RU2656280C1 - Жидкокристаллическое устройство отображения и подложка матрицы такого устройства - Google Patents

Жидкокристаллическое устройство отображения и подложка матрицы такого устройства Download PDF

Info

Publication number
RU2656280C1
RU2656280C1 RU2017124184A RU2017124184A RU2656280C1 RU 2656280 C1 RU2656280 C1 RU 2656280C1 RU 2017124184 A RU2017124184 A RU 2017124184A RU 2017124184 A RU2017124184 A RU 2017124184A RU 2656280 C1 RU2656280 C1 RU 2656280C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
pixel electrode
film transistor
data bus
thin film
thin
Prior art date
Application number
RU2017124184A
Other languages
English (en)
Inventor
Мэн ВАН
Original Assignee
Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд. filed Critical Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.
Application granted granted Critical
Publication of RU2656280C1 publication Critical patent/RU2656280C1/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134345—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области жидкокристаллических дисплеев. Подложка матрицы содержит первую шину передачи данных и вторую шину передачи данных, первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод, первый тонкопленочный транзистор и второй тонкопленочный транзистор; первое сквозное отверстие и второе сквозное отверстие, причем первое сквозное отверстие и второе сквозное отверстие расположены соответственно на одних прямых линиях с первым тонкопленочным транзистором и вторым тонкопленочным транзистором вдоль направления, перпендикулярного первой шине передачи данных, а также второй шине передачи данных, второй пиксельный электрод электрически соединен со стоком первого тонкопленочного транзистора через первое сквозное отверстие, а первый пиксельный электрод электрически соединен со стоком второго тонкопленочного транзистора черед второе сквозное отверстие. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 3 ил.

Description

Область техники
[0001] Изобретение относится к области технологии жидкокристаллических дисплеев и, в частности, к жидкокристаллическому устройству отображения и подложке матрицы такого устройства.
Описание предшествующего уровня техники
[0002] В традиционной конструкции пиксельной структуры шина передачи данных электрически соединена с соседними пиксельными электродами черед тонкопленочные транзисторы и обеспечивает напряжение шкалы оттенков серого пиксельным электродам. Поскольку пространство компоновки компонентов, занятое тонкопленочным транзистором в направлении продолжения шины передачи данных, большое, чтобы обеспечить относительную апертуру пикселя, области апертуры двух пикселей между двумя соседними шинами передачи данных не могут быть расположены параллельно вдоль направления продолжения линии сканирования. Однако такая компоновка уменьшит унифицированность маски RGB, увеличит стоимость изготовления пиксельного электрода, приведет к простой генерации областью апертуры пикселя оптической интерференции с оптической пленкой жидкокристаллического устройства отображения и тем самым ухудшит качество отображения жидкокристаллического устройства отображения. Если обеспечить параллельное расположение областей апертуры двух пикселей вдоль направления продолжения линии сканирования, области областей апертуры должны быть уменьшены, что приведет к уменьшению относительной апертуры пикселей.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
[0003] Соответственно, варианты осуществления изобретения предусматривают жидкокристаллическое устройство отображения и подложку матрицы такого устройства, которые могут обеспечить качество отображения жидкокристаллического устройства отображения и увеличить относительную апертуру пикселей.
[0004] Техническим решением, предлагаемым изобретением, является создание подложки матрицы. Подложка матрицы содержит: первую шину передачи данных и вторую шину передачи данных, причем первая шина передачи данных и вторая шина передачи проходят вдоль первого направления и расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления, перпендикулярного первому направлению; первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод, причем первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод расположены между первой шиной передачи данных и второй шиной передачи данных и расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления, первый пиксельный электрод расположен рядом с первой шиной передачи данных, второй пиксельный электрод расположен рядом со второй шиной передачи данных, первая шина передачи данных выполнена с возможностью подачи напряжения шкалы оттенков серого на второй пиксельный электрод, а вторая шина передачи данных выполнена с возможностью подачи напряжения шкалы оттенков серого на первый пиксельный электрод; первый тонкопленочный транзистор и второй тонкопленочный транзистор, расположенные между первой шиной передачи данных и второй шиной передачи данных, причем первая шина передачи данных электрически соединена с истоком первого тонкопленочного транзистора, второй пиксельный электрод электрически соединен со стоком первого тонкопленочного транзистора, вторая шина передачи данных электрически соединена с истоком второго тонкопленочного транзистора, а первый пиксельный электрод электрически соединен со стоком второго тонкопленочного транзистора; первое сквозное отверстие и второе сквозное отверстие, причем первое сквозное отверстие и второе сквозное отверстие расположены соответственно на одних прямых линиях с первым тонкопленочным транзистором и вторым тонкопленочным транзистором вдоль направления, перпендикулярного первой шине передачи данных, а также второй шине передачи данных, второй пиксельный электрод электрически соединен со стоком первого тонкопленочного транзистора через первое сквозное отверстие, а первый пиксельный электрод электрически соединен со стоком второго тонкопленочного транзистора через второе сквозное отверстие.
[0005] В одном варианте осуществления первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод имеют соответственно первую область апертуры и вторую область апертуры, первая область апертуры и вторая область апертуры выровнены вдоль второго направления.
[0006] Другое техническое решение, предлагаемое изобретением, состоит в том, чтобы обеспечить подложку матрицы. Подложка матрицы содержит: первую шину передачи данных и вторую шину передачи данных, причем первая шина передачи данных и вторая шина передачи данных проходят вдоль первого направления и расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления, перпендикулярного первому направлению; первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод, причем первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод расположены между первой шиной передачи данных и второй шиной передачи данных и расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления, первый пиксельный электрод и первая шина передачи данных расположены рядом друг с другом, второй пиксельный электрод и вторая шина передачи данных расположены рядом друг с другом, первая шина передачи данных выполнена с возможностью подачи напряжения шкалы оттенков серого на второй пиксельный электрод, а вторая шина передачи данных выполнена с возможностью подачи напряжения оттенков серого на первый пиксельный электрод.
[0007] В варианте осуществления подложка матрицы дополнительно содержит первый тонкопленочный транзистор и второй тонкопленочный транзистор, расположенные между первой шиной передачи данных и второй шиной передачи данных, первая шина передачи данных электрически соединена с одним из элементов: истоком или стоком первого тонкопленочного транзистора, второй пиксельный электрод электрически соединен с другим из элементов: истоком или стоком первого тонкопленочного транзистора, вторая шина передачи данных электрически соединена с одним из элементов: истоком или стоком второго тонкопленочного транзистора, и первый пиксельный электрод электрически соединен с другим из элементов: истоком или стоком второго тонкопленочного транзистора.
[0008] В варианте осуществления первый тонкопленочный транзистор и второй тонкопленочный транзистор расположены на расстоянии друг от друга вдоль первого направления и соответственно на противоположных сторонах первого пиксельного электрода, а также второго пиксельного электрода.
[0009] В варианте осуществления первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод выровнены вдоль второго направления.
[0010] В варианте осуществления первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод соответственно имеют первую область апертуры и вторую область апертуры, первая область апертуры и вторая область апертуры выровнены вдоль второго направления.
[0011] В варианте осуществления подложка матрицы дополнительно содержит первую шину сканирования и вторую шину сканирования, первая шина сканирования и вторая шина сканирования проходят вдоль второго направления и расположены на расстоянии друг от друга вдоль первого направления; первый пиксельный электрод, второй пиксельный электрод, первый тонкопленочный транзистор и второй тонкопленочный транзистор дополнительно расположены между первой шиной сканирования и второй шиной сканирования, первая шина сканирования расположена рядом с первым тонкопленочным транзистором и электрически соединена с затвором первого тонкопленочного транзистора, вторая шина сканирования расположена рядом со вторым тонкопленочным транзистором и электрически соединена с затвором второго тонкопленочного транзистора.
[0012] В варианте осуществления подложка матрицы дополнительно сформирована с первым сквозным отверстием и вторым сквозным отверстием, второй пиксельный электрод электрически соединен с одним из элементов: истоком или стоком первого тонкопленочного транзистора через первое сквозное отверстие, первый пиксельный электрод электрически соединен с другим из элементов: истоком или стоком второго тонкопленочного транзистора через второе сквозное отверстие.
[0013] В варианте осуществления первое сквозное отверстие и первый тонкопленочный транзистор расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления, второе сквозное отверстие и второй тонкопленочный транзистор расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления.
[0014] В варианте осуществления первое сквозное отверстие и первый тонкопленочный транзистор расположены на одной прямой линии вдоль второго направления, второе сквозное отверстие и второй тонкопленочный транзистор расположены на одной прямой линии вдоль второго направления.
[0015] Для решения указанной выше технической проблемы техническое решение, предлагаемое изобретением, состоит в обеспечении жидкокристаллического устройства отображения, содержащего подложку матрицы. Подложка матрицы содержит: первую шину передачи данных и вторую шину передачи данных, причем первая шина передачи данных и вторая шина передачи данных проходят вдоль первого направления и расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления, перпендикулярного первому направлению; первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод, причем первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод расположены между первой шиной передачи данных и второй шиной передачи данных и расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления, первый пиксельный электрод и первая шина передачи данных расположены рядом друг с другом, второй пиксельный электрод и вторая шина передачи данных расположены рядом друг с другом, первая шина передачи данных выполнена с возможностью подачи напряжения шкалы оттенков серого на второй пиксельный электрод, а вторая шина передачи данных выполнена с возможностью подачи напряжения оттенков серого на первый пиксельный электрод.
[0016] В варианте осуществления подложка матрицы дополнительно содержит первый тонкопленочный транзистор и второй тонкопленочный транзистор, расположенные между первой шиной передачи данных и второй шиной передачи данных, первая шина передачи данных электрически соединена с одним из элементов: истоком или стоком первого тонкопленочного транзистора, второй пиксельный электрод электрически соединен с другим из элементов: истоком или стоком первого тонкопленочного транзистора, вторая шина передачи данных электрически соединена с одним из элементов: истоком или стоком второго тонкопленочного транзистора, и первый пиксельный электрод электрически соединен с другим из элементов: истоком или стоком второго тонкопленочного транзистора.
[0017] В варианте осуществления первый тонкопленочный транзистор и второй тонкопленочный транзистор расположены на расстоянии друг от друга вдоль первого направления и соответственно на противоположных сторонах первого пиксельного электрода, а также второго пиксельного электрода.
[0018] В варианте осуществления первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод выровнены вдоль второго направления.
[0019] В варианте осуществления первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод соответственно имеют первую область апертуры и вторую область апертуры, первая область апертуры и вторая область апертуры выровнены вдоль второго направления.
[0020] В варианте осуществления подложка матрицы дополнительно содержит первую шину сканирования и вторую шину сканирования, первая шина сканирования и вторая шина сканирования проходят вдоль второго направления и расположены на расстоянии друг от друга вдоль первого направления; первый пиксельный электрод, второй пиксельный электрод, первый тонкопленочный транзистор и второй тонкопленочный транзистор дополнительно расположены между первой шиной сканирования и второй шиной сканирования, первая шина сканирования расположена рядом с первым тонкопленочным транзистором и электрически соединена с затвором первого тонкопленочного транзистора, вторая шина сканирования расположена рядом со вторым тонкопленочным транзистором и электрически соединена с затвором второго тонкопленочного транзистора.
[0021] В варианте осуществления подложка матрицы дополнительно сформирована с первым сквозным отверстием и вторым сквозным отверстием, второй пиксельный электрод электрически соединен с одним из элементов: истоком или стоком первого тонкопленочного транзистора через первое сквозное отверстие, первый пиксельный электрод электрически соединен с другим из элементов: истоком или стоком второго тонкопленочного транзистора через второе сквозное отверстие.
[0022] В варианте осуществления первое сквозное отверстие и первый тонкопленочный транзистор расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления, второе сквозное отверстие и второй тонкопленочный транзистор расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления.
[0023] В варианте осуществления первое сквозное отверстие и первый тонкопленочный транзистор расположены на одной прямой линии вдоль второго направления, второе сквозное отверстие и второй тонкопленочный транзистор расположены на одной прямой линии вдоль второго направления.
[0024] С помощью вышеуказанных технических решений эффективность, которая может быть достигнута изобретением, заключается в следующем: подложка матрицы различных вариантов осуществления изобретения создана быть следующей: первая шина передачи данных и вторая шина передачи данных проходят вдоль первого направления и расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления, перпендикулярного первому направлению, первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод расположены между первой шиной передачи данных и второй шиной передачи данных и расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления, первый пиксельный электрод расположен рядом с первой шиной передачи данных, второй пиксельный электрод расположен рядом со второй шиной передачи данных, первая шина передачи данных предназначена для обеспечения напряжения шкалы оттенков серого для второго пиксельного электрода, а вторая шина передачи данных предназначена для обеспечения напряжения шкалы оттенков серого для первого пиксельного электрода, и увеличивает пространство компоновки компонентов вдоль направления продолжения шины передачи данных, так что компоненты, соединенные с пиксельными электродами, могут быть расположены горизонтально вдоль направления продолжения шины сканирования и области апертуры двух пикселей между двумя соседними шинами передачи данных могут быть расположены параллельно вдоль направления продолжения шины сканирования. В результате может быть обеспечено качество отображения жидкокристаллического устройства отображения, и может быть увеличена относительная апертура пикселя.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
[0025] Чтобы более четко проиллюстрировать технические решения различных вариантов осуществления настоящего изобретения, в описании вариантов осуществления будут использованы чертежи, краткое описание которых будет дано ниже. Очевидно, чертежи в следующем описании являются только некоторыми вариантами осуществления изобретения, обычный специалист в данной области техники может получить другие чертежи в соответствии с этими представленными чертежами без творческих усилий. На чертежах:
[0026] Фиг. 1 - схематический структурный вид жидкокристаллической панели отображения в соответствии с предпочтительным вариантом осуществления изобретения;
[0027] Фиг. 2 - схематический частичный вид пиксельной структуры жидкокристаллической панели отображения, показанной на фиг. 1; и
[0028] Фиг. 3 - схематический частичный вид подложки матрицы, имеющей пиксельную структуру, показанную на фиг. 2, в соответствии с изобретением.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
[0029] Ниже со ссылкой на прилагаемые чертежи вариантов осуществления изобретения технические решения в вариантах осуществления изобретения будут четко и полностью описаны. Очевидно, что варианты осуществления изобретения, описанные ниже, являются только частью вариантов осуществления изобретения, а не всеми вариантами осуществления. На основе описанных вариантов осуществления изобретения все другие варианты осуществления, полученные обычным специалистом в данной области техники без творческих усилий, относятся к объему правовой охраны изобретения.
[0030] Фиг. 1 - схематический структурный вид жидкокристаллической панели отображения в соответствии с предпочтительным вариантом осуществления изобретения, и фиг. 2 - схематический частичный вид пиксельной структуры жидкокристаллической панели отображения, показанной на фиг. 1. Со ссылкой на фиг. 1 и фиг. 2, жидкокристаллическая панель отображения 10 содержит первую подложку 11, вторую подложку 12 и жидкокристаллический слой 13. Первая подложка 11 и вторая подложка 12 расположены напротив друг друга, вторая подложка 12 может быть CF (подложкой цветного фильтра), и соответственно первая подложка 11 может быть подложкой матрицы TFT (тонкопленочного транзистора).
[0031] Первая подложка 11 содержит прозрачную основу и различные межсоединения, и пиксельные электроды, и т.д., расположенные на прозрачной основе. Например, первая подложка 11 содержит несколько (т.е. более одной) шин передачи данных Sn-1, Sn, Sn+1, Sn+2, несколько шин сканирования Gn-1, Gn, Gn+1, Gn+2, расположенные перпендикулярно шинам передачи данных Sn-1, Sn, Sn+1, Sn+2, и несколько пиксельных электродов Pn-1, Рn, …, Рх, определяемых шинами сканирования и шинами передачи данных. Шины сканирования Gn-1, Gn, Gn+1, Gn+2 соединены с драйвером затвора, шины передачи данных Sn-1, Sn, Sn+1, Sn+2 соединены с драйвером истока, драйвер затвора выполнен с возможностью (т.е. структурирован и расположен) подачи напряжений сканирования в пиксельные блоки Pn-1, Рn, …, Рх по соответствующим шинам сканирования, а драйвер истока выполнен с возможностью подачи напряжений шкалы оттенков серого в пиксельные блоки Рn-1, Рn, …, Рх по соответствующим шинам передачи данных.
[0032] Со ссылкой на фиг. 2, каждые две соседние шины передачи данных и соответствующие две соседние шины сканирования вместе определяют области апертуры двух пикселей с одинаковой структурой, каждая область апертуры пикселя содержит один пиксельный электрод, и далее в данном документе это осуществление берет области апертуры двух пикселей, определяемых первой шиной передачи данных Sn-1, второй шиной передачи данных Sn, первой шиной сканирования Gn-1 и второй шиной сканирования Gn, в качестве примера в целях иллюстрации.
[0033] Первая шина передачи данных Sn-1 и вторая шина передачи данных Sn проходят вдоль первого направления D1 и расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления D2, первая шина сканирования Gn-1 и вторая шина сканирования Gn проходят вдоль второго направления D2 и расположены на расстоянии друг от друга вдоль первого направления D1, и первое направление D1, и второе направление D2 взаимно перпендикулярны.
[0034] Первый пиксельный электрод Pn-1 и второй пиксельный электрод Рn расположены между первой шиной передачи данных Sn-1 и второй шиной передачи данных Sn и расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления D2. Первый пиксельный электрод Pn-1 расположен рядом с первой шиной передачи данных Sn-1, второй пиксельный электрод Рn расположен рядом со второй шиной передачи данных Sn, первая шина передачи данных Sn-1 предназначена для подачи напряжения шкалы оттенков серого на второй пиксельный электрод Pn, а вторая шина передачи данных Sn предназначена для подачи напряжения шкалы оттенков серого на первый пиксельный электрод Рn-1.
[0035] Первая шина передачи данных Sn-1 и вторая шина передачи данных Sn имеют первый тонкопленочный транзистор Т1 и второй тонкопленочный транзистор Т2, расположенные между ними, первый тонкопленочный транзистор T1 и второй тонкопленочный транзистор Т2 расположены на расстоянии друг от друга вдоль первого направления D1 и соответственно на противоположных сторонах первого пиксельного электрода Pn-1, а также второго пиксельного электрода Рn. Первый пиксельный электрод Pn-1 и второй пиксельный электрод Рn выровнены относительно друг друга вдоль второго направления D2.
[0036] Более того, первый пиксельный электрод Pn-1, второй пиксельный электрод Рn, первый тонкопленочный транзистор T1 и второй тонкопленочный транзистор Т2 дополнительно расположены между первой шиной сканирования Gn-1 и второй шиной сканирования Gn. Первая шина сканирования Gn-1 расположена рядом с первым тонкопленочным транзистором T1 и электрически соединена с затвором g1 первого тонкопленочного транзистора T1, вторая шина сканирования Gn расположена рядом со вторым тонкопленочным транзистором Т2 и электрически соединена с затвором g2 второго тонкопленочного транзистора Т2.
[0037] Кроме того, первая шина передачи данных Sn-1 электрически соединена с истоком s1 первого тонкопленочного транзистора T1, второй пиксельный электрод Рn электрически соединен со стоком d1 первого тонкопленочного транзистора T1. Вторая шина передачи данных Sn электрически соединена с истоком s2 второго тонкопленочного транзистора Т2, и первый пиксельный электрод Pn-1 электрически соединен со стоком d2 второго тонкопленочного транзистора Т2.
[0038] Фиг. 3 - схематический частичный вид подложки матрицы, имеющей пиксельную структуру, показанную на фиг. 2, в соответствии с изобретением. Вместе с фиг. 3, первый пиксельный электрод Pn-1 и второй пиксельный электрод Рn соответственно имеют первую область апертуры 31 и вторую область апертуры 32, первая область апертуры 31 и вторая область апертуры 32 выровнены относительно друг друга вдоль второго направления D2. Подложка матрицы 11 дополнительно сформирована с первым сквозным отверстием 33 и вторым сквозным отверстием 34. Первое сквозное отверстие 33 и первый тонкопленочный транзистор T1 расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления D2, второе сквозное отверстие 34 и второй тонкопленочный транзистор Т2 расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления D2, второй пиксельный электрод Рn электрически соединен со стоком d1 первого тонкопленочного транзистора T1 через первое сквозное отверстие 33, а первый пиксельный электрод Pn-1 электрически соединен со стоком d2 второго тонкопленочного транзистора Т2 через второе сквозное отверстие 34.
[0039] В другом варианте осуществления первая шина передачи данных Sn-1 может быть электрически соединена со стоком d1 первого тонкопленочного транзистора T1, второй пиксельный электрод Рn электрически соединен с истоком s1 первого тонкопленочного транзистора T1, вторая шина передачи данных Sn электрически соединена со стоком d2 второго тонкопленочного транзистора Т2, и первый пиксельный электрод Pn-1 электрически соединен с истоком s2 второго тонкопленочного транзистора Т2. В этой ситуации второй пиксельный электрод Рn электрически соединен с истоком s1 первого тонкопленочного транзистора Т1 через первое сквозное отверстие 33, а первый пиксельный электрод Pn-1 электрически соединен с истоком s2 второго тонкопленочного транзистора Т2 через второе сквозное отверстие 34.
[0040] Варианты осуществления изобретения могут увеличить пространство компоновки компонентов в направлении продолжения шины передачи данных, например пространство компоновки компонентов между первой шиной передачи данных Sn-1 и вторым пиксельным электродом Рn вдоль второго направления D2, такое, что первое сквозное отверстие 33 и первый тонкопленочный транзистор T1 расположены на одной прямой линии вдоль второго направления D2, второе сквозное отверстие 34 и второй тонкопленочный транзистор Т2 расположены на одной прямой линии вдоль второго направления D2, и первая область апертуры 31 и вторая область апертуры 32 расположены на одной прямой линии. В результате может быть увеличена относительная апертура пикселя при одновременном обеспечении качества отображения жидкокристаллической панели отображения 10.
[0041] Вариант осуществления изобретения также предусматривает жидкокристаллическое устройство отображения. Жидкокристаллическое устройство отображения содержит жидкокристаллическую панель отображения 10, как показано на фиг. 1, и, конечно, содержит подложку матрицы 11, имеющую пиксельную структуру в соответствии с вариантом осуществления, связанным с фиг. 2 и фиг. 3, и поэтому имеет такой же технический эффект.
[0042] Хотя изобретение было описано с точки зрения того, что в настоящее время считается наиболее практичными и предпочтительными вариантами осуществления, следует понимать, что изобретение не должно ограничиваться раскрытыми вариантами осуществления. Напротив, оно предназначено для охвата различных модификаций и аналогичных устройств, включенных в объем и содержание прилагаемой формулы изобретения, которая должна предоставляться с самой широкой интерпретацией, чтобы охватить все такие модификации и аналогичные структуры.

Claims (28)

1. Подложка матрицы, содержащая:
первую шину передачи данных и вторую шину передачи данных, причем первая шина передачи данных и вторая шина передачи проходят вдоль первого направления и расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления, перпендикулярного первому направлению;
первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод, причем первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод расположены между первой шиной передачи данных и второй шиной передачи данных и расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления, первый пиксельный электрод расположен рядом с первой шиной передачи данных, второй пиксельный электрод расположен рядом со второй шиной передачи данных, первая шина передачи данных выполнена с возможностью подачи напряжения шкалы оттенков серого на второй пиксельный электрод, а вторая шина передачи данных выполнена с возможностью подачи напряжения шкалы оттенков серого на первый пиксельный электрод;
первый тонкопленочный транзистор и второй тонкопленочный транзистор, расположенные между первой шиной передачи данных и второй шиной передачи данных, причем первая шина передачи данных электрически соединена с истоком первого тонкопленочного транзистора, второй пиксельный электрод электрически соединен со стоком первого тонкопленочного транзистора, вторая шина передачи данных электрически соединена с истоком второго тонкопленочного транзистора, а первый пиксельный электрод электрически соединен со стоком второго тонкопленочного транзистора;
первое сквозное отверстие и второе сквозное отверстие, причем первое сквозное отверстие и второе сквозное отверстие расположены соответственно на одних прямых линиях с первым тонкопленочным транзистором и вторым тонкопленочным транзистором вдоль направления, перпендикулярного первой шине передачи данных, а также второй шине передачи данных, второй пиксельный электрод электрически соединен со стоком первого тонкопленочного транзистора через первое сквозное отверстие, а первый пиксельный электрод электрически соединен со стоком второго тонкопленочного транзистора через второе сквозное отверстие.
2. Подложка матрицы по п. 1, отличающаяся тем, что первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод имеют соответственно первую область апертуры и вторую область апертуры, первая область апертуры и вторая область апертуры выровнены вдоль второго направления.
3. Подложка матрицы, содержащая:
первую шину передачи данных и вторую шину передачи данных, причем первая шина передачи данных и вторая шина передачи данных проходят вдоль первого направления и расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления, перпендикулярного первому направлению;
первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод, причем первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод расположены между первой шиной передачи данных и второй шиной передачи данных и расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления, первый пиксельный электрод и первая шина передачи данных расположены рядом друг с другом, второй пиксельный электрод и вторая шина передачи данных расположены рядом друг с другом, первая шина передачи данных выполнена с возможностью подачи напряжения шкалы оттенков серого на второй пиксельный электрод, а вторая шина передачи данных выполнена с возможностью подачи напряжения оттенков серого на первый пиксельный электрод.
4. Подложка матрицы по п. 3, отличающаяся тем, что подложка матрицы дополнительно содержит первый тонкопленочный транзистор и второй тонкопленочный транзистор, расположенные между первой шиной передачи данных и второй шиной передачи данных, первая шина передачи данных электрически соединена с одним из элементов: истоком или стоком первого тонкопленочного транзистора, второй пиксельный электрод электрически соединен с другим из элементов: истоком или стоком первого тонкопленочного транзистора, вторая шина передачи данных электрически соединена с одним из элементов: истоком или стоком второго тонкопленочного транзистора, и первый пиксельный электрод электрически соединен с другим из элементов: истоком или стоком второго тонкопленочного транзистора.
5. Подложка матрицы по п. 4, отличающаяся тем, что первый тонкопленочный транзистор и второй тонкопленочный транзистор расположены на расстоянии друг от друга вдоль первого направления и соответственно на противоположных сторонах первого пиксельного электрода, а так же второго пиксельного электрода.
6. Подложка матрицы по п. 5, отличающаяся тем, что первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод выровнены вдоль второго направления.
7. Подложка матрицы по п. 6, отличающаяся тем, что первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод соответственно имеют первую область апертуры и вторую область апертуры, первая область апертуры и вторая область апертуры выровнены вдоль второго направления.
8. Подложка матрицы по п. 5, отличающаяся тем, что подложка матрицы дополнительно содержит первую шину сканирования и вторую шину сканирования, первая шина сканирования и вторая шина сканирования проходят вдоль второго направления и расположены на расстоянии друг от друга вдоль первого направления; первый пиксельный электрод, второй пиксельный электрод, первый тонкопленочный транзистор и второй тонкопленочный транзистор дополнительно расположены между первой шиной сканирования и второй шиной сканирования, первая шина сканирования расположена рядом с первым тонкопленочным транзистором и электрически соединена с затвором первого тонкопленочного транзистора, вторая шина сканирования расположена рядом со вторым тонкопленочным транзистором и электрически соединена с затвором второго тонкопленочного транзистора.
9. Подложка матрицы по п. 4, отличающаяся тем, что подложка матрицы дополнительно сформирована с первым сквозным отверстием и вторым сквозным отверстием, второй пиксельный электрод электрически соединен с одним из элементов: истоком или стоком первого тонкопленочного транзистора через первое сквозное отверстие, первый пиксельный электрод электрически соединен с другим из элементов: истоком или стоком второго тонкопленочного транзистора через второе сквозное отверстие.
10. Подложка матрицы по п. 9, отличающаяся тем, что первое сквозное отверстие и первый тонкопленочный транзистор расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления, второе сквозное отверстие и второй тонкопленочный транзистор расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления.
11. Подложка матрицы по п. 10, отличающаяся тем, что первое сквозное отверстие и первый тонкопленочный транзистор расположены на одной прямой линии вдоль второго направления, второе сквозное отверстие и второй тонкопленочный транзистор расположены на одной прямой линии вдоль второго направления.
12. Жидкокристаллическое устройство отображения, содержащее подложку матрицы, содержащую:
первую шину передачи данных и вторую шину передачи данных, причем первая шина передачи данных и вторая шина передачи данных проходят вдоль первого направления и расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления, перпендикулярного первому направлению;
первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод, причем первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод расположены между первой шиной передачи данных и второй шиной передачи данных и расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления, первый пиксельный электрод и первая шина передачи данных расположены рядом друг с другом, второй пиксельный электрод и вторая шина передачи данных расположены рядом друг с другом, первая шина передачи данных выполнена с возможностью подачи напряжения шкалы оттенков серого на второй пиксельный электрод, а вторая шина передачи данных выполнена с возможностью подачи напряжения оттенков серого на первый пиксельный электрод.
13. Жидкокристаллическое устройство отображения по п. 12, отличающееся тем, что подложка матрицы дополнительно содержит первый тонкопленочный транзистор и второй тонкопленочный транзистор, расположенные между первой шиной передачи данных и второй шиной передачи данных, первая шина передачи данных электрически соединена с одним из элементов: истоком или стоком первого тонкопленочного транзистора, второй пиксельный электрод электрически соединен с другим из элементов: истоком или стоком первого тонкопленочного транзистора, вторая шина передачи данных электрически соединена с одним из элементов: истоком или стоком второго тонкопленочного транзистора, и первый пиксельный электрод электрически соединен с другим из элементов: истоком или стоком второго тонкопленочного транзистора.
14. Жидкокристаллическое устройство отображения по п. 13, отличающееся тем, что первый тонкопленочный транзистор и второй тонкопленочный транзистор расположены на расстоянии друг от друга вдоль первого направления и соответственно на противоположных сторонах первого пиксельного электрода, а также второго пиксельного электрода.
15. Жидкокристаллическое устройство отображения по п. 14, отличающееся тем, что первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод выровнены вдоль второго направления.
16. Жидкокристаллическое устройство отображения по п. 15, отличающееся тем, что первый пиксельный электрод и второй пиксельный электрод соответственно имеют первую область апертуры и вторую область апертуры, первая область апертуры и вторая область апертуры выровнены вдоль второго направления.
17. Жидкокристаллическое устройство отображения по п. 16, отличающееся тем, что подложка матрицы дополнительно содержит первую шину сканирования и вторую шину сканирования, первая шина сканирования и вторая шина сканирования проходят вдоль второго направления и расположены на расстоянии друг от друга вдоль первого направления; первый пиксельный электрод, второй пиксельный электрод, первый тонкопленочный транзистор и второй тонкопленочный транзистор дополнительно расположены между первой шиной сканирования и второй шиной сканирования, первая шина сканирования расположена рядом с первым тонкопленочным транзистором и электрически соединена с затвором первого тонкопленочного транзистора, вторая шина сканирования расположена рядом со вторым тонкопленочным транзистором и электрически соединена с затвором второго тонкопленочного транзистора.
18. Жидкокристаллическое устройство отображения по п. 13, отличающееся тем, что подложка матрицы дополнительно сформирована с первым сквозным отверстием и вторым сквозным отверстием, второй пиксельный электрод электрически соединен с одним из элементов: истоком или стоком первого тонкопленочного транзистора через первое сквозное отверстие, первый пиксельный электрод электрически соединен с другим из элементов: истоком или стоком второго тонкопленочного транзистора через второе сквозное отверстие.
19. Жидкокристаллическое устройство отображения по п. 18, отличающееся тем, что первое сквозное отверстие и первый тонкопленочный транзистор расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления, второе сквозное отверстие и второй тонкопленочный транзистор расположены на расстоянии друг от друга вдоль второго направления.
20. Жидкокристаллическое устройство отображения по п. 19, отличающееся тем, что первое сквозное отверстие и первый тонкопленочный транзистор расположены на одной прямой линии вдоль второго направления, второе сквозное отверстие и второй тонкопленочный транзистор расположены на одной прямой линии вдоль второго направления.
RU2017124184A 2014-12-12 2014-12-17 Жидкокристаллическое устройство отображения и подложка матрицы такого устройства RU2656280C1 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410768709.6 2014-12-12
CN201410768709.6A CN104460153A (zh) 2014-12-12 2014-12-12 液晶显示器及其阵列基板
PCT/CN2014/094063 WO2016090657A1 (zh) 2014-12-12 2014-12-17 液晶显示器及其阵列基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2656280C1 true RU2656280C1 (ru) 2018-06-04

Family

ID=52906445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017124184A RU2656280C1 (ru) 2014-12-12 2014-12-17 Жидкокристаллическое устройство отображения и подложка матрицы такого устройства

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9563084B2 (ru)
JP (1) JP6518327B2 (ru)
KR (1) KR20170072303A (ru)
CN (1) CN104460153A (ru)
DE (1) DE112014007149T5 (ru)
GB (1) GB2545851B (ru)
RU (1) RU2656280C1 (ru)
WO (1) WO2016090657A1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI696021B (zh) * 2018-11-16 2020-06-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN113777839B (zh) * 2021-08-19 2022-08-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及移动终端
CN114594638A (zh) * 2022-03-02 2022-06-07 北京京东方技术开发有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6636286B1 (en) * 1999-11-26 2003-10-21 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Transflective liquid crystal display device having reflective and transparent pixel electrodes
US20080100555A1 (en) * 2006-11-01 2008-05-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Array substrate and display panel having the same
CN101178526A (zh) * 2007-12-12 2008-05-14 友达光电股份有限公司 液晶显示器以及液晶驱动方法
CN101846859A (zh) * 2009-03-25 2010-09-29 友达光电股份有限公司 液晶显示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101409985B1 (ko) * 2008-01-31 2014-06-20 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101308164B1 (ko) * 2008-09-23 2013-09-12 엘지디스플레이 주식회사 액정패널 및 이를 구비한 액정표시장치
KR101531854B1 (ko) * 2009-03-11 2015-06-26 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
CN101943830B (zh) * 2009-07-03 2014-10-01 群创光电股份有限公司 有源式矩阵显示器及其驱动方法
US8665192B2 (en) * 2009-07-08 2014-03-04 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device
KR101604140B1 (ko) * 2009-12-03 2016-03-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
TWI424236B (zh) * 2010-04-01 2014-01-21 Au Optronics Corp 顯示面板
TWI401517B (zh) * 2010-05-20 2013-07-11 Au Optronics Corp 主動元件陣列基板
CN101950108A (zh) * 2010-07-28 2011-01-19 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示器
CN102455552B (zh) * 2010-10-19 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示器
KR101502118B1 (ko) * 2010-11-01 2015-03-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2014026069A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Kyocera Display Corp 液晶表示装置
CN102879965A (zh) * 2012-10-12 2013-01-16 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示面板及液晶显示装置
KR20140058252A (ko) * 2012-11-06 2014-05-14 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그의 구동 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6636286B1 (en) * 1999-11-26 2003-10-21 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Transflective liquid crystal display device having reflective and transparent pixel electrodes
US20080100555A1 (en) * 2006-11-01 2008-05-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Array substrate and display panel having the same
CN101178526A (zh) * 2007-12-12 2008-05-14 友达光电股份有限公司 液晶显示器以及液晶驱动方法
CN101846859A (zh) * 2009-03-25 2010-09-29 友达光电股份有限公司 液晶显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
GB2545851A (en) 2017-06-28
KR20170072303A (ko) 2017-06-26
US9563084B2 (en) 2017-02-07
US20160342035A1 (en) 2016-11-24
JP2018506051A (ja) 2018-03-01
GB2545851B (en) 2021-09-29
WO2016090657A1 (zh) 2016-06-16
GB201705886D0 (en) 2017-05-24
DE112014007149T5 (de) 2017-08-10
JP6518327B2 (ja) 2019-05-22
CN104460153A (zh) 2015-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20170108745A1 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device
US9960194B1 (en) Display device
US20140152938A1 (en) Liquid crystal display and method for manufacturing the same
US20140319527A1 (en) Array substrate for narrow bezel type liquid crystal display device and method of manufacturing the same
KR20060106168A (ko) 액정표시장치
US10330992B2 (en) Display device
US9971212B2 (en) Array substrate, liquid crystal display panel, and liquid crystal display
JP2009300748A (ja) 表示装置および液晶表示装置
KR102009953B1 (ko) 액정 디스플레이 패널 및 액정 디스플레이 장치
US9625771B2 (en) Display device
RU2011140079A (ru) Подложка, содержащая тонкопленочные транзисторы, и жидкокристаллический дисплей, в котором использована такая подложка
JP2017090683A (ja) 表示装置
JP2007226243A (ja) 液晶表示装置
US10067393B2 (en) Thin film display panel and liquid crystal display device including the same
RU2656280C1 (ru) Жидкокристаллическое устройство отображения и подложка матрицы такого устройства
JP2016004177A (ja) 液晶表示装置
TWI410726B (zh) 主動元件陣列基板
TW201531780A (zh) 顯示面板
WO2018126684A1 (zh) 一种显示基板、显示装置及驱动方法
US8488075B2 (en) Active matrix substrate, display panel, display device, and electronic apparatus
JP2011164361A (ja) 表示装置
JP2016212391A (ja) 表示装置
US20120081273A1 (en) Pixel structure, pixel array and display panel
US10295874B2 (en) Display device and method of manufacturing the display device
US10871691B2 (en) Display device