SU1252936A1

SU1252936A1 - Преобразователь логических уровней

Info

Publication number: SU1252936A1
Application number: SU853860940A
Authority: SU
Inventors: Дмитрий Васильевич Игумнов; Галина Петровна Костюнина; Игорь Степанович Громов; Геннадий Васильевич Королев
Original assignee: Московский Институт Радиотехники ,Электроники И Автоматики
Priority date: 1985-03-01
Filing date: 1985-03-01
Publication date: 1986-08-23

Abstract

Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано дл согласовани уровней логических сигналов схем МЦП-логики с различными элементами на бипол рных транзисторах. Целью изобретени вл етс повьшение нагрузочной способности . Дл достижени цели в преобразователь , содержащий входной ЩЩ- транзистор 1 с каналом h-типа, выходной h-р-п-транзистор 2, резистор 3, р-h-p-транзисторы 5 и 6, вход 10, шину питани 11, выход 12, введейЫ дополнительные р -vi-p-транзисторы 7 и 8, дополнительныйh-р-п-транзистор 9 и дополнительный резистор 4. Транзисторы 7, 9 и резистор 4 образуют неинвертирующий усилитель, служаирш дл увеличени нагрузочной способности преобразовател . Транзистор 6 предназначен дл устранени фактора нестабильности, а транзистор 8 - дл согласовани с базовой цепью выходного транзистора 2, что способствует его надежному закрытию в другом состо нии преобразовател . 1 ил. 12 СП

Description

Ной технике и может быть использовано дл согласовани уровней логических сигналов схем МДП-логики с различными элементами на бипол рных транзисторах, например транзисторно- транзисторной логики (ТТЛ).

Цель изобретени - повышение нагрузочной способности.

На чертеже представлена принципи- О 6 устран ет вли ние „ст и между его

коллектором и общей шиной уже будет иметь место только инжекционное напр жение . Ток базы транзистора 9 будет несколько меньше тока стока входальна схема предлагаемого преобразовател .

Преобразователь логических уровней содержит входной МДП-транзистор 1 с каналом h-типа, выходной ь-р-и- 5 ного МДП-транзистора 1. Транзистор 9 транзистор 2, резистор 3 и дополни- вместе с резистором 4 и транзистором тельный резистор 4, первьй 5 и второй 7 образует неинвертирующий усилительj 6 р-h-p-транзисторы, первый 7 и вто- служащий дл увеличени нагрузочной рой 8 дополнительные р-h-p-транзи-- способности преобразовател . Транзисторы и дополнительный и-р-п-транзи- 20, стор 8 служит дл согласовани с ба- стор 9, исток и подложка МДП-транзи- зоной цепью выходного транзистора 2, стора 1 соединены с эмиттерами транзи- поддержива необходимый выходной ток сторон 2 и 9, базами транзисторов 6 g одном состо нии преобразовател и 8 и с общей шиной устройства, за- уровней и способству надежному за- твор ВДП-транзистора 1 подключен к 25 рытию выходного транзистора 2 в дру- входу устройства 10, а сток - к базе -C-QM состо нии преобразовател , транзистора 5, эмиттер которого через резистор 3 соединен шиной 11 питани . Коллектор транзистора 5 соединен с эмиттером транзистора 6, коллектор 30 которого соединен с базой транзистора 9, а коллектор транзистора 9 - с базой транзистора 7, эмиттер которого через резистор 4 соединен с ши- .

Claims

Формула изо бретени

ЧПреобразователь логических уровней , содержапщй входной МДП-транзистор , затвор которого подключен к входу преобразовател , основной резистор , первый вьшод которого под- ной It питани ,, коллектор транзистора 35 ..ен к шине питани , два основных 7 соединен с эмиттером транзистора о, коллектор которого соединен с базой

выходного транзистора 2, коллектор которого подключен к выходу 12 устройства .

р и-р-транзистора, база первого из которых соединена со стоком МДП-транзистора , и выходной и -p-h-транзи- стор, эмиттер которого соединен с ба- ЗОЙ второго Р-и-р-транзистора, ис- , При запертом МДП-транзисторе 1 ток током МДП-транзистора и общей щиной, стока не протекает,поэтому и цепи коллектор подключен к выходу пре- базы выходного транзистора 2 равен нулю. образовател , отличающий- При открытом входном МДП-транзисторе тем, что с целью повышени грузочной способности, в него введены два дополнительных р-и-р-тран- зистора, дополнительный п-р-ь-тран1 в цепи его стока будет протекать ток, который вл етс и током эмиттера транзистора 5. Преобразу сь транзисторами 5 и 6, работающими в инжек- ционном режиме, этот ток будет протезистор и дополнительньй резистор, эмиттер первого дополнительного Ркать в цепь базы транзистора 9 и под- SO ь-р-транзистора через дополнительный держивать его в открытом состо нии. резистор подключен к шине питани . Ток коллектора транзистора 9 вл етс током эмиттера транзистора 7„

Преобразу сь транзисторами 7 и В, рабаза соединена с коллектором дополнительного и-р-п-транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной ботающими в инжекционном режиме, этот 55 и базой второго дополнительного р- ток будет протекать в цепь базы вы- ь-р-транзистора, коллектор которого ходного транзистора 2, поддержива соединен славой выходного h-p-fi- его открытое состо ние.транзистора, эмиттер - с коллектором

1 в открытом состо нии обладает значительным остаточным напр жением iJ (дес тые доли вольта), напр жение между коллектором транзистора 5 и общей шиной имеет величину большую, чем инжекционное напр жение транзистора 5, на -1., которое вл етс фактором нестабильности. Транзистор

коллектором и общей шиной уже будет иметь место только инжекционное напр жение . Ток базы транзистора 9 будет несколько меньше тока стока входного МДП-транзистора 1. Транзистор 9 вместе с резистором 4 и транзистором 7 образует неинвертирующий усилительj служащий дл увеличени нагрузочной способности преобразовател . Транзистор 8 служит дл согласовани с ба- зоной цепью выходного транзистора 2, поддержива необходимый выходной ток g одном состо нии преобразовател уровней и способству надежному за- рытию выходного транзистора 2 в дру- -C-QM состо нии преобразовател ,

ого МДП-транзистора 1. Транзистор 9 месте с резистором 4 и транзистором образует неинвертирующий усилительj лужащий дл увеличени нагрузочной пособности преобразовател . Транзистор 8 служит дл согласовани с ба- зоной цепью выходного транзистора 2, поддержива необходимый выходной ток g одном состо нии преобразовател уровней и способству надежному за- рытию выходного транзистора 2 в дру- -C-QM состо нии преобразовател ,

Формула изо бретени

ЧПреобразователь логических уровней , содержапщй входной МДП-транзистор , затвор которого подключен к входу преобразовател , основной ре31252936 , 4 ,

первого дополнительного p-h-p-тран- тор которого соединен с эмиттером зистора, второй вывод основного ре- второго основного р-и-р-транзистора, зистора соединен с эмиттером первого коллектор которого соединен с базой основного р ь-р-транзистора, коллек- дополнительного и-p-h-транзистора