TW305944B - - Google Patents

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經濟部中央橾準局負工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（1 ) 本發明偽關於一光學投影糸統；並且*更特別地，偽 關於用於此糸統中的一組Μ X N痼薄膜致動鏡的陣列及一 種用以製造它的方法，其中每一薄膜致動鏡具有一雙層壓 電結構。 於在此技術領域内可獲得的不同視頻顯示糸統中，一 光學投影糸統已知可提供一大尺度之高品質顯示。在此種 光學投影糸統中，由一燈發出的光均勻地照射在一組例如 Μ ΧΝ値致動鏡的陣列上，其中每一個鏡連結一個致動器 。該等致動器可由一値電位移材料製成，比如一個壓電的 或一個電伸縮性的材料，其回應一個作用於其上的電場而 變形。 由每一個鏡反射的光束入射在例如一個光學阻板的一 痼開口上。藉由施加一痼電訊號至每一値致動器，每一鏡 片相對於該入射光束的相對位置即被改變，因此造成由毎 一鏡反射之光束的光程上之偏差。因為每一反射光束之光 程被改變，故自每一鏡反射而通過該開口的光量被改變， 因此調變該光束的強度。經過該開口的調變光束經由一値 適當的光學装置*比如一個投影透鏡，傳送至一値投影螢 幕上*以《此將一影像顯示於其上。 在第1Α至1G圖中·繪示包含於製造一組ΜΧΝ薄 膜致動鏡11陣列10的製造步驟，其中Μ與N為整數，其掲 露於一個尚在審理中而與本案為同一人擁有之申請案中， 即名為"薄膜致動鏡陣列〃之美國專利申請第08/430，62 8號案。 -4 - 本纸浪尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X 297公釐） ----^----J. «f------訂—-----J ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局属工消費合作社印製 305944 A7 _B7______ 五、發明説明（2 ) 用以製造此等陣列10的過程由準備一主動矩陣20開始 ，此主動矩陣具有一頂表面且包含一基質22、一組MXN 電晶體（未顯示）陣列、一傳導線圖案（未顯示）、及一 組MX N連接端子24陣列。 在接下來的步驟中，假如薄膜犧牲層40由金靥製成’ 則藉由利用噴鍍或蒸鍍方法’假如薄膜犧牲層40由磷矽酸 鹽玻璃（P S G )製成，則藉由利用一化學氣相澱積（C VD)或一旋轉鍍膜方法，或者假如薄膜犧牲層40由多晶 矽製成，則藉由利用C V D方法，將一薄膜犧牲層40形成 在此主動矩陣20之頂表面上。 之後，形成一包括一組MX N支承構件30陣列的支承 層15，此支承構件被薄膜犧牲層40包圍，其中此支承層15 由下列步驟形成：藉由利用光蝕法製造一組Μ X N空槽（ 未顯示）在薄膜犧牲層40上，每一空槽位於每一連接端子 24的周圍；以及藉由利用噴鍍或CVD方法於位在每一連 接端子24周圍之每一空槽内形成一支承構件30,如第1 A 圖所示。支承構件30是由一絶緣材料所製成。 於後繼之步驟中，與支承構件30相同的絶緣材料所製 成的一彈性層70，藉由利用溶嘐一凝膠、噴鍍或C V D方 法*形成在支承層15之頂部上。 接下來，由金屬製成的導管35形成於每一支承構件30 内，其是藉由：首先藉由利用蝕刻方法來製造一組Μ X N 洞（未顳示）之陣列，毎一洞由彈性層70之頂延伸至每一 連接端子24的頂部；以及用金屬來填補其内，由此以形成 本紙張尺度適用t國國家梯準（CMS ) Α4规格（210Χ297公釐） --------/.黎------訂---.--J ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局®:工消費合作杜印製 Α7 Β7 五、發明説明（3) 導管35，如第1 B圖所示。 於下一步驟中，藉由利用噴鍍方法，將由電氣導通材 料製成的一第二薄膜層60形成在包括導管35的彈性層70之 頂部上。此第二薄膜層60經由形成在支承構件30内的導管 35電氣連接至電晶體。 因此，藉由利用噴鍍方法或溶膠-凝膠方法，將由一 壓電性材料，例如錯鈦酸鉛（P Z T )製成的薄膜電位移 層80形成在第二薄膜層60的頂部上，如第1 C圖所示。 在接下來的步驟中，藉由利用光蝕或雷射微調方法， 將薄膜電位移層80、第二薄膜層60以及彈性層70直到暴露 支承層15時，構成一組MX N薄膜電位移構件85陣列、一 組Μ X N第二薄膜電極65陣列以及一組Μ X N彈性構件75 陣列的圖案，如第1 D圖所示。每一第二薄膜電極65經由 形成在每一支承構件30内的每一導管35電氣連接至每一電 晶體，且於薄膜致動鏡11中作用為一信號電極。 接下來，每一薄膜電位移構件85經高溫熱處理，例如 對Ρ Ζ Τ而言*大約在650f，以允許相位變遷發生因而 形成一組Μ X N熱處理结構（未顯示）。因為每一熱處理 薄膜電位移構件85足夠薄，假如其是由電壓性材料製成， 則無須要將其極化：因為在操作薄膜致動鏡11的期間，其 可被電氣信號所極化。 在上述步驟之後，首先藉由利用噴鍍方法，以形成由 一電氣導通及光反射材料所製成的一層88完全覆蓋此Μ X Ν熱處理結構陣列的頂部，包括暴露之支承層1 5在内，如 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ---------,-Ί•裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -J沭！ 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 305944 a7 B7 五、發明説明（4 ) 第1 E圖所示，然後利用蝕刻方法，選擇性地移除此層88 ，因而造成一組MX N致動鏡結構95陣列90，其中毎一致 動鏡結構95包括一頂表面與四面側面•如第1 F圖所示， 使得於此Μ X N熱處理结構内，由電氣導通及光反射材料 所製成的一組Μ X Ν第一薄膜電極50陣列形成在薄膜電位 移構件85之頂部上。每一薄膜第一薄膜電極50於薄膜致動 鏡11中，作用為一鏡面及偏壓電極， 接下來的步驟即用一薄膜保護層（未顯示）完全地覆 蓋毎一致動鏡結構95中的頂表面與四値側面。 然後藉由利用蝕刻方法將支承層15之薄膜犧牲層40移 除。最後，薄膜保護層被移除以形成Μ X Ν薄膜致動鏡11 陣列，如第1 G圖所示。 有闊上述之用以製造ΜΧΝ薄膜致動鏡11陣列10的方 法有某些缺點。形成薄膜電位移構件85的過程包括高溫處 理，因此*必須小心選擇一適當的材料供薄膜犧牲層40用 ，以使其可以在形成過程中承受高溫。另外，因為用以製 造陣列10的方法包含高溫處理，供薄膜致動鏡11中之電極 所用的材料及主動矩陣20中的傳導線画型亦必須可以承受 高溫，然而此種材料通常昂貴，因而增加製造陣列10的費 用。 更進一步地，在形成薄膜電位移構件85過程所需的高 溫會相反地影遒毎一致動鏡11的結構完整性，此折損陣列 10之金面性的效能。 因此，本發明之主要目的即提供用於光學投影条統中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨Ο X 297公釐） I '装 "一訂 ： rj·^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3ϋ5ύ44 Α7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 Β7 五、發明説明（5 ) 之一組MXN薄膜致動鏡陣列，免除在其製造期間之高溫 處理過程。 本發明之另一目的為提供使用於光學投影条統中，用 以製造一組MXN薄膜致動鏡陣列的方法，以避免高溫處 理過程，因此使選擇供薄膜犧牲層的材料更容易。 依據本發明的一觀點，提供用於光學投影条統中之一 組MX N薄膜致動鏡陣列，其中Μ與N均為整數，每一薄 膜致動鏡具有一雙層壓電结構，此陣列包含：一値具有一 頂表面之主動矩陣，且包括一艏帶有一組MX Ν連接端子 陣列與一組Μ X N電晶髏陣列的基質；以及一組Μ X N値 致動結構的陣列，毎一致動結構設置有一近及一遠端，每 一致動結構包括一用以作為一第二偏壓電極之第二薄膜電 極、一具有一頂及底表面之下電位移搆件、一用以作為一 信號電極之中間薄膜電極、一具有頂及底表面之上電位移 構件以、及一用以作用為一鏡面及一第一偏壓電極之第一 薄膜電極，其中上及下電位移構件由中間薄膜電極所隔開 ，第一薄膜電極位置在上電位移構件之頂表面上，第二薄 膜電極坐落在下電位移構件之底表面上，中間薄膜電極經 由每一連接端子電氣連接至每一電晶體，且每一致動结構 之近端附接至主動矩陣的頂表面上，使得形成該具有雙層 壓電結構的薄膜致動鏡。 依據本發明的另一觀點，提供一種用以製造用於光學 投影糸統中之一組Μ X Ν薄膜致動鏡陣列的方法，其中Μ 與Ν均為整數，每一薄膜致動鏡具有一雙層壓電結構，此 -8 - 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X 297公釐） ---------7 -裝------訂--ί---.-1威 1· (請先閲讀背面之注意項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（6 ) 方法包含下列步驟：提供一具有一頂表面之主動矩陣；此 主動矩陣包括一傾帶有一組MX N電晶體陣列與一組MX N連接端子陣列的基質；在此主動矩陣頂表面上積設一薄 膜犧牲層；移除形成在每一連接端子之頂部上的薄膜犧牲 層部位；在包括薄膜犧牲層之主動矩陣頂部上，形成由一 第二電氣導通材料製成的第二薄膜電極層；移除形成在主 動矩陣中之每一連接端子頂部上的第二薄膜電極層部位； 積設一下電位移層在主動矩陣與第二薄膜電極層之頂部上 •，製作一組Μ X N陣列之洞，每一洞具有内部表面且由下 電位移層之頂部延伸至每一連接端子的頂部；在包括毎一 洞的内表面之下電位移層頂部上•形成由一第一電氣導通 材料製成的中間電極層；積設一上電位移層在中間電極層 之頂部上，同時填補此等洞；在上電位移層之頂部上，形 成由一電氣導通及光反射材料製成的第一薄膜電極層，由 此形成包括一第一薄膜電極層、一上電位移層、一中間薄 膜電極層、一下電位移層、及一第二薄膜電極層之一多層 結構；將多層結構構成一組Μ X Ν半完工的致動結構陣列 圖案，其中每一半完工的致動结構包括一第一薄膜電極、 —上電位移構件、一中間薄膜電極、一下電位移構件、及 一第二薄膜電極；以及移除薄膜犧牲層以形成該Μ X Ν薄 膜致動鏡陣列。 由下面給予的較佳實施例連同附圖之描述，將使本發 明之上述及其它目的與特擻變得明顯，其中： 第1 Α至1 G圖為圖例截面圖，繪示先前所掲露之用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------裝------訂--------.1旅 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 Β7 五、發明説明（7 ) 以製造一組Μ X N薄膜致動鏡陣列的方法； 第2圖為一幅依據本發明所成之一組MX Ν薄膜致動 鏡陣列的立體截面圖； 第3 A至3 Η圖為圖例截面圖，陳述用以製造依據本 發明所成之一組Μ X Ν薄膜致動鏡陣列的方法；以及 第4圖為第2圖所示之薄膜致動鏡陣列的立體圖。 元件參者撞號對昭丟 10、 90、100陣列 30支承構件 11、 101薄膜致動鏡 35導管 ---------^ ‘裳-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局貞工消費合作社印製 15 支承層 40 ' 140 犧牲層 20 、120主動矩陣 50、 155 第一薄 膜 電 極 22 、122基質 60 ； 第二薄膜層 24 、：124連接端子 65、 165 第二薄 膜 電 極 70 彈性層 130 中間 電極層 75 彈性構件 135 中間 薄膜電 極 80 電位移層 150 弟一 薄膜電 極 層 85 電位移構件 160 第二 薄膜電 極 層 88 層 170 上電 位移層 95 致動鏡結構 175 上電 位移構件 111 致動結構 180 下電 位移層 185 下電位移構件 250 半完 工的致 動 結 構 190 洞 300 光反射部 200 多層結構/致動部 400 間隙 在第2、3Α至3Η及4圖中，分別提供用於光學投 -10 - 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） i A7 B7 . 五、發明説明（8) 影条統中之一組Μ X N薄膜致動鏡101陣列100的立體截面 圖，其中Μ與Ν均為整數、及一幅圖例截面圖，陳述依據 本發明的較佳實施例之用以製造其方法。須注意於第2、 3 Α至3 Η及4圖中出現的相同的參考標號代表相同的元 件。 於第2圖中，提供一幅發明的Μ X Ν薄膜致動鏡101 陣列100之立截面圖，包含一主動矩陣120及一組Μ X Ν致 動結構111陣列，其中每一致動結構具有一雙層壓電結構 Ο 主動矩陣120具有一頂表面且包括一基質122，此基質 帶有一組MX Ν連接端子124陣列、一傳導線圖型（未顯 示）及一組Μ X N電晶體（未顯示）陣列，每一連接端子 124電氣連接至每一電晶體。 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 -------J 丨装------訂------J 冰 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 每一致動結構111設置有一對致動部200及一位於該對 致動部200間之光反射部300，其中反射部300部分地以一 間隙400與各致動部隔離，如第4 _所示。再者，各致動 部係設置有一近及一遠端。毎一致動結構111、及其中每 艏致動部200及光反射部300包括一用以作用為一第二偏壓 電極之第二薄膜電極165、一具有一頂及底表面之下電位 移構件185、一用以作用為一信號電極之中間薄膜電極135 、一具有頂及底表面之上電位移構件175以及一用以作甩 為一鏡面及一第一偏壓電極之第一薄膜電極155，其中每 一致動結溝111中之每一致動部200之近端阽附至主動矩陣 120的頂表面上：上與下電位移溝件丨75、185由中間薄膜 -11 -本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（9 ) 電極135所隔開。第一薄膜電極155積設在上電位移構件175 之頂表面上。第二薄膜電極165坐落在下電位移構件185之 底表面上。中間薄膜電極135經由每一連接端子124電氣連 接至每一電晶體。於每一薄膜致動鏡101中之上與下電位 移構件175、185為由晶體非對稱材料，例如鋅氧化物（Ζ η 0 )所製成，此材料更進一步地具有待擻：其顯現出無延 滯圈；且可形成在200°C至300 °C範圍之溫度。使用供上與 下電位移構件175、185用之此種材料因此尋許於第一、第 二、以及中間薄膜電極155、165、135中使用低鎔點及較 便宜的電極材料，例如鋁（A 1 )或銀（A g )，由此降 低全面性之陣列100的製造費用。 上電位移構件175之極化方向等於下電位移構件185之 極化方向。當作用一電場跨過於每一薄膜致動鏡101中之 上與下電位移構件175、185時，則電位移搆件之一的極化 方向與電場相符，且另一電位移構件的極化方向與電場相 反。在此種情況時，極化方向與電場相符的電位移構件將 垂直向擴張且水平向收縮*且極化方向與電場相反的電位 移構件將垂直向收縮且水平向擴張，由此引發一雙層壓電 模式。 第3 A至3 Η圖為圖例截面画，陳述用以製造依據本 發明所成之一組Μ X Ν薄膜致動鏡101陣列1〇〇的方法。 用以製造陣列100的過程由準備主動矩陣120開始，此 主動矩陣具有一頂表面且包活一基質122,此基質帶有一 組Μ X Ν連接端子124陣列、一傳導線画型（未顯示）及 -12 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CN’S ) Α4規格（210Χ297公釐） ----------^-裝------訂--------J線—- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局身工消费合作社印製 305944 A7 _B7_ 五、發明説明（10) 一組Μ X N電晶體（未顯示）陣列，其中基質122由絶材 料，例如玻璃，所製成。 之後，由一氣化物，例如Ζ η 0，或一聚合物，例如 聚醯亞胺所製成且具有一 1 一 2 ϋ m厚度的薄膜犧牲層140 被形成在主動矩陣120之頂部上，其中假如薄膜犧牲層140 由氧化物所製成，則藉由利用噴鍍或真空蒸鍍方法，以及 假如薄膜犧牲層140由聚合物所製成，則藉由利用旋轉鍍 膜方法來完成。如先前所示，使用Ζ η ◦供上與下電位移 構件175、185用，消除習知技術中所利用的高溫處理過程 ，使得選擇適當供薄膜犧牲層140用的材料較容易。 接下來的步驟中，藉由利用光蝕法，將主動矩陣120 中形成在每一連接端子124頂部上的薄膜犧牲層140部位移 除，如第3 Α圖所示。 於後繼的步驟中，由一第二電氣導通材料*例如A 1 所製成，且具有Ο · 1 — 2 厚度的第二薄膜電極層160 ，藉由利用噴鍍或真空蒸鍍方法形成在包括薄膜犧牲層140 的主動矩陣120頂部上。 之後，藉由利用光蝕或激光徹調方法’將主動矩陣120 中形成在每一連接端子124頂部上的第二薄膜電極層160部 位移除，如第3 B圖所示。 如第3C圖所示，由〇·1一2wm厚度之Zn◦製 成的一下電位移層180，藉由利用真空蒸鍍或噴鍍方法形 成在包括第二薄膜電極層16〇的主動矩陣120頂部上。一 Ζ η 〇薄膜可在大約200 t - 300 t被形成： -13 - 本紙垠尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------.-装------訂-----IJ ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 A7 __B7_ 五、發明説明（n) 於接下來的步驟中，如第3 D圖所示*藉由利用蝕刻 方法形成一組Μ X N洞190陣列，每一洞190具有内部表面 且由下電位移層180之頂部，穿過主動矩陣120，延伸至每 一連接端子124的頂部。 如第3 Ε圖所示，由一第一電氣導通材料，例如A I 、所製成且具有一 0 · 1-2^0厚度的中間電極層130 ，藉由利用噴鍍或真空蒸鍍方法，將其形成在包括洞190 之内部表面的下電位移層180之頂部上。 於後繼的步驟中，藉由利用真空蒸鍍或噴鍍方法，與 下電位移層180相同的材料所製成且具有Ο · 1— 2wm 厚度的上電位移層170被形成在中間電極層130之頂部上， 同時填補洞190，如第3 F圖所示。 如第3 G圖所示，由一電氣導通及光反射材料，例如 A1或Ag，且具有0 · 1— 厚度的第一薄膜電極 層150，籍由利用噴鍍或真空蒸鍍方法，將其形成在上電 位移層170之頂部上，由此形成一多層結構200,包括第一 薄膜電極層150、上電位移層170、中間電極層130、下電 位移層180以及第二薄膜電極層160。 之後，藉由利用光蝕或激光徹調方法，使此多層結構 2 00直到薄膜犧牲層1 40暴露，而構成一 Μ Μ X N半完工的 致動結構250陣列，包括第一薄膜電極155、上電位移構件 175、中間薄膜電極135、下電位移構件185以及第二薄膜 電極16 5。 在接下來的步驟中，藉由利用蝕刻方法將薄膜犧牲層 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） ---------装------訂---1.--IJ / (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 Β7 五、發明説明（12) 140移除*由此形成Μ X N薄膜致動鏡101陣列1〇〇 ,如第 3 Η圖所示。 與先前掲露之用以製造Μ X Ν薄膜致動鏡1 1陣列10的 方法作比較，其中高溫處理過程被需求，用以迫使構成薄 膜電位移層80之電位移材料中産生相變，於本發明方法中 ，因為每一致動結構111之上與下電位移搆件175、185是 由Ζ η Ο製成，此高溫處理過程可被移除，因而可能由一 較大範圍的材料中選擇供薄膜犧牲層140使用之材料。 另外，使用Ζ η ◦供上與下電位移構件1 75、185用， 因此尋許於薄膜致動鏡101中之第一、第二、以及中間薄 膜電極155、165、135，及主動矩陣120中之傳導線圖型使 用低鎔點及較便宜的材料，由此降低全面性之陣列100的 製造費用。 更進一步地，因為不使用高溫處理過程來形成陣列 100，因此結搆完整性、及其效能會保存比較好° 雖然本發明只依據持定較佳實施例來描述’然而以不 偏離本發明之範蹯可做出其它的修飾或改變’本發明之範 疇如下面之申請專利範圍所陳述。 n n n l^j - -i m n^lbt i n m In..... 丁 m m - I -n n ir (請先閱讀背面之注意事項再填寫本 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 -15 - 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4规格（21 〇 X 297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局工消费合作社印装 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第841 1 1042號申請案申請專利範圍修正本 85. 10. 19 . 1.一種MX N薄膜致動鏡陣列，其中N1與N均為整數， 該陣列偽供用於一光學投影条統中，此陣列包含： 一個主動矩陣，具有一頂表面且包括一値基質， 該基質帶有一組Μ X N形成於基質頂部之連接端子陣 列與一組Μ X Ν電晶髏陣列；以及 一組Μ X Ν値致動結構陣列，每一致動结構具有 一對致動部及一位於該對致動部之間的光反射部，每 一致動部包括一近及一遠端，每一致動結構、及致動 部與光反射部包括一第二薄膜電極、一具有一頂及一 底表面之下電位移構件、一中間薄膜電極、一具有頂 及底表面之上電位移構件、以及一第一薄膜電極，其 中該等上及下電位移構件由該中間薄膜電極所隔開， 該第一薄膜電極設置在該上電位移構件之頂表面上， 該第二薄膜電極坐落在該下電位移構件之底表面上， 該中間薄膜電極經由每一連接端子電氣連接至每一電 晶體’且每一該等致動結構之每一致動部的近端附接 至該主動矩陣的頂表面上，由此形成該薄膜致動鏡。 2 .如申請專利範圍第丨項之陣列，其中該第一薄膜電極 電氣連接至該第二薄膜電極。 3 .—種用以製造一組Μ X N薄膜致動鏡陣列的方法，其 中Μ與Ν均為整數，該陣列傜供用於一光學投影条統 中’每一薄膜致動鏡具有一雙層壓電結構，該方法包 含下列步驟： * 16 - 本紙張尺度逋用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） ----------裝------訂--------1 t (請先聞讀背面之注意^項再填寫本頁) Α8 Β8 C8 D8 305944 、申請專利範圍 提供一具有一頂表面之主動矩陣，該主動矩陣包 括一個帶有一組Μ X Ν電晶體陣列與一組Μ X Ν連接 端子陣列的基質； 在該主動矩陣之頂表面上沉積一薄膜犧牲層； 移除形成在主動矩陣上之毎一連接端子的頂部上 之薄膜犧牲層部位； 在包括該薄膜犧牲層之該主動矩陣的頂部上，形 成由一第二電氣導通材料製成的一第二薄膜電極層； 移除形成在該主動矩陣中之每一連接端子頂部上 的該第二薄膜電極層部位； 積設一下電位移層在該主動矩陣與該第二薄膜電 極層之頂部上； 製作一組Μ X Ν痼洞陣列，每一洞具有内部表面 且由該下電位移層之頂部延伸至每一連接端子的頂部 » 在包括每一該等洞之内表面的該下電位移層頂部 上，形成由一第一電氣導通材料所製成的一中間電極 層； 積設一上電位移層在該中間電極層之頂部上，同 時填補該等洞； 在該上電位移層之頂部上，形成由一電氣導通及 光反射材料所製成的一第一薄膜電極層，由此形成包 括該第一薄膜電極層、該上電位移層、該中間簿膜電 極層、該下電位移層、及該第二薄膜電極層之一多層 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X2^7公釐） -------—-裝------訂--I---Ί4 ^ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裂 中請專利範圍 A8 B8 C8 D8 結構； 將該多層結構構成一組Μ X N半完工的致動結構 陣列圖案’其中每一該等半完工的致動結構包括—第 一薄膜電極、一上電位移構件、一中間薄膜電極、一 下電位移構件、及一第二薄膜電極；以及 移除該薄膜捿牲層以形成該Μ X Ν薄膜致動鏡陣 列 如申請專利範圍第3項之方法，其中該等上與下電位 移層是由一晶體非對稱性材料所製成。 如申請專利範圍第4項之方法，其中該晶體非對稱性 材料是Ζ η ◦ 如申請專利範圍第3項之方法，其中該等上與下電位 移層以0 . 1 — 2 w m之厚度形成 經濟部中央榡準局貝工消費合作社印袋 7 ·如申請專利範 移層傜使用一 8 .如申請專利範 由一氧化物或一聚合物所製成： 9 _如申請專利範圍第3項之方法，其中若該薄膜犧牲層 是由一氣化物 方法，且若該 圍第3項之方法*其 真空蒸鍍或一噴鍍方 圍第3項之方法，其 中該等上與下電位 法來形成。 中該薄膜犧牲層是 製成，則藉由使用一噴鍍或一真空蒸鍍 薄膜犧牲層是由一聚 合物所製成，則藉 由使用一旋轉鍍膜方法，來形成該薄膜犧牲層。 圍第3項之方法，其中該等第一薄膜、 間電極層是Μ由使用一噴I度或一真空蒸 1 〇.如申請專利範 第二薄膜及中 镀方法來形成 本紙張尺度適财11¾¾ ( CNS ) A4規格（2淑297公着） ----------裝------訂--1'I-t (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 S05944 I 々、申請專利範圍 11 .如申請專利範圍第3項之方法，其中該第二薄膜電極 層、該中間電極層及該第一薄膜電極層以〇. 1 — 2 W m 之厚度形成。 ^^^1 t^^i— ^^^^1 —in 11 nn mi nvf 111 VKH ml—*nn am VM— $ 、vm · - ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) .M規格（2丨0X297公釐〉