CZ299715B6 - Polovodicový prvek a zpusob jeho výroby - Google Patents
Polovodicový prvek a zpusob jeho výroby Download PDFInfo
- Publication number
- CZ299715B6 CZ299715B6 CZ0472399A CZ472399A CZ299715B6 CZ 299715 B6 CZ299715 B6 CZ 299715B6 CZ 0472399 A CZ0472399 A CZ 0472399A CZ 472399 A CZ472399 A CZ 472399A CZ 299715 B6 CZ299715 B6 CZ 299715B6
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- anode
- semiconductor element
- cathode
- thickness
- doping
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 abstract description 6
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
- H01L29/66333—Vertical insulated gate bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66363—Thyristors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Ve zpusobu výroby polovodicového prvku (HL) s katodou (3') a anodou (5) se jako výchozí materiál používá relativne tlustá podložka (1), ve které se jako první krok vnáší na strane anody záverná oblast (21). Následovne se opracovává ze strany katody,nacež se redukuje tlouštka podložky (1) na strane, protilehlé ke katode (3), a v další kroku se na této strane vytvárí anoda (5). Vzniká relativne tenký polovodicový prvek, který se nechá vyrábet s príznivými cenovými náklady a bez epitaxních vrstev.
Description
Polovodičový prvek a způsob jeho výroby
Oblast techniky
Vynález se tyká způsobu výroby polovodičového prvku s katodou a anodou z podložky, přičemž podložka se nejdříve opracovává ze strany katody, poté se tloušťka podložky redukuje na straně, protilehlé ke katodě, a v dalším kroku se na této straně vytváří anoda. Vynález se dále tyká polovodičového prvku s anodou a katodou, přičemž v sousedství anody je upravena závěrná oblast, to jejíž hustota dotování směrem k anodě roste.
Dosavadní stav techniky
Aby se dosáhlo nej lepších možných charakteristik polovodičových výkonových spínačů, jako například IGBT (Insulated Gale Bipolar Transistor), musí se tloušťka aktivních zón polovodičového prvku volit co možná nejblíže fyzikálním hranicím materiálu.
Tloušťka má například přímý vliv na ztráty v propustném směru. V případě napětí průrazu 600 až 1800 V jsou proto žádoucí tloušťky polovodičového prvku 60 až 250 pm. Takové nepatrné tloušťky ale představují při výrobě polovodičových prvků velký problém, protože podložka s průměrem 100 mm a více by měla mít průměr alespoň 300 pm, aby se minimalizovalo nebezpečí prasknutí při výrobě,
Dosud se tento problém řešil pomocí takzvané epitaxní techniky. Přitom se na nosném substrátu o relativně velké tloušťce 400 až 600 pm pěstuje elektricky aktivní zóna. Nosný substrát přitom vzniklému polovodičovému prvku zaručuje jednak potřebnou stabilitu, jednak substrát tvoří anodu polovodičového prvku.
Obecné je mezi nosném substrátem a elektricky aktivní zónou umístěna závěrná vrstva, nazývaná také Buffer. Závěrná vrstva slouží v případě blokování k tomu, že se elektrické pole před anodou náhle zabrzdí a tím se od ní drží vzdáleně, protože pokud by elektrické pole anody dosáhlo, elektrický prvek by se zničil. Pěstování aktivní zóny je zdlouhavý a komplikovaný způsob, takže tato epitaxní technika je relativně drahá. Tato technika má dále tu nevýhodu, že není možné nosný substrát, to znamená anodu, dotovat dostatečně slabě. Toto by ale bylo výhodné, protože anoda výkonového polovodičového prvku by měla být dotována co možná slabě, aby tento obdržel ideální elektrické vlastnosti, Slabé dotování ale znamená vysoký vlastní elektrický odpor, což by při relativně velkých tloušťkách nosného substrátu vedlo k nezanedbatelné hodnotě odporu; · ·
Proto je k výrobě polovodičového prvku znám nový způsob, který nevyžaduje žádné epitaxní vrstvy. Takové způsoby jsou například známy z Darryl Bums et al., NPT-IGBT-Optimizing for manufacturability, IEEE, strana 109-112, 0-7803-3106-0/1996; Andreas Karl, IGBT Modules Reach New Levels of Efficiency, PCIM Europe, Issue 1/1998, Seite 8-12 a J. Yamashita et al., A novel effective switching loss estimation of nonpunchthrough and punchthrough IGBTs, IEEE, strana 331 - 334, 0 - 7803 - 3993 - 2/1997. Polovodičové prvky, vyrobené tímto způsobem, se označují jako NPT (non - punch - through), na rozdíl od punch - through polovodičových prvků podle epitaxního způsobu. U tohoto způsobu slouží jako výchozí materiál relativně tlustá podložka bez epitaxní vrstvy. Typické tloušťky leží při 400 až 600 pm. V prvním kroku se podložka opracovává ze strany katody, což znamená, že se provádí foto litografie, iontová'implantace, difu50 ze, leptání a ostatní procesy, potřebné pro výrobu polovodičového prvku. Ve druhém kroku se destička na straně, protilehlé ke katodě, redukuje na svou žádanou tloušťku. Toto se uskutečňuje pomocí běžných technik, obecně pomocí broušení a leptání. Ve třetím kroku se nyní na této zredukované straně difúzí tvoří anoda.
-1CZ 299715 B6
Ačkoliv se tento způsob vůči epitaxnímu způsobu vyznačuje svými malými náklady, má přece i některé nevýhody:
Difúze anody je relativně obtížná, protože v tomto kroku způsobu je podložka již velmi tenká a tím se může lehce zlomit. Ještě k tomu se prvek nesmí silně zahřívat, protože v prvním kroku způsobu se již na straně katody nanášely kovové vrstvy, které se taví při teplotách nad 500 °C. Tím se nechá dosáhnout jenom nepatrného dotování anody. Toto by ale mohlo mít pozitivní vliv na elektrické vlastnosti polovodičového prvku. Protože se ale nedaří, zabudovat dostatečně silné dotování, které by mohlo sloužit jako Buffer, musí být polovodičový prvek dostatečně tlustý, aby io se v blokovacím provozu uskutečnil lavinový průraz, dříve než elektrické pole dosáhne anody. V podstatě jsou polovodičové prvky, vy robené, takovým způsobem, tlustší než prvky, vyrobené epitaxní technikou. Tím je přednost slabě dotované anody přinejmenším částečně zrušena nedostatky příliš tlusté aktivní zóny, zmíněnými úvodem.
»
V EP-A 0'700'095 je dále zveřejněn odepínatelný tyristor, který je vhodný pro vysoká blokovací napětí. Skládá se z polovodičového prvku s anodou a katodou, přičemž anoda má průhledný emitor. Takové anodové emitory jsou již známy pro konstrukční prvky s nepatrným výkonem jako solární články, diody nebo tranzistory. Pod průhledným anodovým emitorem se rozumí emitor na straně anody, s poměrně slabým injektováním, takže se vysoké podíly proudu elektronů, přicházejícího od katody, mohou bez rekombinace a tím bez zrušení injektované díry extrahovat. Před tímto průhledným anodovým emitorem je uložena závěrná vrstva, která jednak redukuje elektrické pole v blokovacím provozu, jednak ale také může sloužit k tomu, že ovlivňuje účinnost injektování průhledné anody. Závěrná vrstva se přitom vytváří difúzí nebo epitaxně, přičemž profil dotování má v prvním případě Gaussovo rozdělení a ve druhém případě rozdělení, rozložené po tloušťce vrstvy homogenně popřípadě stupňovitě. Ačkoliv má tento polovodičový prvek v provozním stavu pozitivní chování, nenechá se na základě nebezpečí prasknutí rovněž vyrobit libovolně tenký.
Úkolem vynálezu je vytvořit co možná nejtenčí polovodičový prvek, který se nechá vyrobit s příznivými náklady.
Podstata vynálezu
Tento úkol se řeší způsobem výroby polovodičového prvku s katodou a anodou z podložky, přičemž podložka se nejdříve opracovává ze strany katody poté se tloušťka podložky redukuje na straně, protilehlé ke katodě, a v dalším kroku se na této straně vytváří anoda, jehož podstatou je, že před opracováním ňá strahě kátodý se vnáší závěrná oblast. Úkol sé dále řeší polovodičovým prvkem s katodou a anodou, přičemž v sousedství anody je upravena závěrná oblast, jejíž hustota dotování roste směrem k anodě, jehož podstatou je, že závěrná oblast má profil dotování, který je směrem k anodě odříznutý.
Způsob podle vynálezu kombinuje přednosti polovodičového prvku, vyrobeného pomocí epitaxní techniky a polovodičového prvku, vyrobeného pomocí NPT-techniky, přičemž se vytváří polo45 vodičový prvek, který svými elektrickými vlastnostmi převyšuje polovodičové prvky, vyrobené těmito dvěma známými způsoby.
Podle vynálezu se pracuje NPT-technikou bez epitaxních vrstev, přičemž před opracováním výchozího materiálu na straně katody se nanáší závěrná oblast. Nanášení závěrné oblasti se usku50 tečňuje pomocí dotování ze strany podložky, protilehlé k příští katodě, čímž vzniká profil rotování, jehož hustota roste směrem k příští anodě a přičemž tento profil dotování je odříznutý. Po procesech na straně katody se podložka tak dalece ztenčí, že profil dotování se vzdálí až na nízce dotovanou koncovou zónu, která v podstatě tvoří závěrnou oblast. Následně se nechá vyrobit slabě dotovaná anoda, přednostně s průhledným anodovým emitorem, která je v blokovacím pro55 vozu chráněná sousední, přednostně s ní hraničící závěrnou oblastí před elektrickým polem.
-2CZ 299715 B6
Dále je výhodné, že polovodičový prvek podle vynálezu má na rozdíl od prvků epítaxní techniky pozitivní teplotní koeficient poklesu napětí v propustném provozu.
Způsob podle vynálezu se nechá použít k výrobě nejrůznějších polovodičových prvků, zejména pro IGBT (Insulated Gale Bipolar Transistor), GTO (Gale turn-oťf Thyristor) nebo konvenčních tyristorů.
Další přednostní typy provedení vycházejí ze závislých patentových nároků.
Přehled obrázků na výkresech
Způsob podle vynálezu a předmět vynálezu se dále blíže vysvětlují podle příkladného provedení, které je znázorněno na přiložených obrázcích. Znázorňují:
obrázek la—le: výrobu polovodičového prvku podle vynálezu od výchozího materiálu až ke konečnému produktu a obrázek 2: grafické znázornění difuzního profilu jakož i elektrického pole v blokovacím provozu podél řezu A - A' podle obrázku 1 b, popř. podél řezu A - B podle obrázku 1 e.
Příklady provedení vynálezu
Jak je znázorněno na obrázcích laaž le, vyrábí se polovodičový prvek podle vynálezu z jednodílné, přednostně uniformě n~ - dotované podložky J_ (obrázek la), Podložka I je ve svém tvaru jako výchozí materiál relativně tlustá, přičemž tloušťka je dimenzována tak, že se minimalizuje nebezpečí prasknutí při manipulaci s podložkou I. Typické hodnoty leží při 400 az 600 pm.
V prvním kroku způsobu se podložka i dotuje z jedné strany n+, přičemž se pro to používají známé techniky, jako iontová implantace s následující difúzí, nanášení vrstev s následující difúzí nebo difúze z plynné fáze. Jak je na obrázku lb znázorněno šipkami, dotování se uskutečňuje jednostranně. Je ale také možné, dotovat podložku oboustranně, přičemž v tomto případě se pod35 ložka následovně na jedné straně redukuje. V podložce i dostaneme difuzní oblast 2 s profilem 20 dotování, který roste směrem ke zdroji (obrázek 2), přičemž přechází od málo n-dotované zóny do hodně dotované n+-zóny. Tvar profilu dotování závisí na technice výroby, obecně má tvar Gaussovy křivký ňebo odpovídá komplementární chybové funkci. Hloubka vniknutí je relativně vysoká, přednostně sahá přes polovinu tloušťky podložky i, ale ne až k protilehlé straně.
Dotování je na obrázku lb znázorněno tečkované, přičemž hustota bodů označuje schematicky hustotu dotování. Profil dotování je přednostně narozdíl od znázornění podle obrázku lb bez stupňů. Volbou hloubky vniknutí, jakož i strmostí profilu 20 dotování se nechá předdefinovat tloušťka výsledného polovodičového prvku, jak se vysvětlí později. Difúze se obecně uskutečňuje při relativně vysoké teplotě, přednostně přes 1200 °C. Kvůli velké hloubce vniknutí je zapotře45 bí relativně dlouhá doba difúze, obecně několik dní.
V dalším kroku se opracovává nedifundovaná strana podložky 1, přičemž se pomocí známých procesů nanáší popřípadě vnáší katodová struktura 3 s n+-dotovanou katodou 3', pokovení 4 katody a přednostně řídicí elektroda 7. Tyto procesy odpovídají procesům popisovaným u NPT50 techniky a proto se zde již podrobně nevysvětlují. Tyto procesy se odlišují podle typu polovodičového prvku, který chceme vyrábět, jakož se i odlišují z nich vzniklé struktury aktivní zóny 3. Výsledek takového opracování na straně katody, znázorněný na obrázku lc, je proto pouze jedním příkladem z mnoha možností.
-3 CZ 299715 B6
V příštím kroku se nyní podložka I redukuje ve své tloušťce na straně protilehlé k pokovení 4 katody, přednostně broušením a leptáním, jak se toto provádí v NPT-technice. Celková difuzní oblast 2 se přednostně přitom vzdaluje až na málo n - dotovanou koncovou zónu, která tvoří alespoň přibližně závěrnou oblast 2L
V posledním kroku (obrázek le) se na redukované straně podložky I nanáší anoda s průhledným anodovým emitorem, přičemž okrajová zóna se příslušně dotuje. Tato okrajová zóna je v porovnání s tloušťkou výsledního polovodičového prvku úzká. Anodový emitor, který ve zde znázorněném případě tvoří celou anodu, se přitom p+-dotuje, přičemž plošné potažení p+-dotovánými io atomy na anodě je menší než 2xl014 cm2, přednostně menší než IxlO13 cm2. Podle typu polovodičového prvku má anoda různé struktury. Na této straně se nechá následně nanést druhá kovová vrstva, pokovení 6 anody, pro nakontaktování. Na závěr se přednostně redukuje účinnost anody ozářením do anody 5 a do části závěrné vrstvy 21, sousedící s anodou 5, vysoce energetickými ionty.
Jak je znázorněno na obrázku 1 e, vzniká polovodičový prvek HL s katodovou strukturou 3 s příslušným pokovením 4 katody a s řídicí elektrodou 7, anodou 5 s příslušným pokovením 6 anody a se závěrnou vrstvou 21, sousedící s anodou 5, přednostně s touto hraničící, která má profil dotování, odříznutý směrem k anodě 5. Polovodičový prvek HL podle vynálezu má ale relativně nepatrnou tloušťku, typicky 80 až 180 pm, přičemž tloušťka záleží na napěťové třídě polovodičového prvku.
Na obrázku 2 se rozpoznává celkový profil podstatného dotování polovodičového prvku HL podle vynálezu: trasa od A k A' na ose souřadnic znázorňuje podložku I ve své původní tloušťce, trasa od A k B znázorňuje tloušťku hotového polovodičového prvku HL. První souřadnice znázorňuje jednak elektrické pole, jednak je logaritmická a znázorňuje počet dotovacích atomů na 1 cm3. Jak je patrné z obrázku 2, n-dotovaný výchozí materiál se v prvním kroku způsobu vystřídá k implementované nebo dotované straně pomocí n“ popřípadě n+ -dotování, přičemž hustota směrem k dotované straně roste. Při redukování tloušťky podložky 1 se zbývající dotova30 ná koncová oblast, to znamená závěrná oblast 21, dimenzuje tak, že v blokovacím provozu polovodičového prvku se uskutečňuje lavinový průraz, dříve než elektrické pole dosáhne anodu 5. Aby se optimalizovala účinnost emitoru, je dotování závěrné oblasti voleno tak silné, že na straně anody se uskutečňuje špičkové dotování alespoň 5xl014cm“3, přednostně IxlO15 cm-3, a maximálně 6x1016 cm-3, přednostně IxlO16 cm-3. To je v tomto příkladu ten případ, před místem = bod
B - tloušťka anody 5, přičemž bod B znázorňuje tloušťku hotového polovodičového prvku podle obrázku le.
Obrázek 2 znázorňuje elektrické pole v blokovacím provozu.
Způsob podle vynálezu tím umožňuje výrobu tenkých výkonových polovodičových prvků s průhlednou anodou a integrovanou závěrnou vrstvou.
Claims (10)
- PATENTOVÉ NÁROKY5 1. Způsob výroby polovodičového prvku (HL) s katodou (3) a anodou (5) z podložky (1), přičemž 4 $a) podložka (1) se nejdříve opracovává ze strany katody 1 λb) poté se tloušťka podložky (1) redukuje na straně, protilehlé ke katodě (3'), a io c) v dalším kroku se na této straně vytváří anoda (5), vyznačující se tím, že před ’ opracováním na straně katody se vnáší závěrná oblast (21).
- 2. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že tloušťka podložky (1) se v kroku b) redukuje takovým způsobem, že zůstává zachovaná alespoň část závěrné oblasti (21).
- 3. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že podložkami) se dotuje pro nanášení závěrné oblasti (21) ze strany, protilehlé katodě (3'), přičemž profil (20) dotování se volí tak, že po redukování tloušťky podložky ze strany, protilehlé ke katodě, zůstává alespoň jedna koncová zóna, která alespoň přibližně tvoří závěrnou oblast (21).
- 4. Způsob podle nároku 3, vyznačující se tím, že zbývající koncová zóna se dimenzuje tak, že při zvýšení napětí v blokovacím stavu polovodičového prvku (HL) dojde k průrazu dříve, než elektrické pole dosáhlo anody (
- 5).25 5. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že difúze, potřebná k vytvoření závěrné oblasti (21), se uskutečňuje při teplotě alespoň 1200 °C.
- 6. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že se vnáší závěrná oblast (21) se špičkovým dotováním na straně anody minimálně 5xl014cm-3, přednostně lxl015cm“3, a maxi30 málně 6x1016 cm’3, přednostně lxl O16 cm~3.
- 7. Polovodičový prvek s katodou (3') a anodou (5), přičemž v sousedství anody (5) je upravena závěrná oblast (21), jejíž hustota dotování roste směrem k anodě, vyznačující se tím, že závěrná oblast (21) má profil dotování, který je směrem k anodě (5) odříznutý.
- 8. Polovodičový prvek podle nároku 7, vyznačující se tím, že odříznutý profil dotování je okrajový úsek Gaussovy křivky nebo profilu komplementární chybové funkce.
- 9. Polovodičový prvek podle nároku 7, vyznačující se tím, že anoda (5) má pro40 pustný anodový emitor.
- 10. Polovodičový prvek podle nároku 9, vyznačující se tím, že plošné potažení s p“ dotovacími atomy na anodě je menší než 2x1014 cm2, přednostně menší než 1x1013 cm-2.45 11. Polovodičový prvek podle nároku 7, vyznačující se tím, že polovodičový prvek má tloušťku 80 až 180 pm.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19860581A DE19860581A1 (de) | 1998-12-29 | 1998-12-29 | Halbleiterelement und Verfahren zur Herstellung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ9904723A3 CZ9904723A3 (en) | 2001-06-13 |
| CZ299715B6 true CZ299715B6 (cs) | 2008-10-29 |
Family
ID=7893028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ0472399A CZ299715B6 (cs) | 1998-12-29 | 1999-12-23 | Polovodicový prvek a zpusob jeho výroby |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6762080B2 (cs) |
| EP (1) | EP1017093B1 (cs) |
| JP (1) | JP4685206B2 (cs) |
| KR (1) | KR100653147B1 (cs) |
| CN (1) | CN1161830C (cs) |
| CZ (1) | CZ299715B6 (cs) |
| DE (1) | DE19860581A1 (cs) |
| RU (1) | RU2237949C2 (cs) |
| TW (1) | TW434751B (cs) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10031781A1 (de) * | 2000-07-04 | 2002-01-17 | Abb Semiconductors Ag Baden | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE10117483A1 (de) * | 2001-04-07 | 2002-10-17 | Bosch Gmbh Robert | Halbleiterleistungsbauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren |
| FR2842021B1 (fr) * | 2002-07-05 | 2005-05-13 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif electronique, notamment dispositif de puissance, a couche mince, et procede de fabrication de ce dispositif |
| US6900091B2 (en) * | 2002-08-14 | 2005-05-31 | Advanced Analogic Technologies, Inc. | Isolated complementary MOS devices in epi-less substrate |
| JP4525048B2 (ja) * | 2003-10-22 | 2010-08-18 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US7645659B2 (en) * | 2005-11-30 | 2010-01-12 | Fairchild Korea Semiconductor, Ltd. | Power semiconductor device using silicon substrate as field stop layer and method of manufacturing the same |
| CN100459151C (zh) * | 2007-01-26 | 2009-02-04 | 北京工业大学 | 具有内透明集电极的绝缘栅双极晶体管 |
| TW200945596A (en) * | 2008-04-16 | 2009-11-01 | Mosel Vitelic Inc | A method for making a solar cell with a selective emitter |
| EP2499672A2 (en) | 2009-11-10 | 2012-09-19 | ABB Technology AG | Punch-through semiconductor device and method for producing same |
| DE102010024257B4 (de) | 2010-06-18 | 2020-04-30 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleiterbauelement mit zweistufigem Dotierungsprofil |
| EP2695193B1 (en) | 2011-04-06 | 2016-12-21 | ABB Technology AG | Bipolar punch-through semiconductor device and method for manufacturing such a semiconductor device |
| WO2012150323A2 (en) | 2011-05-05 | 2012-11-08 | Abb Technology Ag | Bipolar punch-through semiconductor device and method for manufacturing such a semiconductor device |
| US10181513B2 (en) | 2012-04-24 | 2019-01-15 | Semiconductor Components Industries, Llc | Power device configured to reduce electromagnetic interference (EMI) noise |
| US20130277793A1 (en) | 2012-04-24 | 2013-10-24 | Fairchild Korea Semiconductor, Ltd. | Power device and fabricating method thereof |
| US9685335B2 (en) | 2012-04-24 | 2017-06-20 | Fairchild Korea Semiconductor Ltd. | Power device including a field stop layer |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5055889A (en) * | 1989-10-31 | 1991-10-08 | Knauf Fiber Glass, Gmbh | Lateral varactor with staggered punch-through and method of fabrication |
| EP0700095A2 (de) * | 1994-09-02 | 1996-03-06 | ABB Management AG | Abschaltbarer Thyristor für hohe Blockierspannungen und kleiner Bauelementdicke |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60145660A (ja) * | 1984-01-09 | 1985-08-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0724312B2 (ja) * | 1988-06-10 | 1995-03-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| DE4313170A1 (de) * | 1993-04-22 | 1994-10-27 | Abb Management Ag | Leistungshalbleiterbauelement |
| US5466951A (en) * | 1993-12-08 | 1995-11-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Controllable power semiconductor element with buffer zone and method for the manufacture thereof |
| JP3113156B2 (ja) * | 1994-08-31 | 2000-11-27 | 信越半導体株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
| DE19731495C2 (de) * | 1997-07-22 | 1999-05-20 | Siemens Ag | Durch Feldeffekt steuerbarer Bipolartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
-
1998
- 1998-12-29 DE DE19860581A patent/DE19860581A1/de not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-12-13 EP EP99811142A patent/EP1017093B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-23 TW TW088122766A patent/TW434751B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-12-23 CZ CZ0472399A patent/CZ299715B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1999-12-24 JP JP36659699A patent/JP4685206B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-27 KR KR1019990062711A patent/KR100653147B1/ko active IP Right Grant
- 1999-12-28 RU RU99127439A patent/RU2237949C2/ru active
- 1999-12-29 CN CNB991159969A patent/CN1161830C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-08-21 US US10/224,495 patent/US6762080B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5055889A (en) * | 1989-10-31 | 1991-10-08 | Knauf Fiber Glass, Gmbh | Lateral varactor with staggered punch-through and method of fabrication |
| EP0700095A2 (de) * | 1994-09-02 | 1996-03-06 | ABB Management AG | Abschaltbarer Thyristor für hohe Blockierspannungen und kleiner Bauelementdicke |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020195658A1 (en) | 2002-12-26 |
| RU2237949C2 (ru) | 2004-10-10 |
| TW434751B (en) | 2001-05-16 |
| CN1259763A (zh) | 2000-07-12 |
| JP2000195870A (ja) | 2000-07-14 |
| CN1161830C (zh) | 2004-08-11 |
| JP4685206B2 (ja) | 2011-05-18 |
| DE19860581A1 (de) | 2000-07-06 |
| CZ9904723A3 (en) | 2001-06-13 |
| KR20000048433A (ko) | 2000-07-25 |
| EP1017093B1 (de) | 2010-08-18 |
| US6762080B2 (en) | 2004-07-13 |
| KR100653147B1 (ko) | 2006-12-01 |
| EP1017093A1 (de) | 2000-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5594336B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| EP1229589B1 (en) | High voltage semiconductor device | |
| US20050035405A1 (en) | Vertical power semiconductor component | |
| US20010005036A1 (en) | Power semiconductor component for high reverse voltages | |
| US9640610B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
| CZ299715B6 (cs) | Polovodicový prvek a zpusob jeho výroby | |
| US7534666B2 (en) | High voltage non punch through IGBT for switch mode power supplies | |
| JP5326217B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| CN213340375U (zh) | 功率器件 | |
| JP4088011B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US6781156B2 (en) | Recombination center diffusion controlled by carbon concentration | |
| JP4916083B2 (ja) | 半導体構成要素の製造法 | |
| EP0752724A2 (en) | Method of forming an alloyed drain field effect transistor and device formed | |
| US8314002B2 (en) | Semiconductor device having increased switching speed | |
| KR20010034362A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JP3282550B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2000260778A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0982955A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| KR100299912B1 (ko) | 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 제조 방법 | |
| JPH07321304A (ja) | 絶縁ゲートバイポーラトランジスタおよびその製造方法 | |
| JPH01272157A (ja) | 半導体装置 | |
| US20230125859A1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device including ion implantation and semiconductor device | |
| JP2024125203A (ja) | 電流拡散層を有するパワー電子デバイスを製造するためのプロセス | |
| CN118782656A (zh) | 一种具有有源区结构的半导体器件 | |
| JPH03135031A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD00 | Pending as of 2000-06-30 in czech republic | ||
| MK4A | Patent expired |
Effective date: 20191223 |