RU2712925C1 - Способ изготовления гибких электронных схем, имеющих конформные материальные покрытия - Google Patents

Способ изготовления гибких электронных схем, имеющих конформные материальные покрытия Download PDF

Info

Publication number
RU2712925C1
RU2712925C1 RU2019104321A RU2019104321A RU2712925C1 RU 2712925 C1 RU2712925 C1 RU 2712925C1 RU 2019104321 A RU2019104321 A RU 2019104321A RU 2019104321 A RU2019104321 A RU 2019104321A RU 2712925 C1 RU2712925 C1 RU 2712925C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
crystal
material coating
conformal material
coating
cavity
Prior art date
Application number
RU2019104321A
Other languages
English (en)
Inventor
Брайан Марк ПЕПИН
Бо ЛУ
Original Assignee
Верили Лайф Сайенсиз ЭлЭлСи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Верили Лайф Сайенсиз ЭлЭлСи filed Critical Верили Лайф Сайенсиз ЭлЭлСи
Application granted granted Critical
Publication of RU2712925C1 publication Critical patent/RU2712925C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/4985—Flexible insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/189—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components characterised by the use of a flexible or folded printed circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09909—Special local insulating pattern, e.g. as dam around component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10151—Sensor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
    • H05K2203/0139—Blade or squeegee, e.g. for screen printing or filling of holes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0195—Tool for a process not provided for in H05K3/00, e.g. tool for handling objects using suction, for deforming objects, for applying local pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/0292—Using vibration, e.g. during soldering or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0756—Uses of liquids, e.g. rinsing, coating, dissolving
    • H05K2203/0769—Dissolving insulating materials, e.g. coatings, not used for developing resist after exposure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0783—Using solvent, e.g. for cleaning; Regulating solvent content of pastes or coatings for adjusting the viscosity
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
    • H05K2203/0793—Aqueous alkaline solution, e.g. for cleaning or etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/30—Details of processes not otherwise provided for in H05K2203/01 - H05K2203/17
    • H05K2203/308—Sacrificial means, e.g. for temporarily filling a space for making a via or a cavity or for making rigid-flexible PCBs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

Предложен способ изготовления гибкой электронной схемы. Способ включает образование формы из позитивного фоторезиста на гибкой полимерной подложке, имеющей множество металлических дорожек, нанесение конформного материального покрытия поверх формы из позитивного фоторезиста, гибкой полимерной подложки и металлических дорожек, удаление излишка конформного материального покрытия путем выполнения прохода ножевого полотна над формой из позитивного фоторезиста, удаление формы из позитивного фоторезиста для открывания полости, заданной конформным материальным покрытием, подачу анизотропной проводящей пасты в полость, вставление кристалла в полость и присоединение кристалла к проводящим дорожкам. Изобретение обеспечивает более точный контроль толщины конформного материального покрытия. 3 н. и 15 з.п. ф-лы, 14 ил.

Description

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
[01] Настоящее раскрытие относится в основном к области гибких электронных схем, а более конкретно, к способам изготовления гибких электронных схем, имеющих конформные материальные покрытия.
ОПИСАНИЕ УРОВНЯ ТЕХНИКИ
[02] Развитие гибких электронных схем продолжается, при этом разрабатываются как материалы, так и способы изготовления. В гибких электронных схемах используются гибкие подложки, которые могут быть приспособлены к специфическим форм-факторам для согласования с потребностями при применении. Кристаллы могут быть соединены в перевернутом положении непосредственно на гибкой подложке и конформное материальное покрытие может быть нанесено для обеспечения механической защиты и защиты от попадания влаги. В некоторых гибких электронных схемах необходимо оставлять один или более кристаллов открытыми для окружающей среды. Например, некоторые гибкие электронные схемы могут иметь кристалл датчика, который для надлежащего функционирования должен быть открыт для внешней среды. Для удовлетворения этого требования были разработаны различные способы, такие как удаление конформного материального покрытия с кристалла датчика или маскирование кристалла датчика во время процесса нанесения покрытия. Например, как абляция конформного материального покрытия с поверхности кристалла датчика, так и маскирование кристалла датчика являются проверенными способами. Хотя эти способы позволяют оставлять участок кристалла датчика открытым, имеется необходимость в более подходящих и надежных способах, при которых кристалл датчика не будет подвергаться опасности во время проведения процесса. Кроме того, поскольку продолжает возрастать потребность во все меньших и меньших гибких электронных схемах, будет непрерывно возрастать необходимость контролировать размер (например, толщину) всех участков гибких электронных схем. В некоторых гибких электронных схемах может быть трудно точно контролировать толщину конформного материального покрытия. Например, в зависимости от материала и способа нанесения толщина конформного материального покрытия может быть излишней и поэтому без надобности добавляется к общей толщине гибкой электронной схемы. Следовательно, также имеется необходимость в способе, который обеспечивает более точный контроль толщины конформного материального покрытия.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
[03] Согласно одному аспекту настоящее раскрытие касается способа изготовления гибкой электронной схемы. Способ может включать в себя образование формы из позитивного фоторезиста на гибкой полимерной подложке, имеющей множество металлических дорожек. Способ может также включать в себя нанесение конформного материального покрытия поверх формы из позитивного фоторезиста, гибкой полимерной подложки и металлических дорожек. Кроме того, способ может включать в себя удаления излишка конформного материального покрытия путем выполнения прохода ножевого полотна по конформному материальному покрытию над формой из позитивного фоторезиста. Способ может также включать в себя удаление формы из позитивного фоторезиста для открывания полости, заданной конформным материальным покрытием. Кроме того, способ может включать в себя подачу анизотропной проводящей пасты в полость и вставление кристалла в полость и присоединение кристалла к металлическим дорожкам.
[04] Согласно другому аспекту настоящее раскрытие касается другого способа изготовления гибкой электронной схемы. Способ может включать в себя прижатие трафарета к гибкой полимерной подложке, имеющей множество металлических дорожек, при этом трафарет имеет пористый участок и цельный участок, и цельный участок задает форму. Кроме того, способ может включать в себя нанесение конформного материального покрытия поверх трафарета, обеспечивающего протекание материала конформного покрытия через пористые участки, заполнение вокруг формы. Способ может также включать прохождение материала конформного покрытия через трафарет и удаление излишка материала конформного покрытия с трафарета путем выполнения прохода ножевого полотна поверх трафарета. Кроме того, способ может включать в себя удаление трафарета для открывания полости, заданной конформным материальным покрытием. Способ может также включать в себя подачу анизотропной проводящей пасты в полость и вставление кристалла в полость и присоединение кристалла к металлическим дорожкам.
[05] Согласно еще одному аспекту настоящее раскрытие касается гибкой электронной схемы. Гибкая электронная схема может включать гибкую подложку, имеющую множество металлических дорожек. Гибкая электронная схема может также включать в себя конформное материальное покрытие, которое задает по меньшей мере одну полость. Кроме того, гибкая электронная схема может включать в себя первый кристалл, присоединенный в по меньшей мере одной полости. Гибкая электронная схема может также включать в себя анизотропную проводящую пасту, которая окружает первый кристалл в по меньшей мере одной полости. По меньшей мере одна поверхность первого кристалла может быть открыта для окружающей среды и конформное материальное покрытие имеет толщину, которая меньше, чем толщина первого кристалла, или равна ей.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
На чертежах:
[06] фиг. 1 - поперечное сечение гибкой электронной схемы согласно примеру варианта осуществления;
[07] фиг. 2А - поперечное сечение гибкой электронной схемы согласно другому примеру варианта осуществления;
[08] фиг. 2В - вид сверху гибкой электронной схемы согласно другому примеру варианта осуществления;
[09] фиг. 3 - блок-схема последовательности действий, иллюстрирующая способ изготовления гибкой электронной схемы из фиг. 1;
[10] фиг. 4 - поперечное сечение схемы, иллюстрирующее этап способа изготовления из фиг. 3;
[11] фиг. 5 - поперечное сечение схемы, иллюстрирующее еще один этап способа изготовления из фиг. 3;
[12] фиг. 6 - поперечное сечение схемы, иллюстрирующее еще один этап изготовления из фиг. 3;
[13] фиг. 7 - поперечное сечение схемы, иллюстрирующее еще один этап изготовления из фиг. 3;
[14] фиг. 8 - поперечное сечение схемы, иллюстрирующее еще один этап изготовления из фиг. 3;
[15] фиг. 9 - блок-схема последовательности действий, иллюстрирующая другой способ изготовления гибкой электронной схемы из фиг. 1;
[16] фиг. 10 - поперечное сечение схемы, иллюстрирующее этап способа изготовления из фиг. 9;
[17] фиг. 11 - поперечное сечение схемы, иллюстрирующее еще один этап изготовления из фиг. 9;
[18] фиг. 12 - поперечное сечение схемы, иллюстрирующее еще один этап изготовления из фиг. 9;
[19] фиг. 13 - поперечное сечение схемы, иллюстрирующее еще один этап изготовления из фиг. 9; и
[20] фиг. 14 - поперечное сечение схемы, иллюстрирующее еще один этап изготовления из фиг. 9.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ
[21] Теперь обратимся к подробному изложению вариантов осуществления настоящего раскрытия, примеры которых изображены на сопровождающих чертежах. Там, где это возможно, одни и те же позиции будут использоваться для обозначения одинаковых или подобных деталей на всех чертежах.
[22] На фиг. 1 показано поперечное сечение гибкой электронной схемы (ГЭС) 10. Гибкая электронная схема 10 может включать в себя гибкую подложку 12, имеющую множество металлических дорожек 14. Кроме того, гибкая электронная схема 10 может включать в себя один или более кристаллов 16, присоединенных к металлическим дорожкам 14. Гибкая электронная схема 10 может также иметь конформное материальное покрытие 18, нанесенное поверх гибкой подложки 12, и оно может быть нанесено поверх по меньшей мере участка металлических дорожек 14. Конформным материальным покрытием 18 может задаваться одна или более полостей, в которые могут быть вставлены кристаллы 16. Кроме того, гибкая электронная схема 10 может иметь анизотропную проводящую пасту 20.
[23] Гибкая подложка 12 может быть образована из ряда материалов. Например, гибкая подложка может быть образована из полиэтилентерефталата (ПЭТ), полиимидов (ПИ) или жидкокристаллического полимера (ЖКП). В некоторых вариантах осуществления гибкая подложка 12 может быть образована из гибкой пленки на жесткой несущей пластине. Металлические дорожки 14 могут быть нанесены на гибкую подложку 12 любым подходящим способом. Металлические дорожки 14 могут быть образованы из ряда материалов. Например, металлические дорожки 14 могут быть образованы из золота, серебра, алюминия или другого подходящего материала, а в некоторых вариантах осуществления металлические дорожки 14 могут иметь гальваническое покрытие.
[24] Гибкую электронную схему 10 можно изготавливать таким образом, чтобы по меньшей мере кристалл 16 имел участок, открытый для внешней или окружающей среды. Например, как показано на фиг. 1, верхние поверхности кристаллов 16 могут быть открыты для внешней среды. Для некоторых применений может быть полезно и/или необходимо, чтобы конструкция гибкой электронной схемы 10 имела по меньшей мере один кристалл 16, открытый для окружающей среды. Например, кристалл 16 может быть кристаллом датчика, который для функционирования надлежащим образом должен быть открыт для окружающей среды. Например, в некоторых вариантах осуществления кристалл 16 может быть кристаллом датчика, предназначенным для измерения показателя окружающей среды. Например, кристалл 16 может быть электрохимическим датчиком (например, для измерения содержания глюкозы), датчиком давления (например, внутриглазного давления (ВГД)), оптическим датчиком, датчиком влажности или летучих органических соединений (ЛОС) или иным датчиком, который измеряет характеристику окружающей среды. В некоторых вариантах осуществления может быть полезно или же желательно, чтобы конструкция гибкой электронной схемы 10 имела по меньшей мере один открытый кристалл 16 для обеспечения возможности соединения с другим кристаллом. Например, открытый кристалл может быть соединен с другим кристаллом или компонентом в многоуровневой многослойной схеме. Соединение может быть выполнено, например, посредством гибкого проводящего клея, проволочного соединения или непосредственного соединения металлизацией.
[25] Как показано на фиг. 2А, в некоторых вариантах осуществления гибкая электронная схема 10 может включать в себя множество различных кристаллов 16. Один или более кристаллов 16 могут быть открыты для окружающей среды, тогда как один или более кристаллов 16' могут быть полностью покрыты конформным материальным покрытием 18. В некоторых вариантах осуществления кристалл 16 может выступать над поверхностью конформного материального покрытия 18 вследствие того, что, как показано на фиг. 1, конформное материальное покрытие 18 имеет толщину, которая меньше, чем толщина кристалла 16, или равна ей. Как показано на фиг. 2А, в некоторых вариантах осуществления кристалл 16 может находиться в основном на одном уровне с поверхностью конформного материального покрытия 18. Размеры (например, длина, ширина и толщина) кристаллов 16 могут быть различными. Например, в некоторых вариантах осуществления длина кристаллов 16 может быть около 500 мкм, около 600 мкм, около 700 мкм, около 800 мкм, около 900 мкм, около 1 мм, около 1,1 мм, около 1,2 мм, около 1,3 мм, около 1,4 мм, около 1,5 мм или больше чем около 1,5 мм. В некоторых вариантах осуществления ширина кристаллов 16, соответствующая длинам, перечисленным выше, может быть, например, около 500 мкм, около 600 мкм, около 700 мкм, около 800 мкм, около 900 мкм, около 1 мм, около 1,1 мм, около 1,2 мм, около 1,3 мм, около 1,4 мм, около 1,5 мм или больше чем около 1,5 мм. Толщина кристалла 16 при любом сочетании длины и ширины, перечисленных выше, может быть, например, около 30 мкм, около 40 мкм, около 50 мкм, около 60 мкм, около 70 мкм, около 80 мкм, около 90 мкм, около 100 мкм, около 110 мкм, около 120 мкм, около 130 мкм, около 140 мкм, около 150 мкм или больше чем около 150 мкм. Как показано на фиг. 1, в некоторых вариантах осуществления толщина кристаллов 16 может быть одинаковой, тогда как толщины кристалла 16 и кристалла 16' на фиг. 2А могут быть разными.
[26] На фиг. 2В показан другой пример варианта осуществления гибкой электронной схемы 10. Гибкая электронная схема 10 может иметь три кристалла, установленных на подложке 12, соединенных металлическими дорожками 14. Как показано на фиг. 2В, кристаллы 16' могут быть покрыты конформным материальным покрытием 18, тогда как кристалл 16 может быть кристаллом датчика, верхняя поверхность которого может быть открыта для окружающей среды (то есть, не покрыта конформным материальным покрытием 18).
[27] В этой заявке будет описан ряд способов изготовления гибкой электронной схемы 10 согласно примерам вариантов осуществления.
[28] Теперь первый способ 100 изготовления гибкой электронной схемы 10 будет пояснен с обращением к фиг. 3-8. На фиг. 3 представлена блок-схема последовательности действий, иллюстрирующая этапы способа 100. Способ может 100 начинаться с гибкой полимерной подложки 12, имеющей металлические дорожки 14. Этап 102 может включать в себя образование формы 22 из позитивного фоторезиста на гибкой полимерной подложке 14. Например, как показано на фиг. 4, одна или более форм 22 из фоторезиста могут быть образованы поверх гибкой полимерной подложки 12 и металлических дорожек 14. Формы 22 из фоторезиста можно образовать, например, центрифугированием и литографией. В некоторых вариантах осуществления формы 22 из фоторезиста могут быть образованы сухой пленкой. Формы 22 из фоторезиста могут находиться в соответствии с конфигурацией металлических дорожек 14.
[29] Затем на этапе 104 способ 100 может включать в себя нанесение конформного материального покрытия 18 поверх форм 22 из позитивного фоторезиста, гибкой полимерной подложки 12 и участка металлических дорожек 14. Согласно примеру варианта осуществления конформное материальное покрытие 18 может быть клейким силиконовым каучуком. В некоторых вариантах осуществления для конформного материального покрытия 18 могут использоваться другие подходящие материалы. Например, акриловые, уретановые, модифицированные акрилатом уретановые, мягкие эпоксидные или циклоолефиновые сополимеры. В некоторых вариантах осуществления до этапа 104 может быть проведена обработка кислородной плазмой поверхности подложки 12. При обработке кислородной плазмой на поверхности полимера могут образовываться гидроксильные группы. Обработкой кислородной плазмой можно повысить сцепление конформного материального покрытия 18.
[30] Конформное материальное покрытие 18 можно наносить при использовании ряда подходящих способов. Например, конформное материальное покрытие 18 можно наносить центрифугированием, распылением, погружением или щелевой экструзионной головкой. Кроме того, можно использовать другие подходящие способы или можно использовать сочетание способов. Согласно примеру варианта осуществления конформное материальное покрытие 18 может быть нанесено при использования способа центрифугирования. Конформное материальное покрытие 18 можно наносить в достаточном количестве. Например, как показано на фиг. 5, конформное материальное покрытие 18 может как покрывать формы 22 из фоторезиста, так и заполнять пространство между соседними формами 22 из позитивного фоторезиста.
[31] Затем на этапе 106 способ 100 может включать в себя удаление излишка конформного материального покрытия 18 путем выполнения прохода ножевого полотна по конформному материальному покрытию 18 над формами 22 из позитивного фоторезиста. Ножевое полотно можно отрегулировать для выполнения прохода над одной, некоторыми или всеми формами 22 из позитивного фоторезиста. Излишек можно определить как участок конформного материального покрытия 18 или все конформное материальное покрытие 18, которое находится на отметке высоты выше форм 22 из позитивного фоторезиста. Как показано на фиг. 6, в некоторых вариантах осуществления может иметься тонкий слой остатка или остатков конформного материального покрытия 18, оставшийся поверх форм 22 из фоторезиста. В дополнение к удалению излишка, который находится поверх форм 22 из позитивного фоторезиста, при выполнении прохода ножевого полотна можно также удалять излишек между формами 22 из фоторезиста. Например, как показано на фиг. 6, излишек может быть удален между формами 22 из фоторезиста. В некоторых вариантах осуществления вследствие вязкости конформного материального покрытия 18 при дополнительном удалении конформного материального покрытия 18 может образовываться выемка.
[32] В некоторых вариантах осуществления ножевое полотно, используемое на этапе 104 для удаления излишка конформного материального покрытия 18, может быть ракелем, обычно имеющим гладкое лезвие. Ножевое полотно может образовано из эластомера и в зависимости от приложения усилий может быть по меньшей мере частично отклоняемым. Ножевым полотном можно управлять вручную или автоматически. Например, в некоторых вариантах осуществления робототехническая система может управлять ножевым полотном. Ряд различных аспектов или параметров управления ножевым полотном может быть регулируемым или контролируемым. Например, высота ножевого полотна относительно поверхности форм 22 из фоторезиста или поверхности подложки 12. Регулированием высоты ножевого полотна относительно поверхности форм 22 из фоторезиста или поверхности подложки 12 можно обеспечивать точное управление по толщине конформного материального покрытия 18. Согласно еще одному примеру могут регулироваться угол установки ножевого полотна и/или давление (то есть, направленная вниз сила), прикладываемое ножевым полотном. В некоторых вариантах осуществления направление, скорость, траектория прохождения ножевого полотна и количество проходов также могут быть регулируемыми. В некоторых вариантах осуществления ножевое полотно может выполнять проход только один раз, тогда как в других вариантах осуществления ножевое полотно может выполнять проходы многократно. В вариантах осуществления, в которых ножевое полотно выполняет проходы многократно, параметр управления ножевым полотном может быть регулируемым. Например, первый проход ножевого полотна может использоваться для удаления большей части излишка конформного материального покрытия 18, тогда как второй проход ножевого полотна выполняется при повышенном давлении для удаления остатка конформного материального покрытия 18 в максимально возможной степени.
[33] В некоторых вариантах осуществления параметры прохода ножевого полота могут регулироваться на основании визуального контроля. Например, если после первого прохода ножевого полотна излишек конформного материального покрытия 18 удален надлежащим образом, то второй проход ножевого полотна может быть отменен. Или же, если после первого прохода ножевого полотна нежелательное количество излишка конформного материального покрытия 18 все еще остается, то может быть инициирован второй проход ножевого полотна. В некоторых вариантах осуществления плазменное удаление с использованием смеси O2 и CF4 также может использоваться для удаления небольшого остатка конформного материального покрытия 18 с форм 22 из фоторезиста.
[34] Как показано на фиг. 7, после затвердевания конформного материального покрытия 18 затем на этапе 108 способ 100 может включать в себя удаление формы 22 из позитивного фоторезиста для открывания полости 24, заданной конформным материальным покрытием 18. В некоторых вариантах осуществления растворитель, щелочной раствор или другой химический раствор, может использоваться для удаления формы 22 из позитивного фоторезиста. Может использоваться ряд различных растворителей, например, ацетон, N-метил-2-пирролидон (НМП), диметилсульфоксид (ДМСО) или другие подобные растворители. В некоторых вариантах осуществления воздействие ультразвуком может использоваться для содействия удалению формы 22 из позитивного фоторезиста. Например, воздействие ультразвуком может использоваться для облегчения растворения конформного материального покрытия 18, оставшегося на поверхности формы 22 из позитивного фоторезиста. В некоторых вариантах осуществления после этапа 108 может быть проведена еще одна обработка кислородной плазмой (например, вторая обработка кислородной плазмой).
[35] Затем на этапе 110 способ 100 может включать в себя подачу анизотропной проводящей пасты (АПП) 26 в полость 24. Может использоваться ряд различных анизотропных проводящих паст. Одним примером является DELOMONOPOX® AC268. В некоторых вариантах осуществления может использоваться эпоксидный клей или клей другого вида. В некоторых вариантах осуществления могут использоваться непроводящие эпоксидные клеи.
[36] В течение этапа 110 может регулироваться (вручную или автоматически) ряд различных аспектов подачи. Например, могут изменяться одно или более мест в полости 24, на которые анизотропная проводящая паста 26 может подаваться, суммарный объем подаваемой анизотропной проводящей пасты 26, объем анизотропной проводящей пасты 26, подаваемой на каждое место, скорость, с которой анизотропная проводящая паста 26 подается. Анизотропная проводящая паста 26 может подаваться на одно или более мест в достаточном количестве так, чтобы анизотропная проводящая паста 26 заполняла все имеющееся пространство, которое не будет занято кристаллом 16 после установки, но совершенно не попадала на место установки кристалла 16. В некоторых вариантах осуществления анизотропная проводящая паста 26 может растекаться в зазоры (например, между дорожками 14). После подачи в полость 24 анизотропная проводящая паста 26 может сохранять способность к протеканию, чтобы анизотропная проводящая паста 26 могла заполнить и уплотнить все зазоры.
[37] Как показано на фиг. 8, затем на этапе 112 способ 100 может включать в себя вставление кристалла 16 в полость 24 и присоединение кристалла 16 к металлическим дорожкам 14. Количество вставляемых и присоединяемых кристаллов может быть различным. Например, в некоторых вариантах осуществления один кристалл 16 может быть вставлен в полость 24 и присоединен, тогда как в некоторых вариантах осуществления два или большее количество кристаллов 16 могут быть вставлены в две или большее количество полостей и 24 и присоединены. На этапе 112 может использоваться ряд способов вставления и присоединения кристалла 16. Например, в некоторых вариантах осуществления присоединение способом перевернутого кристалла может использоваться при вставлении кристалла 16 в полость 24 и присоединении. Как показано на фиг. 8, кристалл 16 может быть вставлен так, чтобы контактные площадки на кристалле 16 находились в контакте с соответствующими металлическими дорожками 14 на надлежащих местах. Кроме того, как показано на фиг. 8, после вставления анизотропной проводящей пастой 26 можно заполнить все пространство, имеющееся в полости 24.
[38] Теперь второй способ 200 изготовления гибкой электронной схемы 10 будет пояснен с обращением к фиг. 9-14.
[39] На фиг. 9 представлена блок-схема последовательности действий, иллюстрирующая этапы способа 200. Способ 200 может начинаться с гибкой полимерной подложки 12, имеющей металлические дорожки 14. Как показано на фиг. 10, этап 202 может включать в себя прижатие трафарета 28 к гибкой полимерной подложке 12, имеющей металлические дорожки 14. Участки трафарета 28 могут быть пористыми, тогда как другие участки являются цельными (то есть, непористыми). Например, как показано на фиг. 10, трафарет 28 может иметь пористые участки 30 и цельные участки 32. В некоторых вариантах осуществления могут иметься один или более пористых участков 30 и/или один или более цельных участков 32. Пористые участки 30 могут быть выполнены с возможностью протекания жидкости через трафарет 28, тогда как цельные участки 32 могут предотвращать протекание жидкости через трафарет 28. Как показано на фиг. 10, толщина трафарета 28 может быть различной. Например, толщина цельных участков 32 может быть больше, чем толщина пористых участков 30. В некоторых вариантах осуществления цельные участки 32 могут быть выполнены с возможностью задания форм 34. Трафарет 28 может быть приведен в плотный контакт с подложкой 12 и металлическими дорожками 14. Плотный контакт может предотвращать или ограничивать нежелательное размазывание конформного материального покрытия 18 (например, в полости, предназначенные для кристаллов 16). Высотой трафарета 28 относительно подложки 12 может определяться толщина конформного материального покрытия 18. Например, установкой (например, увеличением или уменьшением) высоты трафарета 28 можно обеспечить точное регулирование толщины конформного материального покрытия 18.
[40] В некоторых вариантах осуществления, как и в случае способа 100, может быть проведена обработка поверхности подложки 12 кислородной плазмой. При обработке кислородной плазмой на поверхности полимера могут образовываться гидроксильные группы.
[41] Как показано на фиг. 11, затем на этапе 204 способ 200 может включать в себя нанесение конформного материального покрытия 18 поверх трафарета 28. Конформное материальное покрытие 18 можно наносить на трафарет 28 при использовании ряда подходящих способов. Например, конформное материальное покрытие 18 можно наносить центрифугированием, распылением, погружением или щелевой экструзионной головкой. Кроме того, можно использовать другие подходящие способы или сочетание способов. Согласно примеру варианта осуществления конформное материальное покрытие 18 может быть нанесено при использования способа центрифугирования.
[42] Затем на этапе 206 способ 200 может включать в себя обеспечение прохождения конформного материального покрытия 18 через трафарет 28 и удаление излишка конформного материального покрытия 18 с трафарета 28 путем выполнения прохода ножевого полотна по трафарету 28. Как показано на фиг. 12, конформное материальное покрытие 18 может протекать через пористые участки 30 и заполнять свободные места между цельными участками 32 до поверхности трафарета 28.
[43] В некоторых вариантах осуществления ножевое полотно, используемое на этапе 206 для прохождения конформного материального покрытия 18 и удаления излишка конформного материального покрытия 18, может быть ракелем. Ножевым полотном можно управлять вручную или автоматически. Например, в некоторых вариантах осуществления робототехническая система может управлять ножевым полотном. Ряд различных аспектов или параметров управления ножевым полотном может быть регулируемым или контролируемым. Например, могут регулироваться угол установки ножевого полотна и/или давление (то есть, направленная вниз сила), прикладываемое ножевым полотном. В некоторых вариантах осуществления направление, скорость, траектория прохождения ножевого полотна и количество проходов также могут быть регулируемыми. В некоторых вариантах осуществления ножевое полотно может совершать проход только один раз, тогда как в других вариантах осуществления ножевое полотно может совершать проходы многократно. В вариантах осуществления, в которых ножевое полотно совершает проходы многократно, параметр управления ножевым полотном можно регулировать между проходами. Например, первый проход ножевого полотна можно использовать для обеспечения прохождения конформного материального покрытия 18, тогда как второй проход ножевого полотна можно использовать для удаления большей части излишка конформного материального покрытия 18.
[44] Как показано на фиг. 13, затем на этапе 208 способ 200 может включать в себя удаление трафарета 28 для открывания полостей 24, заданных конформным материальным покрытием 18. В некоторых вариантах осуществления до удаления трафарета 28 конформное материальное покрытие 18 может быть частично отверждено, но конформное материальное покрытие 18 можно удалять до полного затвердевания. В некоторых вариантах осуществления после этапа 208 может быть проведена обработка кислородной плазмой (например, вторая обработка кислородной плазмой).
[45] Затем на этапе 210 способ 200 может включать в себя подачу анизотропной проводящей пасты (АПП) 26 в полость 24. Этап 210 может быть аналогичен этапу 110 способа 100. Как и на этапе 110, на этапе 210 можно использовать ряд различных анизотропных проводящих паст. Одним примером является DELOMONOPOX® AC268. В некоторых вариантах осуществления может использоваться эпоксидный клей или клей другого вида.
[46] Как и на этапе 110, в течение этапа 210 может регулироваться (вручную или автоматически) ряд различных аспектов подачи. Например, могут изменяться одно или более мест в полости 24, на которые анизотропная проводящая паста 26 может подаваться, суммарный объем подаваемой анизотропной проводящей пасты 26, объем анизотропной проводящей пасты 26, подаваемой на каждое место, скорость, с которой анизотропная проводящая паста 26 подается. Анизотропная проводящая паста 26 может подаваться на одно или более мест в достаточном количестве так, чтобы анизотропная проводящая паста 26 заполняла все имеющееся пространство, которое не будет занято кристаллом 16 после установки, но совершенно не попадала на место установки кристалла 16. В некоторых вариантах осуществления анизотропная проводящая паста 26 может растекаться в зазоры (например, между дорожками 14).
[47] Затем на этапе 212 способ 200 может включать в себя вставление кристаллов 16 в полости 24 и присоединение кристаллов к металлическим дорожкам 14. Этап 212 может быть аналогичен этапу 112 способа 100. Как и на этапе 112, на этапе 212 количество вставляемых и присоединяемых кристаллов может быть различным. Например, в некоторых вариантах осуществления один кристалл 16 может быть вставлен в одну полость 24 и присоединен, тогда как в некоторых вариантах осуществления два или большее количество кристаллов 16 могут быть вставлены в две или большее количество полостей 24 и присоединены. На этапе 212 можно использовать ряд способов вставления и присоединения кристалла 16. Например, в некоторых вариантах осуществления присоединение способом перевернутого кристалла может использоваться при вставлении кристалла 16 в полость 24 и присоединении. Как показано на фиг. 14, кристалл 16 может быть вставлен так, чтобы контактные площадки на кристалле 16 находились в контакте с металлическими дорожками 14 на надлежащих местах. Кроме того, как показано на фиг. 14, после вставления анизотропной проводящей пастой 26 можно заполнить все пространство, имеющееся в полости 24.
[48] Способы 100 и 200 представляют собой способы изготовления гибкой электронной схемы 10, которыми обеспечивается точное регулирование толщины конформного материального покрытия 18. Например, как описывалось в этой заявке, способом 100 может обеспечиваться регулирование толщины конформного материального покрытия 18 путем установки высоты ножевого полотна относительно подложки 12 и/или форм 22 из позитивного фоторезиста. Согласно еще одному примеру, как описывалось в этой заявке, способом может обеспечиваться регулирование толщины конформного материального покрытия 18 путем установки высоты трафарета 28 относительно подложки 12. В некоторых вариантах осуществления высоту трафарета 28 можно устанавливать относительно подложки 12 путем регулирования толщины цельных участков 32 и формы 34. При точном регулировании толщины конформного материального покрытия 18 обеспечивается лучшее регулирование общей толщины гибкой электронной схемы 10, и это позволяет изготавливать гибкие электронные схемы меньших размеров и более тонкие.
[49] Кроме того, способы 100 и 200 представляют собой способы изготовления гибкой электронной схемы 10, которыми обеспечивается возможность выбора кристаллов 16, открытых для окружающей среды (то есть, не охваченных конформным материальным покрытием 18). В противоположность другим известным способам, эта функциональная возможность достигается в способах 100 и 200 без абляции конформного материального покрытия 18 с поверхности кристалла или без маскирования поверхности кристалла во время изготовления, которые могут приводить к повреждению кристалла.
[50] Приведенное выше описание представлено для иллюстрации. Оно не является исчерпывающим и не ограничено раскрытыми точными формами или вариантами осуществления. Модификации и усовершенствования станут очевидными в результате рассмотрения описания и применения на практике раскрытых вариантов осуществления. Например, описанные осуществления включают в себя способы изготовления гибких электронных схем, но способы также могут быть использованы для изготовления других электронных схем и компонентов.
[51] Более того, хотя в этой заявке описаны иллюстративные варианты осуществления, объем изобретения включает в себя любые или все варианты осуществления, имеющие эквивалентные элементы, модификации, сочетания (например, аспектов, охватывающих различные варианты осуществления), усовершенствования и/или изменения, основанные на настоящем раскрытии, а также пропуски признаков изобретения. Элементы в формуле изобретения должны интерпретироваться широко на основании языка, использованного в формуле изобретения, и не ограничиваться примерами, приведенными в представленном описании или представляемыми во время рассмотрения заявки, и эти примеры должны толковаться как неисключительные. Кроме того, этапы раскрытых способов могут быть изменены любым способом, включая изменение порядка следования этапов и/или вставление или удаление этапов.
[52] Признаки и преимущества раскрытия являются очевидными из подробного описания и поэтому предполагается, что прилагаемая формула изобретения охватывает все системы и способы, попадающие в пределы истинной сущности и в объем раскрытия. Использованное в этой заявке единственное числа означает «один или более». Аналогично этому, использование термина «множество» необязательно означает множество, если только это точно не выражено в данном контексте. Такие слова, как «и» или «или», означают «и/или», если специально не указано иное. Кроме того, поскольку многочисленные модификации и варианты будут легко возникать при изучении настоящего раскрытия, нежелательно ограничивать раскрытие точной конструкцией и работой, показанными и описанными, и соответственно, все подходящие модификации и эквиваленты могут быть отнесены к попадающим в объем раскрытия.
[53] Другие варианты осуществления станут очевидными в результате рассмотрения описания и применения на практике вариантов осуществления, раскрытых в этой заявке. Предполагается, что описание и примеры будут рассматриваться как служащие только примером, при этом истинная сущность и объем раскрытых вариантов осуществления обозначены в нижеследующей формуле изобретения.

Claims (35)

1. Способ изготовления гибкой электронной схемы, содержащий этапы, на которых:
образуют форму из позитивного фоторезиста на гибкой полимерной подложке, имеющей множество металлических дорожек;
наносят конформное материальное покрытие поверх формы из позитивного фоторезиста, гибкой полимерной подложки и металлических дорожек;
удаляют излишек конформного материального покрытия путем выполнения прохода ножевого полотна по конформному материальному покрытию над формой из позитивного фоторезиста;
удаляют форму из позитивного фоторезиста для открывания полости, заданной конформным материальным покрытием;
подают анизотропную проводящую пасту в полость; и
вставляют кристалл в полость и присоединяют кристалл к металлическим дорожкам.
2. Способ по п. 1, дополнительно содержащий обработку гибкой полимерной подложки кислородной плазмой для образования гидроксильных групп на поверхности полимерной подложки.
3. Способ по п. 2, в котором первую обработку кислородной плазмой проводят до нанесения конформного материального покрытия и вторую обработку кислородной плазмой проводят после удаления формы из позитивного фоторезиста.
4. Способ по п. 1, в котором конформное материальное покрытие является силиконовым.
5. Способ по п. 1, в котором конформное материальное покрытие наносят по меньшей мере одним из способов нанесения покрытия центрифугированием, нанесения покрытия распылением, нанесения покрытия погружением и нанесения покрытия с использованием щелевой экструзионной головки.
6. Способ по п. 1, в котором ножевое полотно представляет собой ракель, имеющий в основном гладкое эластомерное лезвие, которое является отклоняемым, и выполняют проход лезвия над формой из позитивного фоторезиста на высоте, которая по существу соответствует высоте верхней поверхности формы из позитивного фоторезиста.
7. Способ по п. 1, в котором ацетон используют для удаления формы из позитивного фоторезиста.
8. Способ по п. 1, в котором воздействие ультразвуком используют для содействия удалению формы из позитивного фоторезиста.
9. Способ по п. 1, в котором анизотропной проводящей пастой заполняют промежутки между металлическими дорожками и любыми зазорами между кристаллом и стенками полости, образованной конформным материальным покрытием.
10. Способ изготовления гибкой электронной схемы, содержащий этапы, на которых:
прижимают трафарет к гибкой полимерной подложке, имеющей множество металлических дорожек, при этом трафарет имеет пористый участок и цельный участок, и цельный участок задает форму;
наносят конформное материальное покрытие поверх трафарета, обеспечивающего протекание материала конформного покрытия через пористый участок трафарета, заполнение вокруг формы;
обеспечивают прохождение конформного материального покрытия через трафарет и удаляют излишек материала конформного покрытия с трафарета путем выполнения прохода ножевого полотна по трафарету;
удаляют трафарет для открывания полости, заданной конформным материальным покрытием;
подают анизотропную проводящую пасту в полость; и
вставляют кристалл в полость и присоединяют кристалл к металлическим дорожкам.
11. Способ по п. 10, дополнительно содержащий обработку гибкой полимерной подложки кислородной плазмой для образования гидроксильных групп на поверхности полимерной подложки.
12. Способ по п. 10, в котором первую обработку кислородной плазмой проводят до нанесения конформного материального покрытия и вторую обработку кислородной плазмой проводят после удаления трафарета.
13. Способ по п. 10, в котором конформное материальное покрытие является силиконовым.
14. Способ по п. 10, в котором конформное материальное покрытие наносят по меньшей мере одним из способов нанесения покрытия центрифугированием, нанесения покрытия распылением, нанесения покрытия погружением и нанесения покрытия с использованием щелевой экструзионной головки.
15. Способ по п. 10, в котором анизотропной проводящей пастой заполняют промежутки между металлическими дорожками и любыми зазорами между кристаллом и стенками полости, образованной конформным материальным покрытием.
16. Гибкая электронная схема, содержащая:
гибкую подложку, имеющую множество металлических дорожек;
конформное материальное покрытие, которое задает по меньшей мере одну полость;
первый кристалл, присоединенный в по меньшей мере одной полости;
анизотропную проводящую пасту, которая окружает первый кристалл в по меньшей мере одной полости;
при этом по меньшей мере одна поверхность первого кристалла открыта для окружающей среды и конформное материальное покрытие имеет толщину, которая меньше, чем толщина первого кристалла, или равна ей.
17. Гибкая электронная схема по п. 16, дополнительно содержащая второй кристалл, и этот второй кристалл имеет иную толщину, чем первый кристалл, при этом второй кристалл покрыт конформным материальным покрытием.
18. Гибкая электронная схема по п. 16, в которой первый кристалл представляет собой кристалл датчика, который измеряет показатель окружающей среды.
RU2019104321A 2016-07-18 2017-06-23 Способ изготовления гибких электронных схем, имеющих конформные материальные покрытия RU2712925C1 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/212,739 US10595417B2 (en) 2016-07-18 2016-07-18 Method of manufacturing flexible electronic circuits having conformal material coatings
US15/212,739 2016-07-18
PCT/US2017/039089 WO2018017285A1 (en) 2016-07-18 2017-06-23 Method of manufacturing flexible electronic circuits having conformal material coatings

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2712925C1 true RU2712925C1 (ru) 2020-02-03

Family

ID=59337868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019104321A RU2712925C1 (ru) 2016-07-18 2017-06-23 Способ изготовления гибких электронных схем, имеющих конформные материальные покрытия

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10595417B2 (ru)
EP (1) EP3485511B1 (ru)
CN (1) CN109643697B (ru)
BR (1) BR112019000857B1 (ru)
RU (1) RU2712925C1 (ru)
TW (1) TWI627880B (ru)
WO (1) WO2018017285A1 (ru)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI672711B (zh) * 2019-01-10 2019-09-21 健策精密工業股份有限公司 絕緣金屬基板及其製造方法
KR20210110697A (ko) * 2019-01-29 2021-09-08 헨켈 아이피 앤드 홀딩 게엠베하 제어된 인쇄 표면 및 제어된 인쇄 표면 상에 지형학적 특징부를 형성하는 방법
US11570903B2 (en) 2019-10-16 2023-01-31 Advanced Micro Devices, Inc. Process for conformal coating of multi-row surface-mount components in a lidless BGA package and product made thereby
CN110972399B (zh) * 2019-12-19 2021-01-26 黄石星河电路有限公司 Ic焊盘中间开槽的印制电路板生产工艺
CN116507037B (zh) * 2023-06-25 2023-09-19 湖北芯研投资合伙企业(有限合伙) 一种适用于柔性电子器件的曲面转印装置及方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050032272A1 (en) * 2003-08-08 2005-02-10 University Of Delaware Method for creating flip-chip conductive-polymer bumps using photolithography and polishing
US20080117619A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-22 Siew It Pang Light source utilizing a flexible circuit carrier and flexible reflectors
US20120006464A1 (en) * 2008-12-17 2012-01-12 Van Den Brand Jeroen Flexible electronic product and method for manufacturing the same
RU2556697C1 (ru) * 2014-05-15 2015-07-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) Способ изготовления гибкой микропечатной платы
RU2580512C1 (ru) * 2014-11-27 2016-04-10 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" Способ изготовления гибко-жесткой печатной платы

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2098784A1 (en) 1992-07-08 1994-01-09 Bentley Boger Apparatus and methods for applying conformal coatings to electronic circuit boards
US6232563B1 (en) * 1995-11-25 2001-05-15 Lg Electronics Inc. Bump electrode and method for fabricating the same
US5755913A (en) * 1996-12-06 1998-05-26 Liaw; Der-Jang Adhesive-free adhesion between polymer surfaces
US6136243A (en) 1998-06-04 2000-10-24 Case Western Reserve University Method for molding high precision components
US6245849B1 (en) 1999-06-02 2001-06-12 Sandia Corporation Fabrication of ceramic microstructures from polymer compositions containing ceramic nanoparticles
US6841339B2 (en) 2000-08-09 2005-01-11 Sandia National Laboratories Silicon micro-mold and method for fabrication
US6900383B2 (en) 2001-03-19 2005-05-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Board-level EMI shield that adheres to and conforms with printed circuit board component and board surfaces
AU2003261394A1 (en) 2002-08-05 2004-02-23 Research Foundation Of The State University Of New York System and method for manufacturing embedded conformal electronics
US7088005B2 (en) 2003-12-31 2006-08-08 Intel Corporation Wafer stacking with anisotropic conductive adhesive
US8241713B2 (en) 2007-02-21 2012-08-14 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices
US9072185B2 (en) 2009-07-30 2015-06-30 Lockheed Martin Corporation Copper nanoparticle application processes for low temperature printable, flexible/conformal electronics and antennas
US8399268B1 (en) * 2011-12-28 2013-03-19 Ledengin, Inc. Deposition of phosphor on die top using dry film photoresist
JP5606421B2 (ja) 2011-10-27 2014-10-15 株式会社日立製作所 銅ナノ粒子を用いた焼結性接合材料及びその製造方法及び電子部材の接合方法
CN103400771B (zh) 2013-08-06 2016-06-29 江阴芯智联电子科技有限公司 先蚀后封芯片倒装三维系统级金属线路板结构及工艺方法
CN103390563B (zh) * 2013-08-06 2016-03-30 江苏长电科技股份有限公司 先封后蚀芯片倒装三维系统级金属线路板结构及工艺方法
US20150090960A1 (en) 2013-09-30 2015-04-02 Universal Display Corporation Methods to Fabricate Flexible OLED Lighting Devices

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050032272A1 (en) * 2003-08-08 2005-02-10 University Of Delaware Method for creating flip-chip conductive-polymer bumps using photolithography and polishing
US20080117619A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-22 Siew It Pang Light source utilizing a flexible circuit carrier and flexible reflectors
US20120006464A1 (en) * 2008-12-17 2012-01-12 Van Den Brand Jeroen Flexible electronic product and method for manufacturing the same
RU2556697C1 (ru) * 2014-05-15 2015-07-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) Способ изготовления гибкой микропечатной платы
RU2580512C1 (ru) * 2014-11-27 2016-04-10 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" Способ изготовления гибко-жесткой печатной платы

Also Published As

Publication number Publication date
EP3485511B1 (en) 2020-10-07
BR112019000857B1 (pt) 2023-03-28
EP3485511A1 (en) 2019-05-22
US10595417B2 (en) 2020-03-17
WO2018017285A1 (en) 2018-01-25
CN109643697B (zh) 2023-04-18
TW201813460A (zh) 2018-04-01
BR112019000857A2 (pt) 2019-04-30
CN109643697A (zh) 2019-04-16
US20180020546A1 (en) 2018-01-18
TWI627880B (zh) 2018-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2712925C1 (ru) Способ изготовления гибких электронных схем, имеющих конформные материальные покрытия
US10709023B2 (en) Placement of component in circuit board intermediate product by flowable adhesive layer on carrier substrate
DE10240415B4 (de) Halbleiteranordnung mit einem in einem Hohlraum eingebetteten Modul und Verfahren zum Herstellen derselben
US7317257B2 (en) Inhibiting underfill flow using nanoparticles
JP2007234988A (ja) 半導体素子の実装基板及び実装方法
US20110057330A1 (en) Electronic device and method of manufacturing electronic device
KR102013233B1 (ko) 3d 레이저 프린팅을 이용한 전자회로 제품 제조방법 및 그 전자회로 제품
JP4299296B2 (ja) 外部電極形成方法
KR101251932B1 (ko) 캐리어 플레이트
JP2006327064A (ja) スクリーン印刷版およびその製造方法
US7735717B2 (en) Method of manufacturing semiconductor apparatus and method of forming viscous liquid layer
KR101741794B1 (ko) 접합 신뢰성이 향상되는 솔더볼 접합부를 갖는 다층인쇄회로기판의 제조방법
RU2705727C1 (ru) Способы изготовления трехмерных электронных модулей, трехмерные электронные модули
CN109906506A (zh) 电子部件及其制造方法
DE102017208435A1 (de) Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterchips in einem Gehäuse
WO2022085209A1 (ja) 転写型及び配線形成方法
JPS61113243A (ja) 混成集積回路の実装方法
US20180160533A1 (en) Multilayer printed circuit board
JP2020088185A (ja) プリント配線基板
JP2000309151A (ja) ペースト状物質の印刷方法
JP2003198078A (ja) プリント配線基板及びその製造方法
KR20040106979A (ko) 인쇄회로기판 제작방법
KR20040051527A (ko) 웨이퍼 상의 3 차원 구조물 형성 방법
CN117412819A (zh) 电子部件的制造方法和糊剂涂敷装置
JP4697285B2 (ja) 外部電極形成方法