JPH06301068A - アクチュエータアレーおよびその製法 - Google Patents
アクチュエータアレーおよびその製法Info
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- JPH06301068A JPH06301068A JP6052316A JP5231694A JPH06301068A JP H06301068 A JPH06301068 A JP H06301068A JP 6052316 A JP6052316 A JP 6052316A JP 5231694 A JP5231694 A JP 5231694A JP H06301068 A JPH06301068 A JP H06301068A
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- H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光投射システム用のＭ×Ｎ個のアクチュエー
タのアレーを経済的で、かつ、単純に製造する方法を提
供する。 【構成】 （ａ）Ｍ層の第１導電性金属層と（Ｍ＋１）
層のエレクトロディスプレーシブ物質層を有する多層セ
ラミック構造体を形成する工程と、（ｂ）平坦面を有す
る複合セラミックウェーハをうるために、前記多層セラ
ミック構造体を前記第１導電性金属層と垂直方向にスラ
イスする工程と、（ｃ）前記複合セラミックウェーハの
前記平坦面の全面上に（Ｍ＋１）個の横方向溝を形成す
る工程と、（ｄ）前記溝の各々の側面および底面上に第
２導電性金属層を形成して複合セラミック本体を形成す
る工程と、（ｅ）Ｍ×Ｎ個のエレクトロディスプレーシ
ブアクチュエータアレーをうるために前記複合セラミッ
ク本体上に（Ｎ−１）個の縦方向切断部を形成する工程
とからなる。
タのアレーを経済的で、かつ、単純に製造する方法を提
供する。 【構成】 （ａ）Ｍ層の第１導電性金属層と（Ｍ＋１）
層のエレクトロディスプレーシブ物質層を有する多層セ
ラミック構造体を形成する工程と、（ｂ）平坦面を有す
る複合セラミックウェーハをうるために、前記多層セラ
ミック構造体を前記第１導電性金属層と垂直方向にスラ
イスする工程と、（ｃ）前記複合セラミックウェーハの
前記平坦面の全面上に（Ｍ＋１）個の横方向溝を形成す
る工程と、（ｄ）前記溝の各々の側面および底面上に第
２導電性金属層を形成して複合セラミック本体を形成す
る工程と、（ｅ）Ｍ×Ｎ個のエレクトロディスプレーシ
ブアクチュエータアレーをうるために前記複合セラミッ
ク本体上に（Ｎ−１）個の縦方向切断部を形成する工程
とからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光投射システムに関し、
とくに、光投射システム用アクチュエータアレーおよび
その新規な製法に関する。
とくに、光投射システム用アクチュエータアレーおよび
その新規な製法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】当該
技術分野で知られている多様なビデオディスプレーシス
テムのうち、光投射システムは高品質の大画面ディスプ
レーを提供しうるシステムということが知られている。
かかる光投射システムにおいて、ランプからの光は、た
とえば、Ｍ×Ｎ個のミラーから構成されたアレーを照明
する。このＭ×Ｎ個のミラーアレーは同じ数、すなわ
ち、Ｍ×Ｎ個のアクチュエータを含むアクチュエータア
レー上に、各々のミラーが各々のアクチュエータに結合
されるように設けられる。これらのアクチュエータは印
加される電気信号にしたがって変形される圧電物質また
はエレクトロストリクチブ（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔｒｉｃ
ｔｉｖｅ）物質のようなエレクトロディスプレーシブ
（ｅｌｅｃｔｒｏｄｉｓｐｌａｃｉｖｅ）物質から成っ
ている。
技術分野で知られている多様なビデオディスプレーシス
テムのうち、光投射システムは高品質の大画面ディスプ
レーを提供しうるシステムということが知られている。
かかる光投射システムにおいて、ランプからの光は、た
とえば、Ｍ×Ｎ個のミラーから構成されたアレーを照明
する。このＭ×Ｎ個のミラーアレーは同じ数、すなわ
ち、Ｍ×Ｎ個のアクチュエータを含むアクチュエータア
レー上に、各々のミラーが各々のアクチュエータに結合
されるように設けられる。これらのアクチュエータは印
加される電気信号にしたがって変形される圧電物質また
はエレクトロストリクチブ（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔｒｉｃ
ｔｉｖｅ）物質のようなエレクトロディスプレーシブ
（ｅｌｅｃｔｒｏｄｉｓｐｌａｃｉｖｅ）物質から成っ
ている。
【０００３】各々のミラーから反射された光は、バフル
（ｂａｆｆｌｅ）の開口（ａｐｅｒｔｕｒｅ）に入射さ
れる。各々のアクチュエータに電気信号を印加すること
によって、各々のミラーの入射光ビームに対する相対的
な位置が変化されて各々のミラーから反射されたビーム
の光経路が変更される。各々の反射された光の光経路が
変わって開口を通過する各々のミラーから反射された光
量が変わることにより光ビームの強さが変調される。開
口を通過した変調された光は、投射レンズ（ｐｒｏｊｅ
ｃｔｉｏｎ ｌｅｎｓ）のような光装置を通じて投射ス
クリーン上へ伝達されて映像を表すことになる。
（ｂａｆｆｌｅ）の開口（ａｐｅｒｔｕｒｅ）に入射さ
れる。各々のアクチュエータに電気信号を印加すること
によって、各々のミラーの入射光ビームに対する相対的
な位置が変化されて各々のミラーから反射されたビーム
の光経路が変更される。各々の反射された光の光経路が
変わって開口を通過する各々のミラーから反射された光
量が変わることにより光ビームの強さが変調される。開
口を通過した変調された光は、投射レンズ（ｐｒｏｊｅ
ｃｔｉｏｎ ｌｅｎｓ）のような光装置を通じて投射ス
クリーン上へ伝達されて映像を表すことになる。
【０００４】前述した光投射システム用アクチュエータ
の各々は通常、多層の電極およびエレクトロディスプレ
ーシブ物質からなる。ここで各電極層は二つのエレクト
ロディスプレーシブ物質層のあいだに位置し、アクチュ
エータアレーの構造および製造工程が複雑で高価な工程
となる。
の各々は通常、多層の電極およびエレクトロディスプレ
ーシブ物質からなる。ここで各電極層は二つのエレクト
ロディスプレーシブ物質層のあいだに位置し、アクチュ
エータアレーの構造および製造工程が複雑で高価な工程
となる。
【０００５】したがって、本発明の目的はアクチュエー
タが信号電極、一対の基準電極および前記信号電極と一
対の基準電極間の二つのエレクトロディスプレーシブ物
質層を含む新規な構造を有するアクチュエータアレーを
製造する経済的で単純な方法を提供することである。
タが信号電極、一対の基準電極および前記信号電極と一
対の基準電極間の二つのエレクトロディスプレーシブ物
質層を含む新規な構造を有するアクチュエータアレーを
製造する経済的で単純な方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明によれば、光投射システム用のＭ×Ｎ個のエ
レクトロディスプレーシブアクチュエータからなるアレ
ーを製造する方法において、（ａ）Ｍ層の第１導電性金
属層と（Ｍ＋１）層のエレクトロディスプレーシブ物質
層を有する多層セラミック構造体を形成する工程と、
（ｂ）平坦面を有する複合セラミックウェーハをうるた
めに、前記多層セラミック構造体を前記第１導電性金属
層と垂直方向にスライスする工程と、（ｃ）前記複合セ
ラミックウェーハの前記平坦面の全面上に一定に離間さ
れた（Ｍ＋１）個の横方向溝を形成する工程と、（ｄ）
前記溝の各々の側面および下面上に第２導電性金属層を
形成して複合セラミック本体を形成する工程と、（ｅ）
Ｍ×Ｎ個のエレクトロディスプレーシブアクチュエータ
のアレーをうるために前記複合セラミック本体上に（Ｎ
−１）個の一定に離間された縦方向切断部を形成する工
程とを含み、前記第１導電性金属層の各々は、前記二つ
のエレクトロディスプレーシブ物質層のあいだに位置
し、前記エレクトロディスプレーシブ物質はＭ層の前記
第１導電性金属層により横方向へ均一に分離され、前記
溝の各々は一対の側面および一つの下面を有する、互い
に平行に延長し、前記第１導電性金属層の二つの隣接す
る層から等しい距離に位置し、上面を有するバリヤによ
り互いに分離されるアクチュエータアレーの製法が提供
される。
に、本発明によれば、光投射システム用のＭ×Ｎ個のエ
レクトロディスプレーシブアクチュエータからなるアレ
ーを製造する方法において、（ａ）Ｍ層の第１導電性金
属層と（Ｍ＋１）層のエレクトロディスプレーシブ物質
層を有する多層セラミック構造体を形成する工程と、
（ｂ）平坦面を有する複合セラミックウェーハをうるた
めに、前記多層セラミック構造体を前記第１導電性金属
層と垂直方向にスライスする工程と、（ｃ）前記複合セ
ラミックウェーハの前記平坦面の全面上に一定に離間さ
れた（Ｍ＋１）個の横方向溝を形成する工程と、（ｄ）
前記溝の各々の側面および下面上に第２導電性金属層を
形成して複合セラミック本体を形成する工程と、（ｅ）
Ｍ×Ｎ個のエレクトロディスプレーシブアクチュエータ
のアレーをうるために前記複合セラミック本体上に（Ｎ
−１）個の一定に離間された縦方向切断部を形成する工
程とを含み、前記第１導電性金属層の各々は、前記二つ
のエレクトロディスプレーシブ物質層のあいだに位置
し、前記エレクトロディスプレーシブ物質はＭ層の前記
第１導電性金属層により横方向へ均一に分離され、前記
溝の各々は一対の側面および一つの下面を有する、互い
に平行に延長し、前記第１導電性金属層の二つの隣接す
る層から等しい距離に位置し、上面を有するバリヤによ
り互いに分離されるアクチュエータアレーの製法が提供
される。
【０００７】本発明の観点によれば、各々が一対のエレ
クトロディスプレーシブ物質層と、前記一対のエレクト
ロディスプレーシブ物質層のあいだに位置される第１導
電性金属層、および一対のエレクトロディスプレーシブ
物質層の外面に位置する一対の第２導電性金属層を含む
Ｍ×Ｎ個のエレクトロディスプレーシブアクチュエータ
のアレーが提供される。このような構造において、第１
および第２導電性金属層は各々信号電極および基準電極
として機能する。
クトロディスプレーシブ物質層と、前記一対のエレクト
ロディスプレーシブ物質層のあいだに位置される第１導
電性金属層、および一対のエレクトロディスプレーシブ
物質層の外面に位置する一対の第２導電性金属層を含む
Ｍ×Ｎ個のエレクトロディスプレーシブアクチュエータ
のアレーが提供される。このような構造において、第１
および第２導電性金属層は各々信号電極および基準電極
として機能する。
【０００８】
【実施例】本発明によると、新規なＭ×Ｎ個のエレクト
ロディスプレーシブアクチュエータのアレーの製法は、
Ｍ層の第１導電性金属層１３Ｍと（Ｍ＋１）層のエレク
トロディスプレーシブ物質、たとえば、鉛マグネシウム
ニオベート層を有する多層セラミック構造体１０をまず
準備する。ここで、第１導電性金属層１３Ｍの各々は図
１に示したように、二つのエレクトロディスプレーシブ
物質層間に位置される。第１導電性金属層１３Ｍは白
金、パラジウム、またはパラジウム−銀合金などからな
る。図１に示した多層セラミック構造は多層セラミック
キャパシタを製造するのに用いられる従来の製法を用い
てえられる。圧電アクチュエータアレーのばあい、つぎ
の工程へ進む前に、第１導電性金属層の平面と垂直方向
に電界を印加することによって多層構造体１０に極性を
与えなけらばならないというさらに他の制約がある。
ロディスプレーシブアクチュエータのアレーの製法は、
Ｍ層の第１導電性金属層１３Ｍと（Ｍ＋１）層のエレク
トロディスプレーシブ物質、たとえば、鉛マグネシウム
ニオベート層を有する多層セラミック構造体１０をまず
準備する。ここで、第１導電性金属層１３Ｍの各々は図
１に示したように、二つのエレクトロディスプレーシブ
物質層間に位置される。第１導電性金属層１３Ｍは白
金、パラジウム、またはパラジウム−銀合金などからな
る。図１に示した多層セラミック構造は多層セラミック
キャパシタを製造するのに用いられる従来の製法を用い
てえられる。圧電アクチュエータアレーのばあい、つぎ
の工程へ進む前に、第１導電性金属層の平面と垂直方向
に電界を印加することによって多層構造体１０に極性を
与えなけらばならないというさらに他の制約がある。
【０００９】そののち、図２に示されるように、第１導
電性金属層１３Ｍと垂直方向へ多層構造体１０をスライ
スして平坦面１２を有する複合セラミックウェーハ１５
を形成する。ここで、エレクトロディスプレーシブ物質
は、Ｍ個の第１導電性金属層１３Ｍにより均一に分離さ
れる。
電性金属層１３Ｍと垂直方向へ多層構造体１０をスライ
スして平坦面１２を有する複合セラミックウェーハ１５
を形成する。ここで、エレクトロディスプレーシブ物質
は、Ｍ個の第１導電性金属層１３Ｍにより均一に分離さ
れる。
【００１０】そののち、図３に示される通り、フォトレ
ジストのような薄いポリマ層１６で平坦面１２を覆う。
ジストのような薄いポリマ層１６で平坦面１２を覆う。
【００１１】そののち、図４および図５に示される通
り、大略直角のエッジを有し、互いに平行に延び、二つ
の側面２１、２２および底面２３を有し同じ大きさの
（Ｍ＋１）個の一定に離間された横方向溝２０
Ｍ＋１を、薄いポリマ層１６で覆われた全体平坦面１２
上に形成することによって、溝型セラミックウェーハ
（ｔｒｅｎｃｈｅｄ ｃｅｒａｍｉｃ ｗａｆｅｒ）２
５を形成する。
り、大略直角のエッジを有し、互いに平行に延び、二つ
の側面２１、２２および底面２３を有し同じ大きさの
（Ｍ＋１）個の一定に離間された横方向溝２０
Ｍ＋１を、薄いポリマ層１６で覆われた全体平坦面１２
上に形成することによって、溝型セラミックウェーハ
（ｔｒｅｎｃｈｅｄ ｃｅｒａｍｉｃ ｗａｆｅｒ）２
５を形成する。
【００１２】さらに、溝２０Ｍ＋１の各々は第１導電性
金属層１３Ｍの二つの隣接する層から同じ距離にあり、
薄いポリマ層１６で覆われた上面２７を有するバリヤ２
６により分離されている。図４および図５は、各々セラ
ミックウェーハ２５の斜視図および断面図である。
金属層１３Ｍの二つの隣接する層から同じ距離にあり、
薄いポリマ層１６で覆われた上面２７を有するバリヤ２
６により分離されている。図４および図５は、各々セラ
ミックウェーハ２５の斜視図および断面図である。
【００１３】金属層２９を、図６に示したように、溝２
０Ｍ＋１の側面２１、２２および底面２３とバリヤ２６
の上面２７上の薄いポリマ層１６を含むセラミックウェ
ーハ２５の全体上面上に堆積したのち、適当な溶媒を用
いて薄いポリマ層を溶解させることにより、薄いポリマ
層１６上に形成された金属層２９を除去することによ
り、図７および図８に示されるように、銀またはアルミ
ニウムからなる第２導電性金属層３２を溝２０Ｍ＋１の
側面２１、２２および底面２３上に形成してセラミック
本体３０を形成する。
０Ｍ＋１の側面２１、２２および底面２３とバリヤ２６
の上面２７上の薄いポリマ層１６を含むセラミックウェ
ーハ２５の全体上面上に堆積したのち、適当な溶媒を用
いて薄いポリマ層を溶解させることにより、薄いポリマ
層１６上に形成された金属層２９を除去することによ
り、図７および図８に示されるように、銀またはアルミ
ニウムからなる第２導電性金属層３２を溝２０Ｍ＋１の
側面２１、２２および底面２３上に形成してセラミック
本体３０を形成する。
【００１４】図６は、上面が第２導電性金属層で覆われ
たのちのセラミックウェーハ２５の断面図であり、図７
はセラミック本体３０の断面図であり、図８はその斜視
図である。
たのちのセラミックウェーハ２５の断面図であり、図７
はセラミック本体３０の断面図であり、図８はその斜視
図である。
【００１５】金属層は、スパッタリングまたは熱蒸着の
ような従来方法を用いてえられる。
ような従来方法を用いてえられる。
【００１６】そののち、セラミック本体３０上に、（Ｎ
−１）個の一定に離間された縦方向切断部３４Ｎ−１を
形成して図９に示されるようにＭ×Ｎ個のエレクトロデ
ィスプレーシブアクチュエータアレー３３を形成する。
−１）個の一定に離間された縦方向切断部３４Ｎ−１を
形成して図９に示されるようにＭ×Ｎ個のエレクトロデ
ィスプレーシブアクチュエータアレー３３を形成する。
【００１７】そののち、第１および第２導電性金属層１
３Ｍ、３２が各々信号電極および基準電極として機能す
るようにエレクトロディスプレーシブアクチュエータア
レー３３を基板上に装着したのち、第１導電性金属層１
３Ｍをドライバーに接続し第２導電性金属層３２を共通
接地電位（図示せず）に接続する。
３Ｍ、３２が各々信号電極および基準電極として機能す
るようにエレクトロディスプレーシブアクチュエータア
レー３３を基板上に装着したのち、第１導電性金属層１
３Ｍをドライバーに接続し第２導電性金属層３２を共通
接地電位（図示せず）に接続する。
【００１８】第１導電性金属層１３Ｍと第２導電性金属
層３２とのあいだに電圧を印加するばあい、第１および
第２導電性金属層のあいだに置かれたエレクトロディス
プレーシブ物質は電圧の極性により決定された方向に変
形される。
層３２とのあいだに電圧を印加するばあい、第１および
第２導電性金属層のあいだに置かれたエレクトロディス
プレーシブ物質は電圧の極性により決定された方向に変
形される。
【００１９】光投射システムで図９に示されるアレー３
３を操作ミラーアレーとして用いるためには、前記ミラ
ーを共に付着しなければならない。
３を操作ミラーアレーとして用いるためには、前記ミラ
ーを共に付着しなければならない。
【００２０】かかるアクチュエータアレーにミラーを付
着する方法は、本願と同日出願にかかわる特願平６−５
２２１３号（発明の名称「ミラーアレーおよびその製
法」）明細書に記載されている。
着する方法は、本願と同日出願にかかわる特願平６−５
２２１３号（発明の名称「ミラーアレーおよびその製
法」）明細書に記載されている。
【００２１】
【発明の効果】前述したように、本発明によれば、アク
チュエータが信号電極、一対の基準電極および前記信号
電極と一対の基準電極間の二つのエレクトロディスプレ
ーシブ物質層を含む新規な構造を有しアクチュエータア
レーを製造する経済的で単純な方法が提供される。
チュエータが信号電極、一対の基準電極および前記信号
電極と一対の基準電極間の二つのエレクトロディスプレ
ーシブ物質層を含む新規な構造を有しアクチュエータア
レーを製造する経済的で単純な方法が提供される。
【図１】本発明によるエレクトロディスプレーシブアク
チュエータアレーを製造するのに用いられる一工程を示
す。
チュエータアレーを製造するのに用いられる一工程を示
す。
【図２】本発明によるエレクトロディスプレーシブアク
チュエータアレーを製造するのに用いられる一工程を示
す。
チュエータアレーを製造するのに用いられる一工程を示
す。
【図３】本発明によるエレクトロディスプレーシブアク
チュエータアレーを製造するのに用いられる一工程を示
す。
チュエータアレーを製造するのに用いられる一工程を示
す。
【図４】本発明によるエレクトロディスプレーシブアク
チュエータアレーを製造するのに用いられる一工程を示
す。
チュエータアレーを製造するのに用いられる一工程を示
す。
【図５】本発明によるエレクトロディスプレーシブアク
チュエータアレーを製造するのに用いられる一工程を示
す。
チュエータアレーを製造するのに用いられる一工程を示
す。
【図６】本発明によるエレクトロディスプレーシブアク
チュエータアレーを製造するのに用いられる一工程を示
す。
チュエータアレーを製造するのに用いられる一工程を示
す。
【図７】本発明によるエレクトロディスプレーシブアク
チュエータアレーを製造するのに用いられる一工程を示
す。
チュエータアレーを製造するのに用いられる一工程を示
す。
【図８】本発明によるエレクトロディスプレーシブアク
チュエータアレーを製造するのに用いられる一工程を示
す。
チュエータアレーを製造するのに用いられる一工程を示
す。
【図９】本発明によるエレクトロディスプレーシブアク
チュエータアレーを製造するのに用いられる一工程を示
す。
チュエータアレーを製造するのに用いられる一工程を示
す。
１０ 多層構造体 １１ エレクトロディスプレーシブ物質層 １２ 平坦面 １３ 第１導電性金属層 １５ 複合セラミックウェーハ １６ 薄いポリマ層 ２１、２２ 側面 ２３ 底面 ２５ 溝型セラミックウェーハ ３０ セラミック本体 ３２ 第２導電性金属層
Claims (11)
- 【請求項１】 光投射システム用のＭ×Ｎ個のエレクト
ロディスプレーシブアクチュエータのアレーを製造する
方法であって、（ａ）Ｍ層の第１導電性金属層と（Ｍ＋
１）層のエレクトロディスプレーシブ物質層を有する多
層セラミック構造体を形成する工程と、（ｂ）平坦面を
有する複合セラミックウェーハをうるために、前記多層
セラミック構造体を前記第１導電性金属層と垂直方向に
スライスする工程と、（ｃ）前記複合セラミックウェー
ハの前記平坦面の全面上に一定に離間された（Ｍ＋１）
個の横方向溝を形成する工程と、（ｄ）前記溝の各々の
側面および底面上に第２導電性金属層を形成して複合セ
ラミック本体を形成する工程と、（ｅ）Ｍ×Ｎ個のエレ
クトロディスプレーシブアクチュエータアレーをうるた
めに前記複合セラミック本体上に（Ｎ−１）個の一定に
離間された縦方向切断部を形成する工程とを含み、前記
第１導電性金属層の各々は、前記二つのエレクトロディ
スプレーシブ物質層のあいだに位置し、前記エレクトロ
ディスプレーシブ物質はＭ層の前記第１導電性金属層に
より横方向へ均一に分離され、前記溝の各々は一対の側
面および一つの下面を有し、互いに平行に延長し、前記
第１導電性金属層の二つの隣接する層から等しい距離に
位置し、上面を有するバリヤにより互いに分離されるア
クチュエータアレーの製法。 - 【請求項２】 前記アクチュエータは、圧電物質を含む
請求項１記載のアクチュエータアレーの製法。 - 【請求項３】 前記工程（ａ）の多層セラミック構造体
は、極性化されなければならない請求項２記載のアクチ
ュエータアレーの製法。 - 【請求項４】 前記工程（ａ）の第１導電性金属層は、
白金またはパラジウムまたはパラジウム−銀合金からな
る請求項１記載のアクチュエータアレーの製法。 - 【請求項５】 前記工程（ｃ）の多数の一定に離間され
た横方向溝は、前記工程（ｂ）の平坦面が薄いポリマで
完全に覆われたのちに形成される請求項１記載のアクチ
ュエータアレーの製法。 - 【請求項６】 前記工程（ｄ）の第２導電性金属層は、
アルミニウムまたは銀からなる請求項５記載のアクチュ
エータアレー製法。 - 【請求項７】 前記工程（ｄ）の第２導電性金属層は、
前記工程（ｃ）のバリヤの上面および前記一対の側面と
前記下面上に形成される請求項６記載のアクチュエータ
アレーの製法。 - 【請求項８】 前記バリヤの上面上に形成された前記第
２導電性金属層は、前記薄いポリマ層を溶解させること
によって除去される請求項７記載のアクチュエータアレ
ーの製法。 - 【請求項９】 光投射システム用のＭ×Ｎ個のエレクト
ロディスプレーシブアクチュエータのアレーであって、
前記エレクトロディスプレーシブアクチュエータの各々
は、一対のエレクトロディスプレーシブ物質層、前記一
対のエレクトロディスプレーシブ物質層のあいだに位置
する第１導電性金属層、およびエレクトロディスプレー
シブ物質層の外面に位置する一対の第２導電性金属層を
含むエレクトロディスプレーシブアクチュエータアレ
ー。 - 【請求項１０】 前記第１金属導電層はプラチウムまた
はパラジウムまたはパラジウム／銀を含む請求項９記載
の光投射システム用エレクトロディスプレーシブアクチ
ュエータアレー。 - 【請求項１１】 前記第２金属導電層はアルミニウムま
たは銀を含む請求項９記載のエレクトロディスプレーシ
ブアクチュエータアレー。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR93-4503 | 1993-03-23 | ||
| KR93004503A KR970008385B1 (en) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | Manufacturing method of optical path regulating means |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06301068A true JPH06301068A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=19352621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6052316A Pending JPH06301068A (ja) | 1993-03-23 | 1994-03-23 | アクチュエータアレーおよびその製法 |
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|---|---|
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| JP (1) | JPH06301068A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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