RU98118207A - Полупроводниковое запоминающее устройство и способ его изготовления - Google Patents
Полупроводниковое запоминающее устройство и способ его изготовленияInfo
- Publication number
- RU98118207A RU98118207A RU98118207/28A RU98118207A RU98118207A RU 98118207 A RU98118207 A RU 98118207A RU 98118207/28 A RU98118207/28 A RU 98118207/28A RU 98118207 A RU98118207 A RU 98118207A RU 98118207 A RU98118207 A RU 98118207A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- memory
- transistor
- semiconductor
- multilayer structure
- semiconductor memory
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 230000000903 blocking Effects 0.000 claims 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
Claims (9)
1. Полупроводниковое запоминающее устройство (ЗУ), включающее узел ЗУ, образованный затвором транзистора, сформированного на полупроводниковой подложке, и многослойную структуру, которая содержит полупроводниковые области и запирающие изоляторы и которая соединена с узлом ЗУ, при этом запись и/или стирание зарядов происходит через запирающие изоляторы.
2. Полупроводниковое ЗУ по п. 1, в котором узел ЗУ и многослойная структура, содержащая полупроводниковые области и запирающие изоляторы, расположены друг на друге в направлении, перпендикулярном плоскости полупроводниковой подложки.
3. Полупроводниковое ЗУ по п. 1, в котором на узле ЗУ расположен отделенный от него изолятором электрод, который используется для считывания из ячейки памяти хранящегося в ней сигнала.
4. Полупроводниковое ЗУ по п. 1, в котором указанные устройства объединены в матрицу памяти.
5. Полупроводниковое ЗУ, включающее ячейку памяти и шину передачи данных, словарную шину и шину считывания, которые соединены с ячейкой памяти, при этом ячейка памяти содержит узел ЗУ, в котором хранятся заряды, записывающий элемент, выполненный в виде пути, по которому заряды инжектируются в узел памяти или удаляются из него, и считывающий элемент, который определяет состояние узла ЗУ и считывает хранящийся в нем заряд, считывающий элемент содержит первый транзистор, пороговое напряжение которого меняется в зависимости от заряда, хранящегося в узле ЗУ, шина считывания соединена с истоком/стоком первого транзистора, а записывающий элемент расположен между узлом ЗУ и шиной передачи данных, записывающий элемент содержит второй транзистор, который имеет изолятор, многослойную структуру полупроводниковых слоев и электрод управления, который сформирован на боковой стороне многослойной структуры, и словарная шина соединена с электродом управления.
6. Полупроводниковое ЗУ по п. 5, в котором первый транзистор сформирован на подложке, а второй транзистор расположен на первом транзисторе.
7. Полупроводниковое ЗУ по п. 6, в котором первый транзистор выполнен в виде полевого транзистора, затвор которого служит узлом ЗУ.
8. Полупроводниковое ЗУ по п. 7, в котором имеется второй электрод управления, который расположен на боковой стороне затвора и отделен от него изолятором.
9. Полупроводниковое ЗУ, включающее МДП-транзистор, который сформирован на полупроводниковой подложке, и многослойную структуру, которая содержит полупроводниковые области и изоляторы и соединена с затвором МДП-транзистора, при этом информация записывается или стирается инжекцией зарядов в затвор или их удалением из затвора через многослойную структуру, а считывается по шине считывания, которая соединена с истоком/стоком МДП-транзистора.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27409097A JP3554666B2 (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 半導体メモリ装置 |
| JP9-274090 | 1997-10-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU98118207A true RU98118207A (ru) | 2000-08-20 |
| RU2216819C2 RU2216819C2 (ru) | 2003-11-20 |
Family
ID=17536849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU98118207/28A RU2216819C2 (ru) | 1997-10-07 | 1998-10-06 | Полупроводниковое запоминающее устройство |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0908954B1 (ru) |
| JP (1) | JP3554666B2 (ru) |
| KR (2) | KR100712087B1 (ru) |
| CN (1) | CN1159765C (ru) |
| DE (1) | DE69839034T2 (ru) |
| MY (2) | MY117480A (ru) |
| RU (1) | RU2216819C2 (ru) |
| TW (1) | TW412745B (ru) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1234332B1 (de) | 1999-11-15 | 2007-01-17 | Infineon Technologies AG | Dram-zellenstruktur mit tunnelbarriere |
| DE10122075B4 (de) * | 2001-05-07 | 2008-05-29 | Qimonda Ag | Halbleiterspeicherzelle und deren Herstellungsverfahren |
| DE10146215A1 (de) * | 2001-09-19 | 2003-04-10 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterspeicherelement-Anordnung, Verfahren zum Betreiben einer Halbleiterspeicherelement-Anordnung und Halbleiterspeicherelement-Anordnung |
| JP4251815B2 (ja) * | 2002-04-04 | 2009-04-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶装置 |
| US8611363B2 (en) | 2002-05-06 | 2013-12-17 | Adtran, Inc. | Logical port system and method |
| JP2004241473A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
| US7759719B2 (en) * | 2004-07-01 | 2010-07-20 | Chih-Hsin Wang | Electrically alterable memory cell |
| JP4524735B2 (ja) | 2003-06-20 | 2010-08-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
| JP4818578B2 (ja) * | 2003-08-06 | 2011-11-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
| KR100528484B1 (ko) * | 2004-01-06 | 2005-11-15 | 삼성전자주식회사 | 축소 가능한 2-트랜지스터 메모리 셀들을 구비한 불휘발성 반도체 메모리 장치 |
| KR100742758B1 (ko) * | 2005-11-02 | 2007-07-26 | 경북대학교 산학협력단 | 플래시 메모리 소자 및 그 제조방법 |
| KR100814374B1 (ko) * | 2006-09-20 | 2008-03-18 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치의 제조 방법 |
| KR100844946B1 (ko) | 2007-01-16 | 2008-07-09 | 주식회사 엑셀반도체 | 단전자 트랜지스터를 이용한 다치 ｄｒａｍ 셀 및 다치 ｄｒａｍ 셀 어레이 |
| KR100844947B1 (ko) | 2007-01-16 | 2008-07-09 | 주식회사 엑셀반도체 | 단전자 트랜지스터를 이용한 다치 ｄｒａｍ 셀 및 다치 ｄｒａｍ 셀 어레이 |
| RU2444806C2 (ru) * | 2010-05-19 | 2012-03-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)" | Ячейка памяти на базе тонкослойной наноструктуры |
| JP6030298B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2016-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 緩衝記憶装置及び信号処理回路 |
| US8634230B2 (en) * | 2011-01-28 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
| TWI570891B (zh) * | 2011-05-17 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP6100559B2 (ja) * | 2012-03-05 | 2017-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体記憶装置 |
| KR101944535B1 (ko) * | 2012-03-28 | 2019-01-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기억 소자 |
| US20230245577A1 (en) * | 2020-07-08 | 2023-08-03 | The Penn State Research Foundation | Collision detector, collision detection system, and method of using same |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6070760A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-22 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
| JPS6177359A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-19 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
| US4667217A (en) * | 1985-04-19 | 1987-05-19 | Ncr Corporation | Two bit vertically/horizontally integrated memory cell |
| US5194749A (en) * | 1987-11-30 | 1993-03-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
| US5057888A (en) * | 1991-01-28 | 1991-10-15 | Micron Technology, Inc. | Double DRAM cell |
| DE69213973T2 (de) * | 1991-01-30 | 1997-02-13 | Texas Instruments Inc | SRAM-Zelle mit geschichteter Kapazität |
| KR100388519B1 (ko) * | 1995-02-22 | 2003-09-19 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 메모리셀의커패시터배열위에비트선을형성하는방법및이를이용한집적회로및반도체메모리장치 |
| JPH08306889A (ja) * | 1995-05-08 | 1996-11-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
| KR0170680B1 (ko) * | 1995-07-28 | 1999-02-01 | 윤종용 | 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법 |
-
1997
- 1997-10-07 JP JP27409097A patent/JP3554666B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-09-24 EP EP98118164A patent/EP0908954B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-24 DE DE69839034T patent/DE69839034T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-09-24 TW TW087115910A patent/TW412745B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-09-30 MY MYPI98004498A patent/MY117480A/en unknown
- 1998-09-30 MY MYPI20031442A patent/MY130341A/en unknown
- 1998-10-01 KR KR1019980041320A patent/KR100712087B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-10-06 RU RU98118207/28A patent/RU2216819C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1998-10-07 CN CNB981246826A patent/CN1159765C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-09-30 KR KR1020030067673A patent/KR100712089B1/ko not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU98118207A (ru) | Полупроводниковое запоминающее устройство и способ его изготовления | |
| US7403416B2 (en) | Integrated DRAM-NVRAM multi-level memory | |
| US6906953B2 (en) | Vertical NROM having a storage density of 1 bit per 1F2 | |
| US7133315B2 (en) | Write once read only memory employing charge trapping in insulators | |
| EP0042964B1 (en) | Memory matrix using one-transistor floating gate mos cells | |
| KR20060131704A (ko) | 반도체장치 | |
| US7187030B2 (en) | SONOS memory device | |
| US6295226B1 (en) | Memory device having enhanced programming and/or erase characteristics | |
| JPH0368542B2 (ru) | ||
| US5070480A (en) | Nonvolatile associative memory system | |
| EP0055803A2 (en) | Semiconductor memory | |
| KR970003944A (ko) | 강유전성 메모리 소자 및 그 구동 방법 | |
| JP2586174B2 (ja) | 記憶装置 | |
| JPH06131881A (ja) | 半導体メモリへの情報書き込み読み出し方法 | |
| JPH0963283A (ja) | 半導体不揮発性メモリ素子およびその使用方法 | |
| JPS58112370A (ja) | 半導体不揮発性記憶装置 | |
| KR100335612B1 (ko) | 강유전체램 | |
| JPS6233392A (ja) | 半導体不揮発性メモリ装置 | |
| SU974412A1 (ru) | Матричный накопитель | |
| JP2807382B2 (ja) | 不揮発性記憶装置およびその情報の書き込み方法 | |
| JPS6322398B2 (ru) | ||
| KR960039364A (ko) | 병렬형 불휘발성 반도체기억장치 및 그 장치의 사용방법 | |
| JPS61252669A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
| JPH04350969A (ja) | 半導体不揮発性記憶装置とその書き換え方法 | |
| JPH07221207A (ja) | 半導体記憶装置 |