SE448242B - Forfarande for paforing av harda, motstandskraftiga overdrag av foreningar av metallerna titan, zirkonium eller hafnium med kveve, syre och kol pa underlag genom forangning eller forstoftning - Google Patents
Forfarande for paforing av harda, motstandskraftiga overdrag av foreningar av metallerna titan, zirkonium eller hafnium med kveve, syre och kol pa underlag genom forangning eller forstoftningInfo
- Publication number
- SE448242B SE448242B SE8005422A SE8005422A SE448242B SE 448242 B SE448242 B SE 448242B SE 8005422 A SE8005422 A SE 8005422A SE 8005422 A SE8005422 A SE 8005422A SE 448242 B SE448242 B SE 448242B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- nitrogen
- compounds
- sputtering
- resistant
- gas
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
448 24~2 Särskilt känd är förstoftning av titan i kvävgas för att erhålla hårda, motståndskraftiga TiN-skikt, vilka på grund av sin glans och guldfärgade utseende bl a även kan användas för smycken och föremål för dagligt bruk. Vidare är det känt att framställa hårda, motståndskraftiga skikt genom förstoftning av titan i acetylen eller etylen, varvid titanförstoftning sker genom en elektrostråle och dessutom elektriska fält används för aktiveringen av restgas- atmosfären i förstoftningsutrymmet. En nackdel med detta förfarande ligger emellertid i den relativt höga temperatur (nästan 100000), till vilken de för beskiktning avsedda underlagen därvid uppvärms.
Många material tål icke en dylik uppvärmning och i dessa fall måste det nämnda förfarandet undvikas.
Ett likartat förfarande avser katodförstoftning av titan i kolväten under till- blandning av kväve, varvid ett kondensat av blandkristaller av titankarbid-titan- nitrid uppkommer. Dylika skikt är likaledes hårda och- nötningsbeständiga men på grund av sin karbidhalt oxidationsbenägna, särskilt när skikten vid senare an- vändning utsätts för högre telnperaturer, såsom exempelvis inträffar vid belagda verktygsskär.
Föreliggande uppfinning har till ändamål att anvisa ett förfarande för påföring av motståndskraftiga, hårda överdrag av föreningar av metallerna titan, zirko- nium eller hafnium med kväve, syre och kol på underlag genom förångning eller förstoftning, som är tillförlitligt och ekonomiskt och ger överdrag, vars oxi- dationskänslighet ör väsentligt Ininskad.
Fürfaraflået eflliqt uppfinningen för påföring av hårda, motståndskraftiga över- drag genon, förångning eller förstoftning av metallen i en, en av nämnda gaser innehållande atmosfär vid undertryrk under samtidig aktivering av gasen genom en elektrisk gasurladdning varvid föreningen utfälls på underlagen,kännetecknas av att gasatmosfären, i vilken utfällningen av överdraget sker, ligger förhållandet mellan antalet syre - och kolatomer i området 0,5 till 1,5; företrädesvis inne- håller gasatmosfären kolmonnxid och påföringen sker i en elektrisk lågspännings- bågurladdning. Härvid hålls de för beskiktning avsedda arbetsstyckena resp deras hållare relativt beskiktningskanurzrnarens vägg vid en negativ spänning 4-48 242 av omkring 200 V, men även härifrån väsentligt avvikande sub- stratspänningar är ofta användbara och fördelaktiga. För att kunna upprätthålla lågspänningsbågen även vid relativt låg koncentration av de reaktiva gaserna i förstoftningskammaren, kan restgasatmosfären dessutom innehålla argon eller någon _ annan neutral gas med ett partialtryck mellan cza 5 x 10-4 och 3 x i0"3.
Förfarandet enligt uppfinningen ger överdrag eller skikt, som består av bland- kristaller av hârdmetallföreningar, bl a exempelvis av titan karbid, titannitrid och titanoxid, varvid, när det reaktiva påföringsförfarandet används, de motsvarande hårdmetallföre- ningarna bildas först under förloppet av påföringsförfarandet genom reaktion av den förstoftade metallen med restgasatmosfären.
Det är, såsom ovan nämnts, tidigare känt att framställa varje enskild av de nämnda hårdmetallföreningarna genom reaktiv på- föring i vakuum, alltså exempelvis TiN genom förångning av titanmetall i en kvävgasatmosfär, titankarbid genom förångning i en kolväteatmosfär och slutligen titanoxid med en syrgasatmos- fär. Därvid krävs en mycket noggrann inreglering och konstant-I hållning av trycket hos restgasens reaktiva komponenter, när man vill erhålla oföränderliga skikt, emedan redan relativt små avvikelser från börvärdet uppåt på grund av inbakning av gas i skikten leder till mjuka skikt, medan däremot ett allt~ för lågt partialtryck hos de reaktiva komponenterna på grund av för låg koncentration av dessa leder till en avvikelse från den önskade kemiska sammansättningen. För den reaktiva påför- ingen av blandningar (blandkristaller) har, bortsett från det nämnda fallet med katodförstoftning av titan i en kvävgas-kol- väteblandning, hittills icke något praktiskt genomförbart för- farande varit känt.
I det följande förklaras uppfinningen närmare i anslutning till några utföringsexempel. Den bifogade ritningen visar en för ut- förande av uppfinningen lämpad förstoftningsanläggning. På denna visar l en vakuumkammare med en evakueringsanslutning 8, vilken genom en öppning 18 i väggdelen 9 är förbunden med en glödkam- mare 13. I denna är en glödkatod 19 anbragt, vilken matas genom en ej visad strömförsörjningsanordning. Vid päângningskammarenx ___. _ _ f V-»Aw ---_.._.-.~-'......«»_n...._,.__.----» -e - 448 242 botter befinner sig den (eventuellt kylbara) degeln 6 för den för förstoftning avsedda metallen. I påångningskammaren är en cylindermantelformig hållaranordning 2 anordnad för upptagning av det för förstoftning avsedda substratet 3. Glödkatodkammaren 13 uppvisar dessutom en gastilledning, som kan styras genom ven- tilen l2. För alstring av ett med påângningskammarens axel väsentligen parallellt magnetfält finns en magnetspole l5. De för beskiktning avsedda arbetsstyckena fästs vid den mot ång- källan 6 riktade sidan av hâllaranordningen 2.
För våfÖfïfl9 av överdrag enligt uppfinningen införs i degeln 6 titanmetall i styckeform, därefter evakueras anlägg- ningen till l0_5 millibar, varefter en gasblandning, innehål- lande argon, kväve och kolmonoxid, införs genom ventilen 12 och bortpumpas därifrån fortlöpande över sugstudsen 8 i sådan omfattning att i glödkatodkammaren upprätthålls ett tryck av s x 10” omkring l0_3 millibar. (Man kan emellertid även för att skona millibar och i påångningskammaren ett totaltryck av glödkatoden i glödkatodkammaren införa enbart argon och i på- ångnings- eller förstoftningskammaren de reaktiva gaserna sepa- rat via ventilen l6, så att i den sistnämnda under påångningen den erforderliga reaktiva restgasatmosfären råder i en bland- ning med argon, vars tryck genom den fortlöpande bortpumpningen kan inställas till ett optimalt värde.) Den vid jordpotential belägna glödkatoden värms med 1,5 kW och därefter läggs en spän- ning av +70 V på anoden och av -50 V, såsom förspänning (bias- spänning), på substratet. Genom kortvarig anbringning av anod- spänningen på skiljeväggen 9 mellan glödkatodkammaren 13 och påångnings- eller förstoftningskammaren 1 kan sedan lågspän- ningsbågen tändas (den ovan nämnda och alla följande spännings- uppgifter hänför sig alltid till spänningsskillnader i förhål- lande till den vid jordpotential befintliga kammarväggen). En över glödkatoden flytande ström av 85 A följer. Den över anoden flytande strömmen uppgår till 100 A. Skillnaden mellan de båda strömmarna anger den ström, som flyter över substratet. Genom den till degeln 6 såsom anod flytande strömmen smälts och för- ångas det däri befintliga titanet med en hastighet av omkring 0,4 g/min. Under inverkan av den genom lñgspänningsbägurladd- ningen mellan glödkatoden och anoden starkt joniserade rest- 448 242 gasen erhåller man på det vid hâllaren 2 fästa substraten ett hårt, ytterst fast vidhäftande skikt med gulaktig färg. I olika utföringsexempel, varvid i varje fall en sådan titanförångnings- hastighet inställs att på ett testglas per minut erhålls en ut- fällning med 0,33 pm tjocklek och varvid substratspänningen alltid uppgår till -50 V, erhålls överdrag med olika färgtoner, vilka samtliga uppvisar en utomordentligt hög avnötningshåll- fasthet. l. Exempel: med pN2= 2 x 10-4 mbar/pco = i X 10-4 mbar 2. Exempel: med pN2= 2 x 10-4 mbar/pcø = 2 X 10-4 mbar 3. Exempel: med pN2= 2,5x 10-4 mbar/pco = 3 x 10-4 mbar X 10-4 mbar I »b 4. Exempel: med pN = 3 x 10-4 mbar/pco “ 2 5. Exempel: med pN2= 3,5x 10-4 mbar/pco = 4,5 x 10-4 mbar överdrag av nämnda slag har särskilt visat sig fördelaktiga för verktyg och bruksartiklar. Exempelvis kunde därmed livslängden hos borrar ökas med mer än en faktor 2.
För de 0 och C innehållande komponenterna av restgasen föredras, förutom de i exemplen nämnda kolmonoxiden, för genomförande av förfarandet enligt uppfinningen särskilt sådana föreningar eller gasblandningar vid vilka, uttryckt i atomtalsförhållanden, förhållandet mellan syre och kol ligger vid 1:1 eller därunder, exempelvis (CH4 + H20) eller (C2H2 + 02) och motsvarande kolväten i lämplig blandning med 02 eller syrehaltiga föreningar.
De ovan angivna tryckuppgifterna bör icke uppfattas såsom värden, som absolut måste iakttas, utan som sådana värden, vilka med den för utföringsexemplen använda påångnings~ eller förstoft- ningsanläggningen uppvisar optimala resultat. Beroende på an- läggningen kan de fördelaktigaste värdena underkastas variationer upptill i25%. Det kan även vara ändamålsenligt att först använda on högre potentialskillnad mellan anod och substrat för att upp- nå en högre energi hos de mot substratytun infallando partiklarna och därmed en bättre förankring och vidhäftningshållfasthet, men 448 242 så småningom minska potentialskillnaden under påföringen av ytterligare partikelskikt i överdraget.
Vid framställningen av överdragen enligt uppfinningen kan tem- peraturen hos underlagen alltid hållas under 20000 och oftast väsentligt lägre. Högglänsande överdrag erhålls, när de för beskiktning avsedda ytorna på förhand är polerade. Efterbehand- ling är icke erforderlig. Hårdheten uppgår vid alla överdrag till mer än zooo kp mnfz , mätt enligt Vickersmetoden.
Emedan genom förstoftningen de reaktiva restgaskomponenterna fortlöpande förbrukades, är det för konstanthâllning av de erforderliga partialtrycken nödvändigt att den förbrukade reaktiva gasen ständigt eller intermittent ersätts. Även i glödkatodkammaren måste fortlöpande så mycket gas (företrädes- vis argon) införas, att den av den fria medelväglängden för gasmolekylerna beroende katodfallsträckan storleksordninge- mässigt är lika med avståndet mellan glödkatoden och skilje- väggen. Det är lämpligt att elektriskt isolera skiljeväggen med öppningen mellan glödkatodkammaren och påångnings- eller för- stoftningsutrymmet och vid genomförande av förfarandet enligt uppfinningen hålla denna vid flytande potential. Förstoftnings- degeln kan antingen hållas vid positiv eller jordpotential, varvid katoden anbringas vid jord resp negativ potential. Även ett driftsätt, vid vilket både katoden och det för för- ångning eller förstoftning avsedda materialet hålls vid positiv potential relativt stommen, är möjligt. Underlagen, på vilka påångningen eller förstoftningen skall ske, befinner sig alltid vid en i förhållande till anoden negativ potential och kan dessutom tidvis (särskilt intermittent) kopplas såsom katod för en självständig gasurladdning. .. _. _. ......,......_....,.,,<-.-.-....--...-»=,»-.-.--_._ .. ,
Claims (3)
1. Förfarande för påföring av hårda, motståndskraftiga överdrag av föreningar av metaiierna titan, zirkonium eiïer hafnium med kväve, syre och kol på underlag genom förångning e11er förstoftning av metailen i en, en av nämnda gaser innehåiiande atmosfär vid undertryck under samtidig aktivering av gasen genom en eiektrisk gasuriaddning, varvid föreningen utfäiis på underiagen, k ä n n e t e c k n a t av att i gasatmosfären, i viiken utfäiiningen av överdraget sker, iigger förhåiiandet meiian antaiet syre- och koïatomer i området 0,5 till 1,5.
2. Förfarande eniigt patentkravet 1, k ä n n e t e c k n a t av att gasatmosfären innehåiier koimonoxid.
3. Förfarande eniigt patentkravet 1, k ä n n e t e c k n a t av att påföringen sker i en eiektrisk 1ågspänningsbågurïaddning.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH709279A CH640886A5 (de) | 1979-08-02 | 1979-08-02 | Verfahren zum aufbringen harter verschleissfester ueberzuege auf unterlagen. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE8005422L SE8005422L (sv) | 1981-02-03 |
SE448242B true SE448242B (sv) | 1987-02-02 |
Family
ID=4319807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE8005422A SE448242B (sv) | 1979-08-02 | 1980-07-28 | Forfarande for paforing av harda, motstandskraftiga overdrag av foreningar av metallerna titan, zirkonium eller hafnium med kveve, syre och kol pa underlag genom forangning eller forstoftning |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4346123A (sv) |
JP (1) | JPS5658964A (sv) |
AT (1) | AT369039B (sv) |
CH (1) | CH640886A5 (sv) |
DE (1) | DE3027526A1 (sv) |
FR (1) | FR2463195A1 (sv) |
GB (1) | GB2055403B (sv) |
IT (1) | IT1132031B (sv) |
NL (1) | NL179832C (sv) |
SE (1) | SE448242B (sv) |
Families Citing this family (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT385058B (de) * | 1946-07-17 | 1988-02-10 | Vni Instrument Inst | Verfahren zur verfestigung von schneidwerkzeugen |
JPS5779169A (en) * | 1980-11-06 | 1982-05-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Physical vapor deposition method |
US4609564C2 (en) * | 1981-02-24 | 2001-10-09 | Masco Vt Inc | Method of and apparatus for the coating of a substrate with material electrically transformed into a vapor phase |
US4596719A (en) * | 1981-02-24 | 1986-06-24 | Wedtech Corp. | Multilayer coating method and apparatus |
US4351855A (en) * | 1981-02-24 | 1982-09-28 | Eduard Pinkhasov | Noncrucible method of and apparatus for the vapor deposition of material upon a substrate using voltaic arc in vacuum |
US4537794A (en) * | 1981-02-24 | 1985-08-27 | Wedtech Corp. | Method of coating ceramics |
JPS581067A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-06 | Toshiba Corp | 装飾用金属窒化物皮膜の形成法 |
DE3151413A1 (de) * | 1981-12-24 | 1983-07-14 | MTU Motoren- und Turbinen-Union München GmbH, 8000 München | "schaufel einer stroemungsmaschine, insbesondere gasturbine" |
US4407712A (en) * | 1982-06-01 | 1983-10-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Hollow cathode discharge source of metal vapor |
GB8405170D0 (en) * | 1984-02-28 | 1984-04-04 | Atomic Energy Authority Uk | Titanium alloy hip prosthesis |
US5096558A (en) * | 1984-04-12 | 1992-03-17 | Plasco Dr. Ehrich Plasma - Coating Gmbh | Method and apparatus for evaporating material in vacuum |
IL74360A (en) * | 1984-05-25 | 1989-01-31 | Wedtech Corp | Method of coating ceramics and quartz crucibles with material electrically transformed into a vapor phase |
US4565710A (en) * | 1984-06-06 | 1986-01-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Process for producing carbide coatings |
US4568614A (en) * | 1984-06-27 | 1986-02-04 | Energy Conversion Devices, Inc. | Steel article having a disordered silicon oxide coating thereon and method of preparing the coating |
US4490229A (en) * | 1984-07-09 | 1984-12-25 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Deposition of diamondlike carbon films |
US4568396A (en) * | 1984-10-03 | 1986-02-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Wear improvement in titanium alloys by ion implantation |
USRE33879E (en) * | 1985-01-16 | 1992-04-14 | Hirose Manufacturing Company, Ltd. | Rotary hook assembly |
JPS61183458A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Citizen Watch Co Ltd | 黒色イオンプレ−テイング膜 |
JPS62116762A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-28 | Citizen Watch Co Ltd | 外装部品の製造方法 |
CH664377A5 (de) * | 1986-01-16 | 1988-02-29 | Balzers Hochvakuum | Dekorative schwarze verschleissschutzschicht. |
DE3606529A1 (de) * | 1986-02-28 | 1987-09-03 | Glyco Metall Werke | Verfahren zur herstellung von schichtwerkstoff oder schichtwerkstuecken durch aufdampfen mindestens eines metallischen werkstoffes auf ein metallisches substrat |
JP2553059B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1996-11-13 | シチズン時計株式会社 | 外装部品の製造方法 |
US4764394A (en) * | 1987-01-20 | 1988-08-16 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method and apparatus for plasma source ion implantation |
US4842710A (en) * | 1987-03-23 | 1989-06-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of making mixed nitride films with at least two metals |
ES2022946T5 (es) * | 1987-08-26 | 1996-04-16 | Balzers Hochvakuum | Procedimiento para la aportacion de capas sobre sustratos. |
FR2681472B1 (fr) | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
US5490910A (en) * | 1992-03-09 | 1996-02-13 | Tulip Memory Systems, Inc. | Circularly symmetric sputtering apparatus with hollow-cathode plasma devices |
CH687111A5 (de) * | 1992-05-26 | 1996-09-13 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum Erzeugen einer Niederspannungsentladung, Vakuumbehandlungsanlage hierfuer sowie Anwendung des Verfahrens. |
US5690796A (en) * | 1992-12-23 | 1997-11-25 | Balzers Aktiengesellschaft | Method and apparatus for layer depositions |
US5457298A (en) * | 1993-07-27 | 1995-10-10 | Tulip Memory Systems, Inc. | Coldwall hollow-cathode plasma device for support of gas discharges |
FR2748851B1 (fr) * | 1996-05-15 | 1998-08-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une couche mince de materiau semiconducteur |
US20070122997A1 (en) | 1998-02-19 | 2007-05-31 | Silicon Genesis Corporation | Controlled process and resulting device |
US6291313B1 (en) | 1997-05-12 | 2001-09-18 | Silicon Genesis Corporation | Method and device for controlled cleaving process |
US6033974A (en) | 1997-05-12 | 2000-03-07 | Silicon Genesis Corporation | Method for controlled cleaving process |
US6162705A (en) * | 1997-05-12 | 2000-12-19 | Silicon Genesis Corporation | Controlled cleavage process and resulting device using beta annealing |
US6027988A (en) * | 1997-05-28 | 2000-02-22 | The Regents Of The University Of California | Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation |
US6548382B1 (en) * | 1997-07-18 | 2003-04-15 | Silicon Genesis Corporation | Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process |
FR2773261B1 (fr) | 1997-12-30 | 2000-01-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions |
SE518134C2 (sv) | 1997-12-10 | 2002-09-03 | Sandvik Ab | Multiskiktbelagt skärverktyg |
US6291326B1 (en) | 1998-06-23 | 2001-09-18 | Silicon Genesis Corporation | Pre-semiconductor process implant and post-process film separation |
US6263941B1 (en) | 1999-08-10 | 2001-07-24 | Silicon Genesis Corporation | Nozzle for cleaving substrates |
US6500732B1 (en) | 1999-08-10 | 2002-12-31 | Silicon Genesis Corporation | Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses |
WO2001011930A2 (en) | 1999-08-10 | 2001-02-15 | Silicon Genesis Corporation | A cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses |
US6221740B1 (en) | 1999-08-10 | 2001-04-24 | Silicon Genesis Corporation | Substrate cleaving tool and method |
FR2823599B1 (fr) | 2001-04-13 | 2004-12-17 | Commissariat Energie Atomique | Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation |
US8187377B2 (en) * | 2002-10-04 | 2012-05-29 | Silicon Genesis Corporation | Non-contact etch annealing of strained layers |
FR2848336B1 (fr) | 2002-12-09 | 2005-10-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une structure contrainte destinee a etre dissociee |
FR2856844B1 (fr) | 2003-06-24 | 2006-02-17 | Commissariat Energie Atomique | Circuit integre sur puce de hautes performances |
FR2857953B1 (fr) | 2003-07-21 | 2006-01-13 | Commissariat Energie Atomique | Structure empilee, et procede pour la fabriquer |
FR2861497B1 (fr) | 2003-10-28 | 2006-02-10 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation |
SE529144C2 (sv) * | 2005-04-18 | 2007-05-15 | Sandvik Intellectual Property | Skär belagt med kompositoxidskikt |
KR100620076B1 (ko) * | 2005-04-27 | 2006-09-06 | 한국과학기술연구원 | C와 n으로 도핑된 박막형 이산화티탄계 광촉매 및 자성물질과 그 제조 방법 |
FR2889887B1 (fr) | 2005-08-16 | 2007-11-09 | Commissariat Energie Atomique | Procede de report d'une couche mince sur un support |
US8993410B2 (en) | 2006-09-08 | 2015-03-31 | Silicon Genesis Corporation | Substrate cleaving under controlled stress conditions |
US9362439B2 (en) | 2008-05-07 | 2016-06-07 | Silicon Genesis Corporation | Layer transfer of films utilizing controlled shear region |
US7811900B2 (en) | 2006-09-08 | 2010-10-12 | Silicon Genesis Corporation | Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process |
US8293619B2 (en) | 2008-08-28 | 2012-10-23 | Silicon Genesis Corporation | Layer transfer of films utilizing controlled propagation |
US8119226B2 (en) * | 2006-10-18 | 2012-02-21 | Sandvik Intellectual Property Ab | Coated cutting tool |
FR2910179B1 (fr) | 2006-12-19 | 2009-03-13 | Commissariat Energie Atomique | PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART |
FR2925221B1 (fr) | 2007-12-17 | 2010-02-19 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince |
US8330126B2 (en) | 2008-08-25 | 2012-12-11 | Silicon Genesis Corporation | Race track configuration and method for wafering silicon solar substrates |
US8329557B2 (en) | 2009-05-13 | 2012-12-11 | Silicon Genesis Corporation | Techniques for forming thin films by implantation with reduced channeling |
FR2947098A1 (fr) | 2009-06-18 | 2010-12-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat cible ayant un coefficient de dilatation thermique different de celui de la couche mince |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2129996B1 (sv) * | 1971-03-25 | 1975-01-17 | Centre Nat Etd Spatiales | |
US3988955A (en) * | 1972-12-14 | 1976-11-02 | Engel Niels N | Coated steel product and process of producing the same |
US3900592A (en) * | 1973-07-25 | 1975-08-19 | Airco Inc | Method for coating a substrate to provide a titanium or zirconium nitride or carbide deposit having a hardness gradient which increases outwardly from the substrate |
JPS527831A (en) * | 1975-07-09 | 1977-01-21 | Shinko Seiki | Process for forming very hard coating on aluminum or aluminum alloy |
JPS527879A (en) * | 1975-07-09 | 1977-01-21 | Shinko Seiki Kk | Method of forming high hardness film on carbon tool steel or alloy too l steel |
JPS5240487A (en) * | 1975-09-26 | 1977-03-29 | Nobuo Nishida | Exterior parts for watch and its process for production |
JPS5284136A (en) * | 1975-12-30 | 1977-07-13 | Suwa Seikosha Kk | Hardened casing components of watch |
DE2705225C2 (de) * | 1976-06-07 | 1983-03-24 | Nobuo Tokyo Nishida | Ornamentteil für Uhren usw. |
JPS5485214A (en) * | 1977-12-21 | 1979-07-06 | Suwa Seikosha Kk | Armor for personal watch |
CH619344B (de) * | 1977-12-23 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur herstellung goldfarbener ueberzuege. |
-
1979
- 1979-08-02 CH CH709279A patent/CH640886A5/de not_active IP Right Cessation
- 1979-09-26 NL NLAANVRAGE7907163,A patent/NL179832C/xx not_active IP Right Cessation
-
1980
- 1980-07-17 AT AT0371180A patent/AT369039B/de not_active IP Right Cessation
- 1980-07-19 DE DE19803027526 patent/DE3027526A1/de active Granted
- 1980-07-21 GB GB8023845A patent/GB2055403B/en not_active Expired
- 1980-07-28 SE SE8005422A patent/SE448242B/sv not_active IP Right Cessation
- 1980-07-31 IT IT23824/80A patent/IT1132031B/it active
- 1980-08-01 FR FR8017026A patent/FR2463195A1/fr active Granted
- 1980-08-01 US US06/174,610 patent/US4346123A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-08-01 JP JP10634980A patent/JPS5658964A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ATA371180A (de) | 1982-04-15 |
IT8023824A0 (it) | 1980-07-31 |
FR2463195A1 (fr) | 1981-02-20 |
SE8005422L (sv) | 1981-02-03 |
AT369039B (de) | 1982-11-25 |
US4346123A (en) | 1982-08-24 |
NL7907163A (nl) | 1981-02-04 |
IT1132031B (it) | 1986-06-25 |
NL179832C (nl) | 1986-11-17 |
GB2055403B (en) | 1983-05-05 |
NL179832B (nl) | 1986-06-16 |
DE3027526A1 (de) | 1981-02-19 |
DE3027526C2 (sv) | 1988-08-04 |
FR2463195B1 (sv) | 1983-03-11 |
CH640886A5 (de) | 1984-01-31 |
GB2055403A (en) | 1981-03-04 |
JPS5658964A (en) | 1981-05-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SE448242B (sv) | Forfarande for paforing av harda, motstandskraftiga overdrag av foreningar av metallerna titan, zirkonium eller hafnium med kveve, syre och kol pa underlag genom forangning eller forstoftning | |
US4254159A (en) | Method of producing gold-color coatings | |
US9702036B2 (en) | Layer system with at least one mixed crystal layer of a multi-oxide | |
US4333962A (en) | Method for producing gold color coatings | |
JPS6319590B2 (sv) | ||
Khanna et al. | Nanocrystalline gamma alumina coatings by inverted cylindrical magnetron sputtering | |
BRPI0811241B1 (pt) | Instalação e método de tratamento a vácuo | |
US5723188A (en) | Process for producing layers of cubic boron nitride | |
Zhou et al. | Deposition of nanostructured crystalline alumina thin film by twin targets reactive high power impulse magnetron sputtering | |
Rosén et al. | Effect of ion energy on structure and composition of cathodic arc deposited alumina thin films | |
Chopra et al. | Synthesis of cubic boron nitride films by activated reactive evaporation of H3BO3 | |
CN110945156A (zh) | 涂层切削工具及其制造方法 | |
Schmidtová et al. | Non-monotonous evolution of hybrid PVD–PECVD process characteristics on hydrocarbon supply | |
Hirte et al. | Influence of composition on the wear properties of boron carbonitride (BCN) coatings deposited by high power impulse magnetron sputtering | |
Bertrand et al. | Zirconia coatings realized by microwave plasma-enhanced chemical vapordeposition | |
GB2202237A (en) | Cathodic arc plasma deposition of hard coatings | |
CN110468384A (zh) | 一种单晶高温合金和涂层界面的阻扩散层及其制备方法 | |
Semenov et al. | An apparatus for vacuum deposition of composite TiN− Cu coatings using coupled vacuum-arc and ion-plasma processes | |
JPS63223161A (ja) | 基層にコーティングする方法 | |
Reich et al. | Deposition of thin films of zirconium and Hafnium Boride by plasma enhanced chemical vapor deposition | |
CN108330455A (zh) | 一种Cr2AlC相纯度可调控的涂层制备方法 | |
Husein et al. | Synthesis of carbon nitride thin films by vacuum arcs | |
Haug et al. | Stoichiometry dependence of hardness, elastic properties, and oxidation resistance in TiN/SiN x nanocomposites deposited by a hybrid process | |
Khechba et al. | Study of structural and mechanical properties of tungsten carbides coatings | |
Wolf et al. | Ion beam assisted deposition for metal finishing |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 8005422-4 Effective date: 19930204 Format of ref document f/p: F |