CN109643697A - 制造具有共形材料涂层的柔性电子电路的方法 - Google Patents
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Abstract
提供一种制造柔性电子电路的方法。该方法可以包括在具有多个金属迹线的柔性聚合物基底上形成正性光刻胶模具。该方法还可以包括在正性光刻胶模具、柔性聚合物基底和金属迹线上涂覆共形材料涂层。该方法可以进一步包括通过在正性光刻胶模具上运行刀片来去除多余的共形材料涂层。该方法还可以包括去除正性光刻胶模具以露出由共形材料涂层限定的空腔。该方法可以进一步包括将各向异性导电浆料分配到空腔中以及将芯片插入空腔中并将芯片键合到金属迹线。
Description
技术领域
本公开一般涉及柔性电子电路领域,更具体地,涉及制造具有共形材料涂层的柔性电子电路的方法。
背景技术
随着材料和制造技术的发展,柔性电子电路不断发展。柔性电子电路利用柔性基底,其可以适应特定的形状因子以满足应用的需要。芯片可以是倒装芯片,其直接键合到柔性基底上,并且可以涂覆共形材料涂层以提供机械和水汽进入的保护。对于一些柔性电子电路,需要使一个或多个芯片暴露于外部环境。例如,一些柔性电子电路可能具有需要暴露于外部环境以便正常工作的传感器芯片。为了适应这种要求,已经开发了不同的技术来从传感器芯片上去除共形材料涂层,或者在涂覆过程中必须掩蔽传感器芯片。例如,均已尝试从传感器芯片的表面烧蚀共形材料涂层和掩蔽传感器芯片。尽管这些技术使得能够使传感器芯片的一部分暴露,但是需要更加一致和可靠的方法,该方法在工艺期间不会损害传感器芯片。另外,随着对越来越小的柔性电子电路的需求持续增加,控制柔性电子器件的所有部分(包括共形材料涂层)的尺寸(例如,厚度)的需求将继续增加。对于一些柔性电子电路,可能难以精确控制共形材料涂层的厚度。例如,取决于材料和涂覆方法,共形材料涂层的厚度可能过大,因此不必要地增加柔性电子电路的总厚度。因此,还需要一种能够更精确地控制共形材料涂层厚度的方法。
发明内容
在一个方面,本公开涉及一种制造柔性电子电路的方法。该方法可以包括在具有多个金属迹线的柔性聚合物基底上形成正性光刻胶模具。该方法还可以包括在正性光刻胶模具、柔性聚合物基底和金属迹线上涂覆共形材料涂层。该方法可以进一步包括通过跨过共形材料涂层在正性光刻胶模具上运行刀片来去除多余的共形材料涂层。该方法还可以包括去除正性光刻胶模具以露出由共形材料涂层限定的空腔。该方法可以进一步包括将各向异性导电浆料分配到空腔中以及将芯片插入空腔中并将芯片键合到金属迹线。
在另一方面,本公开涉及制造柔性电子电路的另一种方法。该方法可以包括将筛子按压到具有多个金属迹线的柔性聚合物基底上,其中筛子具有多孔部分和阻挡部分,并且阻挡部分限定模具。该方法还可以包括将共形材料涂层涂覆到筛子的顶部使得共形材料能够流过围绕模具的筛子的多孔部分。该方法可以进一步包括将共形材料涂层驱动通过筛子,并通过在筛子上运行刀片从筛子上去除多余的共形材料。该方法还可以包括去除筛子以露出由共形材料涂层限定的空腔。该方法可以进一步包括将各向异性导电浆料分配到空腔中以及将芯片插入空腔中并将芯片键合到金属迹线。
在另一方面,本公开涉及一种柔性电子电路。该柔性电子电路可以包括具有多个金属迹线的柔性基底。该柔性电子电路还可以包括共形材料涂层,其限定至少一个空腔。该柔性电子电路还可以包括键合到至少一个空腔中的第一芯片。柔性电子电路还可以包括各向异性导电浆料,其围绕至少一个空腔内的第一芯片。第一芯片的至少一个表面可以暴露于周围环境,并且共形材料涂层的厚度小于或等于第一芯片的厚度。
附图说明
图1是根据示例性实施例的柔性电子电路的横截面图示。
图2A是根据另一示例性实施例的柔性电子电路的横截面图示。
图2B是根据另一示例性实施例的柔性电子电路的俯视图。
图3是说明制造图1的柔性电子电路的方法的流程图。
图4是图3的制造方法的步骤的横截面图示。
图5是图3的制造方法的另一步骤的横截面图示。
图6是图3的制造方法的另一步骤的横截面图示。
图7是图3的制造方法的另一步骤的横截面图示。
图8是图3的制造方法的另一步骤的横截面图示。
图9是说明制造图1的柔性电子电路的另一种方法的流程图。
图10是图9的制造方法的步骤的横截面图示。
图11是图9的制造方法的另一步骤的横截面图示。
图12是图9的制造方法的另一步骤的横截面图示。
图13是图9的制造方法的另一步骤的横截面图示。
图14是图9的制造方法的另一步骤的横截面图示。
具体实施方式
现在将详细参考本公开的实施例,其示例在附图中示出。在可能的情况下,在整个附图中将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。
图1示出了柔性电子电路(FEC)10的横截面图示。FEC 10可以包括具有多个金属迹线14的柔性基底12。FEC 10还可以包括附接到金属迹线14的一个或多个芯片16。FEC 10还可以具有涂覆在柔性基底12上的共形材料涂层18,并且可以被涂覆在金属迹线14的至少一部分上。共形材料涂层18可以限定一个或多个空腔,芯片16可以插入其中。FEC 10还可以具有各向异性导电浆料20。
柔性基底12可以由各种材料形成。例如,柔性基底可以由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)或液晶聚合物(LCP)形成。在一些实施例中,柔性基底12可以由刚性载体晶片上的柔性膜形成。可以通过任何合适的手段将金属迹线14涂覆到柔性基底12。金属迹线14可以由各种材料形成。例如,金属迹线14可以由金、铜、铝或其他合适的材料形成,并且在一些实施例中,金属迹线14可以具有电镀饰面。
可以制造FEC 10,使得至少芯片16可以具有暴露于外部或周围环境的部分。例如,如图1所示,芯片16的上表面可以暴露于外部环境。对于一些应用,使至少一个芯片16暴露于环境可能是有利的和/或是FEC 10设计的要求。例如,芯片16可以是需要暴露于环境以便正常工作的传感器芯片。例如,在一些实施例中,芯片16可以是设计用于测量周围环境的值的传感器芯片。例如,芯片16可以是电化学传感器(例如,用于葡萄糖测量)、压力传感器(例如,眼内压(IOP))、光学传感器,湿度传感器或挥发性有机化合物(VOC)、或测量环境特征的其他传感器。在一些实施例中,对于FEC 10设计,使至少一个芯片16暴露以便实现与另一芯片的互连可能是有利的或以其他方式所期望的。例如,暴露的芯片可以连接到叠置多层电路中的另一个芯片或组件。例如,可以通过柔性导电粘合剂、引线键合或直接金属化连接来进行连接。
在一些实施例中,如图2A所示,FEC 10可以包括多个不同的芯片16。芯片16中的一个或多个可以暴露于环境,而芯片16'中的一个或多个可以完全涂覆有共形材料涂层18。在一些实施例中,芯片16可以突出到CMC 18的表面上方,使得CMC 18的厚度小于或等于芯片16的厚度,如图1所示。在一些实施例中,芯片16通常可以与CMC 18的表面齐平,如图2A所示。芯片16的尺寸(例如,长度、宽度和厚度)可以变化。例如,在一些实施例中,芯片16的长度可以是约500μm、约600μm、约700μm、约800μm、约900μm、约1mm、约1.1mm、约1.2mm、约1.3mm、约1.4毫米、约1.5毫米、或大于约1.5毫米。在一些实施例中,对应于上面列出的长度的芯片16的宽度可以是,例如,约500微米、约600微米、约700微米、约800微米、约900微米、约1毫米、约1.1毫米、约1.2毫米、约1.3毫米、约1.4毫米、约1.5毫米、或大于约1.5毫米。上面列出的任何长度和宽度组合的芯片16的厚度可以是,例如,约30微米、约40微米、约50微米、约60微米、约70微米、约80微米、约90微米、约100微米、约110微米、约120微米、约130微米、约140微米、约150微米、或大于约150微米。如图1所示,在一些实施例中,多个芯片16的厚度可以相等,而图2A中的芯片16和芯片16'的厚度可以是不同的。
图2B示出了FEC 10的另一示例性实施例。FEC 10可以具有安装在基底12上通过金属迹线14互连的三个芯片。芯片16'可以被CMC 18覆盖,而芯片16可以是传感器类型芯片,其中顶表面可以暴露于环境(即,未被CMC 18覆盖),如图2B所示。
根据示例性实施例,这里将描述制造FEC 10的多种方法。
现在将参考图3-8解释制造FEC 10的第一方法100。图3是示出方法100的步骤的流程图。方法100可以从具有金属迹线14的柔性聚合物基底12开始。步骤102可以包括在柔性聚合物基底14上形成正性光刻胶模具22。例如,如图4所示,一个或多个光刻胶模具22可以形成在柔性聚合物基底12和金属迹线14的顶部上。光刻胶模具22可以例如通过旋涂和光刻形成。在一些实施例中,光刻胶模具22可以是干膜。光刻胶模具22可以符合金属迹线14的图案。
接下来,在步骤104,方法100可以包括在正性光刻胶模具22、柔性聚合物基底12和金属迹线14的一部分上涂覆CMC 18。根据示例性实施例,CMC 18可以是硅酮粘合剂橡胶。在一些实施例中,其他合适的材料可以用于CMC 18。例如,丙烯酸、氨基甲酸酯、丙烯酸酯化氨基甲酸酯、软环氧树脂或环烯烃共聚物。在一些实施例中,在104之前,可以在基底12的表面上进行氧等离子体处理。氧等离子体处理可以在聚合物表面上产生羟基。氧等离子体处理可以改善CMC 18的粘附性。
可以使用各种合适的方法涂覆CMC 18。例如,CMC 18可以通过旋涂、喷涂、浸涂或槽模涂覆来涂覆。也可以使用其他合适的方法,或者可以使用多个方法的组合。根据示例性实施例,可以使用旋涂方法涂覆CMC 18。可以涂覆足够量的CMC 18。例如,如图5所示,CMC18可以覆盖两个光刻胶模具22并填充相邻的正性光刻胶模具22之间的空间。
接下来在步骤106,方法100可以包括跨过CMC 18在正性光刻胶模具22上运行刀片来去除多余的CMC 18。可以控制刀片在一个、一些或所有正性光刻胶模具22上运行。多余量可以定义为位于正性光刻胶模具22上方的高度的CMC 18的一部分或全部。如图6所示,在一些实施例中,可以在光刻胶模具22的顶部留下薄残留层或残留物CMC 18。除了去除位于正性光刻胶模具22顶部的多余量之外,运行刀片还可以去除光刻胶模具22之间的多余量。例如,如图6所示,可以去除光刻胶模具22之间的多余量。在一些实施例中,由于CMC 18的粘度导致CMC 18的额外去除可能形成凹陷。
在一些实施例中,在步骤104中用于去除多余的CMC18的刀片可以是具有大致光滑边缘的刮刀状刀片。刀片可以由弹性体形成,并且可以根据力的施加而至少部分地可偏转。刀片可以手动或自动控制。例如,在一些实施例中,机器人系统可以控制刀片。刀片控制的各种不同方面或设置可以是可调节的和可控制的。例如,刀片相对于光刻胶模具22的表面或基底12的表面的高度。调整刀片相对于光刻胶模具22的表面或基底12的表面的高度可以实现对CMC 18的厚度的精确控制。在又一个示例中,刀片的角度和/或由刀片施加的压力(即,向下的力)可以是可控制的。在一些实施例中,刀片运行的方向、速度、路径和通过次数也可以是可控制的。在一些实施例中,刀片可以仅运行一次,而在其他实施例中,刀片可以运行多次。对于刀片多次运行的实施例,可以调整刀片控制的设置。例如,刀片的第一次运行可用于获得大部分多余的CMC 18,而刀片的第二次运行在增加的压力下完成以尽可能多地去除残留的CMC 18。
在一些实施例中,可以基于视觉检查来调整用于运行刀片的设置。例如,在第一次运行刀片之后,如果多余的CMC 18被充分地去除,那么刀片的第二次运行可能不会被取消。或者,如果在第一次运行刀片之后仍然存在不可接受量的多余的CMC 18,则可以启动第二次刀片运行。在一些实施例中,使用O2和CF4的混合物的等离子体去除残余物也可用于从光刻胶模具22的确定中去除薄的CMC 18残余物。
在CMC 18固化之后,接着在步骤108,方法100可以包括去除正性光刻胶模具22以露出由CMC 18限定的空腔24,如图7所示。在一些实施例中,可以使用溶剂、碱性溶液或其他化学溶液来去除正性光刻胶模具22。可以使用各种不同的溶剂,例如丙酮、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、二甲基亚砜(DMSO)或其他类似溶剂。在一些实施例中,超声处理可用于帮助去除正性光刻胶模具22。例如,超声处理可用于促进在正性光刻胶模具22的表面上残留的CMC18的溶解。在一些实施例中,在步骤108之后,可以进行另一氧等离子体处理(例如,第二氧等离子体处理)。
接下来在步骤110,方法100可以包括将各向异性导电浆料(ACP)26分配到空腔24中。可以使用各种不同的各向异性导电浆料。一个示例是AC268。在一些实施例中,可以使用环氧树脂或其他类型的粘合剂。在一些实施例中,也可以使用非导电环氧树脂。
在步骤110期间,可以控制(手动或自动)分配的各种不同方面。例如,ACP 26在空腔24内分配的的一个或多个位置、分配ACP 26的总体积、在每个位置分配的ACP 26的体积、分配ACP 26的流速。ACP 26可以在一个或多个位置以足够的量分配,使得ACP 26完全底部填充芯片16并且一旦安装就填充芯片16未占用的所有可用空间。在一些实施例中,ACP 26可以涂抹在间隙中(例如,在迹线14之间)。ACP 26可以在分配到空腔24中之后保持流动性,以使ACP 26能够填充并密封任何间隙。
接下来在步骤112,方法100可以包括将芯片16插入腔24中并将芯片16键合到金属迹线14,如图8所示。插入和键合的芯片数量可以变化。例如,在一些实施例中,单个芯片16可以插入并键合到单个空腔24中,而在一些实施例中,可以插入两个或更多个芯片16并将其键合到两个或更多个空腔24中。步骤112可以利用各种技术来插入和键合芯片16。例如,在一些实施例中,倒装芯片键合技术可以用于将芯片16插入并键合到空腔24中。如图8所示,可以插入芯片16,使得芯片16上的接触垫可以在适当的位置处接触相应的金属迹线14。另外,如图8所示,一旦插入,ACP 26可以填充空腔24内的所有可用空间。
现在将参考图9-14解释制造FEC 10的第二方法200。
图9是示出方法200的步骤的流程图。方法200可以从具有金属迹线14的柔性聚合物基底12开始。步骤202可以包括将筛子28按压到具有金属迹线14的柔性聚合物基底12上,如图10所示。筛子28的部分可以是多孔的,而其他部分是阻挡的(即,无孔的)。例如,如图10所示,筛子28可以具有多孔部分30和阻挡部分32。在一些实施例中,可以存在一个或多个多孔部分30和/或一个或多个阻挡部分32。多孔部分30可以配置成允许流体流过筛子28,而阻塞部分32可以阻挡流体流过筛子28。如图10所示,筛子28的厚度可以变化。例如,阻挡部分32的厚度可以大于多孔部分30的厚度。在一些实施例中,阻挡部分32可以配置成限定模具34。可以促使筛子28与基底12和金属迹线14牢固接触。牢固接触可以防止或限制CMC 18的意外涂抹(例如,进入用于芯片16的空腔)。筛子28相对于基底12的高度可以确定CMC 18的厚度。例如,调节(即,升高或降低)筛子28的高度可以实现对CMC 18的厚度的精确控制。
在一些实施例中,类似于方法100,可以在基底12的表面上进行氧等离子体处理。氧等离子体处理可以在聚合物表面上产生羟基。
接下来在步骤204,方法200可以包括将CMC 18涂覆到筛子28的顶部,如图11所示。可以使用各种合适的方法将CMC 18涂覆于筛子28。例如,CMC 18可以通过旋涂、喷涂、浸涂或槽模涂覆来涂覆。也可以使用其他合适的方法,或者可以使用多个方法的组合。根据示例性实施例,可以使用旋涂方法涂覆CMC 18。
接下来在步骤206,方法200可以包括驱动CMC 18通过筛子28并通过在筛子28上运行刀片从筛子28上去除多余的CMC 18。如图12所示,CMC 18可以流过多孔部分30并填充在阻挡部分32之间直到筛子28的表面。
在一些实施例中,在步骤206中用于驱动CMC 18并去除多余的CMC 18的刀片可以是刮刀状刀片。刀片可以手动或自动控制。例如,在一些实施例中,机器人系统可以控制刀片。刀片控制的各种不同方面或设置可以是可调节的和可控制的。例如,刀片的角度和/或由刀片施加的压力(即,向下的力)可以是可控制的。在一些实施例中,刀片运行的方向、速度、路径和通过次数也可以是可控制的。在一些实施例中,刀片可以仅运行一次,而在其他实施例中,刀片可以运行多次。对于刀片多次运行的实施例,可以在运行之间调整刀片控制的设置。例如,刀片的第一次运行可用于驱动CMC 18,而第二次运行可用于去除大部分多余的CMC 18。
接下来在208,方法200可以包括去除筛子28以露出由CMC 18限定的空腔24,如图13所示。在一些实施例中,在去除筛子28之前,可允许CMC 18部分固化,但可以在CMC 18完全固化之前去除筛子28。在一些实施例中,在步骤208之后,可以进行另一氧等离子体处理(例如,第二氧等离子体处理)。
接下来在步骤210,方法200可以包括将各向异性导电浆料(ACP)26分配到空腔24中。步骤210可以类似于方法100的步骤110。与步骤110相似,对于步骤210,可以使用各种不同的各向异性导电浆料。一个示例是AC268。在一些实施例中,可以使用环氧树脂或其他类型的粘合剂。
与步骤110类似,在步骤210期间,可以控制(手动或自动)分配的各个方面。例如,ACP 26在空腔24内分配的的一个或多个位置、分配ACP 26的总体积、在每个位置分配的ACP26的体积、分配ACP 26的流速。ACP 26可以在一个或多个位置以足够的量分配,使得ACP 26完全底部填充芯片16并且一旦安装就填充芯片16未占用的所有可用空间。在一些实施例中,ACP 26可以涂抹在间隙中(例如,在迹线14之间)。
接下来在步骤212,方法200可以包括将芯片16插入空腔24中并将芯片16键合到金属迹线14。步骤212可以类似于方法100的步骤112。与步骤112类似,对于步骤212,插入和键合的芯片的数量可以变化。例如,在一些实施例中,单个芯片16可以插入并键合到单个空腔24中,而在一些实施例中,可以插入两个或更多个芯片16并将其键合到两个或更多个空腔24中。步骤212可以利用各种技术来插入和键合芯片16。例如,在一些实施例中,倒装芯片键合技术可以用于将芯片16插入并键合到空腔24中。如图14所示,可以插入芯片16,使得芯片16上的垫在适当的位置处接触金属迹线14。另外,如图14所示,一旦插入,ACP 26可以填充空腔24内的所有可用空间。
方法100和200是制造FEC 10的方法,其能够精确控制CMC 18的厚度。例如,如本文所述,方法100可以通过调节刀片相对于基底12和/或正性光刻胶模具22的高度来控制CMC18的厚度。在又一个示例中,如本文所述,该方法可以通过调节筛子28相对于基底12的高度来控制CMC 18的厚度。在一些实施例中,可以通过调节阻挡部分32和模具34的厚度来调节筛子28相对于基底12的高度。能够精确控制CMC 18的厚度使得能够更好地控制FEC 10的总厚度,这可以制造更小和更薄的柔性电子电路。
方法100和200也是制造FEC 10的方法,其使得能够选择暴露于环境(即,未被CMC18覆盖)的芯片16。与其他已知方法相比,方法100和200实现了这种功能,而没有从芯片表面烧蚀CMC18或者在制造期间没有掩蔽芯片表面(这样可能导致芯片损坏)。
已经出于说明的目的呈现了前面的描述。描述并非详尽无遗,并且不限于所公开的精确形式或实施例。考虑到所公开实施例的说明书和实践,实施例的修改和调整将是显而易见的。例如,所描述的实施例包括制造柔性电子电路的方法,但是这些方法也可用于制造其他电子电路和组件。
此外,虽然本文已经描述了说明性实施例,但是保护范围包括具有基于本公开的等同元件、修改、省略、组合(例如,跨越各种实施例的方面)、修改和/或更改的任何和所有实施例。权利要求中的元件将基于权利要求中使用的语言进行广泛地解释,而不限于本说明书中描述的或在本申请实施期间描述的示例,这些示例被解释为非排他性的。此外,所公开的方法的步骤可以以任何方式进行修改,包括重新排序步骤和/或插入或删除步骤。
根据详细说明书,本公开的特征和优点是显而易见的,因此,所附权利要求旨在涵盖落入本公开的真实精神和范围内的所有系统和方法。如本文所使用的,不定冠词“一”和“一个”表示“一个或多个”。类似地,复数术语的使用不一定表示复数,除非在给定的上下文中是明确的。除非特别指出,否则诸如“和”或“或”这样的词意味着“和/或”。此外,由于通过研究本公开内容将容易发生许多修改和变化,因此不希望将本公开限制为如图示和如描述的确切构造和操作,并且因此可以采取所有合适的修改和等同以落入所披露的范围内。
考虑到本文公开的实施例的说明和实践,其他实施例将变得显而易见。意图是说明书和示例仅被视为示例,所公开的实施例的真实范围和精神由所附权利要求表明。
Claims (20)
1.一种制造柔性电子电路的方法,包括:
在具有多个金属迹线的柔性聚合物基底上形成正性光刻胶模具;
在正性光刻胶模具、柔性聚合物基底和金属迹线上涂覆共形材料涂层;
通过跨过共形材料涂层在正性光刻胶模具上运行刀片来去除多余的共形材料涂层;
去除正性光刻胶模具以露出由共形材料涂层限定的空腔;
将各向异性导电浆料分配到空腔中;以及
将芯片插入空腔中并将芯片键合到金属迹线。
2.如权利要求1所述的方法,还包括,用氧等离子体处理所述柔性聚合物基底,以在所述聚合物基底的表面上产生羟基。
3.如权利要求2所述的方法,其中,在涂覆所述共形材料涂层之前进行第一氧等离子体处理,并且在去除所述正性光刻胶模具之后进行第二氧等离子体处理。
4.如权利要求1所述的方法,其中,所述共形材料涂层是硅酮。
5.如权利要求1所述的方法,其中,通过旋涂、喷涂、浸涂和槽模涂覆中的至少一种涂覆所述共形材料涂层。
6.如权利要求1所述的方法,其中,所述刀片是刮刀状刀片,其具有大致光滑的弹性体边缘,所述弹性体边缘是可偏转的,并且所述边缘在所述正性光刻胶模具上方基本上对应于所述正性光刻胶模具的顶表面高度的高度处运行。
7.如权利要求1所述的方法,其中,使用丙酮去除所述正性光刻胶模具。
8.如权利要求1所述的方法,其中,使用超声处理来帮助去除所述正性光刻胶模具。
9.如权利要求1所述的方法,其中,所述各向异性导电浆料填充在所述金属迹线与所述芯片和由所述共形材料涂层形成的腔壁之间的任何间隙之间。
10.如权利要求1所述的方法的产物。
11.一种制造柔性电子电路的方法,包括:
将筛子按压到具有多个金属迹线的柔性聚合物基底上,其中筛子具有多孔部分和阻挡部分,并且阻挡部分限定模具;
将共形材料涂层涂覆到筛子的顶部使得共形材料能够流过围绕模具的筛子的多孔部分;
将共形材料涂层驱动通过筛子,并通过在筛子上运行刀片从筛子上去除多余的共形材料;
去除筛子以露出由共形材料涂层限定的空腔;
将各向异性导电浆料分配到空腔中;以及
将芯片插入空腔中并将芯片键合到金属迹线。
12.如权利要求11所述的方法,还包括,用氧等离子体处理所述柔性聚合物基底,以在所述聚合物基底的表面上产生羟基。
13.如权利要求11所述的方法,其中,在涂覆所述共形材料涂层之前进行第一氧等离子体处理,并且在去除所述筛子之后进行第二氧等离子体处理。
14.如权利要求11所述的方法,其中,所述共形材料涂层是硅酮。
15.如权利要求11所述的方法,其中,通过旋涂、喷涂、浸涂和槽模涂覆中的至少一种涂覆所述共形材料涂层。
16.如权利要求11所述的方法,其中,所述各向异性导电浆料填充在所述金属迹线与所述芯片和由所述共形材料涂层形成的腔壁之间的任何间隙之间。
17.如权利要求11所述的方法的产物。
18.一种柔性电子电路,包括:
柔性基底,其具有多个金属迹线;
共形材料涂层,其限定至少一个空腔;
第一芯片,其键合到所述至少一个空腔中;
各向异性导电浆料,其围绕所述至少一个空腔内的第一芯片;
其中,第一芯片的至少一个表面暴露于周围环境,并且共形材料涂层的厚度小于或等于第一芯片的厚度。
19.如权利要求18所述的柔性电子电路,还包括,第二芯片,所述第二芯片具有与所述第一芯片不同的厚度,其中所述第二芯片被所述共形材料涂层覆盖。
20.如权利要求18所述的柔性电子电路,其中,所述第一芯片是传感器芯片,其测量周围环境的值。
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