SE444526B - Sett att i lege och plan placera en substratbricka - Google Patents
Sett att i lege och plan placera en substratbrickaInfo
- Publication number
- SE444526B SE444526B SE7900230A SE7900230A SE444526B SE 444526 B SE444526 B SE 444526B SE 7900230 A SE7900230 A SE 7900230A SE 7900230 A SE7900230 A SE 7900230A SE 444526 B SE444526 B SE 444526B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- place
- tray
- ooh
- plan
- workpiece
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000003137 locomotive effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- BUADUHVXMFJVLH-UHFFFAOYSA-N 7-chloro-3-imidazol-1-yl-2H-1,2,4-benzotriazin-1-ium 1-oxide Chemical compound N1[N+](=O)C2=CC(Cl)=CC=C2N=C1N1C=CN=C1 BUADUHVXMFJVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 241000283690 Bos taurus Species 0.000 description 1
- 101100298295 Drosophila melanogaster flfl gene Proteins 0.000 description 1
- 229910000760 Hardened steel Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25B—TOOLS OR BENCH DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, FOR FASTENING, CONNECTING, DISENGAGING OR HOLDING
- B25B11/00—Work holders not covered by any preceding group in the subclass, e.g. magnetic work holders, vacuum work holders
- B25B11/005—Vacuum work holders
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
- B28D5/0094—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work the supporting or holding device being of the vacuum type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
25
.i 30 ,
no
i w
~ och fokallägesfel. Ytplanhet år_spèoiellt betydelsefull när many
*anvander projektionskopiering, varvid man för att uppnå maximal'
“fokalplan. Ytans avvikelser från fokalplanet får ej överstiga det j,
ioptiska systemets ekärpedjup. Om det totala skärpedjupet är 10»¿s,,,
-där uppkomsten av skevnet. På grund_ev de vid tillverkning av in-
” tegrerade kretsar använda halvledarbriokornas ringa tjocklek före~j^
“ligger alltid en viss grad grad av skevhet. En typisk halvledar-
<.0,05 om uppvisar en skevhet av 0,Q05 om, d.v.s.å50Vmikrometer.
'»l79ÛÛ23Û“9;f??$ffi
upplösningsförmåga hos projoktionsoptiken måste se till ett den
yta som exponeras väsentligen sammanfaller med proJektionsoptikens¿«
mikrometer, måste man för att erhålla maximal upplösning vid enï“y
halvledsryta med en fotoresistfilm med en tjocklek av en mikrome~. *
ter se till att denna yta är plan inom 10 mikrometer medan mönst-
ret exponeras. En hög grad av ytplanhet är även erforderlig för
att man skall kunna undvika mönsterdistorsion vid kontaktkopiering
och maximal upplösning vid kopiering på små avstånd, även om kra-
ven då ej är lika kritiska som vid projektionskopiering.
Bristande planhet vid halvledarbriokor kan vara betingad av V
två olika orsaker. Den första av dessa är icke-linjära tjookleks-
variationer 1 brickan. Normalt gör man så att man under mönster-
exponeringen tvingar en av briekans ytor (baksidan) att väsentli-
gen ansluta sig till en plan yta medelst någon typ av briokhållar-
anordning. Härigenom uppnår man att briekane andra yta (den främre
ytan) skulle vara plan om brickan ej uppvisade någon icke-linjär
tjookleksvariation. Det bör observeras att om brickan har en lin-
jär tjockleksvariation (om den exempelvis är kilformad). skulle
dess främre yta fortfarande vara plan, trots att den ej skulle
vara parallell med baksidan. Detta kan tolereras vid flertalet
projektionssystem ooh system för kopiering på små avstånd, vilka
system har anordningar för att luta brickans yta så att den blir
parallell med kopieringssystemets optiska plan. Men om brickan
uppvisar en ioke~linjär tjookleksvariation kommer dess främre yta
ej att vara plan. Icke-linjära tjooklekevariationer kan dock redu~
eeras till en godtagbar grad genom omsorgsfull tillverkning. _ y
Den andra orsaken till bristande planhet hos halvledarbriekorf
bricka med en diameter av 7,6;om ooh en tjocklek av_O,O38dtillVå
Skevhet uppstår först när briokan utsågas från ämnet. Eftersom den?
tunna briçkan är ganska fjädrande, kommer skevheten ej att avlägs-É V
nas genom de följande läppningsoonfpoleringsstegen under tillverk
U1n8SPP°0ßssen.,Hartill kommer att ugnssekvenser samt_odling ooh
, applioering av olika filmer på briokans yta_under kretsrramställèïi
' ninßtförlopbet alla kan förvärra skevheten-» v' - " *“ d§*”id
L Den vanliga metoden för avlägsnande av akevhet under mbnsterf-
M »_exponeringen är att hålla brickan i en med vakuum arbetande anordel
'ning som uppvisar en höggradigt plan fasthållningeyta. Om briokaneif
: ekevhet då ej är alltför stor (understiger 50 mikrometer) oeh om"ï
- briokan har en mycket ringa iokeelinjär tjookloksvariationg skulle_
vakuumfasthâllningsanordningen i princip åstadkomma att framsidan
iuppviaar en hög grad av planhet. V
Ett problem uppstår emellertid när smutspartiklar kommer in
mellan brickan ooh fasthállningsytan, så att intim kontakt för-
hindras. Eftersom emutepartiklar kan ha en storlek uppgående till
tio mikrometer eller däröver, har dessa en sådan verkan att brio~
kans framsida i tillräcklig grad avviker från planhet för att man
skall få besvärande möneterdistorsion under den fotolitografiska
ekponeringen. Problemet med smutspartiklar är särskilt svårt att
komma tillrätta med i en tillverkningamiljö där kravet på hög
genomströmning av brickor genom varje fotolitografiskt steg i
praktiken omöjliggör rengöringsförfaranden för avlägsnande av
smutspartiklar från brickan ooh briokhållaren. Härtill kommer_att
avlägsnande av partiklar från luften, såsom i ett "ultralrent
rum". ej fullständigt löser problemet, eftersom den övervägande
delen av emutspartiklarna kommer från brickorna själva i form av
flieor från brickans kanter ooh avskalade partiklar från filmer A
som är odlade eller applioerade på briokans yta. En eönderbruten
bricka förorsakar de allvarligaste partikelföroreningarna.
Vakuumfixturer för faethàllning av tunna arbetsstyoken är '
» beskrivna i amerikanska patentekrifterna 3 627 338 och 3 7H7 282.
*aßåda dessa patentskrifter beskriver vakuumgriporgan där den p
arbetsstyoket hållande ytan uppvisar en plan yta med ringformiga
V ooh radiella spår för "distribution" av vakuum till arbetsstyokete
baksida Vidare har dessa kända fixturer uppenbarligen utförta för
j applikationer där det gäller maskinbearbetning ooh polering av
»V a stanna arbetestyoken. varvid kraven på arbeteetyokenas planhet ej
"l 35 “ är_1ika kritiska som när_det är frågan om fotolitografi. Ingen av
d»v de i dessa publikationer beskrivna anordningarna erbjuder därför
inágon lösning på de problem som uppstår när man ställer så höga
krav som fallet är vid fotolitografi i samband med halvledar-
brickor ooh när man har att räkna med försvarande inverkan av
smutspartiklar när den erforderliga planheten skall åstadkommas.a
NO
n BOV
äü x
n79uo2so~9~ vv i
kt Av det ovanstående framgår att det finns behov av an*vakunm¿,§f
'~ hållare som är väsentligen immun mot sådana smutspartiklar som f; lt
(alltid förekommer i den miljö i vilken tillverkning av nalvledarf~¿
* don sker. i d'f'*§¿<^ï:nf a n;:"'» v i ~::ÉÉ A
A I enlighet med uppfinningen löses det ovan berdrda problemet. -
vid ett sätt som uppvisar de i den känneteeknande delen av patentff
, kravet 1 angivna särdragen. Vid ett förfarande av det inlednings-Ut
vis nämnda slaget genomför man de ytterligare förfaringsstegen:att“
man applicerar var och en av nämnda lokalt verkande krafter på enp
area av baksidan, vilken area är av storleksordningen 1,3x1D'“"
tiil 1,3x1u”2 kvaavateentimeter, samt att man rurekguner briekan i
en mot de lokalt verkande krafterna vinkelrät riktning, så att .
eventuella smutspartiklar, vilka är i kontakt med baksidan, av-
lägsnas, samt att man därefter kvarhåller briekan i ett_stationärta
läge.
På bifogade ritning med Pig. 1 - U är fig. 1 en sohematisk
bild av en med vakuum arbetande fasthållningsanordning. Elg. g är
en uppifrån sedd vy av anordningen enligt tig. 1. Fig. 3 är en vy
enligt linjerna N-H i fig..2 och gig. 2 visar en bricka som ma-
nuellt insättes i en briekhållaranordning.
I fig. 1, 2 och 3 visas schematiskt en i stort sett cirkulär
basplatta 10 med en upphöjd kant 11. Kanten innefattar en
press-passad insats 12 för åstadkommande av en-smaI”kant 13 vilken
har en jämn övre plan yta för att uppbära periferin av baksidan av
ett tunt arbetsstycke, exempelvis en halvledarbricka ik med ett på
denna applicerat resist~skikt 19, varvid kantens.diameter är minne;
V re än arbetsstyokets, så att arbetsstynkets kant skjuter ut utan-
för nämnda kant 13. I»en typisk utföringsform, som är avsedd för
» att hålla brickor med en diameter av.76,2 mm, är kantens ytter~_
iameter 72,6 mm. Kantens yttersta del bildar en i stort sett
lnrttät förslutning tillsammans med arbetsstyokets baksida, så attf
pman får en evakuerbar kammare 15* Kammaren står i förbindelse med Ä
?j*_;*l men vakuumpump via en vaknumkanal 16Vifbasplattan;"Pá'basplattanta Q
"d?"35 f och väsentligen vinkelrätt mot denna ar ett flertal Jämnt utsprid~j
=l_ da stela cylindriska pinnar 17 med avsmalnande spetsar 18 montera-§
r dn. Pinnarnas spetsar bildar tillsammans med kantens yttersta del Ä
den fasthållnlngsyta motfvilkenfarbetsstvokets baksida hållas när W
Kflwmflffln 15 är evakueradçï in ,¿ ¿- _ n,¿
Pinnarnas spetsar utgör lokala stöd vilkas area kan göras
'25
mamutspartikei som råkar komm, emellan stödet och arbetsstyeket. I
L mycket mindre än vad som är fallet'vid de fördelade stöd som har.ħ *Ai
l Vanvänts i de tidigare kända anordningarna ooh som innefattar ring-§«m “
' formade ytor mellan vakuumfördelande spår på fasthållningsanord-t Å
'ninsens kvarhållninssyta. L* d”Üfif” Md~'A' ll i'AtÜ ïf“d i -1
W Pinnarnas 17 ooh kantens 11 höjder måste alla vara lika stora'
ïför ett fastnållningsytan skall få en hög grad av planhet. I den¿Å _
föredragna utföringsformen uppnås planheten genom att man läpparfl
hela kvarhållningsytan efter det att den tillverkats. Härigenom *_
pblir fasthållningsytnn plan inom en bråkdel av en mikrometer över¿
ett eirkulärt område som har en diameter av ca ?|$ om. .-
Eftersom en av principerna för uppfinningen är att minska
sannolikheten för att smutspartiklar samlas på fasthållningsytan,
vilket uppnås genom ett ytans storlek reduceras, bör fasthåll- V
ningsytan vara sammansatt av så få pinnspetsar som möjligt, Pinn-
spetsarna får dock ej vara anordnade med så stora inbördes avstånd
att de tillåter de ej stödde områdena av arbetsstyoket att defor-
meras under inverkan av den medelst vakuet applioerade kraften, ty
detta skulle omintetgöra huvudändamålet med uppfinningen, nämligen
att hålla arbetsstyokets ytor plana inom små toleranser. Det
optimala inbördes avståndet mellan till varandra gränsande pinn- Ä
spetsar beror på arbetsstyokets tjocklek och de mekaniska egenska~
perna hos det material varav arbetsstyoket består. Avståndet %-
L ifråga kan lätt beräknas av en faokman. Ett exempel på hur en
sådan beräkning kan utföras återfinns i Advance Strength of Mateé
Irials, J. P. Denfiartog, utgiven 1952 av Moßraw-Hill Book Co. (se~
sid. 128). I en speciell, belysande utföringsform som är avsedd~:
iför att hålla kiselbriokor med en diameter av 7,6 om ooh med 0,05 t
t_om tjocklek är avstånden mellan till varandra gränsande pinnspet-
sar i den fasthållande ytan 0,508 em. Diametern för halvledarbrio~
kor som används vid framställning av halvledardon kan variera, och
i allmänhet ökar brioktjookleken med ökande briokdiameter. Iden-
lighet med principerna för uppfinningen kan anordningen konstruee
ras för att hålla brickor av godtycklig diameter;Ai l if A
En annan princip för uppfinninaen är att.reduoera arean för
L varje särskild stödpunktii"kvarhållningsytanioeh¿därigenom'ökaVp
v sannolikheten för att en smutspartikel borstas bort vid den opere~
tion genom vilken laddning av arbetsstyoket sker och för att1trye~
ket från den lilla lokaliserade stödpunkten skall klämma bort en
praktiken kommer möjlighetentatt gora stödygan liten att_vara»¿,;
o««ee~79oo23@¿9 _*_
,ap 79o0230_9 ¥Mp a p___
'Jfberoende av stödmaterialet¿ sattetfatt_tillverkatpinuflfflßiïsattett4p
pjjatt plana av fasthållningsytanfsamt avnötningstakten för;de_anv#fl~9p
Lvned slipade spetsar användes den där fasthållningsytan ar avplanadlfv
Å' medelst läppning, har pinnspetsarna diametrar mellan 0.025 ooh ;¿Ä* 4
v~ ,0,130 om, används pinnspetsar vilka 1 konsekvens härmed har dimen~
, stödyta ligga i omrâdet 1,3x10"“ *till 1,3x10”2 kvadratoentimeter,
_g kan exponeras i skiktet 19.
l stycken av olika form under andre_operationer, exempelvis pole-
'¿ ring. slipning ooh maakinöearbetningf Det bör observeras att ut-
' štryoken Wstödfl och “pinnspstsstöd¶§vilka använts 1 beskrivningen
'g av godtycklig farm een med 1iten”area§ tttryekenÜifraga ar såiunaa
I l_oirkulära formen. Det bdrfvidare observeras att det i beskrivning
jaa anoden; vid den föredragna utroringsrerman, dar¿a1uminiumpifinaa§r
-0,038 em. Vid praktisk tillämpning kanfen medelst lappning*planad§f
“fasthállningsyta ha stöd vilkas minsta dimensioner överstiger r"1d
0,013 em. I denna utföringsform har kantinsatsen 13, som_exempel~
vis är utförd av härdat stål, en kant vars bredd är 0,05 cm;
Ytterligare en princip enligt uppfinningen är att brickan när
den appliceras på fasthållningsytan, antingen manuellt med pineett
eller med en automatisk briokladdningsanordning, alltid utsätts
för en viss sidledsrörelse även efter det att brickan kommit 1
kontakt med fasthållningsytan i enlighet med vad som visas i fig.
ü. Denna sidledsrörelse används påsatt fördelaktigt sätt enligt p
uppfinningen för att "borsta bort" smutspartiklar från pinnspet-
sarna genom att man säkerställer att diametern för varje pinn-
spetsstöd (eller maximala dimensionen i det fall att pinnspetsarna
ej har cirkulär form) är mindre än storleken av briokans sidleds-
rörelse. I den föredragna utföringsformen, som är avsedd att an-
evändas i samband med automatisk brickladdningsapparatur och som
ger en "skrubbningsrörelse“ i sidled uppgående till åtminstone
sioner understigande 0,130 om. Sålunda bör arean av varje cirkulär
I rig. N visas även en bild av en konventionell mönsterexpo~
neringsanordning 20 medelst vilken ett mönster med hög upplösning
V Ehuru den speciella, som exempel valda utföringsform vilken
här beskrivits innefattar apparatur för att hålla eirkulära halv~
'ledarbrickor under fotolitografisk exponering, kan uppfinningen i
även användas vid anordningar för att hålla andra typer av arbeta~ "
soon i patentkraven även avses innefatta varje lokalt begränsad ytaii
på intet sätt begränsade till?att:avse den på ritningen visade
pfifl ßßb Pflßflntkraven använda uttryoket "pinnar" även avsesfinnefat-f
ïghagpelarliknanda dalar Äv gudkyékiïgg$§änsn1ttàfonm'onnfgod§yokl18§¿
¿höJd. Uttrycket ifråga repneaenbønanšendást nn ny gat gtqrt an§;1J¿ __¿
gimöjliga strukturer för :tt erhålla små; lokàlt avgränaadefàtóflfflflåflf
»ringa atödyta. Flera ytterligàre módifieringan kan även genomför§ä¿n
'av en faokman utan att uppfinningstanken q11er”rqmenÜfHrf0ppfi¶á§
M Vningen frångàs. Vilken speciell anordning som än_yä1J5fän”det§f~-¿¿¿
;ï ffuppenbart att användning av ett avrángemang 1 enlighet med uppfinf;
n*§"ningen möjliggör ett förfarande som förbättrar det uppnåeliga fån
iïħfutbyteb'v1d tillverkning an mikrominiatyranordningar.g
Claims (1)
- _% _ Sätt att 1 läge ann plan p1aa9ñafen¿substratbri§ka sqm har « §framsida9oeh"en“bakaida,fvílkeflw äfitÜinñefattar fåñfaringasbege gg ; §man löst placerar br1ckan,1 eng ufi3¿;äri1gt"läge§ gg; m¿n appliggpfif _ i Äväsent11gen iikformigtïfördelàäèïüråfter 1äñgsQpämnda:fram$i§a;ïoéh' ¿ 'lägg man applicerar ett flertal lokgit verkande krafteflšiängs nämnda gå ' baksida, varvid nämnda på bakaídan verkande krafter"baIan3eràrfdq på~_ framsidan verkande krafterna och är tillräckliga för att~hå11aÜ A U V brickan plan, varjämte sättet äb'k ävn n eit e c k n aït ~av de »ytterligare förfaringsstegen ägg man applicerar var och en av nämnfia A lokalt verkande krafter på en area av baksidan vilken är av stor» _ leksordningen 1,3x10”u till 1,3x1O'2 kvadrateentimeter, Samt §§§ÄI' A man förskjuter brickan 1 en mot de lokalt verkande krafterna vinkel» _ rät riktning så att eventuella smutspartiklar vilka är 1 kontakt maa* baksidan avlägsnas, samt att man därefter håller fast brickan i ett stationärt läge.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US87147778A | 1978-01-23 | 1978-01-23 | |
US05/965,304 US4213698A (en) | 1978-12-01 | 1978-12-01 | Apparatus and method for holding and planarizing thin workpieces |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE7900230L SE7900230L (sv) | 1979-07-24 |
SE444526B true SE444526B (sv) | 1986-04-21 |
Family
ID=27128208
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE7900230A SE444526B (sv) | 1978-01-23 | 1979-01-10 | Sett att i lege och plan placera en substratbricka |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6015147B2 (sv) |
DE (1) | DE2901968A1 (sv) |
FR (1) | FR2415368A1 (sv) |
GB (1) | GB2016166B (sv) |
IT (1) | IT1118308B (sv) |
NL (1) | NL7900497A (sv) |
SE (1) | SE444526B (sv) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5754341A (ja) * | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Usuitahojisochi |
US4433835A (en) * | 1981-11-30 | 1984-02-28 | Tencor Instruments | Wafer chuck with wafer cleaning feature |
JPS58153344A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-12 | Hitachi Ltd | リテ−ナ式ウエハチヤツク |
JPS59106118A (ja) * | 1982-12-10 | 1984-06-19 | Hitachi Ltd | 薄板変形装置 |
JPS6099538A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-06-03 | 横河・ヒュ−レット・パッカ−ド株式会社 | ピンチヤツク |
US4656791A (en) * | 1984-09-27 | 1987-04-14 | Libbey-Owens-Ford Company | Abrasive fluid jet cutting support |
GB2189328B (en) * | 1986-03-03 | 1990-12-19 | Canon Kk | Optical system adjustment device for camera |
US4903681A (en) * | 1987-02-24 | 1990-02-27 | Tokyo Seimitus Co., Ltd. | Method and apparatus for cutting a cylindrical material |
NL8701603A (nl) * | 1987-07-08 | 1989-02-01 | Philips & Du Pont Optical | Vacuuminrichting voor het vastzuigen van werkstukken. |
US6228438B1 (en) * | 1999-08-10 | 2001-05-08 | Unakis Balzers Aktiengesellschaft | Plasma reactor for the treatment of large size substrates |
JP2003142566A (ja) * | 2001-11-07 | 2003-05-16 | New Creation Co Ltd | 真空吸着器及びその製造方法 |
DE20206490U1 (de) * | 2002-04-24 | 2002-07-18 | J. Schmalz GmbH, 72293 Glatten | Blocksauger |
JP5810517B2 (ja) * | 2010-12-02 | 2015-11-11 | 富士電機株式会社 | 吸着装置および吸着方法 |
DE102011001879A1 (de) | 2011-04-07 | 2012-10-11 | Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh | Vorrichtung zum Spannen verformter Wafer |
JP6178683B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2017-08-09 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 吸着ステージ、貼合装置、および貼合方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB280154A (en) * | 1926-11-02 | 1928-03-28 | Wesel Mfg Company F | Improvements in photo-engravers' printing frame |
FR1517154A (fr) * | 1967-03-02 | 1968-03-15 | Elektromat Veb | Procédé et dispositif pour le prélèvement de petits corps à surfaces adhérentes |
DE1646147A1 (de) * | 1967-05-13 | 1971-01-07 | Telefunken Patent | Vorrichtung zur Halterung einer Halbleiterscheibe bei der UEbertragung eines Musters durch Kontaktkopie oder durch Projektionsmaskierung |
US3627338A (en) * | 1969-10-09 | 1971-12-14 | Sheldon Thompson | Vacuum chuck |
US3747282A (en) * | 1971-11-29 | 1973-07-24 | E Katzke | Apparatus for polishing wafers |
-
1979
- 1979-01-10 SE SE7900230A patent/SE444526B/sv not_active IP Right Cessation
- 1979-01-18 IT IT67112/79A patent/IT1118308B/it active
- 1979-01-19 DE DE19792901968 patent/DE2901968A1/de active Granted
- 1979-01-22 FR FR7901510A patent/FR2415368A1/fr active Granted
- 1979-01-22 NL NL7900497A patent/NL7900497A/xx not_active Application Discontinuation
- 1979-01-23 GB GB7902425A patent/GB2016166B/en not_active Expired
- 1979-01-23 JP JP54005656A patent/JPS6015147B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL7900497A (nl) | 1979-07-25 |
JPS6015147B2 (ja) | 1985-04-17 |
GB2016166B (en) | 1982-06-09 |
FR2415368B1 (sv) | 1984-05-04 |
JPS54120585A (en) | 1979-09-19 |
FR2415368A1 (fr) | 1979-08-17 |
IT7967112A0 (it) | 1979-01-18 |
GB2016166A (en) | 1979-09-19 |
IT1118308B (it) | 1986-02-24 |
DE2901968C2 (sv) | 1988-08-11 |
SE7900230L (sv) | 1979-07-24 |
DE2901968A1 (de) | 1979-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SE444526B (sv) | Sett att i lege och plan placera en substratbricka | |
US4213698A (en) | Apparatus and method for holding and planarizing thin workpieces | |
USRE31053E (en) | Apparatus and method for holding and planarizing thin workpieces | |
US20150170954A1 (en) | Substrate support apparatus having reduced substrate particle generation | |
US20230005785A1 (en) | Methods and apparatus for adjusting surface topography of a substrate support apparatus | |
CN111276428B (zh) | 晶圆承载装置 | |
US20080099451A1 (en) | Workpiece rotation apparatus for a plasma reactor system | |
US6771482B2 (en) | Perimeter seal for backside cooling of substrates | |
KR102351354B1 (ko) | 플로팅 웨이퍼 척 | |
US20220161396A1 (en) | Minimal contact gripping of thin optical devices | |
KR101688473B1 (ko) | 스핀 현상 방법 및 장치 | |
US20090003979A1 (en) | Techniques for handling substrates | |
US11056378B2 (en) | Workpiece holding method and workpiece processing method | |
US7572342B2 (en) | Method and apparatus for cleaning semiconductor photolithography tools | |
US6409463B1 (en) | Apparatuses and methods for adjusting a substrate centering system | |
US9658536B2 (en) | In-line inspection and clean for immersion lithography | |
US6573520B1 (en) | Electron beam lithography system | |
US9472444B2 (en) | Wafer support device | |
US20170194134A1 (en) | Removing particulate contaminants from the backside of a wafer or reticle | |
US10549313B2 (en) | Edge field imprint lithography | |
US11940724B2 (en) | Reticle processing system | |
KR20060134533A (ko) | 반도체 소자 제조를 위한 로봇 블레이드 | |
KR20060130970A (ko) | 러버 팁을 갖는 웨이퍼 이송용 로봇 포크 | |
TWI748560B (zh) | 自動晶圓定位總成 | |
JP2018166135A (ja) | 塗布処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NAL | Patent in force |
Ref document number: 7900230-9 Format of ref document f/p: F |
|
NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 7900230-9 Format of ref document f/p: F |