JPH07140402A - 圧電アクチュエータミラーアレーおよびその製造方法 - Google Patents
圧電アクチュエータミラーアレーおよびその製造方法Info
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- JPH07140402A JPH07140402A JP6108464A JP10846494A JPH07140402A JP H07140402 A JPH07140402 A JP H07140402A JP 6108464 A JP6108464 A JP 6108464A JP 10846494 A JP10846494 A JP 10846494A JP H07140402 A JPH07140402 A JP H07140402A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層圧電セラミック構造を用いないＭ×Ｎ個
の圧電アクチュエーチドミラーアレーおよびその製造方
法を提供すること。 【構成】 基板およびＭ×Ｎ個のトランジスタアレーを
有するアクティブ基板マトリックス４９と、Ｍ×Ｎ個の
圧電アクチュエータアレーと、同数個の圧電アクチュエ
ータの各トレンチ４７に対応して形成された突出部が設
けられた下，上面を有するＭ×Ｎ個のヒンジ５３アレー
と、アクティブ基板マトリックスと信号電極４１とを電
気的に接続するＭ×Ｎ個の接続端子６０アレーと、Ｍ×
Ｎ個のヒンジの各上面上に各々装着されたＭ×Ｎ個のミ
ラー５９アレーとを含み、Ｍ×Ｎ個の圧電アクチュエー
タの各々は、圧電部材上に形成され深さが固定されたト
レンチにより均一に分離された上，下面を有する圧電部
材と、下面上に位置し中心線がトレンチの中心線と一致
する信号電極と、分離された上面上に位置した一対の共
通基準電極４４とを備える構成。
の圧電アクチュエーチドミラーアレーおよびその製造方
法を提供すること。 【構成】 基板およびＭ×Ｎ個のトランジスタアレーを
有するアクティブ基板マトリックス４９と、Ｍ×Ｎ個の
圧電アクチュエータアレーと、同数個の圧電アクチュエ
ータの各トレンチ４７に対応して形成された突出部が設
けられた下，上面を有するＭ×Ｎ個のヒンジ５３アレー
と、アクティブ基板マトリックスと信号電極４１とを電
気的に接続するＭ×Ｎ個の接続端子６０アレーと、Ｍ×
Ｎ個のヒンジの各上面上に各々装着されたＭ×Ｎ個のミ
ラー５９アレーとを含み、Ｍ×Ｎ個の圧電アクチュエー
タの各々は、圧電部材上に形成され深さが固定されたト
レンチにより均一に分離された上，下面を有する圧電部
材と、下面上に位置し中心線がトレンチの中心線と一致
する信号電極と、分離された上面上に位置した一対の共
通基準電極４４とを備える構成。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光投射システムに関する
もので、特に、光投射システムに用いるためのＭ×Ｎア
クチュエーチドミラーアレーとそれを製造する方法に関
するものである。
もので、特に、光投射システムに用いるためのＭ×Ｎア
クチュエーチドミラーアレーとそれを製造する方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】当分野で知られている多様なビデオディ
スプレイシステムの中、光投射システムは高品質の大画
面ディスプレイを提供し得るシステムということで知ら
れている。かかる光投射システムにおいては、ランプか
らの光が、例えばＭ×Ｎ個のアクチュエィテッドミラー
に均一に照明され、これらミラーを介した各々の光はア
クチュエータの各々に結合される。これらのアクチュエ
ータは、印加された電気信号によって変形される圧電物
質、またはエレクトロストリクティブ(electrostrictiv
e,電歪）物質のようなエレクトロディスプレイシブ（el
ectrodisplacive）物質から成っている。
スプレイシステムの中、光投射システムは高品質の大画
面ディスプレイを提供し得るシステムということで知ら
れている。かかる光投射システムにおいては、ランプか
らの光が、例えばＭ×Ｎ個のアクチュエィテッドミラー
に均一に照明され、これらミラーを介した各々の光はア
クチュエータの各々に結合される。これらのアクチュエ
ータは、印加された電気信号によって変形される圧電物
質、またはエレクトロストリクティブ(electrostrictiv
e,電歪）物質のようなエレクトロディスプレイシブ（el
ectrodisplacive）物質から成っている。
【０００３】各々のミラーから反射された光は、バフル
(baffle)の開口(aperture)へ入射される。各々のアクチ
ュエータへ電気信号を印加することによって、各々のミ
ラーの入射光束に対する相対的な位置が変化されて、各
々のミラーから反射された光の光路が変更される。各々
の反射された光の光路が変わって開口を通過する各々の
ミラーから反射された光量が変わることによって、光束
の強さが変調される。開口を通過して変調された光は、
投射レンズのような光装置を通して投射スクリーン上へ
伝達されて映像を表すことになる。
(baffle)の開口(aperture)へ入射される。各々のアクチ
ュエータへ電気信号を印加することによって、各々のミ
ラーの入射光束に対する相対的な位置が変化されて、各
々のミラーから反射された光の光路が変更される。各々
の反射された光の光路が変わって開口を通過する各々の
ミラーから反射された光量が変わることによって、光束
の強さが変調される。開口を通過して変調された光は、
投射レンズのような光装置を通して投射スクリーン上へ
伝達されて映像を表すことになる。
【０００４】図７は、従来のＭ×Ｎ（ＭおよびＮは定
数）個のアクチュエィテッドミラーアレー１００の断面
を示したものである。このアクチュエィテッドミラーア
レー１００は、アクティブ基板マトリックス１、Ｍ×Ｎ
個のアクチュエータ、例えば４０，４０´，４０″から
なるアレー４、これに対応して設けられ、Ｍ×Ｎ個のミ
ラー、例えば７０，７０´，７０″からなるアレー７、
およびこれに対応して設けられ、Ｍ×Ｎ個の接続端子,
例えば９０，９０´，９０″からなるアレー９を含む。
数）個のアクチュエィテッドミラーアレー１００の断面
を示したものである。このアクチュエィテッドミラーア
レー１００は、アクティブ基板マトリックス１、Ｍ×Ｎ
個のアクチュエータ、例えば４０，４０´，４０″から
なるアレー４、これに対応して設けられ、Ｍ×Ｎ個のミ
ラー、例えば７０，７０´，７０″からなるアレー７、
およびこれに対応して設けられ、Ｍ×Ｎ個の接続端子,
例えば９０，９０´，９０″からなるアレー９を含む。
【０００５】各々のアクチュエータ、例えば４０は、上
面４６，下面４７および一対の外面４８ａ，４８ｂを有
するとともに、一対のエレクトロディスプレーシブ部材
４２ａ，４２ｂ、これら一対のエレクトロディスプレー
シブ部材４２ａ，４２ｂ間に位置する共通信号電極４
３、およびアクチュエータ４０の一対の外面４８ａ，４
８ｂ上の一対の基準電極４４ａ，４４ｂを各々含むバイ
モフ(bimorph) 構造を備える。（４０，４０′，４０″
などで表示されたアクチュエータは全て同一であるの
で、次の説明ではアクチュエータ４０だけを説明す
る。） エレクトロディスプレーシブ部材４２ａ，４２ｂは圧電
物質、例えば、リードジルコニウムチタネート(PZT) や
エレクトロストリクティブ物質、例えば、リードマグネ
シウムニオベートーリードチタネート(PMT-PT)のような
エレクトロディスプレーシブ物質から成っている。
面４６，下面４７および一対の外面４８ａ，４８ｂを有
するとともに、一対のエレクトロディスプレーシブ部材
４２ａ，４２ｂ、これら一対のエレクトロディスプレー
シブ部材４２ａ，４２ｂ間に位置する共通信号電極４
３、およびアクチュエータ４０の一対の外面４８ａ，４
８ｂ上の一対の基準電極４４ａ，４４ｂを各々含むバイ
モフ(bimorph) 構造を備える。（４０，４０′，４０″
などで表示されたアクチュエータは全て同一であるの
で、次の説明ではアクチュエータ４０だけを説明す
る。） エレクトロディスプレーシブ部材４２ａ，４２ｂは圧電
物質、例えば、リードジルコニウムチタネート(PZT) や
エレクトロストリクティブ物質、例えば、リードマグネ
シウムニオベートーリードチタネート(PMT-PT)のような
エレクトロディスプレーシブ物質から成っている。
【０００６】アクチュエータ４０の下面４７は、アクテ
ィブ基板マトリックス１上に装着され、ミラー７０はア
クチュエータ４０の上面４６上に装着される。さらに、
接続端子９０はアクティブ基板マトリックス１とアクチ
ュエータ４０の共通信号電極４３とを電気的に接続する
ために用いられる。
ィブ基板マトリックス１上に装着され、ミラー７０はア
クチュエータ４０の上面４６上に装着される。さらに、
接続端子９０はアクティブ基板マトリックス１とアクチ
ュエータ４０の共通信号電極４３とを電気的に接続する
ために用いられる。
【０００７】共通信号電極４３と基準電極４４ａ，４４
ｂとの間に電圧が印加された時、そのあいだに位置した
エレクトロディスプレーシブ物質４２ａ，４２ｂは電圧
の極性により形成された方向に変形される。
ｂとの間に電圧が印加された時、そのあいだに位置した
エレクトロディスプレーシブ物質４２ａ，４２ｂは電圧
の極性により形成された方向に変形される。
【０００８】前述した光投射システムに用いられるＭ×
Ｎ個のエレクトロディスプレーシブアクチュエータアレ
ーの製造方法は、本出願人により出願されて係留中であ
る米国特許第 号、発明の名称“アクチュエ
ータアレーおよびその製造方法”に記載されている。そ
の製造方法は、(1) Ｍ層の第１導電性金属層およびＭ×
１層のエレクトロディスプレーシブ物質層から成る多層
セラミック構造体を形成するステップと、(2) 前記第１
導電性金属層に垂直である方向に沿って前記多層セラミ
ック構造体をスライスすることにより複合セラミックウ
ェーハを得るステップと、(3) ソーイング(sawing)など
の機械的な手段を用いて互いに平行に延長する多数の均
一に離隔された横方向トレンチを設けるステップと、
(4) 第２導電性金属層を沈積するステップと、(5) Ｍ×
Ｎ個のエレクトロディスプレーシブアクチュエータアレ
ーを得るために、ステップ(3),(4) により準備された複
合セラミックウェーハ上にＮ−１個の均一に離隔された
縦方向切断部を形成するステップとを含み、第１導電性
金属層の各層はエレクトロディスプレーシブ物質の二つ
の層の間に位置し、各トレンチは二つの隣接した第１導
電性金属層から等間隔を保つ。
Ｎ個のエレクトロディスプレーシブアクチュエータアレ
ーの製造方法は、本出願人により出願されて係留中であ
る米国特許第 号、発明の名称“アクチュエ
ータアレーおよびその製造方法”に記載されている。そ
の製造方法は、(1) Ｍ層の第１導電性金属層およびＭ×
１層のエレクトロディスプレーシブ物質層から成る多層
セラミック構造体を形成するステップと、(2) 前記第１
導電性金属層に垂直である方向に沿って前記多層セラミ
ック構造体をスライスすることにより複合セラミックウ
ェーハを得るステップと、(3) ソーイング(sawing)など
の機械的な手段を用いて互いに平行に延長する多数の均
一に離隔された横方向トレンチを設けるステップと、
(4) 第２導電性金属層を沈積するステップと、(5) Ｍ×
Ｎ個のエレクトロディスプレーシブアクチュエータアレ
ーを得るために、ステップ(3),(4) により準備された複
合セラミックウェーハ上にＮ−１個の均一に離隔された
縦方向切断部を形成するステップとを含み、第１導電性
金属層の各層はエレクトロディスプレーシブ物質の二つ
の層の間に位置し、各トレンチは二つの隣接した第１導
電性金属層から等間隔を保つ。
【０００９】第１および第２導電性金属層は、完成され
たアクチュエーチドミラーアレー内で、共通信号電極、
例えば、４３および基準電極、例えば、４４ａ，４４ｂ
として各々機能する。
たアクチュエーチドミラーアレー内で、共通信号電極、
例えば、４３および基準電極、例えば、４４ａ，４４ｂ
として各々機能する。
【００１０】Ｍ×Ｎ個のエレクトロディスプレーシブア
クチュエータアレー上にＭ×Ｎのミラーアレーを付着す
る方法は、本出願人により出願されて係留中である米国
特許第 号、発明の名称“ミラーアレーおよ
びその製造方法”に記載されている。その製造方法は、
(1) 基板上に分離層を形成するステップと、(2) 前記分
離層上にミラー層を沈積するステップと、(3) Ｍ×Ｎ個
のミラーアレーに前記ミラー層を区分するステップと、
(4) 前記ステップ(1) 〜(3) によって処理された基板上
に支持層を設けるステップと、(5) 各々のＭ×Ｎ個のエ
レクトロディスプレーシブアクチュエータがステップ
(3) で区分されたＭ×Ｎ個の各々のミラーと整合するよ
うに支持層上にアクチュエータアレーを接着するステッ
プと、(6)支持層とミラーから基板を離すことによっ
て、分離層を除去するステップと、(7）Ｍ×Ｎ個のアク
チュエーチドミラーアレーを提供するために、各部材が
各Ｍ×Ｎ個のミラーに相応するが、Ｍ×Ｎ個の分解され
た支持部材に支持層をパターン化するステップとを含
む。
クチュエータアレー上にＭ×Ｎのミラーアレーを付着す
る方法は、本出願人により出願されて係留中である米国
特許第 号、発明の名称“ミラーアレーおよ
びその製造方法”に記載されている。その製造方法は、
(1) 基板上に分離層を形成するステップと、(2) 前記分
離層上にミラー層を沈積するステップと、(3) Ｍ×Ｎ個
のミラーアレーに前記ミラー層を区分するステップと、
(4) 前記ステップ(1) 〜(3) によって処理された基板上
に支持層を設けるステップと、(5) 各々のＭ×Ｎ個のエ
レクトロディスプレーシブアクチュエータがステップ
(3) で区分されたＭ×Ｎ個の各々のミラーと整合するよ
うに支持層上にアクチュエータアレーを接着するステッ
プと、(6)支持層とミラーから基板を離すことによっ
て、分離層を除去するステップと、(7）Ｍ×Ｎ個のアク
チュエーチドミラーアレーを提供するために、各部材が
各Ｍ×Ｎ個のミラーに相応するが、Ｍ×Ｎ個の分解され
た支持部材に支持層をパターン化するステップとを含
む。
【００１１】しかし、前述した従来のＭ×Ｎ個のエレク
トロディスプレーシブアクチュエータの製造方法と、そ
の上にＭ×Ｎ個のミラーアレーを付着する方法には多く
の問題点があった。まず、完成されたアクチュエーチド
ミラーアレーで共通信号電極４３として機能する第１導
電性金属層は、多層セラミック構造体準備工程による焼
結中に曲がり易いため、正確な寸法を有するトレンチと
アクチュエータとを形成することが極めて困難であっ
た。さらに、Ｍ×Ｎ個の圧電アクチュエーチドミラーア
レーを製造する場合、多層セラミック構造は、前述した
ステップを行う前に高ＤＣ電圧下で維持され分極されな
ければならないので、電気的破壊(electrical breakdow
n)や電気的減衰(electrical degradation)を起こすこと
がある。また、Ｍ×Ｎ個のエレクトロディスプレーシブ
アクチュエータアレーは、ソーイングのような機械的手
段を用いて製造されるので、Ｍ×Ｎ個のエレクトロディ
スプレーシブアクチュエーチドミラーアレーに製造にお
いて、信頼性や収率、複製性(reproducibility) で要求
される程度を得ることが極めて難しい。さらに、かかる
手段を用いてアクチュエーチドミラーアレーを小型化す
るには限界がある。
トロディスプレーシブアクチュエータの製造方法と、そ
の上にＭ×Ｎ個のミラーアレーを付着する方法には多く
の問題点があった。まず、完成されたアクチュエーチド
ミラーアレーで共通信号電極４３として機能する第１導
電性金属層は、多層セラミック構造体準備工程による焼
結中に曲がり易いため、正確な寸法を有するトレンチと
アクチュエータとを形成することが極めて困難であっ
た。さらに、Ｍ×Ｎ個の圧電アクチュエーチドミラーア
レーを製造する場合、多層セラミック構造は、前述した
ステップを行う前に高ＤＣ電圧下で維持され分極されな
ければならないので、電気的破壊(electrical breakdow
n)や電気的減衰(electrical degradation)を起こすこと
がある。また、Ｍ×Ｎ個のエレクトロディスプレーシブ
アクチュエータアレーは、ソーイングのような機械的手
段を用いて製造されるので、Ｍ×Ｎ個のエレクトロディ
スプレーシブアクチュエーチドミラーアレーに製造にお
いて、信頼性や収率、複製性(reproducibility) で要求
される程度を得ることが極めて難しい。さらに、かかる
手段を用いてアクチュエーチドミラーアレーを小型化す
るには限界がある。
【００１２】また、Ｍ×Ｎ個のエレクトロディスプレー
シブアクチュエータアレーの上にＭ×Ｎ個のミラーアレ
ーを付着する従来の方法においては、Ｍ×Ｎ個の各々の
ミラーをＭ×Ｎ個のエレクトロディスプレーシブアクチ
ュエータ各々と整列することは極めて困難で、また支持
層とミラーから基板を分離するにおいて分離層を除去す
ることも困難であった。
シブアクチュエータアレーの上にＭ×Ｎ個のミラーアレ
ーを付着する従来の方法においては、Ｍ×Ｎ個の各々の
ミラーをＭ×Ｎ個のエレクトロディスプレーシブアクチ
ュエータ各々と整列することは極めて困難で、また支持
層とミラーから基板を分離するにおいて分離層を除去す
ることも困難であった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
一つの目的は、多層圧電セラミック構造を用いないＭ×
Ｎ（ＭおよびＮは定数) 個の圧電アクチュエーチドミラ
ーアレーおよびその製造方法を提供することにある。
一つの目的は、多層圧電セラミック構造を用いないＭ×
Ｎ（ＭおよびＮは定数) 個の圧電アクチュエーチドミラ
ーアレーおよびその製造方法を提供することにある。
【００１４】本発明の他の目的は、半導体製造に用いら
れる製造技術を用いる複製性，信頼性および収率が高い
Ｍ×Ｎ個の圧電アクチュエーチドミラーアレーおよびそ
の製造方法を提供することにある。
れる製造技術を用いる複製性，信頼性および収率が高い
Ｍ×Ｎ個の圧電アクチュエーチドミラーアレーおよびそ
の製造方法を提供することにある。
【００１５】本発明の他の目的は、分極化のための極め
て高いＤＣ電圧を必要としない、Ｍ×Ｎ個の圧電アクチ
ュエーチドミラーアレーおよびその製造方法を提供する
ことにある。
て高いＤＣ電圧を必要としない、Ｍ×Ｎ個の圧電アクチ
ュエーチドミラーアレーおよびその製造方法を提供する
ことにある。
【００１６】本発明のさらに他の目的は、Ｍ×Ｎ個のミ
ラーの各々と、Ｍ×Ｎ個の圧電アクチュエータの各々と
を容易に整列し得るＭ×Ｎ個の圧電アクチュエーチドミ
ラーアレーおよびその製造方法を提供することにある。
ラーの各々と、Ｍ×Ｎ個の圧電アクチュエータの各々と
を容易に整列し得るＭ×Ｎ個の圧電アクチュエーチドミ
ラーアレーおよびその製造方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、光投射システムに用いられるＭ×Ｎ（Ｍ
およびＮは定数) 個の圧電アクチュエーチドミラーアレ
ーを製造する方法において、ａ）圧電物質から成り、上
面および下面を有するセラミックウェーハを準備するス
テップと、ｂ）前記セラミックウェーハの下面上にＭ×
Ｎ個の信号電極アレーを形成し、前記セラミックウェー
ハの上面上にＭ＋１個の共通基準電極アレーを形成する
ステップと、ｃ）基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタアレー
およびＭ×Ｎ個の接続端子アレーを含むアクティブ基板
マトリックス上に前記ステップ(b) により処理されたセ
ラミックウェーハを搭載して、前記Ｍ×Ｎ個の信号電極
の各々と前記Ｍ×Ｎ個の接続端子の各々を電気的に接続
させるステップと、ｄ）前記Ｍ＋１個の共通基準電極を
上面および下面を各々有するＭ＋１個のフォトレジスチ
ブネークドセグメント(photoresistive necked segmen
t) で覆うステップと、ｅ）Ｍ個のトレンチを設けるス
テップと、ｆ）前記ステップ(b),(c),(d) および(e) に
よって処理されたセラミックウェーハの上面上にＭ×Ｎ
個のヒンジアレーを配置するステップと、ｇ）前記Ｍ×
Ｎ個のヒンジの各々の上面上にミラーを形成するステッ
プと、ｈ）前記Ｍ＋１個のフォトレジスチブネークドセ
グメントを除去するステップと、ｉ）前記Ｍ＋１個の共
通基準電極の各々と共通接地電位を電気的に接続するス
テップとを含み、前記Ｍ＋１個の共通基準電極の各々
は、前記セラミックウェーハの上面を横切って延長し、
前記Ｍ×Ｎ個の信号電極の各々は二つの隣接する共通基
準電極の一部とオーバラップし、前記二つの隣接する共
通基準電極の間の中心線は前記信号電極の中心線と一致
し、前記Ｍ個のトレンチの各々は、二つの共通基準電極
の間に位置し、前記信号電極の中心線上にあり、前記共
通基準電極と平行に延長し、前記Ｍ個のトレンチの各々
には前記トレンチに垂直に延長するＮ−１個のグルーブ
(groove)が設けられ、前記Ｍ×Ｎ個のヒンジの各々は、
前記トレンチに当てはめるように形成された突出部が設
けられた下面および上面を有することを特徴とする。
に、本発明は、光投射システムに用いられるＭ×Ｎ（Ｍ
およびＮは定数) 個の圧電アクチュエーチドミラーアレ
ーを製造する方法において、ａ）圧電物質から成り、上
面および下面を有するセラミックウェーハを準備するス
テップと、ｂ）前記セラミックウェーハの下面上にＭ×
Ｎ個の信号電極アレーを形成し、前記セラミックウェー
ハの上面上にＭ＋１個の共通基準電極アレーを形成する
ステップと、ｃ）基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタアレー
およびＭ×Ｎ個の接続端子アレーを含むアクティブ基板
マトリックス上に前記ステップ(b) により処理されたセ
ラミックウェーハを搭載して、前記Ｍ×Ｎ個の信号電極
の各々と前記Ｍ×Ｎ個の接続端子の各々を電気的に接続
させるステップと、ｄ）前記Ｍ＋１個の共通基準電極を
上面および下面を各々有するＭ＋１個のフォトレジスチ
ブネークドセグメント(photoresistive necked segmen
t) で覆うステップと、ｅ）Ｍ個のトレンチを設けるス
テップと、ｆ）前記ステップ(b),(c),(d) および(e) に
よって処理されたセラミックウェーハの上面上にＭ×Ｎ
個のヒンジアレーを配置するステップと、ｇ）前記Ｍ×
Ｎ個のヒンジの各々の上面上にミラーを形成するステッ
プと、ｈ）前記Ｍ＋１個のフォトレジスチブネークドセ
グメントを除去するステップと、ｉ）前記Ｍ＋１個の共
通基準電極の各々と共通接地電位を電気的に接続するス
テップとを含み、前記Ｍ＋１個の共通基準電極の各々
は、前記セラミックウェーハの上面を横切って延長し、
前記Ｍ×Ｎ個の信号電極の各々は二つの隣接する共通基
準電極の一部とオーバラップし、前記二つの隣接する共
通基準電極の間の中心線は前記信号電極の中心線と一致
し、前記Ｍ個のトレンチの各々は、二つの共通基準電極
の間に位置し、前記信号電極の中心線上にあり、前記共
通基準電極と平行に延長し、前記Ｍ個のトレンチの各々
には前記トレンチに垂直に延長するＮ−１個のグルーブ
(groove)が設けられ、前記Ｍ×Ｎ個のヒンジの各々は、
前記トレンチに当てはめるように形成された突出部が設
けられた下面および上面を有することを特徴とする。
【００１８】別の本発明は、光投射システムに用いられ
るＭ×Ｎ個の圧電アクチュエーチドミラーアレーにおい
て、基板およびＭ×Ｎ個のトランジスタアレーを有する
アクティブ基板マトリックスと、Ｍ×Ｎ個の圧電アクチ
ュエータアレーと、前記Ｍ×Ｎ個の圧電アクチュエータ
の各々のトレンチに当てはめるように形成された突出部
が設けられた下面および上面を有するＭ×Ｎ個のヒンジ
アレーと、前記アクティブ基板マトリックスと信号電極
を電気的に接続するＭ×Ｎ個の接続端子アレーと、前記
Ｍ×Ｎ個のヒンジの各々の上面上に各々装着されたＭ×
Ｎ個のミラーアレーとを含み、前記Ｍ×Ｎ個の圧電アク
チュエータの各々は、圧電部材上に形成された深さが固
定されたトレンチにより均一に分離された上面および下
面を有する圧電部材と、前記下面上に位置し、中心線が
前記トレンチの中心線と一致する信号電極と、前記分離
された上面上に位置した一対の共通基準電極を備えるこ
とを特徴とする。
るＭ×Ｎ個の圧電アクチュエーチドミラーアレーにおい
て、基板およびＭ×Ｎ個のトランジスタアレーを有する
アクティブ基板マトリックスと、Ｍ×Ｎ個の圧電アクチ
ュエータアレーと、前記Ｍ×Ｎ個の圧電アクチュエータ
の各々のトレンチに当てはめるように形成された突出部
が設けられた下面および上面を有するＭ×Ｎ個のヒンジ
アレーと、前記アクティブ基板マトリックスと信号電極
を電気的に接続するＭ×Ｎ個の接続端子アレーと、前記
Ｍ×Ｎ個のヒンジの各々の上面上に各々装着されたＭ×
Ｎ個のミラーアレーとを含み、前記Ｍ×Ｎ個の圧電アク
チュエータの各々は、圧電部材上に形成された深さが固
定されたトレンチにより均一に分離された上面および下
面を有する圧電部材と、前記下面上に位置し、中心線が
前記トレンチの中心線と一致する信号電極と、前記分離
された上面上に位置した一対の共通基準電極を備えるこ
とを特徴とする。
【００１９】
【実施例】本発明のＭ×Ｎ個の圧電アクチュエーチドミ
ラーアレーの製造方法は、図１に示したように、例え
ば、リードジルコニウムチタネート（ＰＺＴ）のような
圧電物質から成り、平坦で互いに平行である上面および
下面３１，３２を有するセラミックウェーハ５０を準備
して始める。
ラーアレーの製造方法は、図１に示したように、例え
ば、リードジルコニウムチタネート（ＰＺＴ）のような
圧電物質から成り、平坦で互いに平行である上面および
下面３１，３２を有するセラミックウェーハ５０を準備
して始める。
【００２０】図２に示された通り、セラミックウェーハ
５０の下面３２の上には、一定な間隔で離隔され、同一
な大きさのＭ×Ｎ個の信号電極、例えば、４１′，４
１，４１″のアレー２が形成され、セラミックウェーハ
の上面３１には、一定な間隔で離隔され、同一な大きさ
のＭ×Ｎ個の共通基準電極、例えば、４４′，４４，４
４″のアレー３が形成されている。また、Ｍ＋１個の共
通基準電極の各々４４′，４４，４４″は、セラミック
ウェーハ５０の上面３１を横切って延長され、互いに平
行に延長し、Ｍ×Ｎ個の信号電極の各々４１′，４１，
４１″は、二つの隣接した共通基準電極４４′，４４，
４４″の一部とオーバラップしている。また、信号電
極、例えば４１は、二つの隣接した共通基準電極４４，
４４″間の中心線と一致するように位置する。
５０の下面３２の上には、一定な間隔で離隔され、同一
な大きさのＭ×Ｎ個の信号電極、例えば、４１′，４
１，４１″のアレー２が形成され、セラミックウェーハ
の上面３１には、一定な間隔で離隔され、同一な大きさ
のＭ×Ｎ個の共通基準電極、例えば、４４′，４４，４
４″のアレー３が形成されている。また、Ｍ＋１個の共
通基準電極の各々４４′，４４，４４″は、セラミック
ウェーハ５０の上面３１を横切って延長され、互いに平
行に延長し、Ｍ×Ｎ個の信号電極の各々４１′，４１，
４１″は、二つの隣接した共通基準電極４４′，４４，
４４″の一部とオーバラップしている。また、信号電
極、例えば４１は、二つの隣接した共通基準電極４４，
４４″間の中心線と一致するように位置する。
【００２１】Ｍ×Ｎ個の信号電極のアレー２とＭ＋１個
の共通基準電極のアレー１は、スパッタリング法を用い
て、導電性金属、例えば、アルミニウム(Al), 銅(Cu),
ニッケル(Ni)で全ての上面および下面３１，３２を完全
に覆った後にフォトリトグラフィック方法を用いて必要
な電極パターンを得ることによって形成される。
の共通基準電極のアレー１は、スパッタリング法を用い
て、導電性金属、例えば、アルミニウム(Al), 銅(Cu),
ニッケル(Ni)で全ての上面および下面３１，３２を完全
に覆った後にフォトリトグラフィック方法を用いて必要
な電極パターンを得ることによって形成される。
【００２２】セラミックウェーハ５０は、例えば、ＰＺ
Ｔのような圧電物質から成るので、２段階に分極化が行
われる。第１段階は、例えば、４４′，４４″のような
第１交番的な共通基準電極と、例えば、４１，４１′，
４１″のような信号電極との間にＤＣ電圧を印加するこ
とであり（ここで、信号電極は接地に接続される（図示
せず））、第２段階は、例えば、４４，４４″のような
第２交番的な共通基準電極と、例えば、４１，４１′，
４１″のような信号電極の間に前記のようなＤＣ電圧を
印加することである（ここで、共通基準電極は接地に接
続される）。これによって図３に示したように、それら
の間に位置した圧電物質は第１段階の分極化方向と反対
方向へ分極化される。
Ｔのような圧電物質から成るので、２段階に分極化が行
われる。第１段階は、例えば、４４′，４４″のような
第１交番的な共通基準電極と、例えば、４１，４１′，
４１″のような信号電極との間にＤＣ電圧を印加するこ
とであり（ここで、信号電極は接地に接続される（図示
せず））、第２段階は、例えば、４４，４４″のような
第２交番的な共通基準電極と、例えば、４１，４１′，
４１″のような信号電極の間に前記のようなＤＣ電圧を
印加することである（ここで、共通基準電極は接地に接
続される）。これによって図３に示したように、それら
の間に位置した圧電物質は第１段階の分極化方向と反対
方向へ分極化される。
【００２３】その後、図３に示すように、前記ステップ
によって処理されたセラミックウェーハ５０は、例え
ば、Ａｌ2 Ｏ3 またはガラスのような絶縁物質やシリコ
ン(Si)のような半導体物質から成りその上にＭ×Ｎ個の
トランジスタアレーと例えば６０，６０′，６０″のよ
うなＭ×Ｎ個の接続端子アレー６とが内装されたアクテ
ィブ基板マトリックス４９上に装着される。例えば６０
のような各々のＭ×Ｎ個の接続端子は、例えば４１のよ
うな各々のＭ×Ｎ個の信号電極に導電性接着剤を用いて
電気的に接続される。
によって処理されたセラミックウェーハ５０は、例え
ば、Ａｌ2 Ｏ3 またはガラスのような絶縁物質やシリコ
ン(Si)のような半導体物質から成りその上にＭ×Ｎ個の
トランジスタアレーと例えば６０，６０′，６０″のよ
うなＭ×Ｎ個の接続端子アレー６とが内装されたアクテ
ィブ基板マトリックス４９上に装着される。例えば６０
のような各々のＭ×Ｎ個の接続端子は、例えば４１のよ
うな各々のＭ×Ｎ個の信号電極に導電性接着剤を用いて
電気的に接続される。
【００２４】次の段階でＭ＋１個の共通接地電極は、図
３に示されたように、エッチングマスクで用いられる、
例えば４５，４５′，４５″のようなＭ＋１個のフォト
レジスチブネークドセグメントにより塗布される。
３に示されたように、エッチングマスクで用いられる、
例えば４５，４５′，４５″のようなＭ＋１個のフォト
レジスチブネークドセグメントにより塗布される。
【００２５】その後、前述したステップによって処理さ
れたセラミックウェーハ４０を、絶縁材、例えばＡｌ20
3 ，またはガラス，または例えばＳｉから成る半導体の
基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタアレー（図示せず）およ
びＭ×Ｎ個の接続端子、例えば５０，５０′，５０″の
アレー５を含む能動基板マトリックス４９上に図３に示
したように装着する。Ｍ×Ｎ個の接続端子の各々、例え
ば５０は導電性接着剤を用いてＭ×Ｎ個の信号電極の各
々、例えば４１と電気的に接続される。
れたセラミックウェーハ４０を、絶縁材、例えばＡｌ20
3 ，またはガラス，または例えばＳｉから成る半導体の
基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタアレー（図示せず）およ
びＭ×Ｎ個の接続端子、例えば５０，５０′，５０″の
アレー５を含む能動基板マトリックス４９上に図３に示
したように装着する。Ｍ×Ｎ個の接続端子の各々、例え
ば５０は導電性接着剤を用いてＭ×Ｎ個の信号電極の各
々、例えば４１と電気的に接続される。
【００２６】その後、Ｍ＋１個の共通基準電極をＭ＋１
個のフォトレジスチブネークドセグメント、例えば４
５，４５′，４５″で覆って、図３に示したようにエッ
チングマスクとして用いる。
個のフォトレジスチブネークドセグメント、例えば４
５，４５′，４５″で覆って、図３に示したようにエッ
チングマスクとして用いる。
【００２７】その後、Ｍ＋１個のフォトレジスチブネー
クドセグメントで覆われなかった領域をドライまたはウ
エットエッチング法で除去することによって、Ｍ＋１個
の共通基準電極と平行で、図３に示したように均一に離
隔され、大きさが同一なＭ個のトレンチ、例えば４７，
４７′，４７″を形成する。ここで、Ｎ個のトレンチの
各々、例えば４７は信号電極の各々、例えば４１と中心
線が一致し、トレンチの各々にはそれと垂直に延長し深
さが固定されて、大きさが同一であるＮ−１個の均一に
離隔されたグルーブ、例えば５２，５２′，５２″が設
けられる。
クドセグメントで覆われなかった領域をドライまたはウ
エットエッチング法で除去することによって、Ｍ＋１個
の共通基準電極と平行で、図３に示したように均一に離
隔され、大きさが同一なＭ個のトレンチ、例えば４７，
４７′，４７″を形成する。ここで、Ｎ個のトレンチの
各々、例えば４７は信号電極の各々、例えば４１と中心
線が一致し、トレンチの各々にはそれと垂直に延長し深
さが固定されて、大きさが同一であるＮ−１個の均一に
離隔されたグルーブ、例えば５２，５２′，５２″が設
けられる。
【００２８】Ｎ−１個のグルーブは、Ｍ個の全てのトレ
ンチに同じように配置されるが、Ｍ個のトレンチの各々
のＮ−１個のグルーブは隣接するトレンチのグルーブと
接触しない。Ｍ個のトレンチとそれに形成されたＭ×
（Ｎ−１）個のグルーブの幅および深さは、各々３〜５
μｍおよび１０〜２０μｍである。
ンチに同じように配置されるが、Ｍ個のトレンチの各々
のＮ−１個のグルーブは隣接するトレンチのグルーブと
接触しない。Ｍ個のトレンチとそれに形成されたＭ×
（Ｎ−１）個のグルーブの幅および深さは、各々３〜５
μｍおよび１０〜２０μｍである。
【００２９】図４は、前述したステップによって処理さ
れたセラミックウェーハ上に配置されたＭ×Ｎ個のヒン
ジ、例えば５３，５３′，５３″のアレー８を示したも
ので、Ｍ×Ｎ個のヒンジの各々、例えば５３にはトレン
チ、例えば４７に当てはめるように形成された突出部５
６を有する下面５５および上面５４が設けられている。
ヒンジは紫外線に露出される時、硬化される樹脂から成
る。
れたセラミックウェーハ上に配置されたＭ×Ｎ個のヒン
ジ、例えば５３，５３′，５３″のアレー８を示したも
ので、Ｍ×Ｎ個のヒンジの各々、例えば５３にはトレン
チ、例えば４７に当てはめるように形成された突出部５
６を有する下面５５および上面５４が設けられている。
ヒンジは紫外線に露出される時、硬化される樹脂から成
る。
【００３０】その後、反射性物質、例えばＡｌから成る
Ｍ×Ｎ個のミラー、例えば５９，５９′，５９″のアレ
ー１０をスパッタリング法などの従来技術を用いてＭ×
Ｎ個のヒンジの上面上に形成する。Ｍ×Ｎ個のミラーを
形成した後、フォトレジスチブセグメント、例えば４
５，４５′，４５″を除去する。また、上面５４以外の
ヒンジの領域上にスパッタリング中に形成され得る光反
射面で光が不規則的に反射されることを防止するため
に、スパッタリング前にフォトレジスチブネークドセグ
メントの露出された領域、即ち、Ｍ×Ｎ個のヒンジで覆
われなかった領域上に水溶性セパレータ（図示せず）を
設ける。その後、共通基準電極、例えば４４，４４′，
４４″を共通接地電位（図示せず）に接続することによ
り、図５および図６に示したようなＭ×Ｎ個の圧電アク
チュエーチドミラーアレー２００を形成する。
Ｍ×Ｎ個のミラー、例えば５９，５９′，５９″のアレ
ー１０をスパッタリング法などの従来技術を用いてＭ×
Ｎ個のヒンジの上面上に形成する。Ｍ×Ｎ個のミラーを
形成した後、フォトレジスチブセグメント、例えば４
５，４５′，４５″を除去する。また、上面５４以外の
ヒンジの領域上にスパッタリング中に形成され得る光反
射面で光が不規則的に反射されることを防止するため
に、スパッタリング前にフォトレジスチブネークドセグ
メントの露出された領域、即ち、Ｍ×Ｎ個のヒンジで覆
われなかった領域上に水溶性セパレータ（図示せず）を
設ける。その後、共通基準電極、例えば４４，４４′，
４４″を共通接地電位（図示せず）に接続することによ
り、図５および図６に示したようなＭ×Ｎ個の圧電アク
チュエーチドミラーアレー２００を形成する。
【００３１】この実施例において、基板４９の下面上に
装着されたアドレシブル(adressable)ドライバー（図示
せず）を用いて、Ｍ×Ｎ個のアクチュエータの各々の信
号電極に電圧を印加して、ミラーを望むほど傾けること
ができ、光投射システムの対応する画素の強さによって
電圧を決定することができる。
装着されたアドレシブル(adressable)ドライバー（図示
せず）を用いて、Ｍ×Ｎ個のアクチュエータの各々の信
号電極に電圧を印加して、ミラーを望むほど傾けること
ができ、光投射システムの対応する画素の強さによって
電圧を決定することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上、説明した通り、本発明によれば、
複製性、信頼性および収率が高い圧電アクチュエーチド
ミラーアレーの製造方法を得ることができる。
複製性、信頼性および収率が高い圧電アクチュエーチド
ミラーアレーの製造方法を得ることができる。
【図１】本発明によるＭ×Ｎ個の圧電アクチュエーチド
ミラーアレーの製造方法の最初の段階を示した図面であ
る。
ミラーアレーの製造方法の最初の段階を示した図面であ
る。
【図２】図１に示した段階の次のものを示した斜視図で
ある。
ある。
【図３】図２に示した段階の次のものを示した斜視図で
ある。
ある。
【図４】図３に示した段階の次のものを示した斜視図で
ある。
ある。
【図５】図４に示した段階の次のものを示した斜視図で
ある。
ある。
【図６】本発明による完成された圧電アクチュエーチド
ミラーアレーの断面を示した図面である。
ミラーアレーの断面を示した図面である。
【図７】従来のＭ×Ｎ個の圧電アクチュエーチドミラー
アレーの断面を示した図面である。
アレーの断面を示した図面である。
４１ 信号電極 ４４ 共通基準電極 ４５ フォトレジスチブネークドセグメント ４７ トレンチ ４９ アクティブ基板マトリックス ５０ セラミックウェーハ ５３ ヒンジ ５９ ミラー ６０ 接続端子
Claims (15)
- 【請求項１】 光投射システムに用いられるＭ×Ｎ（Ｍ
およびＮは定数) 個の圧電アクチュエーチドミラーアレ
ーを製造する方法において、 ａ）圧電物質から成り、上面および下面を有するセラミ
ックウェーハを準備するステップと、 ｂ）前記セラミックウェーハの下面上にＭ×Ｎ個の信号
電極アレーを形成し、前記セラミックウェーハの上面上
にＭ＋１個の共通基準電極アレーを形成するステップ
と、 ｃ）基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタアレーおよびＭ×Ｎ
個の接続端子アレーを含むアクティブ基板マトリックス
上に前記ステップ(b) により処理されたセラミックウェ
ーハを搭載して、前記Ｍ×Ｎ個の信号電極の各々と前記
Ｍ×Ｎ個の接続端子の各々を電気的に接続させるステッ
プと、 ｄ）前記Ｍ＋１個の共通基準電極を上面および下面を各
々有するＭ＋１個のフォトレジスチブネークドセグメン
ト(photoresistive necked segment) で覆うステップ
と、 ｅ）Ｍ個のトレンチを設けるステップと、 ｆ）前記ステップ(b),(c),(d) および(e) によって処理
されたセラミックウェーハの上面上にＭ×Ｎ個のヒンジ
アレーを配置するステップと、 ｇ）前記Ｍ×Ｎ個のヒンジの各々の上面上にミラーを形
成するステップと、 ｈ）前記Ｍ＋１個のフォトレジスチブネークドセグメン
トを除去するステップと、 ｉ）前記Ｍ＋１個の共通基準電極の各々と共通接地電位
を電気的に接続するステップとを含み、 前記Ｍ＋１個の共通基準電極の各々は、前記セラミック
ウェーハの上面を横切って延長し、前記Ｍ×Ｎ個の信号
電極の各々は二つの隣接する共通基準電極の一部とオー
バラップし、前記二つの隣接する共通基準電極の間の中
心線は前記信号電極の中心線と一致し、前記Ｍ個のトレ
ンチの各々は、二つの共通基準電極の間に位置し、前記
信号電極の中心線上にあり、前記共通基準電極と平行に
延長し、前記Ｍ個のトレンチの各々には前記トレンチに
垂直に延長するＮ−１個のグルーブ(groove)が設けら
れ、前記Ｍ×Ｎ個のヒンジの各々は、前記トレンチに当
てはめるように形成された突出部が設けられた下面およ
び上面を有することを特徴とする圧電アクチュエーチド
ミラーアレーの製造方法。 - 【請求項２】 前記Ｍ＋１個の共通基準電極およびＭ×
Ｎ個の信号電極は、前記セラミックウェーハの上面およ
び下面に導電性金属層を提供することにより得られる請
求項１記載の圧電アクチュエーチドミラーアレーの製造
方法。 - 【請求項３】 前記セラミックウェーハは、圧電物質か
ら成る請求項１記載の圧電アクチュエーチドミラーアレ
ーの製造方法。 - 【請求項４】 前記セラミックウェーハは、前記Ｍ×Ｎ
個の信号電極および前記Ｍ＋１個の共通基準電極を形成
した後に分極化される請求項３記載の圧電アクチュエー
チドミラーアレーの製造方法。 - 【請求項５】 前記セラミックウェーハは交代する共通
基準電極と信号電極との間にＤＣ電圧を印加し、前記信
号電極を接地に接続することにより、または残りの共通
基準電極と信号電極との間にＤＣ電圧を印加し、残りの
共通基準電極を接地に接続することにより分極化される
請求項４記載の圧電アクチュエーチドミラーアレーの製
造方法。 - 【請求項６】 前記ＤＣ電圧は、３０から６０Ｖまでの
範囲で前記セラミックウェーハに印加される請求項５記
載の圧電アクチュエーチドミラーアレーの製造方法。 - 【請求項７】 前記Ｍ×Ｎ個のヒンジは、紫外線に露出
される時、硬化される樹脂から成る請求項１記載の圧電
アクチュエーチドミラーアレーの製造方法。 - 【請求項８】 前記Ｍ×Ｎ個のヒンジの上面上にＭ×Ｎ
個のミラーを形成する前に、前記Ｍ×Ｎ個のヒンジで覆
われなかったフォトレジスチブネークドセグメントの上
面上の領域に受容性セパレータ(separator) を設ける請
求項１記載の圧電アクチュエーチドミラーアレーの製造
方法。 - 【請求項９】 請求項１記載の方法によって製造された
圧電アクチュエーチドミラーアレーを含む光投射システ
ム。 - 【請求項１０】 光投射システムに用いられるＭ×Ｎ個
の圧電アクチュエーチドミラーアレーにおいて、 基板およびＭ×Ｎ個のトランジスタアレーを有するアク
ティブ基板マトリックスと、 Ｍ×Ｎ個の圧電アクチュエータアレーと、 前記Ｍ×Ｎ個の圧電アクチュエータの各々のトレンチに
当てはめるように形成された突出部が設けられた下面お
よび上面を有するＭ×Ｎ個のヒンジアレーと、前記アク
ティブ基板マトリックスと信号電極とを電気的に接続す
るＭ×Ｎ個の接続端子アレーと、 前記Ｍ×Ｎ個のヒンジの各々の上面上に各々装着された
Ｍ×Ｎ個のミラーアレーとを含み、 前記Ｍ×Ｎ個の圧電アクチュエータの各々は、圧電部材
上に形成され深さが固定されたトレンチにより均一に分
離された上面および下面を有する圧電部材と、前記下面
上に位置し、中心線が前記トレンチの中心線と一致する
信号電極と、前記分離された上面上に位置した一対の共
通基準電極とを備えることを特徴とする圧電アクチュエ
ーチドミラーアレー。 - 【請求項１１】 前記圧電部材は分極化される請求項１
０記載の圧電アクチュエーチドミラーアレー。 - 【請求項１２】 前記Ｍ×Ｎ個のヒンジの各々は、紫外
線に露出される時、硬化される樹脂から成る請求項１０
記載の圧電アクチュエーチドミラーアレー。 - 【請求項１３】 前記一対の共通基準電極および前記信
号電極は、導電性金属から成る請求項１０記載の圧電ア
クチュエーチドミラーアレー。 - 【請求項１４】 前記一対の共通基準電極は、二つの隣
接するアクチュエータにより共有される請求項１０記載
の圧電アクチュエーチドミラーアレー。 - 【請求項１５】 請求項１０記載の圧電アクチュエーチ
ドミラーアレーを含む光投射システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930008859A KR970003008B1 (ko) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 투사형 화상표시장치용 광로조절장치의 제조방법 |
| KR1993-8859 | 1993-05-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07140402A true JPH07140402A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=19355849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6108464A Pending JPH07140402A (ja) | 1993-05-21 | 1994-05-23 | 圧電アクチュエータミラーアレーおよびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5734492A (ja) |
| JP (1) | JPH07140402A (ja) |
| KR (1) | KR970003008B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100878922B1 (ko) * | 2004-04-29 | 2009-01-15 | 삼성전기주식회사 | 상하부 미러가 일체화된 하이브리드 광변조기 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6028690A (en) * | 1997-11-26 | 2000-02-22 | Texas Instruments Incorporated | Reduced micromirror mirror gaps for improved contrast ratio |
| DE10084495T1 (de) * | 1999-04-20 | 2002-06-06 | Seagate Technology Llc | Elektrodenstrukturierung für einen Differential-PZT-Aktuator |
| US20010040675A1 (en) * | 2000-01-28 | 2001-11-15 | True Randall J. | Method for forming a micromechanical device |
| US6608712B2 (en) | 2001-05-15 | 2003-08-19 | Network Photonics, Inc. | Hidden flexure ultra planar optical routing element |
| US7911672B2 (en) * | 2006-12-26 | 2011-03-22 | Zhou Tiansheng | Micro-electro-mechanical-system micromirrors for high fill factor arrays and method therefore |
| US8238018B2 (en) * | 2009-06-01 | 2012-08-07 | Zhou Tiansheng | MEMS micromirror and micromirror array |
| US9036231B2 (en) | 2010-10-20 | 2015-05-19 | Tiansheng ZHOU | Micro-electro-mechanical systems micromirrors and micromirror arrays |
| US10551613B2 (en) | 2010-10-20 | 2020-02-04 | Tiansheng ZHOU | Micro-electro-mechanical systems micromirrors and micromirror arrays |
| US9385634B2 (en) | 2012-01-26 | 2016-07-05 | Tiansheng ZHOU | Rotational type of MEMS electrostatic actuator |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3886310A (en) * | 1973-08-22 | 1975-05-27 | Westinghouse Electric Corp | Electrostatically deflectable light valve with improved diffraction properties |
| US4615595A (en) * | 1984-10-10 | 1986-10-07 | Texas Instruments Incorporated | Frame addressed spatial light modulator |
-
1993
- 1993-05-21 KR KR1019930008859A patent/KR970003008B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-05-20 US US08/246,891 patent/US5734492A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-05-23 JP JP6108464A patent/JPH07140402A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100878922B1 (ko) * | 2004-04-29 | 2009-01-15 | 삼성전기주식회사 | 상하부 미러가 일체화된 하이브리드 광변조기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970003008B1 (ko) | 1997-03-13 |
| US5734492A (en) | 1998-03-31 |
| KR940027547A (ko) | 1994-12-10 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040302 |