SE515836C2 - Förfarande för tillverkning av en bipolär högfrekvent kiseltransistor samt effekttransistoranordning - Google Patents
Förfarande för tillverkning av en bipolär högfrekvent kiseltransistor samt effekttransistoranordningInfo
- Publication number
- SE515836C2 SE515836C2 SE9901771A SE9901771A SE515836C2 SE 515836 C2 SE515836 C2 SE 515836C2 SE 9901771 A SE9901771 A SE 9901771A SE 9901771 A SE9901771 A SE 9901771A SE 515836 C2 SE515836 C2 SE 515836C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- resistor
- emitter
- integrated
- transistor
- base
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 7
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 244000045947 parasite Species 0.000 description 2
- VLJQDHDVZJXNQL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(oxomethylidene)benzenesulfonamide Chemical compound CC1=CC=C(S(=O)(=O)N=C=O)C=C1 VLJQDHDVZJXNQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 PtSi Chemical compound 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910021340 platinum monosilicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/647—Resistive arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
515 856 2 tas med i beräkningen och kan tjäna som en lös definition av för en effektanordning i jämförelse med en "normal" transistor av IC-typ.
En bipolär transistor är vanligen konstruerad med användning av endast en anordning av n-typ (dvs. NPN) på en enda bricka. Ett kollektorskikt (n- epi) deponeras epitaxiellt på ett nflsubstrat. Basen och emittern utformas genom diffusion eller jonimplantering vid översidan av det epitaxiella skiktet.
Genom att variera dopningsprofilema är det möjligt att uppnå olika karaktäristiker för frekvens och genombrottsspänning. Utgångseffektkraven går upp till åtskilliga hundra watt, ibland till och med kilowatt, och den höga utgångseffekten uppnås genom att parallellkoppla många transistorceller på en enda bricka, eller parallellkoppla flertalet brickor i en kapsel. Kapslarna har ofta stora guldpläterade kylare för att avlägsna värme alstrad av halvledarbrickan.
För likströmsdata är BVCEO (kollektor-emittergenombrottsspänningen med öppen bas) den mest begränsande parametern, traditionellt konstruerad att vara högre än VCC (24-28 V matningsspänning är ett allmänt område för denna klass av anordningar). En välkänd empirisk formel sambandet mellan transistorgenombrottsspänning och strörnförstärkning, ß eller hFE, fastslår (se även referens [2]): BV - BVC” (1) CEO ü där BVCEQ redan har definierats, BVcBo är kollektor-basgenombrotts- spänningen med öppen emitter, och n är en empirisk konstant, vanligen mellan 2,5 och 4,5, relaterad till arten av baskollektorövergångsgenom- brottet. För en given epi-dopning och anordningsdesign (konstant n), kommer BVCBO vara konstant och då BVci-:o och ß är direkt korrelerade: högre ß ger lägre BVC-EQ. n kan förbättras genom olika dopningsprofiltricks för att säkerställa att arten av BVcEo är så nära som möjligt till det endimensionella övergångsfallet. 515 836 ~3 För att erhålla en anordning i stånd till hög utgångseffekt, skall dopningen av kollektorskiktet väljas så hög som möjlig, som alltså därmed undertrycker högströmsfenomen såsom Kirk-effekten. Ett högdopat kollektorskikt har också fördelen att ha mindre utarmningsområde, vilket gör det möjligt att välja ett tunnare epi-skikt med mindre parasitisk resistans och bättre högfrekvensprestanda, utan att begränsas av tjockleksbegränsat genom- brott. Problemet är att ökad kollektordopning oundvikligen leder till ett lågt BVcBo och följaktligen ett lågt BVcEo i enlighet med ekvation (1).
För att erhålla en anordning som är i stånd till hög effektförstärkning får inte ß vara alltför lågt. Effektförstärkningen Gp kan beskrivas genom följande samband (se även referens [3]): Gm ~ --ß-_ <2) där ß är nollfrekvensförstärkningen (hf-E) och fmax är den mximala oscillationsfrekvensen, eller frekvensen där effektförstärkningen är lika med ett. Ett diagram från ekvation (2) med hm gentemot Gp, visas i figur 1 för olika fmax-värden vid f = 1 GHz. Ur detta diagram kan det sammanfattas att ett högt fmax och inte allför lågt ß är till förfång för en bra RF- effektförstärkning.
På grund av sambanden mellan uteffekt via kollektordopning, effekt- förstärkning via ß och BVcso, om ett lågt BVcEo kan accepteras, kommer detta att leda till signifikanta förbättringar av de flesta viktiga parametrarna för RF-effekttransistorer.
På grund av detta kan datablad specificera BVCER istället för BVcEo. Ett litet motstånd är kopplat mellan basen och emittern vid konstruktionen av förstärkaren för att säkerställa att basen aldrig är fullt öppen. Om motståndet är tillräckligt litet kommer BVcER att närma sig BVcEs, som är 1 5 8 3 6 Å/ nära (något lägre) BVCBQ. Karaktäristiken för de olika kollektorgenombrotts- spänningarna visas i figur 2.
Som uppenbart ur föregående stycke, om BVCEO är lägre än VCC måste en yttre resistor, som upptar ytterligare plats på ett kretskort, användas för att säkerställa säker funktion för anordningen. Värdet är beroende på anord- ningens storlek och ett optimal värde kan vara problematiskt att ñnna och kräver viss erfarenhet för att inte förstöra anordningen medan värdet söks.
Om, på något sätt motståndet urkopplas från kretsen, t.ex. under utvärderingar, genom dålig lödning etc., kan transistom skadas.
SAMMANFATTNING Genom att integrera ett motstånd på den bipolära RF-transistors halvledar- bricka, mellan bas och emitter i enlighet med den föreliggande uppfinningen, kommer det att säkerställas att förutsättningarna att erhålla BVcER alltid kommer att uppfyllas.
Därför att integrera motståndet nödvändigt för BVCER i halvledarbrickan resulterar i att användningen av transistorer med ett inneboende lågt BVCEO förenklas.
Ett förfarande i enlighet med den föreliggande uppfinningen fastställs av det oberoende patentkravet l och de beroende patentkraven 2 - 5. Vidare fast- ställs en transistoranordning i enlighet med den föreliggande uppfinningen genom det oberoende patentkravet 6 och ytterligare utföringsformer fast- ställs av de beroende patentkraven 7 - 10.
KORT BESKRIVNING AV RITNINGARNA Uppfinningen tillsammans med ytterligare ändamål och fördelar med denna kan bäst förstås genom hänvisning till den följande beskrivningen studerad tillsammans med de medföljande ritningarna, i vilka: 515 856 S) FIG. 1 illustrerar (RF) effektförstårkningen vid l GHz som en funktion av likströmsförstärkningen hfe och fmax, FIG. 2 illustrerar karakteristiker för de olika kollektorgenombrottsspän- ningarna, FIG. 3 illustrerar schematiskt en första möjlighet för ett yttre eller integre- rat BE-motstånd, FIG. 4 illustrerar schematiskt en andra möjlighet för ett fullt integrerat BE-motstånd, FIG. 5 illustrerar en typisk RF-effekttransístorlayout, FIG. 6 år en genomskärning av RF-effekttransistorn visad i FIG. 5, och FIG. 7 illustrerar i enlighet med den föreliggande uppfinningen adder- andet av ett BE-motstånd i layouten i enlighet med FIG. 5.
DETALJERAD BESKRIVNING En typisk transistorlayout visas i Figur 5. Transistorstrukturen år vertikal med kollektorkontakten på kiselsubstratets baksida. Genomskärningen av den övre delen av strukturen visas i Figur 6.
Majoriteten av dagens moderna bipolära RF-effekttransistorer innehåller ett stort antal av parallellkopplade transistorsegment för att erhålla en hög effektkapacitet genom att fördela en stor mängd ström, reducera parasit- svängningar och tillhandahålla värmespridning. Det vanligaste layout- schemat, "ñngerinflåtriingslayout", består av växelvisa fingrar av bas och emitterregioner i parallell, anslutna genom metalliseringsband ovanpå kislet.
En typisk layout för en transistorcell med aktiv area 4 demonstreras i Figur . Hånvisningsbeteckningen 2 anger en bonddyna för basanslutning och 3 515 836 I Ö anger bonddynan för ernitteranslutning, .m v: medan som redan noterats baksidan av substratet bildar kollektoranslutningsdynan.
Om förspänningsmatningen för en transistor hålls konstant och tempera- turen ökar, då minskar Vbe och ökar kollektorströmmen. Om det inte finns någon annan inverkan, kan detta tillstånd orsaka att transistorn går över i “termisk rusning" i vilken en ström uppnås vid vilken transistorn går sönder.
Ett förfarande för att undvika detta är att använda ett motstånd i serie med emittern. När kollektorströmmen ökar minskas Vbe och därför reduceras basströmmen. Bästa stället att placera detta- emittermotstånd är på kiselbrickan tillsammans med varje aktiv transistor i gruppen. På detta sätt hålls induktansen i serie med emitterrnotståndet till ett minimum. Detta emittermotstånd hänvisas oftast till som ballastmotståndet. I gruppen enligt Figur 5 kännetecknas ballastningen med hänvisningsbeteckningen 8.
Figur 6 illustrerar en mera detaljerad schematisk genomskärning av en typisk fingerflätad cell enligt Figur 5. Hänvisningsbeteckningen ll hänför sig till ett basskikt av p-typ ovanpå ett n- epi-substratmaterial 12. I basom- rädesmaterialet ses ett n* dopat emitteromräde 13 och två p* dopade baskontaktområden 10. Baskontaktområdena 10 är vidare kontakterade genom metallieringar 21 och emitterkontaktområdet 13 är vidare kontak- terat genom en metallisering 22. Par av emittcrmetalliseringarna kombineras genom de gafflade anslutningsfingrarna 7 illustrerade i Figur 5. De metalliserade fingrarna 7 är via ballastrnotstånd 8 anslutna till emitter- anslutningsbonddynan 3. Motsvarande är basmetalliseringarna kombi- nerade för att ansluta till basanslutningsbonddynan 2 vid den övre delen av strukturen i enlighet med Figur 5. I strukturen enligt genomskärningen i Figur 6 ses även oxidskikt 15 och 16 och ett nitridskikt 14 liksom ett nitridpassiviseringsskikt 17. Figurerna 5 och 6 demonstrerar användningen av en allmän kilselplanarteknologi. I en typisk 1 GHz-teknologi är lutningen, definierad som det periodiska emitter-till-basavståndet, av storleksordningen 4-5 um och emitter- och basöppningarna är typisk 1 till 1,5 pm breda. En silicid, t.ex. PtSi, används ofta i emitter- och basöppningarna för att sänka 'l 5 8 3 6 7 kontaktresistansen och följaktligen parasitbastresistansen. För att ytter- ligare säkerställa en bra diffusionsbarriär mellan metall- och halvledar- material kan en flerskiktad TiW/TiW(N) /TiW barriär användas i enlighet med metalliseringsschemat för kopplingar mellan mikrokretsar visat i vårt amerikanska patent nr 5 821 620, vilket härmed medtas genom hänvisning [5]. Det finns ingen isolation mellan anordningarna och hela kiselsubstratet utgör kollektorn.
Genom att integrera ett ytterligare motstånd på den bipolära RF- effekttransistorns halvledarbricka, mellan bas och emitter, kan det säkerställas att förhållandena för att erhålla korrekt BVCER alltid uppfylls.
Figurerna 3 och 4 visar kopplingsschemat för halvledarbrickan med integrerat RBE, och vilka indikerar två olika möjligheter, där Figur 3 motsvarar den idag föredragna lösningen med ett yttre motstånd.
Ett exempel hur BBS-motståndet 20 läggs till demonstreras i Figur 7.
Motståndet är anslutet till bas- och emittermetalliseringen, åtminstone på en sida, men lämpligen på båda sidorna av gruppstrukturen (vänster och höger sida i Figur 5). Utföringsformen enligt Figur 7 representerar kretsen enligt Figur 3.
Ett integrerat motstånd på en halvledarbricka kan utformas med användning av åtskilliga olika metoder. De tre vanligaste är diffunderade motstånd, polykiselmotstånd och metallmotstånd, Lex. NiCr. Integration av fördelade motstånd mellan de aktiva emitterområdena och emitteranslut- ningen (emitterdynan) är nödvändig för drift med hög anordningsspänning, emitterballastning som nämnts tidigare. Integration av andra passiva element, såsom kondensatorer, är även känt (Se även referens [4]).
Det aktuella BE-motståndet formas genom någon av de ovan nämnda metoderna (diffunderat, poly, NiCr), men lämpligen med användning av det obligatoriska emitterballastmotståndet. samma metod som för 1 5 8 5 6 “ 8 Motståndsvärdet väljs lämpligen genom storleken på motståndsområdet (storleken för fyrkanten mellan anslutningarna) och dopningen. Det är möjligt att använda samma dopningssteg som för ballastmotståndet, vilket jonimplanteras med en justerbar dos och vanligen med en mask, som är öppen endast över motståndsområdena. Emellertid eftersom ballastmot- ståndena vanligen kräver justeringar under utvecklingsfasen för en ny transistor eller ny applikationer är en ytterligare mask för oberoende val av dopningsnivån för BE-motståndet (i kombination med layouten) fördelaktig av ingenjörstekniska skäl.
Det kommer även att finnas ett mer packat, ganska avancerat sätt att realisera BE-motståndet i transistorstrukturen, åtminstone för en transistor som använder polykisel för emitter- och baskontakterna, varvid motståndet då också är polykisel. I detta fall kommer motståndet att anslutas motsvarade Figur 4, men försiktighet måste vidtas för att inte degradera effekten av RE-ballastningen.
När det tillagda BE-motståndet diffunderas p* på detta n' kollektor epi, måste det säkerställas att bas- / emitterspänningen alltid är lägre än kollektorspänningen, men detta år normalt fallet. Vid påförande av polykisel- eller NiCr-motstånd placeras dessa ovanpå isolationsskikten 15, 16 (vänstra delen av Figur 6), så att vilken som helst spänning relativt kollektor- substratet kan användas. Dessa motstånd är också fördelaktiga eftersom den viktiga BC-kapacitansen är lägre än för ett diffunderat motstånd.
Ett typiskt värde för BE-motståndet för layouten använd i exemplet är 10 Q.
En liten nackdel med lösningen är att den ökar förspänningsströmmen bas- emitter, vilket kommer att påverka verkningsgraden, t.ex. kollektor- verkningsgraden definierad som 11 = PRFput/ Poem . Ökningen är tämligen liten och anordningar använda i det typiska tillämpningsfältet är inte speciellt krävande avseende verkningsgradskrav, jämfört med t. ex. anordningar för handhållna lågspänningstillämpningar. 515 856 “l Den viktiga fördelen är emellertid det allmänna skyddet som erhålls genom det integrerade BE-motståndet, vilket alltid finns för att säkerställa förhållanden för att bibehålla ett riktigt värde på BVcER för att undvika genombrott kollektor till emitter.
I en ytterligare utföringsform av den föreliggande uppfinningen som använder integrerade BE-motstånd i den fingerflätade strukturen är de individuella emitterballastmotständen vidare försedda med en förbikopp- lingskondensator på brickan för att öka RF-effekttransistorns förstärkning.
Det kommer att inses av fackmannen att olika modifikationer och ändringar kan göras vid den föreliggande uppfinningen utan avvikelse från dess omfattning som definieras av de bifogade patentkraven.
REFERENSER [1] H. F. Cooke, “Microwave Transistors: Theory and Design”, Proc. IEEE, vol. 59, p. 1163, Aug. 1971. [2] See e.g. S. M. Sze, in ”Physics of Semiconductor Devices”, 2114 Ed., p.151, John Wiley 8:. Sons, Inc., 1981. [3] R. Allison, ”Silicon Bipolar Microwave Power Transistors”, IEEE Trans.
Microwave Theory 81; Techniques., Vol. MTT-27, No. 5, p. 415, 1979. [4] T. Johansson, L. Leighton, U.S. Patent No. 5,684,326 issued Nov. 4, 1997. [5] S.-H. Hong, U.S. Patent No. 5,82l,620 issued Oct. 13, 1998.
Claims (9)
1. l. Förfarande för tillverkning av en bipolär högfrekvent kiseltransistor som säkerställer förhållanden för bibehållande av ett riktigt BVCER för att undvika genombrott mellan emitter och kollektor, kännetecknat av stegen arrangerande av ett integrerat motstånd (20) längs åtminstone en sida av en bipolär kiseltransistor (1) på en halvledarbricka som utgör substrat för den bipolära kilseltransistorn, och anslutning av det integrerade motståndet mellan den bipolära kiseltransistorns (1) anslutningar för bas (2) och emitter (3).
2. Förfarande enligt krav l, kännetecknat av det ytterligare steget att skapa det integrerade motståndet som ett diffunderat pflmotstånd (20) på halvledarbrickan.
3. Förfarande enligt krav 1, kännetecknat av det ytterligare steget att skapa det integrerade motståndet (20) som ett polykisel- eller NiCr- motstånd placerat ovanpå isolationsskikten.
4. Förfarande enligt krav 2 eller 3, kännetecknat av det ytterligare steget att tillverka det integrerade motståndet (20) mellan den bipolära kiseltransistorns anslutningar för bas (2) och emitter (3) samtidigt som tillverkandet av åtminstone ett emitterballastmotstånd (8).
5. Förfarande enligt krav 4, kännetecknat av det ytterligare steget att introducera en förbikopplingskondensator för varje åtminstone ett emitterballastmotstånd (8) integrerat i halvledarbrickan som bildar den bipolära kiseltransistorn (1).
6. Effekttransistoranordning som säkerställer förhållanden för att bibehålla ett riktigt BVcER för att undvika genombrott mellan kollektor och emitter, kännetecknad av 20 515 836 I/ ett integrerat motstånd (20) längs åtminstone en sida av en bipolär kiseltransistor (1) på en halvledarbricka som utgör ett substrat för den bipolära kiseltransistorn, varvid det integrerade motståndet är anslutet mellan den bipolära kiseltransistorns (1) anslutningar för bas (2) och emitter (3).
7. Effekttransistoranordning enligt krav 6, kännetecknad av att det motståndet (20) är ett diffunderat halvledarbrickan, varvid det säkerställs att en bas/ emitterspänning alltid är integrerade pflmotstånd på lägre än kollektorspänningen.
8. Effekttransistoranordning enligt krav 6, kännetecknad av att det integrerade motståndet (20) är ett polykisel- eller NiCr-motstånd placerat ovanpå isolationsskikten. 9. Effekttransistoranordning enligt krav 6, kännetecknad av att transistom (1) är en RF-effekttransistor som utgör en ñngerflätad struktur försedd med emitterballastmotstånd (8) som förhindrar termisk rusning.
9. Effekttransistoranordning enligt krav 9, kännetecknad av att RF- effekttransistorn är försedd med en integrerad förbikopplingskondensator för varje integrerat emitterballastmotstånd (8) för att öka RF-effekttransistorns förstärkning.
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9901771A SE515836C3 (sv) | 1999-05-17 | 1999-05-17 | Förfarande för tillverkning av en bipolär högfrekvent kiseltransistor samt effekttransistoranordning |
TW088108739A TW461109B (en) | 1999-05-17 | 1999-05-27 | Method for manufacturing a silicon bipolar power high frequency transistor and power transistor device |
CA002373752A CA2373752A1 (en) | 1999-05-17 | 2000-05-12 | Improved rf power transistor |
JP2000619032A JP2003500836A (ja) | 1999-05-17 | 2000-05-12 | 改良型高周波パワー・トランジスタ |
PCT/SE2000/000943 WO2000070681A1 (en) | 1999-05-17 | 2000-05-12 | Improved rf power transistor |
KR1020017014395A KR20020000804A (ko) | 1999-05-17 | 2000-05-12 | 실리콘 바이폴라 전력 고주파 트랜지스터 제조 방법 및 rf 전력 트랜지스터 장치 |
AU49650/00A AU4965000A (en) | 1999-05-17 | 2000-05-12 | Improved rf power transistor |
CN00807672A CN1352806A (zh) | 1999-05-17 | 2000-05-12 | 改进的射频功率晶体管 |
EP00931832A EP1186040A1 (en) | 1999-05-17 | 2000-05-12 | Improved rf power transistor |
US09/572,399 US6340618B1 (en) | 1999-05-17 | 2000-05-16 | RF power transistor |
US09/975,519 US6483170B2 (en) | 1999-05-17 | 2001-10-10 | RF power transistor |
HK02107353.4A HK1046060A1 (zh) | 1999-05-17 | 2002-10-08 | 改進的射頻功率晶體管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9901771A SE515836C3 (sv) | 1999-05-17 | 1999-05-17 | Förfarande för tillverkning av en bipolär högfrekvent kiseltransistor samt effekttransistoranordning |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE9901771D0 SE9901771D0 (sv) | 1999-05-17 |
SE9901771L SE9901771L (sv) | 2000-11-18 |
SE515836C2 true SE515836C2 (sv) | 2001-10-15 |
SE515836C3 SE515836C3 (sv) | 2001-11-06 |
Family
ID=20415606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE9901771A SE515836C3 (sv) | 1999-05-17 | 1999-05-17 | Förfarande för tillverkning av en bipolär högfrekvent kiseltransistor samt effekttransistoranordning |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6340618B1 (sv) |
EP (1) | EP1186040A1 (sv) |
JP (1) | JP2003500836A (sv) |
KR (1) | KR20020000804A (sv) |
CN (1) | CN1352806A (sv) |
AU (1) | AU4965000A (sv) |
CA (1) | CA2373752A1 (sv) |
HK (1) | HK1046060A1 (sv) |
SE (1) | SE515836C3 (sv) |
TW (1) | TW461109B (sv) |
WO (1) | WO2000070681A1 (sv) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7226835B2 (en) * | 2001-12-28 | 2007-06-05 | Texas Instruments Incorporated | Versatile system for optimizing current gain in bipolar transistor structures |
US6841795B2 (en) * | 2002-10-25 | 2005-01-11 | The University Of Connecticut | Semiconductor devices employing at least one modulation doped quantum well structure and one or more etch stop layers for accurate contact formation |
US6974969B2 (en) | 2003-01-13 | 2005-12-13 | The University Of Connecticut | P-type quantum-well-base bipolar transistor device employing interdigitated base and emitter formed with a capping layer |
US6946720B2 (en) * | 2003-02-13 | 2005-09-20 | Intersil Americas Inc. | Bipolar transistor for an integrated circuit having variable value emitter ballast resistors |
DE102004023193B4 (de) * | 2004-05-11 | 2009-11-19 | Infineon Technologies Ag | Transistoranordnung und Herstellungsverfahren derselben |
JP2007165492A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Seiko Instruments Inc | 半導体集積回路装置 |
CN101986434A (zh) * | 2010-12-17 | 2011-03-16 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种横向双极晶体管及其制作方法 |
CN103730486A (zh) * | 2013-10-18 | 2014-04-16 | 苏州贝克微电子有限公司 | 一种横向pnp功率晶体管 |
CN113161351B (zh) * | 2021-03-23 | 2022-03-11 | 江苏新顺微电子股份有限公司 | 双极晶体管集成高压启动电阻的器件结构及制造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3597640A (en) * | 1969-04-10 | 1971-08-03 | Nat Semiconductor Corp | Short circuit protection means for semiconductive circuit apparatus |
DE3382183D1 (de) * | 1982-12-23 | 1991-04-04 | Sumitomo Electric Industries | Monolithische integrierte mikrowellenschaltung und verfahren zum auswaehlen derselben. |
US5329156A (en) * | 1992-12-22 | 1994-07-12 | Spectrian, Inc. | Feed bus for RF power transistors |
US5414296A (en) * | 1992-12-22 | 1995-05-09 | Spectrian, Inc. | Venetian blind cell layout for RF power transistor |
MY115336A (en) | 1994-02-18 | 2003-05-31 | Ericsson Telefon Ab L M | Electromigration resistant metallization structures and process for microcircuit interconnections with rf-reactively sputtered titanium tungsten and gold |
US5684326A (en) * | 1995-02-24 | 1997-11-04 | Telefonaktiebolaget L.M. Ericsson | Emitter ballast bypass for radio frequency power transistors |
EP0810503B1 (en) * | 1996-05-14 | 2001-12-19 | Co.Ri.M.Me. Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | An integrated circuit with a device having a predetermined reverse conduction threshold and a thermal compensation device with Vbe multipliers |
-
1999
- 1999-05-17 SE SE9901771A patent/SE515836C3/sv not_active IP Right Cessation
- 1999-05-27 TW TW088108739A patent/TW461109B/zh not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-05-12 AU AU49650/00A patent/AU4965000A/en not_active Abandoned
- 2000-05-12 KR KR1020017014395A patent/KR20020000804A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-05-12 EP EP00931832A patent/EP1186040A1/en not_active Withdrawn
- 2000-05-12 CN CN00807672A patent/CN1352806A/zh active Pending
- 2000-05-12 JP JP2000619032A patent/JP2003500836A/ja not_active Withdrawn
- 2000-05-12 WO PCT/SE2000/000943 patent/WO2000070681A1/en not_active Application Discontinuation
- 2000-05-12 CA CA002373752A patent/CA2373752A1/en not_active Abandoned
- 2000-05-16 US US09/572,399 patent/US6340618B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-10-10 US US09/975,519 patent/US6483170B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-10-08 HK HK02107353.4A patent/HK1046060A1/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE9901771D0 (sv) | 1999-05-17 |
US6483170B2 (en) | 2002-11-19 |
SE515836C3 (sv) | 2001-11-06 |
SE9901771L (sv) | 2000-11-18 |
US6340618B1 (en) | 2002-01-22 |
CA2373752A1 (en) | 2000-11-23 |
CN1352806A (zh) | 2002-06-05 |
EP1186040A1 (en) | 2002-03-13 |
JP2003500836A (ja) | 2003-01-07 |
US20020036325A1 (en) | 2002-03-28 |
TW461109B (en) | 2001-10-21 |
WO2000070681A1 (en) | 2000-11-23 |
AU4965000A (en) | 2000-12-05 |
HK1046060A1 (zh) | 2002-12-20 |
KR20020000804A (ko) | 2002-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7439145B2 (en) | Tunable semiconductor diodes | |
JP4955384B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8633509B2 (en) | Apparatus and method for transient electrical overstress protection | |
CN102171826B (zh) | 分立半导体器件和形成密封沟槽结终端的方法 | |
US5512496A (en) | Method of making collector-up bipolar transistor having improved emitter injection efficiency | |
KR101232662B1 (ko) | 반도체 디바이스를 형성하는 방법 및 그의 구조 | |
US8513764B2 (en) | Schottky diode | |
KR100208632B1 (ko) | 반도체 집적 회로 및 그 제조 방법 | |
US6515345B2 (en) | Transient voltage suppressor with diode overlaying another diode for conserving space | |
US7342294B2 (en) | SOI bipolar transistors with reduced self heating | |
SE515836C2 (sv) | Förfarande för tillverkning av en bipolär högfrekvent kiseltransistor samt effekttransistoranordning | |
US6127716A (en) | Heterojunction bipolar transistor and manufacturing method thereof | |
US9831327B2 (en) | Electrostatic discharge protection devices and methods of forming the same | |
EP3591698A1 (en) | Unidirectional esd protection with buried breakdown thyristor device | |
KR20020032425A (ko) | 콜렉터-업 rf 전력 트랜지스터 | |
KR100641055B1 (ko) | 화합물반도체 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
TWI736412B (zh) | 垂直式雙極性電晶體裝置 | |
CN112259603B (zh) | 双极结晶体管及其制造方法、控制方法和信号放大电路 | |
US20060076647A1 (en) | Semiconductor component with a bipolar lateral power transistor | |
TW202414829A (zh) | 雙向非對稱瞬態電壓抑制器元件 | |
EP1061572A1 (en) | Intergrated stucture for radio frequency applications | |
TW202418588A (zh) | 單方向高電壓擊穿暫態電壓抑制器二極體以及製造方法 | |
CN112071899A (zh) | 半导体结构及其制造方法 | |
WO1996024161A1 (en) | Electronic device and process for making same | |
JP2005093918A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |