SU1109907A1 - Устройство преобразовани уровней напр жени - Google Patents

Устройство преобразовани уровней напр жени Download PDF

Info

Publication number
SU1109907A1
SU1109907A1 SU833548690A SU3548690A SU1109907A1 SU 1109907 A1 SU1109907 A1 SU 1109907A1 SU 833548690 A SU833548690 A SU 833548690A SU 3548690 A SU3548690 A SU 3548690A SU 1109907 A1 SU1109907 A1 SU 1109907A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
source
drain
gate
bus
Prior art date
Application number
SU833548690A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Иванович Золотаревский
Анна Васильевна Лукашенко
Original Assignee
Предприятие П/Я Х-5737
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Х-5737 filed Critical Предприятие П/Я Х-5737
Priority to SU833548690A priority Critical patent/SU1109907A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1109907A1 publication Critical patent/SU1109907A1/ru

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

УСТРОЙСТВО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ УРОВНЕЙ НАПРЯЖЕНИЯ, выполненное на МДП-транзистррах, содержащее первый транзистор с каналом -типа, сток которого подключен к стоку второго транзистора с каналом р-типа, затвор которого подключен к входу устройства , а исток - к шине первого источника положительного напр жени , третий транзистор с каналом п -типа, исток которого подключен к шине отрицательного источника напр жени , сток - к выходу устройства и стоку четвертого транзистора с каналом р-типа, исток которого подключен к шине второго источника положительного напр жени , исток п того транзистора с каналом h-типа подключен к шине отрицательного источника напр жени , затвор шестого транзистора с каналом р-типа подключен к шине нулевого потенциала, сток к стоку седьмого транзистора с каналом -типа, затвор восьмого транзистора с каналом р-типа подключен к выходу устройства, сток к затвору четвертого транзистора, а исток - к шине второго источника положительного напр жени , от§ личающеес  тем, что, с целью увеличени  быстродействи , (Л затвор первого транзистора подключен к входу устройства, исток - к шине нулевого потенциала, сток - к стоку седьмого транзистора, затвор которого подключен к истоку второго транзистора, а исток - к стоку восьмого транзистора,затвор которого подключен к затвору п того транзистора, с) сток которого подключен к истоку СО шестого транзистора и затвору третьего транзистора.

Description

Изобретение относитс  к электронике и импульсной технике и предназначено дл  преобразовани  уровней напр женьл. Известно устройство преобразовани  уровней напр жени , выполненн на дополн ющих ВДП-транзисторах и содержащее входной транзистор, первый инвертор и триггер с несимметричными плечами 1 1 Недостатком устройства  вл етс  невозможность использовани  его дл  преобразовани  уровней ТТЛ ИС в управл ющие напр жени  МДП-схем на дополн ющих транзисторах, питающихс от разнопол рных источников напр же ни , так как при логическом О на входе устройства не обеспечиваетс  режим закрывани  п-канальных транзи торов, подключенных истоком к шине источника отрицательного напр жени  питани . Наиболее близким по технической сущности к предложенному  вл етс  устройство согл-асовани  ТТЛ схем с МДП-интегральньми схемами, выполненное на МДП-транзисторах, содержащее первый транзистор с каналом гл-типа сток которого подключен к стоку второго транзистора с каналом р -типа, затвор которого подключен к входУ устройства, а исток- к щине первого источника положительного.напр жени  третий транзистор с каналом п-типа,ис ток которого подключен к шине отрица тельного источника напр жени , сток к выходу устройства и стоку четверто транзистора с каналом р-типа, исток которого подключен к шине второго источника положительного напр жени  исток п того транзистора с каналом h-типа подключен к шине отрицательного источника напр жени , затвор шестого транзистора с каналом р-типа к шине нулевого потенциала, сток к стоку седьмого транзистора с каналом п-типа, затвор восьмого транзистора с каналом р-типа подключен к выходу устройства, сток - к затвору четвертого транзистора, а исток к шине второго источника положительного напр жени , сток дев того транзистора подключен к затвору второго транзистора и истоку шестого транзистора , затвор третьего транзистора подключен к стоку первого транзистора и затвору седьмого транзистора исток которого подключен к шине отрицательного источника напр жени , сток седьмого транзистора подключен к затворам первого и п того Tpai зисторов . Недостатком известного устройства  вл етс  низкое быстродействие, св занное с ограничивающими ток первым , третьим и п тым тоанзисторами. Цель изобретени  - увеличение быстродействи . Поставленна  цель достигаетс  тем, что в устройстве преобразовани  уровней напр жени , выполненном на МДЛ-транзисторах, содержащем первый транзистор с каналом ti -типа, сток которого подключен к стоку второго транзистора с каналом р-типа, затвор которого подключен к входу устройства , а исток - к, шине первого источника положительного напр жени , третий транзистор с каналом п-типа, исток которого подключен к шине отрица ельного источника напр жени , сток - к выходу устройства и стоку четвертого транзистора с каналом р-типа, исток которого подключен к шине второго источника положительного напр жени , исток п того транзистора с каналом м -типа подключен к шине отрицательного источника напр жени , затвор шестого транзистора с каналом р-типа подключен к шинр нулевого потенциала, сток - к стоку седьмого транзистора с каналом h-типа, затвор восьмого транзистора с каналом р-типа подключен к выходу устройства, сток - к затвору четвертого транзистора, а исток - к шине второго источника положительного напр жени , затвор первого транзистора подключен к входу устройства, исток - к шине нулевого потенциала, сток - к стоку седьмого транзистора, затвор которого подключен к истоку второго транзистора, а исток - к стоку восьмого транзистора , затвор которого подключен к затвору п того транзистора, сток которого подключен к истоку шестого транзистора и затвору третьего транзистора . На чертеже представлена принципиальна  электрическа  схема устройства преобразовани  уровней напр жени . Устройство содержит первый транзистор 1 с каналом п-типа, сток которого подключен к стоюу второго транзистора 2 с каналом р-типа, затвор которого подключен к входу 3 устройства, а исток - к шине первог источника 4 положительного напр жени , третий транзистор 5 с каналом п-типа, исток которого подключен к шине отрицательного источника 6 напр жени , сток - к выходу 7 устро ства и стоку четвертого транзистора 8, исток которого подключен к шине второго источника 9 положительного напр жени , исток п того транзистора 10 с каналом п-типа подключен к шине отрицательного источника 6 напр жени , затвор шестого транзистора 1 1 с каналом р-типа - к шине 12 нулевого потенциала, сток - к стоку седьмого транзистора 13 с каналом h-типа, затвор восьмого транзистора 14 с каналом р-типа подключен к Bi-rx ду 7 устройства, сток - к затвору четвертого транзистора 8, а исток к шине второго источника 9 положительного напр жени , затвор первого транзистора 1 подключен к входу 3 устройства, исток - к шине 12 нулево потенциала, сток - к стоку седьмого транзистора 13, затвор которого подключен к истоку второго транзистора 2, а исток - к стоку восьмого транзистора 14, затвор которого подключе к затвору п того транзистора 10, сток которого подключен к истоку шестого транзистора 11 и затвору тре тьего транзистора 5. Устройство работает следующим образом . Пусть в исходном состо нии уровен напр жени  на входе 3 устройства соответствует логическому О. При этом первый транзистор 1 закрыт, а второй транзистор 2 открыт. На стоках первого и второго транзисторов 1 и 2 устанавливаетс  значение напр жени , близкое к напр жению на шине первого источника А положительного напр жени . Через открытый шестой транзистор 11 положительное напр жение прикладываетс  к затвору третьего транзистора 5, который открываетс  под действием суммы напр жени  отрицательного и первого положительного источников. На выходе 7 устройства устанавливаетс  напр жение , близкое к напр жению на шине отрицательного источника 6 напр же ни . По мере нарастани  отрицательного напр жени  на вькоде 7 устройства п тый транзистор 10 закрываетс , а восьмой транзистор Ii открываетс . При этом положительные напр жени  в узлах на стоке п того транзистора 10 и восьмого транзистора 14 увеличиваютс , обеспечива  тем самым открывание третьего транзистора 5 и закрывание четвертого транзистора 8, Этот процесс протекает лавинообразно до тех пор, пока напр жение на вькоде 7 устройства не установитс  близким к напр жению на шине отрицательного источника 6 напр жени . При поступлении на вход 3 устройства логической 1 на стоках первого и второго транзисторов 1 и 2 через открытый первый транзистор 1 устанавливаетс  напр жение, близкое к нулевому значению. Через открытый седьмой транзистор 13 это напр жение прикладываетс  к затвору четвертого транзистора 8, который открываетс  под действием суммы напр жений , приложенных между затвором и истоком. На выходе 7 устройства устанавливаетс  напр жение, близкое к напр жению второго источника 9 положительного напр жени . По мере нарастани  положительного напр жени  на выходе 7 устройства п тый транзистор 10 открываетс , а восьмой транзистор 14 закрываетс . При этом отрицательное напр жение на стоке п того транзистора 10 увеличиваетс , обеспечива  закрывание третьего транзистора 5. Технико-экономический эффект изобретени  заключаетс  в увеличении быстродействи  устройства.

Claims (1)

  1. УСТРОЙСТВО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ УРОВНЕЙ НАПРЯЖЕНИЯ, выполненное на МДП-транзисторах, содержащее первый транзистор с каналом к-типа, сток которого подключен к стоку второго транзистора с каналом p-типа, затвор которого подключен к входу устройства, а исток - к шине первого источника положительного напряжения, третий транзистор с каналом η -типа, исток которого подключен к шине отрицательного источника напряжения, сток - к выходу устройства и стоку четвертого транзистора с каналом p-типа, исток которого подключен к шине второго источника положительного напряжения, исток пятого транзистора с каналом м-типа подключен к шине отрицательного источника напряжения, затвор шестого транзистора с каналом p-типа подключен к шине нулевого потенциала, сток к стоку седьмого транзистора с каналом η-типа, затвор восьмого транзистора с каналом р-типа подключен к выходу устройства, сток к затвору четвертого транзистора, а исток - к шине второго источника положительного напряжения, отличающееся тем, что, с § целью увеличения быстродействия, затвор первого транзистора подключен к входу устройства, исток - к шине нулевого потенциала, сток - к стоку седьмого транзистора, затвор которого подключен к истоку второго транзистора, а исток - к стоку восьмого транзистора, затвор которого подключен к затвору пятого транзистора, сток которого подключен к истоку шестого транзистора и затвору третьего транзистора.
    SU .,„1109907
SU833548690A 1983-02-04 1983-02-04 Устройство преобразовани уровней напр жени SU1109907A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833548690A SU1109907A1 (ru) 1983-02-04 1983-02-04 Устройство преобразовани уровней напр жени

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833548690A SU1109907A1 (ru) 1983-02-04 1983-02-04 Устройство преобразовани уровней напр жени

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1109907A1 true SU1109907A1 (ru) 1984-08-23

Family

ID=21048366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833548690A SU1109907A1 (ru) 1983-02-04 1983-02-04 Устройство преобразовани уровней напр жени

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1109907A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4904924A (en) * 1988-07-08 1990-02-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Output circuit for outputting a level shifted output signal

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Авторское свидетельство СССР № 558400, кл. Н 03 К 19/00, 1976. 2. Авторское свидетельство СССР № 818015, кл. Н 03 К 19/09, 1979 (прототип). *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4904924A (en) * 1988-07-08 1990-02-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Output circuit for outputting a level shifted output signal

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5144167A (en) Zero power, high impedance TTL-to-CMOS converter
US4672243A (en) Zero standby current TTL to CMOS input buffer
US20150295561A1 (en) Voltage level shifter module
SU1109907A1 (ru) Устройство преобразовани уровней напр жени
US11152941B2 (en) High-voltage voltage level converter
KR940008074A (ko) 반도체 집적 회로
RU2632567C1 (ru) Преобразователь уровня напряжения
US6424173B1 (en) Voltage translators with zero static power and predictable performance
SU818015A1 (ru) Устройство согласовани ттл-схемС Мдп-иНТЕгРАльНыМи СХЕМАМи
SU387437A1 (ru) Ч.:.союзная
SU1599985A1 (ru) Элемент с трем состо ни ми
SU1775853A1 (ru) Устройство преобразования уровней логических сигналов на кмоп-транзисторах
SU1413722A1 (ru) Парафазна логическа КМОП-схема
SU1129739A1 (ru) Преобразователь уровней напр жени на дополн ющих МДП-транзисторах
SU1506543A1 (ru) Устройство преобразовани уровней сигналов на КМДП-транзисторах
SU932617A1 (ru) Устройство согласовани ТТЛ с МДП элементами
SU1637004A1 (ru) Формирователь импульсов с амплитудой, превышающей напр жение питани
SU646441A1 (ru) Инвертор на мдп-транзисторах
SU1097162A1 (ru) @ -Значный инвертор
SU944110A1 (ru) Усилитель-формирователь импульсов
RU2085030C1 (ru) Устройство преобразования уровней логических сигналов на кмоп-транзисторах
SU1064469A1 (ru) Устройство согласовани ТТЛ-элементов с МДП-интегральными элементами
SU1539995A1 (ru) Формирователь импульсов на МДП-транзисторах
SU790330A1 (ru) Быстродействующий преобразователь уровней напр жени на дополн ющих мдп транзисторах
SU1182665A1 (ru) Элемент с трем состо ни ми