработке полупроводниковых пластин потоками лучистой энергии. Держатель имеет опору в форме трезубца или кольца и прикрепленные к опоре фиксаторы. Фиксаторы выполнены в виде трех пар скрещивающихс лезвий толщиной 0,08-0,2 мм, причем лезви фиксаторов образуют между собой угол 15-40°. При использовании держател дл обработки пластин потоками зар женных частиц лезви фиксаторов выполнены из тугоплавкого материала. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относитс к технологии микроэлектроники, а именно - к устройству держателей полупроводниковых пластин при обработке последних с помощью потоков лучистой энергии.
Известны устройства дл импульсной термообработки полупроводниковых пластин , в которых описаны держатели полупроводниковых пластин дл обработки последних с помощью потока некогерентного электромагнитного излучени . В обоих случа х держатель выполнен в виде трезубца и кварцевого стекла, на концах которого сделаны прорези. В эти прорези вставл етс обрабатываема пластина.
Недостатки данных держателей следующие:
1, Значительна площадь контакта держател и полупроводниковой пластины, а также значительна площадь затенени держателем ее рабочего пол , что приводит к температурным градиентам по поверхности пластины в местах контакта, а это, в свою
очередь, приводит к по влению линий скольжени и, например, в случае отжига ионно-легированных слоев к недостаточной степени активации имплантированной примеси в месте контакта и затенению.
2.Невозможность проведени нагрева пластин с помощью пучков зар женных частиц (например, электронов), т.к. держатель из кварцевого стекла, вл сь диэлектриком , не обеспечивает сток электрического зар да с обрабатываемой пластины.
3.Конструкци держател предполагает возможность перемещени и расположени пластины только в вертикальной плоскости, что уменьшает гибкость технологического процесса.
Известна, также конструкци держател , вз та нами за прототип, содержаща рамку с нат нутыми на ней двум парами струн из тугоплавкого металла. Данна конструкци лишена недостатков вышеупом нутых конструкций. Однако данный держатель не позвол ет проводить высокоVJ
О
ю
CJ СО Ю
температурные обработки (Т 800°С) при вертикальном расположении обрабатываемых пластин большого диаметра (100 мм). При высокотемпературном нагреве удлинение струн становитс значительным, и они уже не удерживают пластину. В кремниевой технологии, когда диаметр обрабатываемых пластин 100 мм, проводить высокотемпературные обработки можно только при вертикальном расположении пластины, т.к. при горизонтальном расположении происходит ее провисание, привод щее к генерации линий скольжени .
Целью изобретени вл етс повышение качества высокотемпературной обработки полупроводниковых пластин большого диаметра пучками лучистой энергии .
Дл достижени этой цели в предлагаемом держателе фиксаторы полупроводниковой пластины выполнены в виде трех пар перекрещивающихс лезвий, расположенных , в случае обработки пластин, перемещение и конечное положение которых осуществл етс только в вертикальной плоскости , на опоре в виде трезубца, и расположенных через 120° по периметру опоры в виде кольца в случае обработки пластин, перемещение и конечное положение которых осуществл етс в любой плоскости. При обработке полупроводниковых пластин с помощью пучков зар женных частиц, лезви выполнены из тугоплавкого металла. Во всех случа х толщина лезвий 0,08-0,2 мм и определ етс только их конструктивной прочностью.
Если опора выполнена в виде трезубца 1 (см. фиг. 1), то в каждой паре лезви 2 соединены между собой жестко. Загрузка и выгрузка пластины 3 осуществл етс сверху .
Если опора выполнена в виде кольца 1 (см. фиг.2), то по крайней мере в одном из трех закрепленных на ней фиксаторов одно из лезвий 2, закреплено с возможностью поворота относительно другого лезви 2, например с помощью винтового соединени , что необходимо дл осуществлени .загрузки-выгрузки пластин 3.
Материал лезвий должен отвечать следующим требовани м:
1.Быть хорошим проводником дл обеспечени стока электрического зар да при обработке пластин пучками зар женных частиц;
2.Иметь низкую теплопроводность дл достижени минимального теплоотвода от обрабатываемой пластины;
3.Иметь высокую температуру плавлени и достаточную химическую пассивность;
4.Иметь хорошую конструкционную прочность.
Всем этим требовани м в достаточной степени удовлетвор ют тугоплавкие металлы , например, W, Та, Мо.
Толщина лезвий должна быть минимальной с точки зрени наименьшего затенени рабочей площади обрабатываемой пластины и определ тьс их конструкционной прочностью. Экспериментально авторами установлено, что толщина лезвий d в
интервале 0, 0,2 мм вполне удовлетвор ет этим требовани м. Дл обеспечени минимального теплового контакта держател и пластины рабоча кромка каждого лезви должна быть заострена.
Угол а между парой лезвий каждого фиксатора выбираетс из услови надежности креплени пластины в держателе, что имеет особую важность в случае, когда пластина закрепл етс в рамке, выполненной в
виде трезубца. Авторами установлено, что оптимальный угол а находитс в диапазоне от 15° до 40°.
Пример. Дл проведени высокотемпературной обработки в вакууме пластин
кремни диаметром 100 мм с помощью ши- рокоапертурного электронного пучка было изготовлено два держател . Один из них выполнен с опорой в виде трезубца (фиг.1), второй с опорой в виде кольца (фиг. 2). Опоры в обоих случа х были изготовлены из немагнитной нержавеющей стали. Фиксаторы изготовл лись из вольфрамовой ленты толщиной 0,1 мм и утон лись с рабочих кромок с помощью электрохимического травлени в 5% растворе КОН. Соединение лезвий между собой и крепление фиксаторов к рамке осуществл лось контактной сваркой. В случае кольцевой рамки лезви в двух парах соедин лись жестко с помощью
контактной сварки, а лезви третьей пары соедин лись с помощью винтового соединени , что позвол ло производить загрузку - выгрузку пластин.
Использование держателей предложенных конструкций, позволило провести высокотемпературную обработку полупроводниковых пластин в температурном диапазоне от 800°С до 1300°С без искажени температурного пол по площади пластины
Это особенно важно при производстве кремниевых интегральных схем, когдг требуетс высокотемпературный отжиг будь то: отжиг ионно-легированных слоев формирование силицидов тугоплавких металлов или отжиг слоев поликристаллического кремни .
Claims (4)
- В качестве источников нагрева можно примен ть как пучки зар женных частиц, так и электромагнитное излучение. Кроме того, предложенные держатели могут использоватьс в любых других технологических операци х, таких как: ионна имплантаци , нанесение металлизации на обе стороны пластины, очистка, плазмо-хи- мическое и ионное травление. С помощью таких держателей можно проводить многооперационную обработку пластин в едином вакуумном цикле, что особенно важно при изготовлении интегральных схем с субмик- ронными размерами элементов. Испытани предложенных держателей показали, что они долговечны и удобны в работе. Их использование при высокотемпературных обработках полупроводниковых пластин позволило существенно улучшить качество пластин за счет уменьшени дефектности. Формула изобретени 1. Держатель полупроводниковых пластин , содержащий опору и прикрепленныек ней фиксаторы, отличающийс тем, что, с целью повышени качества высокотемпературной обработки пластин потоками лучистой энергии и надежности креплени пластин, фиксаторы выполнены в виде трех пар скрещивающихс лезвий толщиной 0.08-0.2 мм причем лезви фиксаторов образуют между собой угол 15-40°.
- 2.Держатель по п. 1,отличающий- с тем, что опора выполнена в форме трезубца , а фиксаторы прикреплены к вершинам трезубца.
- 3.Держатель по п. 1,отличающий- с тем, что опора выполнена в виде кольца, на котором через 120° закреплены фиксаторы , причем по крайней мере в одной паре фиксаторов одно из лезвий закреплено с возможностью поворота относительно другого лезви .
- 4.Держатель поп. 1.отличающий- с тем, что с целью использовани его дл обработки пластин потоками зар женных частиц, лезви фиксаторов выполнены из тугоплавкого материала.Фиг12-2
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904874343A SU1762339A1 (ru) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | Держатель полупроводниковых пластин |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904874343A SU1762339A1 (ru) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | Держатель полупроводниковых пластин |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1762339A1 true SU1762339A1 (ru) | 1992-09-15 |
Family
ID=21540632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU904874343A SU1762339A1 (ru) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | Держатель полупроводниковых пластин |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1762339A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2820742C2 (ru) * | 2024-03-19 | 2024-06-07 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Электронное специальное-технологическое оборудование" | Устройство для фиксации керамических игл |
-
1990
- 1990-08-03 SU SU904874343A patent/SU1762339A1/ru active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2820742C2 (ru) * | 2024-03-19 | 2024-06-07 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Электронное специальное-технологическое оборудование" | Устройство для фиксации керамических игл |
RU2820740C2 (ru) * | 2024-03-19 | 2024-06-07 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Электронное специальное-технологическое оборудование" | Подъемное устройство для керамических игл в установках плазмохимического травления |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS59152618A (ja) | 加熱処理方法およびその装置 | |
TW200809930A (en) | Techniques for temperature-controlled ion implantation | |
US4468259A (en) | Uniform wafer heating by controlling light source and circumferential heating of wafer | |
SU1762339A1 (ru) | Держатель полупроводниковых пластин | |
US4068814A (en) | Semiconductor body holder | |
JPS58175826A (ja) | 半導体を光照射で加熱する方法 | |
CN111446165A (zh) | 一种晶圆热处理工艺以及晶圆双面电镀工艺 | |
JPH03108716A (ja) | 半導体集積回路装置の加熱処理方法 | |
JP2003077855A (ja) | 熱処理装置、熱処理方法 | |
TWI595563B (zh) | Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus | |
JP2003092267A (ja) | 炭化珪素半導体製造装置及びそれを用いた炭化珪素半導体製造方法 | |
JPS58180028A (ja) | 半導体ウエハの処理方法 | |
Pai et al. | Rapid thermal annealing of Al‐Si contacts | |
TW201018755A (en) | Silicon wafer and manufacturing method thereof | |
JPS60171723A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 | |
KR100851902B1 (ko) | 이온 중성화 장치 | |
JPS61131354A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
JPS59121832A (ja) | 半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法 | |
JPS59121821A (ja) | 加熱器組立体 | |
JPS593921A (ja) | 半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法 | |
JP3260245B2 (ja) | 半導体ウエーハの熱処理炉及び半導体ウエーハの熱処理方法 | |
JPH0471229A (ja) | 化合物半導体基板の熱処理方法 | |
JPS59101825A (ja) | 半導体装置の製造方法および熱処理装置 | |
Syutkin et al. | Field ion microscopy investigation of the disorder-to-order transformation in FePd2Au after bombardment by Ar+ ions | |
JPS593934A (ja) | 半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法 |