HU221360B1 - Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof - Google Patents

Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof Download PDF

Info

Publication number
HU221360B1
HU221360B1 HU9800822A HU9800822A HU221360B1 HU 221360 B1 HU221360 B1 HU 221360B1 HU 9800822 A HU9800822 A HU 9800822A HU 9800822 A HU9800822 A HU 9800822A HU 221360 B1 HU221360 B1 HU 221360B1
Authority
HU
Hungary
Prior art keywords
thin
layer
electrode
thin film
mxn
Prior art date
Application number
HU9800822A
Other languages
English (en)
Other versions
HUT77722A (hu
Inventor
Yong Ki Min
Original Assignee
Daewoo Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daewoo Electronics Co Ltd filed Critical Daewoo Electronics Co Ltd
Publication of HUT77722A publication Critical patent/HUT77722A/hu
Publication of HU221360B1 publication Critical patent/HU221360B1/hu

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00214—Processes for the simultaneaous manufacturing of a network or an array of similar microstructural devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00134—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems comprising flexible or deformable structures
    • B81C1/00174—See-saws
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0858—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by piezoelectric means
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N9/00—Details of colour television systems
    • H04N9/12—Picture reproducers
    • H04N9/30—Picture reproducers using solid-state colour display devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/03—Microengines and actuators
    • B81B2201/032—Bimorph and unimorph actuators, e.g. piezo and thermo
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/04—Optical MEMS
    • B81B2201/042—Micromirrors, not used as optical switches
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0102—Surface micromachining
    • B81C2201/0105—Sacrificial layer
    • B81C2201/0109—Sacrificial layers not provided for in B81C2201/0107 - B81C2201/0108

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Mirrors, Picture Frames, Photograph Stands, And Related Fastening Devices (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

A találmány vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés (100)optikai vetítőrendszerhez M×N tükörelemmel (101), ahol M és N egészszámok, és ahol a vékonyréteggel működtetett tükörelemek (101) bimorfszerkezetűek. Az elrendezésnek (100) M×N darab csatlakozókapocsból(124) álló elrendezéssel és M×N darab tranzisztorból állóelrendezéssel rendelkező alapréteget (122) tartalmazó aktív mátrixa(120) van felső felülettel, és van továbbá M×N darabműködtetőszerkezetből (111) álló elrendezése, amelyműködtetőszerkezeteknek (111) van első vége és második vége, éstartalmaznak második előfeszítő elektródaként funkcionáló másodikvékonyréteg elektródát (165), alsó elmozdulást létrehozó tagot (185)felső és alsó felülettel, jelelektródaként funkcionáló közbensővékonyréteg elektródát (135), felső elmozdulást létrehozó tagot (175)felső és alsó felülettel, valamint tükörként és első előfeszítőelektródaként funkcionáló első vékonyréteg elektródát (155), ahol afelső és az alsó elmozdulást létrehozó tagok (175, 185) egymástól aközbenső vékonyréteg elektródával (135) el vannak választva, az elsővékonyréteg elektróda (155) a felső elmozdulást létrehozó tag (175)felső felületén van elhelyezve, a második vékonyréteg elektróda (165)az alsó elmozdulást létrehozó tag (185) alsó felületén van elhelyezve,az egyes közbenső vékonyréteg elektródák (135) az egyescsatlakozókapcsokon keresztül (124) az egyes tranzisztorokhoz vannakcsatlakoztatva, a működtetőszerkezetek (111) első vége pedig az aktívmátrix (120) felső felületére van csatlakoztatva a bimorf szerkezetű,vékonyréteggel működtetett tükörelemek (101) kialakítására. Atalálmány ezenkívül eljárás optikai vetítőrendszerhez való,vékonyréteggel működtetett M×N tükörelemet (101) tartalmazó elrendezés(100) előállítására. ŕ

Description

A találmány vékonyréteggel működtetett MxN tükörelemből álló elrendezés, ahol a vékonyréteggel működtetett tükörelemek bimorf szerkezetűek, valamint eljárás annak előállítására.
A korábbi technika
A technika állása szerinti különböző videomegjelenítő rendszerek között az optikai vetítőrendszerek köztudottan alkalmasak nagy méretű, jó minőségű kép megjelenítésre. Az ilyen optikai vetítőrendszerekben egy lámpából jövő fény egyenletesen világít meg egy például MxN darab működtetett tükörelemből álló elrendezést, oly módon, hogy minden egyes tükörelem egy működtetőhöz kapcsolódik. A működtetők készülhetnek elektromosság hatására alakját változtató anyagból, például piezoelektromos vagy elektrosztrikciós anyagból, amely anyag a reá ható villamos feszültség hatására deformálódik.
A tükörelemek által visszavert fénysugarak például egy ernyő nyílására esnek. A működtetőkre villamos feszültséget kapcsolva a tükörelemeknek a beeső fénysugárhoz viszonyított helyzete megváltozik, és ezáltal a tükörelemekről visszavert fénysugarak optikai útja elhajlik. Ahogy a visszavert fénysugarak optikai útja változik, megváltozik a tükörelemekről visszavert ama fénymennyiség, amely áthalad a nyíláson, és ez modulálja a fénysugár intenzitását. A modulált fénysugarak a nyíláson és egy megfelelő optikai eszközön, például vetítőlencsén keresztül egy vetítőemyőre esnek és azon képet jelenítenek meg.
Az 1A-1G. ábrákon MxN darab vékonyréteggel működtetett 11 tükörelemből álló 10 elrendezés előállítási lépései láthatók, ahol M és N egész számok, amelyet azonos feltalálók párhuzamos US 08/430,628 szabadalmi bejelentése ismertet „Vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés” címmel.
A 10 elrendezés előállításának folyamata 20 aktív mátrix elkészítésével kezdődik, amelynek van felső felülete, és amely tartalmaz 22 alapréteget, MxN darab tranzisztorból álló elrendezést (nincs ábrázolva), vezetékmintázatot (nincs ábrázolva) és MxN darab 24 csatlakozókapocsból álló elrendezést.
A következő műveletben a 20 aktív mátrix felső felületén 40 eltávolítandó vékonyréteget alakítanak ki vákuumpárologtatással vagy gőzöléses eljárással, ha a 40 eltávolítandó vékonyréteg fémből van, kémiai gőzöléses bevonással (CVD, Chemical vapour deposition) vagy forgatásos bevonással, ha a 40 eltávolítandó vékonyréteg foszforszilikát üveg (PSG, phosphor-silicate glass), illetve CVD eljárással, ha a 40 eltávolítandó vékonyréteg poliszilícium anyagú.
Ezután a 40 eltávolítandó vékonyréteg által körülvett MxN darab 30 tartóelemből álló elrendezést tartalmazó 15 tartóréteget alakítanak ki, ahol a 15 tartóréteg kialakításához először MxN darab üres résből (nincs ábrázolva) álló elrendezést alakítanak ki a 40 eltávolítandó vékonyrétegen fotolitografikus eljárással, ahol az üres rések a 24 csatlakozókapcsok körül helyezkednek el, majd a 24 csatlakozókapcsok körül elhelyezkedő üres résekben vákuumpárologtatásos vagy CVD eljárással 30 tartóelemeket alakítanak ki az 1A. ábrán látható módon.
A következő lépésben a 30 tartóelemekkel azonos szigetelőanyagból lévő 70 rugalmas réteget alakítanak ki a 15 tartórétegen kolloid gélezéses, vákuumpárologtatásos vagy CVD eljárással.
Ezután a 30 tartóelemekben fémből lévő 35 vezetéket alakítanak ki oly módon, hogy először maratással MxN darab üregből álló elrendezést (nincs ábrázolva) hoznak létre, amely üregek a 70 rugalmas réteg tetejétől a 24 csatlakozókapcsok tetejéig terjednek, majd azt a 35 vezeték kialakítása céljából megtöltik a fémmel, amint azt az IB. ábra mutatja.
A következő lépésben villamosán vezető anyagú második 60 vékonyréteget alakítanak ki a 35 vezetékeket tartalmazó 70 rugalmas rétegen vákuumpárologtatásos eljárással. A második 60 vékonyréteg villamosán a 30 tartóelemekben kialakított 35 vezetékeken keresztül a tranzisztorokra van csatlakoztatva.
Ezután a második 60 vékonyréteg tetején piezoelektromos, például ólom-cirkónium-titanát (PZT) anyagú elmozdulást létrehozó 80 vékonyréteget alakítanak ki vákuumpárologtatásos eljárással, CVD eljárással, vagy kolloid-gélezéses eljárással, amint az az IC. ábrán látható.
A következő lépésben az elmozdulást létrehozó 80 vékonyréteg, a második 60 vékonyréteg és a 70 rugalmas réteg megmintázásával MxN darab elmozdulást létrehozó 85 tagból álló elrendezést, MxN darab második 65 vékonyréteg elektródából álló elrendezést, és MxN darab 75 rugalmas tagból álló elrendezést alakítanak ki fotolitografikus vagy lézertrimmeléses eljárással, amíg a 15 tartóréteg szabaddá válik, amint azt az
ID. ábra mutatja. A második 65 vékonyréteg elektródák villamosán a 30 tartóelemekben kialakított 35 vezetékeken keresztül a tranzisztorokra vannak csatlakoztatva, és a vékonyréteggel működtetett 11 tükörelemekben jelelektródaként funkcionálnak.
Ezután az elmozdulást létrehozó 85 tagokat magas hőmérsékleten, például PZT esetében 650 °C-os hőmérséklet körül hőkezelik, hogy lehetővé tegyék a fázisátmenet lezajlását, és ezzel MxN darab hőkezelt szerkezetből (nincs ábrázolva) álló elrendezést alakítsanak ki. Mivel a hőkezelt elmozdulást létrehozó 85 tagok megfelelően vékonyak, nincs szükség azok polarizálására, ha azok piezoelektromos anyagból vannak: azok a vékonyréteggel működtetett 11 tükörelemek működése alatt rákapcsolt villamos jellel polarizálhatok.
A fenti művelet után MxN darab villamosán vezető és fényvisszaverő anyagú első 50 vékonyréteg elektródából álló elrendezést alakítanak ki az MxN darab hőkezelt szerkezetből álló elrendezésben lévő elmozdulást létrehozó 85 tagok tetején oly módon, hogy az
IE. ábrán látható módon vákuumpárologtatással először az Μ χ N darab hőkezelt szerkezetből álló elrendezés tetejét a szabaddá vált 15 tartóréteggel együtt teljesen beborító, villamosán vezető és fényvisszaverő anyagú 88 réteget alakítanak ki, majd maratással a 88 réteget szelektív módon eltávolítják, ami MxN darab működtetett 95 tükörszerkezetekből álló 90 elrendezést
HU 221 360 Bl eredményez, ahol a működtetett 95 tükörszerkezetek az
1F. ábrán látható módon felső felülettel és négy oldalfelülettel rendelkeznek. Az első 50 vékonyréteg elektródák tükörként és előfeszítő elektródaként is funkcionálnak a vékonyréteggel működtetett 11 tükörelemekben.
Az előző műveletet követő lépésben a működtetett 95 tükörszerkezetek felső felületét és négy oldalfelületét teljesen beborítják védő vékonyréteggel (nincs ábrázolva).
A 15 tartóréteg 40 eltávolítandó vékonyrétegét ezután maratásos eljárással eltávolítják. Végül a védő vékonyréteget is eltávolítják, és így kialakítják az Μ χ N darab, vékonyréteggel működtetett 11 tükörelemekből álló, 1G. ábrán látható 10 elrendezést.
A fenti eljárásnak Μ χ N darab, vékonyréteggel működtetett 11 tükörelemekből álló 10 elrendezés előállítására vannak bizonyos hátrányai. Az elmozdulást létrehozó 85 tagok kialakítása magas hőmérsékleten történik, és ezért óvatosan kell megválasztani a 40 eltávolítandó vékonyréteg megfelelő anyagát, amelynek ellen kell állnia a kialakításához szükséges magas hőmérsékletnek. Ezen túlmenően, mivel a 10 elrendezés előállítása magas hőmérsékleten zajló folyamatot tartalmaz, a vékonyréteggel működtetett 11 tükörelemekben lévő elektródák és a 20 aktív mátrixban lévő vezetékmintázat anyagainak ellen kell állniuk a magas hőmérsékletnek, és az ilyen anyagok rendszerint drágák, ami megnöveli a 10 elrendezés előállítási költségét.
Ezen túlmenően az elmozdulást létrehozó 85 tagok kialakításakor szükséges magas hőmérséklet károsan befolyásolhatja a működtetett 11 tükörelemek szerkezeti épségét, ami káros hatással lehet a 10 elrendezés teljesítményére.
A találmány ismertetése
A találmány elsődleges célja tehát olyan MxN elemből álló, vékonyréteggel működtetett tükörelemelrendezés szolgáltatása optikai vetítőrendszerhez, amelynek előállításakor nincs magas hőmérsékletű folyamat.
A találmány másik célkitűzése olyan eljárás szolgáltatása MxN elemből álló, vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés előállítására optikai vetítőrendszerhez, amelynél nincs magas hőmérsékletű folyamat, és ezáltal könnyebb az eltávolítandó vékonyréteg anyagának megválasztása.
A találmány egyrészt vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés optikai vetítőrendszerhez MxN tükörelemmel, ahol M és N egész számok, és ahol a vékonyréteggel működtetett tükörelemek bimorf szerkezetűek, amely elrendezésnek MxN darab csatlakozókapocsból álló elrendezéssel és MxN darab tranzisztorból álló elrendezéssel rendelkező alapréteget tartalmazó aktív mátrixa van felső felülettel, és van továbbá MxN darab működtetőszerkezetből álló elrendezése, amely működtetőszerkezeteknek van első vége és második vége, és tartalmaznak második előfeszítő elektródaként funkcionáló második vékonyréteg elektródát, alsó elmozdulást létrehozó tagot felső és alsó felülettel, jelelektródaként funkcionáló közbenső vékonyréteg elektródát, felső elmozdulást létrehozó tagot felső és alsó felülettel, valamint tükörként és első előfeszítő elektródaként funkcionáló első vékonyréteg elektródát, ahol a felső és az alsó elmozdulást létrehozó tagok egymástól a közbenső vékonyréteg elektródával el vannak választva, az első vékonyréteg elektróda a felső elmozdulást létrehozó tag felső felületén van elhelyezve, a második vékonyréteg elektróda az alsó elmozdulást létrehozó tag alsó felületén van elhelyezve, az egyes közbenső vékonyréteg elektródák az egyes csatlakozókapcsokon keresztül az egyes tranzisztorokhoz vannak csatlakoztatva, a működtetőszerkezetek első vége pedig az aktív mátrix felső felületére van csatlakoztatva a bimorf szerkezetű, vékonyréteggel működtetett tükörelemek kialakítására.
A találmány másrészt eljárás optikai vetítőrendszerhez való, vékonyréteggel működtetett MxN tükörelemet tartalmazó elrendezés előállítására, ahol M és N egész számok, és a vékonyréteggel működtetett tükörelemek bimorf szerkezetűek, amelynek során felső felülettel rendelkező aktív mátrixot állítunk elő, amely aktív mátrix tartalmaz alapréteget MxN darab tranzisztorból álló elrendezéssel és Μ χ N darab csatlakozókapocsból álló elrendezéssel, az aktív mátrix felső felületén eltávolítandó vékonyréteget helyezünk el, az eltávolítandó vékonyrétegnek az aktív mátrixban lévő csatlakozókapcsok tetején kialakított részeit eltávolítjuk, második villamosán vezető anyagból lévő második elektróda vékonyréteget alakítunk ki az eltávolítandó vékonyréteget tartalmazó aktív mátrix tetején, a második elektróda vékonyrétegnek az aktív mátrixban lévő csatlakozókapcsok tetején kialakított részeit eltávolítjuk, alsó elmozdulást létrehozó vékonyréteget alakítunk ki az aktív mátrix és a második elektróda vékonyréteg tetején, MxN darab résből álló elrendezést alakítunk ki, amely rések rendelkeznek belső felülettel, és az alsó elmozdulást létrehozó vékonyréteg tetejétől az aktív mátrixon áthaladva a csatlakozókapcsok tetejéig nyúlnak, ezután első villamosán vezető anyagból lévő közbenső elektróda réteget alakítunk ki az alsó elmozdulást létrehozó vékonyréteg tetején a rések belső felületét is beleértve, felső elmozdulást létrehozó vékonyréteget alakítunk ki a közbenső elektróda réteg tetején, mialatt megtöltjük a réseket, majd villamosán vezető és fényvisszaverő anyagból lévő első elektróda vékonyréteget alakítunk ki a felső elmozdulást létrehozó vékonyréteg tetején, ami által többrétegű szerkezetet alakítunk ki, amely tartalmazza az első elektróda vékonyréteget, a felső elmozdulást létrehozó vékonyréteget, a közbenső elektróda réteget, az alsó elmozdulást létrehozó vékonyréteget és a második elektróda vékonyréteget, a többrétegű szerkezetet mintázással MxN darab félkész működtetőszerkezetté alakítjuk, amely tartalmazza az első vékonyréteg elektródát, a felső elmozdulást létrehozó tagot, a közbenső vékonyréteg elektródát, az alsó elmozdulást létrehozó tagot és a második vékonyréteg elektródát, valamint az eltávolítandó vékonyréteget eltávolítjuk, és ezáltal kialakítjuk az MxN darab, vékonyréteggel működtetett tükörelemből álló elrendezést.
HU 221 360 Bl
A rajzok rövid leírása
A találmány előnyös kiviteli alakjait a következőkben rajzok alapján ismertetjük, ahol az
1A-1G. ábrák MxN elemből álló, vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés ismert előállítási eljárását szemléltető vázlatos keresztmetszeti rajzok, a
2. ábra a találmány szerinti MxN tükörelemből álló, vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés axonometrikus keresztmetszeti rajza, és a
3A-3H. ábráka találmány szerinti, MxN tükörelemből álló, vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés előállítási eljárását szemléltető vázlatos keresztmetszeti rajzok.
A találmány megvalósítási módja A 2. és 3A-3H. ábrákon a találmány előnyös kiviteli alakjai szerinti, optikai vetítőrendszerhez használható, MxN darab vékonyréteggel működtetett 101 tükörelemből álló 100 elrendezés axonometrikus keresztmetszeti rajza, valamint előállítását szemléltető vázlatos keresztmetszeti rajzok láthatók, ahol M és N egész számok. A 2. és 3A-3H. ábrákon az azonos részek azonos hivatkozási számmal vannak jelölve.
A 2. ábrán MxN darab, vékonyréteggel működtetett 101 tükörelemből álló 100 elrendezés axonometrikus keresztmetszeti rajza látható, amely tartalmaz 120 aktív mátrixot és MxN darab 111 működtetőszerkezetből álló elrendezést, ahol a 111 működtetőszerkezetek bimorf szerkezetűek.
A 120 aktív mátrixnak van felső felülete, és tartalmaz 122 alapréteget MxN darab 124 csatlakozókapocsból álló elrendezéssel, vezetékmintázattal (nincs ábrázolva), és Μ χ N darab tranzisztorból álló elrendezéssel (nincs ábrázolva), ahol minden egyes 124 csatlakozókapocs egy tranzisztorhoz van villamosán kapcsolva.
Alii működtetőszerkezetnek van első vége és második vége, továbbá tartalmaz második előfeszítő elektródaként funkcionáló második 165 vékonyréteg elektródát, alsó elmozdulást létrehozó 185 tagot felső és alsó felülettel, jelelektródaként funkcionáló közbenső 135 vékonyréteg elektródát, felső elmozdulást létrehozó 175 tagot felső és alsó felülettel, valamint tükörként és első előfeszítő elektródaként funkcionáló első 155 vékonyréteg elektródát, ahol a 111 működtetőszerkezetek első vége a 120 aktív mátrix felső felületére van csatlakoztatva, és az első és második 155, 165 vékonyréteg elektródák villamosán egymáshoz vannak csatlakoztatva. A felső és az alsó elmozdulást létrehozó 175, 185 tagok egymástól a közbenső 135 vékonyréteg elektródával el vannak választva. Az első 155 vékonyréteg elektróda a felső elmozdulást létrehozó 175 tag felső felületén van elhelyezve. A második 165 vékonyréteg elektróda az alsó elmozdulást létrehozó 185 tag alsó felületén van elhelyezve. Az egyes közbenső 135 vékonyréteg elektródák az egyes 124 csatlakozókapcsokon keresztül az egyes tranzisztorokhoz vannak csatlakoztatva. A vékonyréteggel működtetett 101 tükörelemekben lévő felső és alsó elmozdulást létrehozó 175, 185 tagok kristálytanilag aszimmetrikus anyagból, például, cink-oxidból (ZnO) vannak, amely anyagot továbbá az jellemzi, hogy nincs hiszterézise hurkot, és 200 °C-300 °C közötti hőmérsékleten alakítható ki. Az, hogy a felső és alsó elmozdulást létrehozó 175, 185 tagokhoz ilyen anyagot használunk, lehetővé teszi, hogy alacsony hőmérsékleten olvadó és olcsó elektróda anyagokat, például alumíniumot (Al) vagy ezüstöt (Ag) használjunk az első, a második és a közbenső 155, 165, 135 vékonyréteg elektródákhoz, amivel lecsökkentjük a 100 elrendezés előállítási költségét.
A felső elmozdulást létrehozó 175 tag polarizációs iránya megegyezik az alsó elmozdulást létrehozó 185 tagéval. Ha a felső és alsó elmozdulást létrehozó 175, 185 tagokra villamos feszültséget kapcsolunk a vékonyréteggel működtetett 101 tükörelemekben, az egyik elmozdulást létrehozó tag polarizációs iránya egybeesik a villamos mezővel, a másik elmozdulást létrehozó tagé pedig ellentétes a villamos mezővel. Ilyen esetben az az elmozdulást létrehozó tag, amelynek polarizációs iránya egybeesik a villamos mezővel, függőlegesen kitágul és vízszintesen összehúzódik, az az elmozdulást létrehozó tag pedig, amelynek polarizációs iránya ellentétes a villamos mezővel, függőlegesen összehúzódik és vízszintesen kitágul, ami erősíti a bimorf viselkedést.
A 3A-3H. ábrák a találmány szerinti MxN darab vékonyréteggel működtetett 101 tükörelemből álló 100 elrendezés előállítását szemléltető vázlatos keresztmetszeti rajzok.
A 100 elrendezés előállításának folyamata 120 aktív mátrix elkészítésével kezdődik, amelynek van felső felülete, és amely tartalmaz 122 alapréteget MxN darab 124 csatlakozókapocsból álló elrendezéssel, vezetékmintázattal (nincs ábrázolva) és MxN darab tranzisztorból álló elrendezéssel (nincs ábrázolva), ahol a 122 alapréteg szigetelő anyagból, például üvegből van.
Ezután a 120 aktív mátrix tetején oxidból, például ZnO-ból vagy polimerből, például poliimidből lévő, 1-2 pm vastagságú 140 eltávolítandó vékonyréteget alakítunk ki vákuumpárologtatásos vagy vákuumgőzöléses eljárással, ha a 140 eltávolítandó vékonyréteg oxidból van, és forgatásos bevonási eljárással, ha a 140 eltávolítandó vékonyréteg polimerből van. Amint azt korábban megjegyeztük, ZnO alkalmazása a felső és az alsó elmozdulást létrehozó 175, 185 tagok számára eliminálja az ismert eljárásban lévő magas hőmérsékletű folyamatot, ami lehetővé teszi, hogy sokkal könnyebben választhassunk megfelelő anyagot a 140 eltávolítandó vékonyréteg számára.
A következő lépésben a 140 eltávolítandó vékonyrétegnek a 120 aktív mátrixban lévő 124 csatlakozókapcsok tetején kialakított részeit eltávolítjuk fotolitografikus eljárással, amint az a 3A. ábrán látható.
Ezután második villamosán vezető anyagból, például Al-ból lévő, 0,1-2 pm vastagságú második 160 elektróda vékonyréteget alakítunk ki a 140 eltávolítandó vékonyréteget tartalmazó 120 aktív mátrix tetején vákuumpárologtatásos vagy vákuumgőzöléses eljárással.
HU 221 360 Β1
Ezután a második 160 elektróda vékonyrétegnek a 120 aktív mátrixban lévő 124 csatlakozókapcsok tetején kialakított részeit eltávolítjuk fotolitografikus vagy lézertrimmeléses eljárással, amint az a 3B. ábrán látható.
A 3C. ábrán látható módon ZnO-ból lévő, 0,1-2 pm vastagságú alsó elmozdulást létrehozó 180 vékonyréteget alakítunk ki a második 160 elektróda vékonyréteget tartalmazó 120 aktív mátrix tetején vákuumgőzöléses vagy vákuumpárologtatásos eljárással. A ZnO vékonyréteg 200-300 °C körül alakítható ki.
A következő, 3D. ábrán látható műveletben maratással MxN darab 190 résből álló elrendezést alakítunk ki, amely 190 rések rendelkeznek belső felülettel, és az alsó elmozdulást létrehozó 180 vékonyréteg tetejétől a 120 aktív mátrixon áthaladva a 124 csatlakozókapcsok tetejéig nyúlnak.
A 3E. ábrán látható módon első villamosán vezető anyagból, például Al-ból lévő, 0,1-2 pm vastagságú közbenső 130 elektróda réteget alakítunk ki az alsó elmozdulást létrehozó 180 vékonyréteg tetején a 190 rések belső felületét is beleértve vákuumpárologtatásos vagy vákuumgőzöléses eljárással.
A következő lépésben az alsó elmozdulást létrehozó 180 vékonyréteg anyagával azonos anyagból lévő, 0,1-2 pm vastagságú, felső elmozdulást létrehozó 170 vékonyréteget alakítunk ki a közbenső 130 elektróda réteg tetején, mialatt megtöltjük a 190 réseket vákuumgőzöléses vagy vákuumpárologtatásos eljárással a 3F. ábrán látható módon.
Amint azt a 3G. ábra mutatja, villamosán vezető és fényvisszaverő anyagból, például Al-ból vagy Ag-ból lévő, 0,1-2 pm vastagságú első 150 elektróda vékonyréteget alakítunk ki a felső elmozdulást létrehozó 170 vékonyréteg tetején vákuumpárologtatásos vagy vákuumgőzöléses eljárással, ami által többrétegű 200 szerkezetet alakítunk ki, amely tartalmazza az első 150 elektróda vékonyréteget, a felső elmozdulást létrehozó 170 vékonyréteget, a közbenső 130 elektróda réteget, az alsó elmozdulást létrehozó 180 vékonyréteget és a második 160 elektróda vékonyréteget.
Ezután a többrétegű 200 szerkezetet fotolitografikus vagy lézertrimmeléses eljárással, mintázással MxN darab félkész 250 működtetőszerkezetté alakítjuk, amely tartalmazza az első 155 vékonyréteg elektródát, a felső elmozdulást létrehozó 175 tagot, a közbenső 135 vékonyréteg elektródát, az alsó elmozdulást létrehozó 185 tagot és a második 165 vékonyréteg elektródát oly módon, hogy a 140 eltávolítandó vékonyréteg szabaddá váljon.
A következő lépésben a 140 eltávolítandó vékonyréteget maratással eltávolítjuk, és ezáltal kialakítjuk a 31. ábrán látható, MxN darab, vékonyréteggel működtetett 101 tükörelemből álló 100 elrendezést.
Az Μ χ N darab, vékonyréteggel működtetett 11 tükörelemből álló 10 elrendezés előállításának ismert eljárásával ellentétben, ahol magas hőmérsékletű folyamat szükséges az elmozdulást létrehozó 80 vékonyréteget alkotó elmozdulást létrehozó anyag fázisátmenetéhez, a találmány szerinti eljárásban, mivel a 111 működtetőszerkezetekben lévő felső és alsó elmozdulást létrehozó
175,185 tagok ZnO-ból vannak, a magas hőmérsékletű folyamat elhagyható, ami lehetővé teszi, hogy a 140 eltávolítandó vékonyréteghez alkalmazandó anyagot az anyagok szélesebb skálájából választhassuk.
Ezen túlmenően, ZnO-nak a felső és alsó elmozdulást létrehozó 175,185 tagok számára való alkalmazása lehetővé teszi alacsony olvadási hőmérsékletű, ezért olcsóbb anyagok alkalmazását a vékonyréteggel működtetett 101 tükörelemekben lévő első, második és közbenső 155, 165, 135 vékonyréteg elektródákhoz, valamint a 120 aktív mátrixban lévő vezetékmintázathoz, amivel lecsökkentjük a 100 elrendezés előállítási költségét.
Ezen túlmenően, mivel a 100 elrendezést a magas hőmérsékletű folyamat nélkül állítjuk elő, jobban megőrizhető annak szerkezeti épsége és ezért a teljesítménye.
Bár a találmányt konkrét előnyös kiviteli alakok alapján ismertettük, más módosítások és változatok is lehetségesek.

Claims (11)

  1. SZABADALMI IGÉNYPONTOK
    1. Vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés optikai vetítőrendszerhez MxN tükörelemmel, ahol M és N egész számok, és ahol a vékonyréteggel működtetett tükörelemek bimorf szerkezetűek, azzal jellemezve, hogy MxN darab csatlakozókapocsból (124) álló elrendezéssel és Μ χ N darab tranzisztorból álló elrendezéssel rendelkező alapréteget (122) tartalmazó aktív mátrixa (120) van felső felülettel, és van továbbá MxN darab működtetőszerkezetből (111) álló elrendezése, amely működtetőszerkezeteknek (111) van első vége és második vége, és tartalmaznak második előfeszítő elektródaként funkcionáló második vékonyréteg elektródát (165), alsó elmozdulást létrehozó tagot (185) felső és alsó felülettel, jelelektródaként fünkcionáló közbenső vékonyréteg elektródát (135), felső elmozdulást létrehozó tagot (175) felső és alsó felülettel, valamint tükörként és első előfeszítő elektródaként funkcionáló első vékonyréteg elektródát (155), ahol a felső és az alsó elmozdulást létrehozó tagok (175, 185) egymástól a közbenső vékonyréteg elektródával (135) el vannak választva, az első vékonyréteg elektróda (155) a felső elmozdulást létrehozó tag (175) felső felületén van elhelyezve, a második vékonyréteg elektróda (165) az alsó elmozdulást létrehozó tag (185) alsó felületén van elhelyezve, az egyes közbenső vékonyréteg elektródák (135) az egyes csatlakozókapcsokon keresztül (124) az egyes tranzisztorokhoz vannak csatlakoztatva, a működtetőszerkezetek (111) első vége pedig az aktív mátrix (120) felső felületére van csatlakoztatva a bimorf szerkezetű, vékonyréteggel működtetett tükörelemek (101) kialakítására.
  2. 2. Az 1. igénypont szerinti tükörelem-elrendezés, azzal jellemezve, hogy az első vékonyréteg elektróda (155) villamosán a második vékonyréteg elektródára (165) van csatlakoztatva.
  3. 3. Eljárás optikai vetítőrendszerhez való, vékonyréteggel működtetett MxN tükörelemet tartalmazó elren5
    HU 221 360 Β1 dezés előállítására, ahol M és N egész számok, és a vékonyréteggel működtetett tükörelemek bimorf szerkezetűek, azzal jellemezve, hogy felső felülettel rendelkező aktív mátrixot (120) állítunk elő, amely aktív mátrix (120) tartalmaz alapréteget (122) MxN darab tranzisztorból álló elrendezéssel és MxN darab csatlakozókapocsból (124) álló elrendezéssel, az aktív mátrix (120) felső felületén eltávolítandó vékonyréteget (140) helyezünk el, az eltávolítandó vékonyrétegnek (140) az aktív mátrixban (120) lévő csatlakozókapcsok (124) tetején kialakított részeit eltávolítjuk, második villamosán vezető anyagból lévő második elektróda vékonyréteget (160) alakítunk ki az eltávolítandó vékonyréteget (140) tartalmazó aktív mátrix (120) tetején, a második elektróda vékonyrétegnek (160) az aktív mátrixban (120) lévő csatlakozókapcsok (124) tetején kialakított részeit eltávolítjuk, alsó elmozdulást létrehozó vékonyréteget (180) alakítunk ki az aktív mátrix (120) és a második elektróda vékonyréteg (160) tetején, MxN darab résből (190) álló elrendezést alakítunk ki, amely rések (190) rendelkeznek belső felülettel, és az alsó elmozdulást létrehozó vékonyréteg (180) tetejétől az aktív mátrixon (120) áthaladva a csatlakozókapcsok (124) tetejéig nyúlnak, ezután első villamosán vezető anyagból lévő közbenső elektróda réteget (130) alakítunk ki az alsó elmozdulást létrehozó vékonyréteg (180) tetején a rések (190) belső felületét is beleértve, felső elmozdulást létrehozó vékonyréteget (170) alakítunk ki a közbenső elektróda réteg (130) tetején, mialatt megtöltjük a réseket (190), majd villamosán vezető és fényvisszaverő anyagból lévő első elektróda vékonyréteget (150) alakítunk ki a felső elmozdulást létrehozó vékonyréteg (170) tetején, ami által többrétegű szerkezetet (200) alakítunk ki, amely tartalmazza az első elektróda vékonyréteget (150), a felső elmozdulást létrehozó vékonyréteget (170), a közbenső elektróda réteget (130), az alsó elmozdulást létrehozó vékonyréteget (180) és a második elektróda vékonyréteget (160), a többrétegű szerkezetet (200) mintázással MxN darab félkész működtetőszerkezetté (250) alakítjuk, amely tartalmazza az első vékonyréteg elektródát (155), a felső elmozdulást létrehozó tagot (175), a közbenső vékonyréteg elektródát (135), az alsó elmozdulást létrehozó tagot (185) és a második vékonyréteg elektródát (165), valamint az eltávolítandó vékonyréteget (140) eltávolítjuk, és ezáltal kialakítjuk az MxN darab, vékonyréteggel működtetett tükörelemből (101) álló elrendezést (100).
  4. 4. A 3. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a felső és az alsó elmozdulást létrehozó vékonyrétegek (170, 180) kristálytanilag aszimmetrikus anyagból vannak.
  5. 5. A 4. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a kristálytanilag aszimmetrikus anyag ZnO.
  6. 6. A 3. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a felső és az alsó elmozdulást létrehozó vékonyrétegek (170,180) 0,1-2 pm vastagságúak.
  7. 7. A 3. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a felső és az alsó elmozdulást létrehozó vékonyrétegek (170, 180) vákuumgőzöléses vagy vákuumpárologtatásos eljárással vannak kialakítva,
  8. 8. A 3. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az eltávolítandó vékonyréteg (140) oxidból vagy polimerből van.
  9. 9. A 3. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az eltávolítandó vékonyréteget (140) vákuumpárologtatásos vagy vákuumgőzöléses eljárással alakítjuk ki, ha az eltávolítandó vékonyréteg (140) oxidból van, és forgatásos bevonási eljárással, ha az eltávolítandó vékonyréteg (140) polimerből van.
  10. 10. A 3. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az első és második elektróda vékonyréteget (150, 160), valamint a közbenső elektróda réteget (140) vákuumpárologtatásos vagy vákuumgőzöléses eljárással alakítjuk ki.
  11. 11. A 3. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a második elektróda vékonyréteget (160), a közbenső elektróda réteget (130), és az első elektróda vékonyréteget (150) 0,1-2 pm vastagságúra alakítjuk ki.
HU9800822A 1994-11-14 1995-10-17 Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof HU221360B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940029763A KR960018646A (ko) 1994-11-14 1994-11-14 광로조절장치의 제조방법
PCT/KR1995/000133 WO1996015630A1 (en) 1994-11-14 1995-10-17 Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
HUT77722A HUT77722A (hu) 1998-07-28
HU221360B1 true HU221360B1 (en) 2002-09-28

Family

ID=19397806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HU9800822A HU221360B1 (en) 1994-11-14 1995-10-17 Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof

Country Status (18)

Country Link
US (1) US5606452A (hu)
EP (1) EP0712021B1 (hu)
JP (1) JPH10508952A (hu)
KR (1) KR960018646A (hu)
CN (1) CN1061203C (hu)
AU (1) AU701168B2 (hu)
BR (1) BR9510396A (hu)
CA (1) CA2205168A1 (hu)
CZ (1) CZ288386B6 (hu)
DE (1) DE69522898T2 (hu)
HU (1) HU221360B1 (hu)
MY (1) MY132060A (hu)
PE (1) PE36497A1 (hu)
PL (1) PL178550B1 (hu)
RU (1) RU2143715C1 (hu)
TW (1) TW305944B (hu)
UY (1) UY24087A1 (hu)
WO (1) WO1996015630A1 (hu)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6969635B2 (en) * 2000-12-07 2005-11-29 Reflectivity, Inc. Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates
KR970054559A (ko) * 1995-12-22 1997-07-31 배순훈 광로 조절 장치의 제조 방법
TW357271B (en) * 1996-02-26 1999-05-01 Seiko Epson Corp Light regulator, display and the electronic machine
KR100229788B1 (ko) * 1996-05-29 1999-11-15 전주범 광로 조절 장치의 제조 방법
US5930025A (en) * 1996-05-29 1999-07-27 Daewoo Electronics Co., Ltd. Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof
EP0810458B1 (en) * 1996-05-29 2001-09-19 Daewoo Electronics Co., Ltd Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof
US5945898A (en) * 1996-05-31 1999-08-31 The Regents Of The University Of California Magnetic microactuator
US5991064A (en) * 1996-06-29 1999-11-23 Daewoo Electronics Co., Ltd. Thin film actuated mirror array and a method for the manufacture thereof
KR100212539B1 (ko) * 1996-06-29 1999-08-02 전주범 박막형 광로조절장치의 엑츄에이터 및 제조방법
WO1998008127A1 (en) * 1996-08-21 1998-02-26 Daewoo Electronics Co., Ltd. Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system
AU717083B2 (en) * 1996-08-21 2000-03-16 Daewoo Electronics Co., Ltd. Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system
US5949568A (en) * 1996-12-30 1999-09-07 Daewoo Electronics Co., Ltd. Array of thin film actuated mirrors having a levelling member
WO1999000989A1 (en) * 1997-06-30 1999-01-07 Daewoo Electronics Co., Ltd. Thin film actuated mirror including a seeding member and an electrodisplacive member made of materials having the same crystal structure and growth direction
US7281808B2 (en) * 2003-06-21 2007-10-16 Qortek, Inc. Thin, nearly wireless adaptive optical device
JP4037394B2 (ja) * 2004-09-16 2008-01-23 株式会社東芝 マイクロメカニカルデバイス

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3544201A (en) * 1968-01-02 1970-12-01 Gen Telephone & Elect Optical beam deflector
US4615595A (en) * 1984-10-10 1986-10-07 Texas Instruments Incorporated Frame addressed spatial light modulator
US4793699A (en) * 1985-04-19 1988-12-27 Canon Kabushiki Kaisha Projection apparatus provided with an electro-mechanical transducer element
US5172262A (en) * 1985-10-30 1992-12-15 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5185660A (en) * 1989-11-01 1993-02-09 Aura Systems, Inc. Actuated mirror optical intensity modulation
US5126836A (en) * 1989-11-01 1992-06-30 Aura Systems, Inc. Actuated mirror optical intensity modulation
GB2239101B (en) * 1989-11-17 1993-09-22 Marconi Gec Ltd Optical device
US5085497A (en) * 1990-03-16 1992-02-04 Aura Systems, Inc. Method for fabricating mirror array for optical projection system
US5216537A (en) * 1990-06-29 1993-06-01 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5170283A (en) * 1991-07-24 1992-12-08 Northrop Corporation Silicon spatial light modulator
US5175465A (en) * 1991-10-18 1992-12-29 Aura Systems, Inc. Piezoelectric and electrostrictive actuators
US5159225A (en) * 1991-10-18 1992-10-27 Aura Systems, Inc. Piezoelectric actuator
US5247222A (en) * 1991-11-04 1993-09-21 Engle Craig D Constrained shear mode modulator
KR970003007B1 (ko) * 1993-05-21 1997-03-13 대우전자 주식회사 투사형 화상표시장치용 광로조절장치 및 그 구동방법
US5481396A (en) * 1994-02-23 1996-01-02 Aura Systems, Inc. Thin film actuated mirror array

Also Published As

Publication number Publication date
US5606452A (en) 1997-02-25
RU2143715C1 (ru) 1999-12-27
MY132060A (en) 2007-09-28
KR960018646A (ko) 1996-06-17
CN1061203C (zh) 2001-01-24
UY24087A1 (es) 1996-04-11
CN1163689A (zh) 1997-10-29
JPH10508952A (ja) 1998-09-02
CZ288386B6 (en) 2001-06-13
PL320161A1 (en) 1997-09-15
WO1996015630A1 (en) 1996-05-23
DE69522898D1 (de) 2001-10-31
EP0712021A1 (en) 1996-05-15
AU3674495A (en) 1996-06-06
HUT77722A (hu) 1998-07-28
EP0712021B1 (en) 2001-09-26
AU701168B2 (en) 1999-01-21
TW305944B (hu) 1997-05-21
CZ148797A3 (en) 1997-12-17
PE36497A1 (es) 1997-11-27
PL178550B1 (pl) 2000-05-31
BR9510396A (pt) 1997-12-23
CA2205168A1 (en) 1996-05-23
DE69522898T2 (de) 2002-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
HU221360B1 (en) Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof
JP3283881B2 (ja) Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法
HU220517B1 (hu) Vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés és eljárás annak előállítására
JP3797682B2 (ja) Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方法
JPH08114758A (ja) Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方法
HU220466B1 (hu) Vékonyréteggel működtetett tükörelem-elrendezés optikai vetítőrendszerhez és eljárás annak előállítására
US5768006A (en) Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system
CN1057392C (zh) 制造薄膜可驱动反射镜阵列的改进方法
US5627673A (en) Array of thin film actuated mirrors for use in an optical projection system
JPH07181403A (ja) 光投射型システムに用いられる電歪アクチュエイテッドミラーアレイ
US5636051A (en) Thin film actuated mirror array having dielectric layers
US5774256A (en) Method for manufacturing an array of thin film actuated mirrors
US5610773A (en) Actuated mirror array and method for the manufacture thereof
HU221359B1 (en) Low temperature formed thin film actuated mirror array
CN1156831A (zh) 制造解除短路的致动反射镜阵列的方法
US5701192A (en) Thin film actuated mirror array and method of manufacturing the same
JP3920351B2 (ja) 光ピックアップシステム用薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ
JPH08278457A (ja) Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法
CN1161462A (zh) 带有温度补偿层的薄膜致动的反射镜阵列
MXPA97003467A (en) Provision of melted effected melters and paraly method manufacturing of mis
JP2002500783A (ja) 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法
KR19980023292A (ko) 투사형 화상 표시 장치용 박막형 광로 조절 장치의 어레이

Legal Events

Date Code Title Description
HMM4 Cancellation of final prot. due to non-payment of fee