RU97110173A

RU97110173A - Матрица тонкопленочных приводных зеркал и способ для ее изготовления

Info

Publication number: RU97110173A
Application number: RU97110173/09A
Authority: RU
Inventors: Ли Мин Енг
Original assignee: Дэу Электроникс Ко., Лтд.
Priority date: 1994-11-14
Filing date: 1995-10-17
Publication date: 1999-05-27

Claims

1. Матрица тонкопленочных приводных зеркал размерностью М х N, где М и N - целые числа, для использования в оптической проекционной системе, при этом каждое тонкопленочное приводное зеркало имеет биморфную структуру, содержащая: активную матрицу, имеющую верхнюю поверхность и включающую подложку с матрицей соединительных выводов размерностью М х N и матрицу транзисторов размерностью М х N, и матрицу приводных структур размерностью М х N, причем каждая приводная структура имеет ближние и отдаленные концы, и каждая приводная структура включает в себя второй тонкопленочный электрод для работы в качестве второго электрода смещения, нижний элемент, перемещаемый электрическим способом, имеющий верхнюю и нижнюю поверхности, промежуточный тонкопленочный электрод для работы в качестве сигнального электрода, верхний элемент, перемещаемый электрическим способом, имеющий верхнюю и нижнюю поверхности и первый тонкопленочный электрод для работы в качестве зеркала, а также первый электрод смещения, в котором верхние и нижние элементы, перемещаемые электрическим способом, отделены промежуточным тонкопленочным электродом, причем первый тонкопленочный электрод размещен на верхней поверхности верхнего элемента, перемещаемого электрическим способом, второй тонкопленочный электрод размещают на нижней поверхности нижнего элемента, перемещаемого электрическим способом, промежуточный тонкопленочный электрод электрическим способом подсоединен к каждому транзистору через каждый соединительный вывод, и ближний конец каждой приводной структуры прикрепляют к верхней поверхности активной матрицы, формируя таким образом тонкопленочное приводное зеркало, имеющее биморфную структуру.

2. Матрица по п. 1, в которой первый тонкопленочный электрод электрически подсоединен ко второму тонкопленочному электроду.

3. Способ для изготовления матрицы тонкопленочных приводных зеркал размерностью М х N, где М и N - целые числа, для использования в оптической проекционной системе, при этом каждое тонкопленочное приводное зеркало имеет биморфную структуру, способ содержит операции, по которым: выполняют активную матрицу, имеющую верхнюю поверхность, при этом активная матрица включает в себя подложку с матрицей транзисторов размерностью М х N и матрицу соединительных выводов размерностью М х N, осаждают тонкопленочный защитный слой на верхней поверхности активной матрицы, удаляют части тонкопленочного защитного слоя, сформированного наверху каждого соединительного вывода на активной матрице, формируют второй тонкопленочный электродный слой, изготовленный из второго проводящего электрической ток материала наверху активной матрицы, включающей в себя тонкопленочный защитный слой, удаляют части второго тонкопленочного электродного слоя, сформированного наверху каждого соединительного вывода в активной матрице, осаждают нижний слой, перемещаемый электрическим способом наверху активной матрицы, и второй тонкопленочный электродный слой, создают матрицу отверстий размерностью М х N, каждое из которых имеет внутренние поверхности и проходящие от верхней части нижнего слоя, перемещаемого электрическим способом, до верхней части каждого соединительного вывода, формируют промежуточный электродный слой, изготовленный из первого материала, проводящего электрический ток, наверху нижнего слоя, перемещаемого электрическим способом, включающий в себя внутренние поверхности каждого отверстия, осаждают верхний слой, перемещаемый электрическом способом, наверху промежуточного электродного слоя при заполнении отверстий, формируют первый тонкопленочный электродный слой, изготовленный из проводящего электрический ток и отражающего свет материала наверху верхнего слоя, перемещаемого электрическим способом, формируя таким образом многослойную структуру, включающую в себя первый тонкопленочный электродный слой, верхний слой, перемещаемый электрическим способом, промежуточный электродный слой, нижний слой, перемещаемый электрическим способом, и второй тонкопленочный электродный слой, выполняют образец многослойной структуры в матрице с полузаконченными приводными структурами размерностью М х N, в которой каждая из полузаконченных приводных структур включает в себя первый тонкопленочный электрод, верхний элемент, перемещаемый электрическим способом, промежуточный тонкопленочный электрод, нижний элемент, перемещаемый электрическим способом, и второй тонкопленочный электрод, и удаляют тонкопленочный защитный слой, формируя таким образом упомянутую матрицу тонкопленочных приводных зеркал размерностью М х N.

4. Способ по п. 3, в котором верхний и нижний слои, перемещаемые электрическим способом, изготавливают из ассимметричного материала с точки зрения кристаллографии.

5. Способ по п. 4, в котором асимметричным материалом с точки зрения кристаллографии является ZnO.

6. Способ по п. 3, в котором верхний и нижний слои, перемещаемые электрическим способом, формируют с толщиной 0,1 - 2 мкм.

7. Способ по п. 3, в котором верхний и нижний слои, перемещаемые электрическим способом, формируют с использованием способа вакуумного напыления или распыления.

8. Способ по п. 3, в которым тонкопленочный защитный слой изготовлен из окиси или полимера.

9. Способ по п. 3, в котором тонкопленочный защитный слой формируют с использованием способа распыления или вакуумного напыления, если тонкопленочный защитный слой изготовлен из окиси, и способа покрытия с вращением, если тонкопленочный защитный слой изготовлен из полимера.

10. Способ по п. 3, в котором слой первой тонкой пленки, слой второй тонкой пленки и промежуточный электродный слой формируют с использованием способа распыления и вакуумного напыления.

11. Способ по п. 3, в котором второй тонкопленочный электродный слой, промежуточный электродный слой и первый тонкопленочный электродный слой формируют с толщиной 0,1 - 2 мкм.