RU99127439A

RU99127439A - Полупроводниковый элемент и способ изготовления

Info

Publication number: RU99127439A
Application number: RU99127439/28A
Authority: RU
Inventors: Штефан ЛИНДЕР
Original assignee: Асеа Браун Бовери АГ
Priority date: 1998-12-29
Filing date: 1999-12-28
Publication date: 2001-10-20

Claims

1. Способ изготовления полупроводникового элемента (HL) с катодом (3) и анодом (5) из одной подложки (1), причем
а) подложку (1) сначала обрабатывают со стороны катода,
б) вслед за этим толщину подложки (1) на противоположной катоду (3') стороне уменьшают и
в) в следующем шаге на этой стороне формируют анод (5),
отличающийся тем, что перед обработкой со стороны катода вводят тормозную зону (21).

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что толщину подложки (1) в шаге б) уменьшают таким образом, что остается, по меньшей мере, часть зоны торможения (21).

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложку (1) для введения зоны торможении (21) легируют с противоположной катоду (3') стороны, причем профиль (20) легирования выбирают таким, что после уменьшения толщины подложки с противоположной катоду стороны остается, по меньшей мере, конечная зона, которая образует, по меньшой мере, приблизительно зону торможения (21).

4. Способ по п.3, отличающийся тем, что остающуюся конечную зону выбирают по размеру такой, что при повышении напряжения в запертом состоянии полупроводникового элемента (HL) происходит лавинный пробой, прежде чем электрическое поле достигло анода (5).

5. Способ по п.1, отличающийся тем, что необходимую для создания тормозной зоны (21) диффузию производят при температуре, по меньшей мере, 1200^oС.

6. Способ по п. 1, отличающийся том, что вводят тормозную зону (21) с пиковым легированием со стороны анода, по меньшей мере, 5 •10¹⁴ см ^-3 , преимущественно 1•10¹⁵ см^-3, и максимально, 6•10¹⁶ см^-3, преимущественно 1•10¹⁶ см^-3.

7. Полупроводниковый элемент с катодом (3') и анодом (5), причем рядом с анодом (5) имеется тормозная зона (21), плотность легирования которой увеличивается к аноду (5), отличающийся тем, что тормозная зона (21) имеет обрезанный к аноду (5) профиль легирования.

8. Полупроводниковый элемент по п.7, отличающийся тем, что обрезанный профиль легирования является краевым участком Гауссова профиля или дополнительного профиля функции ошибок.

9. Полупроводниковый элемент по п.7, отличающийся тем, что анод (5) имеет прозрачный анодный эмиттер.

10. Полупроводниковый элемент по п. 9, отличающийся уем, что поверхностное покрытие атомами примеси р-типа на аноде составляет менее 2•10¹⁴ см^-2, преимущественно менее 1•10¹³ см^-2.

11. Полупроводниковый элемент по п.7, отличающийся тем, что полупроводниковый элемент имеет толщину 80-180 мкм.