RU2607727C2 - Устройство фотоэлектрического преобразования и система формирования изображений - Google Patents
Устройство фотоэлектрического преобразования и система формирования изображений Download PDFInfo
- Publication number
- RU2607727C2 RU2607727C2 RU2015120766A RU2015120766A RU2607727C2 RU 2607727 C2 RU2607727 C2 RU 2607727C2 RU 2015120766 A RU2015120766 A RU 2015120766A RU 2015120766 A RU2015120766 A RU 2015120766A RU 2607727 C2 RU2607727 C2 RU 2607727C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- light guide
- photoelectric conversion
- light
- guide portion
- plane
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 150
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 24
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 13
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 9
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 3
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-1-(5-methylfuran-2-yl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)C(CN)C1=CC=C(C)O1 KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 description 1
- XVNRSQASUCMHGX-UHFFFAOYSA-N O[Si](O)(O)O.OP(O)(O)=O Chemical compound O[Si](O)(O)O.OP(O)(O)=O XVNRSQASUCMHGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/28—Systems for automatic generation of focusing signals
- G02B7/36—Systems for automatic generation of focusing signals using image sharpness techniques, e.g. image processing techniques for generating autofocus signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14629—Reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/703—SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
- H04N25/704—Pixels specially adapted for focusing, e.g. phase difference pixel sets
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/703—SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
- H04N25/705—Pixels for depth measurement, e.g. RGBZ
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Studio Devices (AREA)
Abstract
Устройство фотоэлектрического преобразования имеет светопринимающие элементы, расположенные на плоскости формирования изображения. Светопринимающий элемент включает в себя множество участков фотоэлектрического преобразования, выстроенных в первом направлении, параллельном плоскости формирования изображения, через изоляционный участок, и световодный участок, простирающийся по множеству участков фотоэлектрического преобразования. В первой плоскости, которая параллельна плоскости формирования изображения и которая пересекает световодный участок, наибольшая ширина световодного участка в первом направлении больше, чем наибольшая ширина световодного участка во втором направлении, параллельном плоскости формирования изображения и ортогональном первому направлению. В соответствии с настоящим изобретением может быть улучшена точность разделения света на множественные участки фотоэлектрического преобразования. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 10 ил.
Description
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ
[0001] Настоящее изобретение относится к устройству фотоэлектрического преобразования, имеющему блок световода.
ОПИСАНИЕ ПРЕДШЕСТВУЮЩЕГО УРОВНЯ ТЕХНИКИ
[0002] Существуют известные устройства фотоэлектрического преобразования, которые выполняют обнаружение фокуса посредством обнаружения разности фаз с использованием пикселей, имеющих множественные участки фотоэлектрического преобразования. Конфигурация, в которой единственный пиксель имеет множественные участки фотоэлектрического преобразования, предпочтительна не только относительно обнаружения фокуса, но также предпочтительна и во многих моментах, относящихся к улучшению рабочих показателей системы формирования изображений, таких как увеличенная скорость вследствие улучшенной эффективности переноса, более широкий динамический диапазон и т.д.
[0003] Выложенный патент Японии № 2009-158800 раскрывает форму, в которой промежуток, окружающий эффективную светопринимающую область двух фотодиодов, обеспечен в межслойной пленке. Выложенный патент Японии № 2009-158800 также раскрывает форму, в которой в дополнение к промежутку, окружающему эффективную светопринимающую область двух фотодиодов, промежуток обеспечен в межслойной пленке после промежутка между фотодиодами.
[0004] Форма в выложенном патенте Японии № 2009-158800 имеет проблему в том, что свет не может быть точно разделен между этими двумя фотодиодами.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
[0005] Обеспечено устройство фотоэлектрического преобразования, имеющее светопринимающий элемент, выстроенный вдоль плоскости формирования изображения, причем светопринимающий элемент включает в себя множество участков фотоэлектрического преобразования, выстроенных в первом направлении, параллельном плоскости формирования изображения, через изоляционный участок, и световодный участок, простирающийся по множеству участков фотоэлектрического преобразования, причем в первой плоскости, которая параллельна плоскости формирования изображения и которая пересекает световодный участок, наибольшая ширина световодного участка в первом направлении больше, чем наибольшая ширина световодного участка во втором направлении, параллельном плоскости формирования изображения и ортогональном первому направлению.
[0006] Дополнительные признаки настоящего изобретения станут понятны из следующего описания иллюстративных вариантов осуществления со ссылкой на приложенные чертежи.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
[0007] Фиг. 1 является схемой, в качестве примера иллюстрирующей устройство фотоэлектрического преобразования.
[0008] Фиг. 2 является схемой, в качестве примера иллюстрирующей светопринимающие элементы.
[0009] Фиг. 3 является схемой, в качестве примера иллюстрирующей светопринимающие элементы.
[0010] Фиг. 4 является схемой, в качестве примера иллюстрирующей светопринимающие элементы.
[0011] Фиг. 5 является схемой, в качестве примера иллюстрирующей светопринимающие элементы.
[0012] Фиг. 6 является схемой, в качестве примера иллюстрирующей устройство фотоэлектрического преобразования.
[0013] Фиг. 7 является схемой, в качестве примера иллюстрирующей светопринимающие элементы.
[0014] Фиг. 8 является схемой, в качестве примера иллюстрирующей светопринимающие элементы.
[0015] Фиг. 9 является схемой, в качестве примера иллюстрирующей систему формирования изображений.
[0016] Фиг. 10 является схемой для описания максимальной ширины.
ОПИСАНИЕ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
ВАРИАНТ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
[0017] Ниже следует описание варианта осуществления для выполнения настоящего изобретения. Однако следует отметить, последующее описание является всего лишь одним не ограничивающим вариантом осуществления изобретения. Конфигурации, которые являются общими на множественных чертежах, обозначены одинаковыми ссылочными позициями в следующем описании и чертежах. Общие конфигурации будут описаны со ссылкой на множественные чертежи, и описание конфигураций, которые были обозначены одинаковыми ссылочными позициями, будет опущено в соответствующих случаях. Кроме того, любая подходящая технология может быть применена к частям, которые не описаны ниже.
[0018] Фиг. 1A иллюстрирует схематическое изображение устройства 10 фотоэлектрического преобразования как датчик изображений с усилением пикселей. Устройство 10 фотоэлектрического преобразования, проиллюстрированное на фиг. 1A, имеет светопринимающую область 21, которая является областью, окруженной штрихпунктирной линией с одной точкой, и периферийную область 22, которая является областью на периферии светопринимающей области 21 и находится между штрихпунктирной линией с одной точкой и штрихпунктирной линией с двумя точками. Множественные светопринимающие элементы 1 выстроены в форме матрицы или в форме столбца в светопринимающей области 21. Сигналы от светопринимающих элементов во время формирования изображения посредством формирования изображения составляют пиксели, и, таким образом, светопринимающая область может упоминаться как область формирования изображения или пиксельная область. Промежутки между центральными осями смежных светопринимающих элементов (шаг пикселя) обычно равны 10 мкм или меньше, предпочтительно 5,0 мкм или меньше и особенно предпочтительно 2,0 мкм или меньше.
[0019] Периферийная область 22 имеет периферийные схемы, включающие в себя схему 26 вертикального сканирования, две схемы 23 считывания, две схемы 24 горизонтального сканирования и два выходных усилителя 25. Схемы 23 считывания в периферийной области 22 состоят из усилителя столбца, схемы двойной коррелированной выборки (CDS), схемы сложения и т.п. Схемы 23 считывания выполняют усиление, сложение и т.д. сигналов, считанных из пикселей строк, выбранных схемой 26 вертикального сканирования, через вертикальные сигнальные линии. Усилитель столбца, схема CDS, схема сложения и т.п. расположен для каждого пиксельного столбца или каждого из множественных пиксельных столбцов. Схема 24 горизонтального сканирования генерирует сигналы для считывания сигналов от схем 23 считывания по порядку. Выходные усилители 25 усиливают и выдают сигналы столбцов, выбранные схемами 24 горизонтального сканирования. Описанная выше конфигурация является только одним примером конфигурации устройства 10 фотоэлектрического преобразования и не является ограничивающей. Хотя схемы 23 считывания, схемы 24 горизонтального сканирования и выходные усилители 25 составляют систему с двумя выходными путями, и каждый из них расположен выше и ниже светопринимающей области 21, это не является ограничивающим.
[0020] Фиг. 1B является схемой, иллюстрирующей пример светопринимающего элемента 1, и фиг. 1C является схемой сечения светопринимающего элемента 1 по линии IC-IC на фиг. 1B. Единственный светопринимающий элемент 1 имеет множественные участки 101 и 102 фотоэлектрического преобразования, обеспеченные на подложке 100, сделанной из полупроводника. Изоляционный участок 109 расположен между множественными участками 101 и 102 фотоэлектрического преобразования для изоляции его сигнальных зарядов. Изоляционный участок 109 может представлять собой изоляцию посредством изолятора, такого как локальное окисление кремния (LOCOS) или узкощелевая изоляция (STI) и т.п., или может представлять собой изоляцию p-n-перехода посредством полупроводниковой области противоположного типа проводимости по сравнению с областями накопления участков 101 и 102 фотоэлектрического преобразования. В настоящем примере используется изоляция p-n-перехода. Допускается несовершенство изоляционных возможностей изоляционного участка 109, пока имеются изоляционные свойства для определения, какой из сигнальных зарядов, сгенерированных на участках 101 и 102 фотоэлектрического преобразования, больше. В соответствии с этим допустимо, когда часть сигнального заряда, сгенерированного на участке 101 фотоэлектрического преобразования, обнаруживается как сигнальный заряд, сгенерированный на участке 120 фотоэлектрического преобразования.
[0021] Участки 101 и 102 фотоэлектрического преобразования множественных светопринимающих элементов 1 выстроены на общей подложке 100, следуя основной поверхности подложки 100 как плоскости формирования изображения. Направление, в котором два участка 101 и 102 фотоэлектрического преобразования выстраиваются по изоляционному участку 109, параллельное по отношению к плоскости формирования изображения, является направлением X. Направление, в котором выстраиваются два участка 101 и 102 фотоэлектрического преобразования, может быть определено как направление, параллельное по отношению к прямой линии, соединяющей геометрический центр G1 тяжести при наблюдении участка 101 фотоэлектрического преобразования на виде в плане и геометрический центр G2 тяжести при наблюдении участка 102 фотоэлектрического преобразования на виде в плане. Направление, параллельное по отношению к плоскости формирования изображения и ортогональное по отношению к направлению X, является направлением Y. Направление, ортогональное по отношению к плоскости формирования изображения, является направлением Z. Направление Z является ортогональным по отношению к направлению X и направлению Y. Как правило, направление X может быть одним из направления строк светопринимающих элементов 1, выстроенных в форме матрицы в светопринимающей области 21 (направления, в котором простирается одна строка), и направления столбцов (направления, в котором простирается один столбец). Также обычно направление Y может быть другим из направления строк светопринимающих элементов 1, выстроенных в форме матрицы в светопринимающей области 21 (направления вдоль строк) и направления столбцов (направления вдоль столбцов).
[0022] Участки 101 и 102 фотоэлектрического преобразования являются фотодиодами, сформированными посредством внесения примеси в подложку 100, сформированную из полупроводника. Участки 101 и 102 фотоэлектрического преобразования, служащие в качестве фотодиодов, берут большое количество сигнальных зарядов в качестве носителей, и подкрепляются p-n-переходом области полупроводника первого типа проводимости (области накопления) для накопления сигнальных зарядов и области полупроводника второго типа проводимости. Другие примеры участков 101 и 102 фотоэлектрического преобразования включают в себя фотозатворы и полупроводниковую тонкую пленку, имеющую структуру типа металл-изолятор-полупроводник (MIS) или структуру типа положительный-собственный-отрицательный (PIN), сформированную на подложке изолятора, такой как стекло и т.п. Светопринимающая область 21 устройства 10 фотоэлектрического преобразования помимо светопринимающих элементов 1 может включать в себя светопринимающий элемент, который имеет только один участок 101 фотоэлектрического преобразования.
[0023] Сигнальный заряд, извлеченный в участке 101 фотоэлектрического преобразования, переносится в блок 105 обнаружения через затвор 103 переноса, имеющий структуру металл-оксид-полупроводник (МОП; MOS), и сигнальный заряд, извлеченный в участке 102 фотоэлектрического преобразования, переносится в блок 106 обнаружения через затвор 104 переноса, имеющий структуру МОП. Блоки 105 и 106 обнаружения, например, являются участками плавающей диффузионной области, формирующими электростатическую емкость. Каждый из блоков 105 и 106 обнаружения соединен с транзистором 107 усиления и транзистором 108 сброса. Хотя здесь была проиллюстрирована конфигурация, в которой блоки обнаружения обеспечены каждому из участков 101 и 102 фотоэлектрического преобразования, чтобы переносить сигнальные заряды параллельно от отдельных участков фотоэлектрического преобразования, общий блок обнаружения может использоваться в случае последовательного переноса сигнальных зарядов от отдельных участков фотоэлектрического преобразования.
[0024] Выстраивание множественных светопринимающих элементов 1 в светопринимающей области 21 устройства 10 фотоэлектрического преобразования, проиллюстрированного на фиг. 1A, делает возможным выполнение обнаружения фокуса в пределах области формирования изображения посредством обнаружения разности фаз. Это также может быть применено к системе формирования изображений (камере), которая выполняет измерение расстояния с использованием обнаружения разности фаз. Формирование изображения также может быть выполнено с использованием сигналов множественных участков 101 и 102 фотоэлектрического преобразования, выданных от светопринимающего элемента 1 как сигналов формирования изображений. Например, сигналы участков 101 и 102 фотоэлектрического преобразования могут быть объединены для использоваться в качестве сигналов формирования изображения. Таким образом, устройство 10 фотоэлектрического преобразования в соответствии с настоящим вариантом осуществления может реализовать автоматическую фокусировку (AF) с использованием полевой разности фаз.
[0025] Изолирующая пленка 110 расположена на подложке 100. Как правило, изолирующая пленка 110 является прозрачной. Изолирующая пленка 110 может являться однослойной пленкой, сформированной из одного типа материала, но обычно изолирующая пленка 110 является многослойной пленкой, в которой имеются множественные слои из разных материалов. Один слой изолирующей пленки 110 сформирован из оксида кремния (SiO2). Кроме того, один слой может представлять собой силикатное стекло, такое как борофосфатное силикатное стекло(BPSG), фосфатно-силикатное стекло (PSG), боросиликатное стекло (BSG) и т.п. Кроме того, один слой многослойной пленки, составляющей изолирующую пленку 110, может представлять собой нитрид кремния (Si3N4) или карбид кремния (SiC). Разводка 120 может быть обеспечена в пределах изолирующей пленки 110. Разводка 120 может являться многослойной разводкой, в которой множественные слои разводки соединены через разъемы. Хотя на фиг. 1B иллюстрирован пример, в котором разводка 120 является двухслойной, может использоваться многослойная разводка с тремя или более слоям. Для разводки 120 могут использоваться такие проводящие материалы, как медь, алюминий, вольфрам, тантал, титан, поликремний и т.п. Типичная разводка 120 прозрачна и имеет металлический блеск.
[0026] Светопринимающий элемент 1 имеет по меньшей мере один световодный участок 111, который сформирован простирающимся по множественным участкам 101 и 102 фотоэлектрического преобразования. Световодный участок 111 ограничивает свет, падающий на световодный участок 111, таким образом, чтобы он распространялся к участкам 101 и 102 фотоэлектрического преобразования. Сетоводный участок 111 имеет форму сечения, в которой максимальная ширина в направлении X, в котором выстроены участки 101 и 102 фотоэлектрического преобразования, больше максимальной ширины в направлении Y, которое ортогонально по отношению к направлению X, что будет подробно описано позже.
[0027] Световодный участок 111 окружен изолирующей пленкой 110. То есть изолирующая пленка 110 расположена по периметру световодного участка 111 на плоскости X-Y. Если сделать показатель преломления световодного участка 111 и показатель преломления изолирующей пленки 110 разными, можно направить свет, падающий на световодный участок 111, к участкам 101 и 102 фотоэлектрического преобразования благодаря отражению на поверхности раздела между световодным участком 111 и изолирующей пленкой 110. Если сделать показатель преломления световодного участка 111 выше, чем показатель преломления изолирующей пленки 110, получается полное отражение, таким образом, эффективность отражения может быть повышена.
[0028] Окружая световодный участок 111 областью с низким показателем преломления (например, воздушным зазором), имеющей более низкий показатель преломления, чем световодный участок 111 и изолирующая пленка 110, можно направить свет, падающий на световодный участок 111, к участкам 101 и 102 фотоэлектрического преобразования посредством полного отражения на поверхности раздела между световодным участком 111 и областью с низким показателем преломления. Кроме того, окружая боковую поверхность световодного участка 111 отражательным элементом, таким как металл и т.п., можно направить свет, падающий на световодный участок 111, к участкам 101 и 102 фотоэлектрического преобразования посредством металлического отражения. В случае обеспечения области с низким показателем преломления или отражательного элемента показатель преломления световодного участка 111 может отличаться от показателя преломления изолирующей пленки 110 или может быть таким же.
[0029] Материалом световодного участка 111 может являться органический материал (смола) или может являться неорганический материал. Примеры смолы включают в себя силоксановые смолы, полиимидные смолы и т.д. Подходящие примеры неорганических материалов включают в себя нитрид кремния (SixNy), оксинитрид кремния (SixOyNz) и оксид титана (TiO2). Световодный участок 111 может быть выполнен с использованием одного материала или может быть выполнен с использованием множественных материалов.
[0030] Здесь будут перечислены общие значения для показателя преломления для материалов, являющихся примером для световодного участка 111 и изолирующей пленки 110. Показатель преломления для оксида кремния составляет от 1,4 до 1,5, для оксинитрида кремния - от 1,6 до 1,9, для нитрида кремния - от 1,8 до 2,3, для оксида титана от 2,5 до 2,7 и для BSG, PSG и BPSG - от 1,4 до 1,6. Описанные выше значения являются только иллюстративными, и посредством изменения способа формирования пленки один и тот же материал будет иметь разные нестехиометрические составы и разные плотности материала, таким образом, показатель преломления может быть установлен подходящим образом. Следует отметить, что показатель преломления смолы обычно составляет от 1,3 до 1,6, а для смол с высоким показателем преломления даже от 1.6 до 1,8. Однако включение неорганического материала с высоким показателем преломления, такого как оксиды металлов и т.п., дает возможность повысить эффективный показатель преломления. Примеры неорганических материалов с высоким показателем преломления, для включения в смолу включают в себя оксид титана, оксид тантала, оксид ниобия, оксид вольфрама, оксид циркония, оксид цинка, оксид индия, оксид гафния и т.д.
[0031] Хотя будет описана другая конфигурация светопринимающего элемента 1, конфигурация светопринимающего элемента 1 может быть изменена подходящим образом. Пленка 113 с высоким показателем преломления расположена покрывающей световодный участок 111 и изолирующую пленку 110. Пленка 113 с высоким показателем преломления имеет более высокий показатель преломления, чем показатель преломления изолирующей пленки 110. Пленка 113 с высоким показателем преломления может быть сформирована из того же самого материала, как световодный участок 111. В этом случае поверхность раздела между пленкой 113 с высоким показателем преломления и световодным участком 111 может рассматриваться как расположенная на той же самой высоте, как верхняя сторона изолирующей пленки 110.
[0032] Пленка 114 с низким показателем преломления расположена над пленкой 113 с высоким показателем преломления, и внутрислойная линза 115 расположена через пленку 114 с низким показателем преломления от пленки 113 с высоким показателем преломления. Пленка 114 с низким показателем преломления имеет более низкий показатель преломления, чем показатель преломления по меньшей мере одного элемента из группы, состоящей из внутрислойной линзы 115 и пленки 113 с высоким показателем преломления (или световодного участка 111). Пленка 114 с низким показателем преломления может иметь по меньшей мере одну функцию из корректировки расстояния между внутрислойной линзой 115 и световодным участком 111, функции планаризации и функции конденсирования вследствие преломления света. Участок 117 выбора длины волны расположен через выравнивающую пленку 116 от внутрислойной линзы 115. Участок 117 выбора длины волны является цветовым фильтром, дихроическим зеркалом и т.п., и каждый светопринимающий элемент 1 из светопринимающей области 21 имеет различное свойство пропускания длины волны в соответствии с массивом Байера и т.п. Участок 118 конденсирования света сформирован как микролинза на участке 117 выбора длины волны. Единственный световодный участок 111, единственная внутрислойная линза 115, единственный участок 117 выбора длины волны и единственный участок 118 конденсирования света обеспечен и соответствует множественным участкам 101 и 102 фотоэлектрического преобразования.
[0033] Следует отметить, что в последующем описании "показатель преломления изолирующей пленки 110" будет описан как показатель преломления материала, составляющего большую часть изолирующей пленки 110. Кроме того, "показатель преломления световодного участка 111" будет описан как показатель преломления материала, составляющего большую часть световодного участка 111. Показатель преломления световодного участка 111 больше, чем показатель преломления изолирующей пленки 110. Термин "показатель преломления", употребляемый в настоящем изобретении, означает абсолютный показатель преломления. Хотя показатель преломления изменяется в зависимости от длины волны, показателем преломления является по меньшей мере тот показатель преломления, относящийся к длине волны света, который может генерировать сигнальный заряд в участке 101 фотоэлектрического преобразования. Как правило, предпочтительно делается ссылка на длину волны света, относительно которого выполняется наибольшая часть фотоэлектрического преобразования в участках фотоэлектрического преобразования. В случае, когда устройство 10 фотоэлектрического преобразования имеет участок выбора длины волны, такой как цветовой фильтр и т.п., предпочтительно используется длина волны света, который пропускает участок выбора длины волны, и в особенности первичную пропускаемую длину волны. Селективность участка выбора длины волны может являться несовершенной. То есть пропускание длины волны, выбранной участком выбора длины волны, может составлять меньше 100%, и пропускание длин волны, не выбранных в участке выбора длины волны, не обязательно должно составлять 0%.
[0034] Форма световодного участка 111 будет подробно описана со ссылкой на фиг. 2A. На фиг. 2A чертеж, обозначенный [XZ], является сечением светопринимающего элемента 1 в плоскости X-Z, и чертеж, обозначенный [YZ], является сечением светопринимающего элемента 1 в плоскости Y-Z. Чертеж, обозначенный [XY1], является сечением светопринимающего элемента 1 в плоскости X-Y на высоте Z1 в направлении Z (высоты), и чертеж, обозначенный [XY3], является сечением светопринимающего элемента 1 в плоскости X-Y на высоте Z3 в направлении Z (высоты). Следует отметить, что сечения [XY1] и [XY3] в плоскости X-Y были расположены на световодном участке 111 над участками 101 и 102 фотоэлектрического преобразования и изоляционным участком 109 ради удобства. Направление X является направлением, в котором выстроены множественные участки 101 и 102 фотоэлектрического преобразования, как описано ранее. Позиция Z2, например, является позицией на полпути вдоль световодного участка 111 в направлении Z, и позиция Z2, например, является позицией между первым слоем разводки и вторым слоем разводки. Позиция Z1 находится дальше от подложки 100, чем позиция Z2, и позиция Z3 находится ближе к подложке 100, чем позиция Z2.
[0035] Световодный участок 111 в соответствии с настоящим вариантом осуществления имеет форму сечения на плоскости, параллельной по отношению к подложке 100 (плоскости X-Y), где наибольшая ширина в направлении X и наибольшая ширина в направлении Y являются разными. Плоскость (плоскость X-Y), параллельная по отношению к подложке 100, взятая для оценки формы сечения световодного участка 111, может являться плоскостью, взятой в любой позиции (на высоте) в направлении Z, пока плоскость пересекает световодный участок 111. Из трех плоскостей X-Y, пересекающих световодный участок 111, позиция плоскости X-Y, которая более далека от подложки 100, чем позиция Z2, и расположена на стороне, на которой входит свет, является позицией Z1, и позиция плоскости X-Y, которая ближе к подложке 100, чем позиция Z2, и расположена на стороне, на которой выходит свет, является позицией Z3.
[0036] "Наибольшая ширина" световодного участка 111 в определенном направлении будет описана со ссылкой на фиг. 10. "Наибольшая ширина" световодного участка 111 в определенном направлении является наибольшим значением (верхним пределом) длины линейных сегментов, которые параллельны друг другу в предопределенном направлении, и оба из одного конца и другого конца (оба конца) которой расположены на периметре световодного участка 111. Фиг. 10 иллюстрирует предопределенное направление, ортогональное по отношению к направлению Z, на определенной высоте в направлении Z стрелкой P и периметр световодного участка 111 сплошной линией C. Четыре линейных сегмента S1, S2, S3 и S4 проиллюстрированы репрезентативно как линейные сегменты, один конец и другой конец которых расположены на периметре световодного участка 111. Линейный сегмент S1 является линейным сегментом, который имеет наибольшую длину линейных сегментов, которые параллельны по отношению к определенному направлению P, и один конец и другой конец которого расположены на периметре световодного участка 111. В соответствии с этим наибольшая ширина световодного участка 111 в определенном направлении P представлена длиной S1. Линейный сегмент S2 не является линейным сегментом, который имеет наибольшую длину линейных сегментов, один конец и другой конец которого расположены на периметре световодного участка 111, и не соответствует наибольшей ширине световодного участка 111 в определенном направлении. Линейный сегмент S3 является линейным сегментом, который имеет наибольшую длину линейных сегментов, и один конец и другой конец которого расположены на периметре световодного участка 111, но не параллелен по отношению к определенному направлению P и не соответствует наибольшей ширине световодного участка 111 в определенном направлении P. Длина D не является длиной линейного сегмента, один конец и другой конец которого расположены на периметре световодного участка 111, и не соответствует самой большой ширине световодного участка 111 в определенном направлении P. Согласно тому же ходу мысли длина линейного сегмента S4, который ортогонален по отношению к линейному сегменту S1 и имеет наибольшую длину линейных сегментов, оба конца которого расположены на периметре C, соответствует наибольшей ширине световодного участка 111 в направлении, ортогональном определенному направлению P.
[0037] Наибольшая ширина световодного участка 111 в направлении X на фиг. 2A составляет WX1 в позиции Z1, составляет WX2 в позиции Z2 и составляет WX3 в позиции Z3. Наибольшая ширина световодного участка 111 в направлении Y составляет WY1 в позиции Z1, составляет WY2 в позиции Z2 и составляет WY3 в позиции Z3. Световодный участок 111 имеет такую форму сечения, что наибольшая ширина на плоскости, параллельной по отношению к подложке 100 (плоскости X-Y), в направлении X больше, чем наибольшая ширина в направлении Y. Например, в позиции Z1 наибольшая ширина WX1 больше, чем наибольшая ширина WY1 (WX1 > WY1). Таким же образом, в позиции Z2 наибольшая ширина WX2 больше, чем наибольшая ширина WY2 (WX2>WY2), и в позиции Z3 наибольшая ширина WX3 больше, чем наибольшая ширина WY3 (WX3>WY3).
[0038] Форма сечения световодного участка 111 на плоскости X-Y может отличаться в зависимости от расстояния от подложки 100. Световодный участок 111 в соответствии с этим примером имеет форму сечения, в которой наибольшая ширина в направлении X и наибольшая ширина в направлении Y отличаются на плоскости, параллельной по отношению к подложке 100 (плоскости X-Y). Например, что касается наибольшей ширины световодного участка 111 в направлении X, и наибольшая ширина WX3 в позиции Z3 меньше, чем наибольшая ширина WX2 в позиции Z2 (WX2>WX3), и наибольшая ширина WX1 в позиции Z1 больше, чем наибольшая ширина WX2 в позиции Z2 (WX1>WX2). Кроме того, что касается наибольшей ширины световодного участка 111 в направлении Y, наибольшая ширина WY1 в позиции Z1 больше, чем наибольшая ширина WY2 в позиции Z2 (WY1>WY2), и наибольшая ширина WY3 в позиции Z3 больше, чем наибольшая ширина WY2 в позиции Z2 (WY2>WY3). Можно сказать, что наибольшие ширины отличаются, если наибольшая ширина световодного участка 111 в направлении X больше, чем наибольшая ширина световодного участка 111 в направлении Y, на ±1% в определенной позиции в направлении Z. Чтобы получить достаточные преимущества, наибольшая ширина световодного участка 111 в направлении X предпочтительно в 1,05 или более раза больше наибольшей ширины световодного участка 111 в направлении Y в каждой позиции в направлении Z, и более предпочтительно в 1,10 или более раза. Наибольшая ширина световодного участка 111 в направлении X может быть в 1,50 или менее раза больше набольшей ширины световодного участка 111 в направлении Y в каждой позиции в направлении Z и может быть в 1,20 или менее раза больше.
[0039] Как можно понять из сравнения [XY1] и [XY2] и [XZ] и [YZ], на фиг. 2A площадь сечения плоскости X-Y световодного участка 111 постепенно становится меньше к участкам 101 и 102 фотоэлектрического преобразования от направления входа света. То есть световодный участок 111 сужается по направлению к подложке 100. Кроме того, в каждом сечении световодного участка 111 в позиции Z1, позиции Z2 и позиции Z3 каждая наибольшая ширина WX1, WX2 и WX3 в направлении больше, чем наибольшая ширина WY1, WY2 и WY3 в направлении Y для данной формы.
[0040] Например, в позиции Z1 наибольшая ширина WX1 световодного участка 111 в направлении X составляет приблизительно от 0,30 мкм до 10 мкм, и наибольшая ширина WY1 световодного участка 111 в направлении Y составляет приблизительно от 0,25 мкм до 9 мкм. Наибольшая ширина WX3 световодного участка 111 в направлении X в позиции Z3 составляет приблизительно от 0,25 мкм до 9 мкм, и наибольшая ширина WY3 световодного участка 111 в направлении Y составляет приблизительно от 0,20 мкм до 8 мкм. Значение между наибольшей шириной в позиции Z1 и наибольшей шириной в позиции Z3 может быть взято для позиции Z2.
[0041] Показатель преломления световодного участка 111 для длины волны λ света, подвергнутого фотоэлектрическому преобразованию в участках 101 и 102 фотоэлектрического преобразования, будет представлен как n1, и показатель преломления изолирующей пленки 110, которая является элементом, расположенным по периметру световодного участка 111, будет представлен как n0. Эффективный показатель преломления структуры волновода, в которой световодный участок 111 является ядром и изолирующая пленка 110 является оболочкой, будет представлен как ne. Следует отметить, что эффективный показатель преломления ne выражен в уравнении (1) и составляет от 0,5 до 1,5 в общей структуре волновода.
[0042] Наибольшие ширины WY1, WY2 и WY3 в направлении Y в позициях Z1, Z2 и Z3 световодного участка 111 предпочтительно составляют 3×λ/ne или меньше и более предпочтительно 2×λ/ne или меньше. В частности, наибольшая ширина WY в направлении Y световодного участка 111 предпочтительно составляет 3×λ/ne или меньше и более предпочтительно 2×λ/ne или меньше. Наибольшая ширина WY обычно реализуется на верхней стороне световодного участка 111 в направлении Y. Ограничение наибольшей ширины световодного участка 111 в направлении Y описанным выше диапазоном ограничивает количество волноводных мод в направлении Y, которое является эффективным при ограничении распространения света в направлении Y в пределах световодного участка 111. Если наибольшая ширина световодного участка 111 в направлении Y установлена равной 800 нм или меньше, 3×λ/ne или меньше может быть реализовано практически почти для всех длин волн видимого света (400 нм - 800 нм). Причина этого состоит в том, что 3×λ/ne или меньше реализуется, даже когда эффективный показатель преломления ne является чрезвычайно низким, на уровне 0,5, или даже когда эффективный показатель преломления ne является чрезвычайно высоким, на уровне 1,5.
[0043] Фиг. 2А и 2B иллюстрируют средний участок 119, который накладывается на изоляционный участок 109 в направлении Z световодного участка 111. Длина (ширина) среднего участка 119 в направлении Y в плоскости в определенной позиции в направлении Z предпочтительно меньше, чем наибольшая ширина световодного участка 111 в направлении X. Ширина среднего участка 119 в направлении Y является определяющим фактором при принятии решения, на каком из множественных участков 101 и 102 фотоэлектрического преобразования должен разделяться свет, падающий на световодный участок 111. Достаточное сокращение ширины среднего участка 119 в направлении Y является эффективным при улучшении точности разделения света.
[0044] Кроме того, наибольшая ширина WX3 в позиции Z3 световодного участка 111 в направлении X размещена как более короткая, чем сумма наибольших ширин двух выстроенных участков 101 и 102 фотоэлектрического преобразования в направлении X. Таким образом, свет, падающий на световодный участок 111, может входить в участок 101 фотоэлектрического преобразования или участок 102у фотоэлектрического преобразования с небольшой потерей.
[0045] Фиг. 2B иллюстрирует метод, посредством которого свет L, входящий в световодный участок 111 под косым углом (стрелка) в форме на фиг. 2A, распространяется через световодный участок 111. [XZ] и [YZ] на фиг. 2B иллюстрируют распределение интенсивности электрического поля в позициях Z1, Z2 и Z3 пунктирными линиями. [XY1] и [XY3] на фиг. 2B иллюстрируют контуры интенсивности электрического поля в позициях Z1 и Z3. Структура волновода, служащая моделью для распределения интенсивности электрического поля на фиг. 2B, имеет показатель преломления световодного участка 111, составляющий 1,82, показатель преломления изолирующей пленки 110, составляющий 1,46, наибольшую ширину в направлении Y в позиции Z1, составляющую 1,0 мкм, и наибольшую ширину в направлении X, составляющую 1,6 мкм. Кроме того, наибольшая ширина в направлении Y в позиции Z3 составляет 0,95 мкм, и наибольшая ширина в направлении X составляет 1,55 мкм. Однако следует отметить, что подобное распределение интенсивности электрического поля может быть получено без ограничения этими условиями, посредством удовлетворения описанных выше отношений между наибольшей шириной в направлении X и в направлении Y.
[0046] В волновой оптике свет, падающий на световодный участок 111, распространяется в форме волн, таким образом, распределение интенсивности электрического поля происходит в световодном участке 111. Места, где интенсивность электрического поля сильная, представляют места, где высока вероятность, что имеется большое количество света. При этом форма распространения света через световодный участок 111 (форма распределения интенсивности электрического поля) зависит от формы световодного участка 111. Чем больше наибольшая ширина световодного участка 111, тем больше становится вероятность существующего света, таким образом, увеличивается количество света, распространяющегося в направлении, в котором наибольшая ширина является большей. Сечения световодного участка 111 в позициях Z1, Z2 и Z3 являются формами, у которых наибольшая ширина в направлении X больше, чем наибольшая ширина в направлении Y, и, таким образом, направление X распространяет относительно больше света, чем направление Y.
[0047] В соответствии с этим, в случае, когда падающий свет L, имеющий вектор компонента +X и компонента -Z, входит под наклоном, как проиллюстрировано на фиг. 2B, свет отклоняется к стороне +X в плоскости X-Y около позиции Z1, которая находится вокруг входа световодного участка 111. Согласно волновой оптике свет, который вошел под наклоном, взаимодействует с нечетными модами, такими как первичная и третичная, в дополнение к четным модам, таким как нулевого порядка и вторичная, и таким образом распространяется. При этом нечетная мода является волноводной модой, имеющей амплитуду электрического поля, описываемую нечетной функцией относительно оси, проходящей через центр световодного участка 111, параллельной оси Z в плоскости X-Z. В случае четной функции это называется четной модой. Чем больше наибольшая ширина световодного участка 111, тем больше количество взаимодействующих мод. В соответствии с этим падающий свет, имеющий компонент в направлении X, имеет тенденцию отклоняться в направлении X. Свет, который отклонился в направлении +X на входе световодного участка 111, распространяется, оставаясь отклоненным на сторону +X, и свет таким образом достигает подложки 100. Из двух участков 101 и 102 фотоэлектрического преобразования, выстроенных в направлении X на фиг. 2B, свет L, падающий под углом вектора, имеющего компонент +X и компонент -Z компонент, например, прежде всего входит в участок 102 фотоэлектрического преобразования, расположенный на стороне +X. Таким же образом, в случае света L, падающего под углом вектора, имеющего компонент -X и компонент -Z, который является противоположным показанному на фиг. 2A в отношении направления X, большое количество света входит в участок 102 фотоэлектрического преобразования. В результате свет может быть разделен на два участка 101 и 102 фотоэлектрического преобразования с хорошей точностью при сохранении чувствительности.
[0048] Область сечения плоскости X-Y световодного участка 111 в соответствии с настоящим примером имеет форму, которая постепенно становится меньше по мере прохождения света. В позиции Z1, где свет L входит в световодный участок 111, область сечения выполнена большей, чем в позиции Z2, посредством чего большее количество света L может войти в световодный участок 111. В позиции Z3, где световой сигнал L выводится из световодного участка 111, область сечения выполнена меньшей, чем в позиции Z2, посредством чего потеря света L из-за затворов переноса и транзисторов и т.п., сформированных на поверхности подложки 100, может быть уменьшена. В соответствии с этим свет может быть разделен на два участка 101 и 102 фотоэлектрического преобразования точным образом при дополнительном улучшении чувствительности.
[0049] Теперь в настоящем варианте осуществления световодный участок 111 простирается по множественным участкам 101 и 102 фотоэлектрического преобразования, таким образом точность разделения света может быть улучшена при сохранении достаточной чувствительности. С другой стороны, в случае, когда должны быть обеспечены множественные световодные участки, каждый из которых соответствует только множественным соответствующим световодным участкам, возникают следующие проблемы. Одна состоит в том, что происходит потеря из-за отражения среди множественных световодных участков. Другая состоит в том, что на разделение участков фотоэлектрического преобразования, принимающих свет, имеет влияние позиция падения света, а не угол падения. Это означает, что корреляция между участками фотоэлектрического преобразования, принимающими свет, и углом падения света ухудшается, что является невыгодным для улучшения точности обнаружения фокуса.
[0050] На фиг. 2А и 2B был описан пример световодного участка 111, в котором наибольшая ширина в направлении X больше, чем наибольшая ширина в направлении Y на любой высоте в направлении Z. Однако достаточно, чтобы световодный участок 111 имел наибольшую ширину в направлении X, которая больше, чем наибольшая ширина в направлении Y в части высоты в направлении Z. С другой стороны, может использоваться световодный участок 111, в котором наибольшая ширина в направлении X равна или меньшая, чем наибольшая ширина в направлении Y по меньшей мере в части направления Z. Фиг. 3А и 3B иллюстрируют такие же элементы, как на фиг. 2B и 2B, кроме того, что сечения в плоскости X-Z, плоскости Y-Z и плоскости X-Y световодного участка 111 отличаются от сечений на фиг. 2B и 2B. [XY1] и [XY3] на фиг. 3А и 3B иллюстрируют распределения интенсивности электрического поля методом, эквивалентным проиллюстрированному на фиг. 2B. Фиг. 3А иллюстрирует признаки, эквивалентные показанным на фиг. 2B, кроме того, что сечения в плоскости X-Z, плоскости Y-Z и плоскости X-Y световодного участка 111 и распределение интенсивности электрического поля отличаются от показанных на фиг. 2B.
[0051] На Фиг. 3A соблюдаются условия WX1=WY1, WX2>WY2 и WX3>WY3. Кроме того, соблюдаются условия WX1>WX2>WX3 и WY1>WY2>WY3. Например, WX1 и WY1 составляют 1,6 мкм, WX3 составляет 1,55 мкм и WY3 составляет 0,95 мкм.
[0052] На фиг. 3A свет L, входящий в позицию Z1, отклоняется в направлении X и направлении Y. По мере того, как свет L распространяется из Z1 в Z2 и из Z2 в Z3, величина отклонения света в направлении Y уменьшается, и отклонение в направлении X становится заметным. В соответствии с этим большая часть света L принимается в участке 102 фотоэлектрического преобразования. Таким же образом свет, входящий от противоположного направления по отношению к свету L, принимается в участке 101 фотоэлектрического преобразования. Таким образом, точность разделения света может быть улучшена.
[0053] На фиг. 3B соблюдаются условия WX1>WY1, WX2>WY2 и WX3=WY3. Кроме того, соблюдаются условия WX1>WX2>WX3 и WY1>WY2>WY3. Например, WX1 составляет 1,5 мкм, WY1 составляет 1,0 мкм и WX3 и WY3 составляют 0,95 мкм.
[0054] В форме на фиг. 3B свет L, входящий в позицию Z1, которая находится вокруг входа световодного участка 111, отклоняется в направлении X. По мере того, как свет L распространяется из Z1 в Z2 и из Z2 в Z3, величина отклонения света в направлении X уменьшается. Согласно волновой оптике свет, который вошел под наклоном, взаимодействует с нечетными модами, такими как первичная и третичная, в дополнение к четным модам, таким как нулевого порядка и вторичная, в позиции Z1, и таким образом становится светом, отклоненным в направлении X. Нечетные моды распространяются через световодный участок 111 как нечетные моды без изменения. В соответствии с этим, даже если наибольшая ширина световодного участка 111 в позиции Z3 является одинаковой в направлении X и направлении Y, свет отклоняется в направлении X в позиции Z3. В соответствии с этим наиболее значимая часть света L принимается в участке 102 фотоэлектрического преобразования. Таким же образом свет, входящий с противоположного направления по сравнению со светом L, принимается в участке 101 фотоэлектрического преобразования. Таким образом, точность разделения света может быть улучшена.
[0055] Случай, в котором сечение имеет одинаковую наибольшую ширину в направлении X и в направлении Y в любом участке световодного участка 111 в направлении Z, проиллюстрирован на фиг. 4 для сравнения. В случае на фиг. 4 соблюдается условие WX1=WY1, WX2=WY2 и WX3=WY3. В этом случае свет, распространяющийся через световодный участок 111, имеет тенденцию распространяться в направлении Y, и отклонение в направлении X меньше. В соответствии с этим количество света, входящего около изоляционного участка 109 участков 101 и 102 фотоэлектрического преобразования, выстроенных в направлении X, увеличивается, и свет L не может быть разделен точным образом. Можно понять из формы на фиг. 4, что отклонение пунктирной линии, представляющей контур интенсивности электрического поля, на [YX3] меньше, чем отклонение на [XY1].
[0056] Например, свет L, входящий под углом, имеющим вектор с компонентом +X и компонентом -Z, входит в участок фотоэлектрического преобразования 101 и участок фотоэлектрического преобразования 102 с очень малым различием. В соответствии с этим подходящее разделение света L на участок фотоэлектрического преобразования 101 и участок фотоэлектрического преобразования 102, таким образом, не может быть выполнено.
[0057] Другие формы могут быть применены к форме сечения световодного участка 111 в плоскости X-Y в настоящем варианте осуществления без отступления от базовой идеи изобретения, без ограничения формой, в которой четыре угла прямоугольника скруглены так, как проиллюстрировано на фиг. 3A.
[0058] Область сечения плоскости X-Y световодного участка 111 является формой, которая постепенно увеличивается в направлении +Z. Таким образом, эффективность сбора света может быть повышена с предотвращением отражения света и т.д. на проводных соединениях 120 и электродах 103 и 104 затвора (см. фиг. 1C). Однако следует отметить, что форма может стать меньше в направлении +Z, или может использоваться форма, в которой область сечения плоскости Y-Y не изменяется в направлении Z. Свет может быть разделен на два участка фотоэлектрического преобразования с хорошей точностью, пока наибольшая ширина в направлении X световодного участка 111 больше, чем наибольшая ширина в направлении Y в данной плоскости (плоскости X-Y), параллельной по отношению к подложке 100. Настоящий пример также имеет конфигурацию, в которой размер сечения световодного участка 111 постепенно и непрерывно изменяется. Это позволяет уменьшить потерю света в пределах световодного участка 111. Однако может использоваться форма, в которой размер сечения изменяется не непрерывно и резко на определенной высоте.
[0059] Фиг. 5А-5O иллюстрируют примеры формы сечения световодного участка 111 на плоскости X-Y в позиции Z1 и/или позиции Z3. Как проиллюстрировано на фиг. 5A, форма сечения световодного участка 111 может являться эллипсом. Как проиллюстрировано на фиг. 5B, продольное направление формы сечения световодного участка 111 может быть включено в направление, в котором выстроены множественные участки фотоэлектрического преобразования (направление X). Как проиллюстрировано на фиг. 5C, участок световодного участка 111, который находится не выше изоляционного участка 109, но расположен выше участков 101 и 102 фотоэлектрического преобразования, может иметь такую форму, что наибольшая ширина в направлении Y больше, чем наибольшая ширина в направлении X. Как проиллюстрировано на фиг. 5D, световодный участок 111 может иметь форму, в которой множественные световодные участки были объединены. Как проиллюстрировано на фиг. 5E, форма сечения световодного участка 111 может являться многоугольником. Например, может быть сделана конфигурация, в которой форма является такой, которая проиллюстрирована на фиг. 5A на плоскости X-Y в позиции Z1, где входит свет, и форма является такой, которая проиллюстрирована на фиг. 5D на плоскости X-Y в позиции Z3, на стороне подложки 100.
[0060] Как проиллюстрировано в фиг. 5F-5J, световодный участок 111 может иметь форму такую сечения, что наибольшая ширина сечения в направлении Y на плоскости X-Y больше, чем наибольшая ширина в направлении X в определенной позиции в направлении Z. В частности, как проиллюстрировано на фиг. 5F, форма сечения световодного участка 111 может являться кругом. Как проиллюстрировано на фиг. 5G, форма сечения световодного участка 111 может являться четырехугольником со скругленными углами, в котором наибольшая ширина в направлении Y больше, чем в направлении X. Как проиллюстрировано на фиг. 5H, форма сечения световодного участка 111 может являться крестом. Как проиллюстрировано на фиг. 5I, могут быть обеспечены множественные световодные участки 1121 и 1122, которые не простираются по множественным участкам 101 и 102 фотоэлектрического преобразования. Например, сечение может являться таким, как на фиг. 5D, в определенной позиции в направлении Z, и сечение может являться таким, как фиг. 5I, в другой позиции. Как проиллюстрировано на фиг. 5J, форма сечения световодного участка 111 может являться квадратом. Например, сечение может являться таким, как на фиг. 5E, в определенной позиции в направлении Z, и поперечное сечение может являться таким, как на фиг. 5F, в другой позиции. В этом случае наибольшая ширина в направлении Y может являться постоянной независимо от высоты в направлении Z, как показано в фиг. 5E и 5F.
[0061] Как проиллюстрировано на фиг. 5K, может быть обеспечен единственный световодный участок 111, который простирается по трем или более участкам 101, 1021 и 1022 фотоэлектрического преобразования. Как проиллюстрировано на фиг. 5L, множественные световодные участки 1111 и 1112, каждый из которых простирается по множественным участкам 101 и 102 фотоэлектрического преобразования, могут быть обеспечены для одного светопринимающего элемента 1. Как проиллюстрировано на фиг. 5M, может быть обеспечен единственный световодный участок 111, который простирается по четырем или более участкам 1011, 1021, 1012 и 1022 фотоэлектрического преобразования. В этом случае возможны шесть комбинаций двух участков фотоэлектрического преобразования, выбранных из четырех участков фотоэлектрического преобразования. Однако отношения, в которых наибольшая ширина световодного участка 111 в направлении, в котором выстроены участки фотоэлектрического преобразования, больше, чем наибольшая ширина световодного участка 111 в направлении, ортогональном направлению, в котором выстроены участки фотоэлектрического преобразования, не обязательно должны быть удовлетворены для всех шести комбинаций.
[0062] В случае, когда один светопринимающий элемент 1 имеет четыре участка фотоэлектрического преобразования, сечение световодного участка 111 может иметь форму, для которой наибольшая ширина в направлении строк больше, чем наибольшая ширина в направлении столбцов, если учитывается важность при разделении света на участки фотоэлектрического преобразования, выстроенные в направлении строк. Кроме того, сечение световодного участка 111 может иметь форму, для которой наибольшая ширина в направлении столбца больше, чем наибольшая ширина в направлении строки, если учитывается важность при разделении света на участки фотоэлектрического преобразования, выстроенные в направлении столбцов.
[0063] Как проиллюстрировано на фиг. 5N, может быть обеспечен один светопринимающий элемент 1, имеющий световодный участок 1111, простирающийся по двум участкам 1011 и 1021 фотоэлектрического преобразования, и световодный участок 1112, простирающийся по двум участкам 1012 и 1022 фотоэлектрического преобразования. Как проиллюстрировано на фиг. 5O, светопринимающий элемент 1 имеет единственный обеспеченный световодный участок 111, простирающийся по множественным участкам 1011 и 1021 фотоэлектрического преобразования. В дополнение к этому светопринимающий элемент 1 имеет единственный световодный участок 1121, расположенный только на единственном участке 1021 фотоэлектрического преобразования, и единственный световодный участок 1122, расположенный только на единственном участке 1022 фотоэлектрического преобразования.
[0064] Как проиллюстрировано на фиг. 5P, направления переноса от участков 101 и 102 фотоэлектрического преобразования к блокам 105 и 106 обнаружения может являться не параллельным. Как проиллюстрировано на фиг. 5Q, направления переноса от участков 101 и 102 фотоэлектрического преобразования к блокам 105 и 106 обнаружения могут быть противоположными друг другу. Как проиллюстрировано на фиг. 5R, единственный затвор 103 переноса может быть обеспечен как общий для множественных блоков 105 и 106 обнаружения, соответствующих множественным участкам 101 и 102 фотоэлектрического преобразования. Как проиллюстрировано на фиг. 5S, единственный блок 105 обнаружения может быть обеспечен как общий для множественных затворов 103 и 104 переноса, соответствующих множественным участкам 101 и 102 фотоэлектрического преобразования.
[0065] В случае расположения участка 118 конденсирования света над (на стороне +Z) световодным участком 111, как в настоящем примере, оптическая ось участка 118 конденсирования света может быть смещена относительно изоляционного участка 109 вблизи светопринимающей области устройства 10 фотоэлектрического преобразования. Этот пример проиллюстрирован на фиг. 6. Позиция [0] на фиг. 6 иллюстрирует светопринимающую область 21. Позиции [1], [2] и [3] на фиг. 6 иллюстрируют позиционные отношения между участком 118 конденсирования света, световодным участком 111 и участками 101 и 102 фотоэлектрического преобразования в середине по вертикали и горизонтали светопринимающей области 21, в середине по вертикали и на правом краю, и на краю в диагональном направлении. Угол падающего света L становится тупым приблизительно от середины устройства 10 фотоэлектрического преобразования по направлению к участку периметра. Конфигурация, в которой размещение участков 118 конденсирования света, постепенно смещается к центральному направлению устройства 10 фотоэлектрического преобразования, позволяют улучшить чувствительность во всей области приблизительно от середины устройства 10 фотоэлектрического преобразования к периметру. Кроме того, свет может быть разделен на каждый из двух участков 101 и 102 фотоэлектрического преобразования с большей точностью. В случае твердотельного устройства формирования изображений, имеющего возможности обнаружения фокуса, также могут быть улучшены возможности обнаружения фокуса.
[0066] Например, множественные светопринимающие элементы 1 имеют первый светопринимающий элемент 1А, расположенный в среднем участке светопринимающей области 21, и второй светопринимающий элемент 1B и третий светопринимающий элемент 1C, расположенные на периметре светопринимающей области 21. При размещении, в котором светопринимающая область 21 разделена на девять секций из трех строк и трех столбцов, средний участок является секцией во второй строке и втором столбце, и остальные восемь секций, кроме среднего участка, являются периметром. Второй светопринимающий элемент 1B расположен, например, во второй строке и третьем столбце, и третий светопринимающий элемент 1C расположен, например, в первой строке и третьем столбце. Расстояние DO между оптической осью O1 участка 118 конденсирования света первого светопринимающего элемента 1А и оптической осью O2 участка 118 конденсирования света второго светопринимающего элемента 1B меньше, чем расстояние DM между центром M1 тяжести световодного участка 111 первого светопринимающего элемента 1А и центром M2 тяжести световодного участка 111 второго светопринимающего элемента 1B (DM<DO). Это также верно между первым светопринимающим элементом 1А и третьим светопринимающим элементом 1C. То есть расстояние между оптической осью участка 118 конденсирования света первого светопринимающего элемента 1А и оптической осью участка 118 конденсирования света третьего светопринимающего элемента 1C меньше, чем расстояние между центром M1 тяжести световодного участка 111 первого светопринимающего элемента 1А и центром тяжести световодного участка 111 второго светопринимающего элемента 1B.
[0067] Хотя на фиг. 6 проиллюстрирована конфигурация, в которой участки 118 конденсирования света смещены к среднему участку устройства 10 фотоэлектрического преобразования, может быть сделана конфигурация, в которой все смещены параллельно в одном и том же направлении (например, в направлении +Y). Например, смещение на расстояние от затворов переноса позволяет уменьшить процент потерь на затворах переноса, что дополнительно улучшает чувствительность. Конфигурация, в которой смещены не только участки 118 конденсирования света, но также и световодные участки 111, может привести к аналогичным преимуществам. Кроме того, конфигурация, в которой участки фотоэлектрического преобразования смещены вместе со световодными участками 111, может привести к аналогичным преимуществам.
[0068] Световодный участок 111 может иметь распределение показателя преломления, как проиллюстрировано на фиг. 7. На фиг. 7 световодный участок 111 включает в себя первую часть 121 и вторую часть 122. Вторая часть 122 расположена на стороне - X и стороне +X первой части 121 в направлении X. То есть первая часть 121 окружена второй частью 122 в направлении X. Первая часть 121 имеет по меньшей мере один участок, расположенный над изоляционным участком 109, и вторая часть 122 имеет по меньшей мере один участок, расположенный над участками 101 и 102 фотоэлектрического преобразования.
[0069] Первая часть 121 и вторая часть 122 имеют разные показатели преломления. Показатель преломления первой части 121 может быть выше, чем показатель преломления второй части 122, или показатель преломления первой части 121 может быть ниже, чем показатель преломления второй части 122. Граница между первой частью 121 и второй частью 122 может быть определена посредством использования среднего показателя преломления в световодном участке 111 в качестве стандарта. Таким образом, принадлежит ли участок 111 по показателю преломления первой части 121 или второй части 122, определяется на основе того, является ли показатель преломления целевого участка выше или ниже, чем средний показатель преломления в световодном участке 111. В частности, размещение, в котором показатель преломления второй части 122 на внешней стороне выше, чем показатель преломления первой части 121 на внутренней стороне, может улучшить точность разделения света на участки 101 и 102 фотоэлектрического преобразования. С точки зрения волновой оптики свет очевидно имеет тенденцию концентрироваться в области с высоким показателем преломления. Показатель преломления по периметру световодного участка 111 больше, чем вокруг центра, в этой конфигурации в направлении X. В соответствии с этим, свет, падающий на световодный участок 111, легко отклоняется в направлении X. Свет, который отклонился в направлении X в позиции Z1 около входа световодного участка 111, распространяется к позиции Z3 около выхода световодного участка 111 с сохранением формы, отклоненной в направлении X. В соответствии с этим, свет с точностью разделяется на участки 101 и 102 фотоэлектрического преобразования, выстроенных в направлении X.
[0070] По меньшей мере одна из ширины первой части 121 и ширины второй части 122 может различаться в зависимости от позиции по направлению Z. Как проиллюстрировано на [XY1] на фиг. 7, ширина первой части 121 в направлении X составляет WX11 в позиции Z1, и ширина второй части 122 составляет WX12. С другой стороны, как проиллюстрировано на [XY3] на фиг. 7, ширина первой части 121 в направлении X составляет WX31 в позиции Z3, и ширина второй части 122 составляет WX32. Выполняются соотношения WX11<WX31 и WX12>WX32. Как проиллюстрировано на [XY1] на фиг. 7, ширина первой части 121 в направлении Y составляет WY11 в позиции Z1, и ширина второй части 122 составляет WY12. С другой стороны, как проиллюстрировано на [XY3] на фиг. 7, ширина первой части 121 в направлении Y составляет WY31 в позиции Z3, и ширина второй части 122 составляет WY32. Выполняются соотношения WY11<WY31 и WY12>WY32. Следует отметить, что ширина первой части 121 в направлении X или Y определена как ширина участка, показатель преломления которого в значительной степени эквивалентный и непрерывный. Поскольку элементы второй части 122 размещены раздельно (с разрывом) в направлении X или Y со включением между ними первой части 121, ширина световодного участка 111 может быть выражена как WX11+(WX12*2) в направлении X и WY11+(WY12*2) в направлении Y. В примере на фиг. 7 ширина первой части 121 непрерывно увеличивается по направлению к участкам 101 и 102 фотоэлектрического преобразования и в направлении X и в направлении Y. Кроме того, ширина второй части 122 непрерывно уменьшается по направлению к участкам 101 и 102 фотоэлектрического преобразования. Однако ширина первой части 121 и второй части 122 может изменяться пошагово.
[0071] Первая часть 121 и вторая часть 122 могут быть выполнены с использованием материалов с разными стехиометрическими составами или могут быть выполнены с использованием материалов с одинаковым стехиометрическим составом. Материал световодного участка 111 может представлять собой органический материал (смолу) или может представлять собой неорганический материал. Примеры смолы включают в себя силоксановые смолы, полиимидные смолы и т.д. Подходящие примеры неорганических материалов включают в себя нитрид кремния (Si3N4), оксинитрид кремния (SiOXNY) и оксид титана (TiO2). Например, может быть сделана конфигурация, в которой первая часть 121 выполнена с использованием смолы, и вторая часть 122 выполнена с использованием нитрида кремния. Кроме того, может быть сделана конфигурация, в которой первая часть 121 выполнена с использованием нитрида кремния с низкой плотностью, и вторая часть 122 выполнена с использованием нитрида кремния с высокой плотностью.
[0072] Следует отметить, что термин "материалы с одинаковым стехиометрическим составом" включает в себя материалы, для которых существует отклонение от стехиометрического состава, и материалы, которые отличаются по кристалличности, концентрации материала, концентрации добавок (меньше, чем первичный материал) и по различным примесям (1% по весу или меньше) и их концентрации. Например, стехиометрический состав нитрида кремния представляет собой от 3 до 4 частей N, но материалы, для которых фактическое отношение Si и N отличается друг от друга в пределах диапазона, в котором стехиометрический состав является одинаковым, считаются одним и тем же материалом. Кроме того, например, монокристаллический кремний и поликремний считаются являющимися одним и тем же материалом. Следует отметить, что материалы с разными стехиометрическими составами не являются одним и тем же материалом. Например, монооксид титана (TiO) и диоксид титана (TiO2) оба являются соединениями кислорода и титана (оксидами титана), но в стехиометрическом плане являются разными материалами.
[0073] Имеются случаи, в которых граница между первой частью 121 и второй частью 122 может ясно наблюдаться в распределении показателя преломления, но также существуют случаи, в которых она не может ясно наблюдаться. Например, в случае, когда показатель преломления постепенно изменяется от центральной оси световодного участка 111 к изолирующей пленке 110, существует вероятность, что граница между первой частью 121 и второй частью 122 не может ясно наблюдаться. В таком случае граница между первой частью 121 и второй частью 122 может быть определена следующим образом. То есть получается среднее значение между наибольшим значением и наименьшим значением показателей преломления в световодном участке 111 (наибольшее значение + наименьшее значение/2). Линия, соединяющая точки с этим средним значением в распределении показателя преломления в световодном участке 111 может быть определена как граница между первой частью 121 и второй частью 122. Кроме того, это среднее значение может считаться показателем преломления световодного участка 111. В случае, когда показатель преломления второй части 122 выше, чем показатель преломления первой части 121, первая часть 121 включает в себя участок, в котором показатель преломления является наименьшим, и вторая часть 122 включает в себя участок, в котором показатель преломления является наибольшим.
[0074] Примеры распределения показателя преломления, которое имеет световодный участок 111, будут проиллюстрированы со ссылкой на фиг. 8А-8J. Хотя первая часть 121 будет описана как часть с низким показателем преломления и вторая часть 122 - как часть с высоким показателем преломления, соотношение преломляющих индексов по высоте может быть противоположным. В форме на фиг. 8A вторая часть 122 расположена между первой частью 121 и участками 101 и 102 фотоэлектрического преобразования в нижней части в направлении Z, и нижняя поверхность световодного участка 111 (светоизлучающая поверхность) сконфигурирована полностью посредством второй части 122. В форме на фиг. 8B вторая часть 122 не достигает нижнего конца световодного участка 111, и нижняя поверхность световодного участка 111 сконфигурирована полностью посредством первой части 121. В форме на фиг. 8C ширина первой части 121 уменьшена ближе к участкам 101 и 102 фотоэлектрического преобразования. Кроме того, ширина второй части 122 является постоянной. В форме на фиг. 8D ширина второй части 122 увеличивается ближе к участкам 101 и 102 фотоэлектрического преобразования. В форме на фиг. 8E первая часть 121 расположена между второй частью 122 и участками 101 и 102 фотоэлектрического преобразования сверху в направлении Z, и верхняя сторона световодного участка 111 (поверхность входа света) сконфигурирована полностью посредством второй части 122.
[0075] Как показано на фиг. 8F, ширина первой части 121 может быть больше в направлении Y, чем в направлении X, или, как показано на фиг. 8G, ширина первой части 121 может быть одинаковой в направлении X и в направлении Y. Как показано в форме на фиг. 8H, световодный участок 111 может иметь множественные первые части 121, служащие в качестве частей с низким показателем преломления, отделенных друг от друга через вторую часть 122, служащую частью с высоким показателем преломления. Первая часть 121 не ограничена тем, что она окружена второй частью 122, и может быть окружена только в направлении X, как в форме, показанной на фиг. 8I, или может быть окружена только в направлении Y, как в форме, показанной на фиг. 8J.
[0076] Фиг. 9A иллюстрирует конфигурацию системы 1000 формирования изображений, такой как цифровая видеокамера для покадровой съемки, видеокамера, информационный терминал, имеющий функции формирования изображений, и т.п. Система 1000 формирования изображений снабжена линзой формирования изображений, служащей оптической системой 11 формирования изображений для формирования изображений объектов. Позицией фокуса этой оптической системы 11 формирования изображений, включающей в себя линзу формирования изображений, управляет блок 12 управления линзой. Затвор-диафрагма 13 соединена с блоком 14 управления затвором-диафрагмой и имеет функцию диафрагмы для выполнения регулировки количества света посредством изменения диаметра апертуры (переменные значения апертуры), и функцию затвора для управления экспозицией посредством выполнения операций открытия/закрытия при выполнении фотографии неподвижных изображений. Пространство изображения оптической системы 11 формирования изображений включает в себя поверхность формирования изображений устройства 10 фотоэлектрического преобразования, которое выполняет фотоэлектрическое преобразование изображения объекта, которое было фокусировано посредством оптической системы 11 формирования изображений. Устройство 10 фотоэлектрического преобразования имеет m светопринимающих элементов, каждый из которых имеет один или множественные участки фотоэлектрического преобразования, выстроенных в горизонтальном направлении, и n выстроенных в вертикальном направлении. Мозаичный фильтр основных цветов, имеющий массив Байера, расположен на этих твердотельных элементах формирования изображений, и тем самым составляется двумерный однопанельный цветной датчик.
[0077] Контроллер 15 является центральным процессором (ЦП; CPU) камеры, управляющим различными действиями камеры. ЦП камеры имеет вычислительный блок, постоянное запоминающее устройство (ПЗУ; ROM), оперативное запоминающее устройство (ОЗУ; RAM), аналого-цифровой (A/D) преобразователь, цифро-аналоговый (D/A) преобразователь и схему интерфейса связи и т.п. ЦП камеры управляет действиями частей камеры согласно компьютерной программе, сохраненной в ПЗУ, и исполняет последовательность фотографических действий по автофокусировке (AF), в том числе обнаружение состояния фокуса фотографической оптической системы (обнаружение фокуса), формирование изображения, обработку изображения, запись и т.д. ЦП камеры эквивалентен вычислительному устройству.
[0078] Блок 16 управления элементом формирования изображений управляет действиями устройства 10 фотоэлектрического преобразования, а также выполняет аналого-цифровое преобразование пиксельных сигналов (сигналов формирования изображения), выдаваемых из устройства 10 фотоэлектрического преобразования, и передает их к ЦП камеры. Блок 17 формирования изображений генерирует сигналы изображения, выполняя обработку изображений над сигналами, подвергнутыми аналого-цифровому преобразованию, такую как гамма-коррекция и цветная интерполяция и т.д., и далее выполняет обработку сигналов изображения, такую как сжатие JPEG и т.п. Блок 18 отображения, такой как жидкокристаллический дисплей (LCD) и т.п., отображает информацию, относящуюся к режиму съемки камеры, изображение предварительного просмотра перед съемкой, изображение конфигурации после съемки, состояние фокуса во время обнаружения фокуса и т.д. Функциональные переключатели 19 состоят из выключателя питания, переключателя затвора, переключателя изменения масштаба, переключателя выбора режима съемки и т.д. Носитель 20 записи предназначен для записи сфотографированных изображений и может быть смонтирован с возможностью отсоединения.
[0079] Далее дается описание способа обнаружения фокуса (разделение зрачка) в светопринимающем элементе 1, имеющем два участка 101 и 102 фотоэлектрического преобразования. Выходной зрачок 31 оптической системы формирования изображений, проиллюстрированный на фиг. 9B, разделен в направлении X, и областями разделенного выходного зрачка являются области 32 и 33 зрачка. Световые пучки, проходящие через области 32 и 33 зрачка, соответственно назначаются двум участкам 101 и 102 фотоэлектрического преобразования. Светопринимающий элемент 1, имеющий два участка 101 и 102 фотоэлектрического преобразования в направлении X, который проиллюстрирован в настоящем примере, имеет функции разделения зрачка в направлении X. В частности, участок 101 фотоэлектрического преобразования, расположенный на стороне -X, принимает световой пучок W2 (обозначенный пунктирной линией с двумя точками), который прошел через область 33 зрачка стороны +X на фиг. 9B. Кроме того, участок 102 фотоэлектрического преобразования, расположенный на стороне +X, принимает световой пучок W1 (обозначенный пунктирной линией с одной точкой), который прошел через область 32 зрачка стороны -X на фиг. 9B.
[0080] Хотя здесь была описана конфигурация для выполнения обнаружения фокуса относительно объекта, имеющего распределение яркости в направлении X, твердотельный элемент формирования изображений, в котором участки 101 и 102 фотоэлектрического преобразования выстроены в направлении Y, может использовать такую же конфигурацию, которая будет применена также в направлении Y, и обнаружение фокуса может быть выполнено в направлении Y.
[0081] Описанный выше вариант осуществления может быть подходящим образом изменен без отступления от идеи настоящего изобретения.
[0082] В соответствии с настоящим изобретением может быть улучшена точность разделения света на множественные участки фотоэлектрического преобразования.
[0083] Хотя настоящее изобретение было описано со ссылкой на иллюстративные варианты осуществления, следует понимать, что изобретение не ограничено раскрытыми иллюстративными вариантами осуществления. Объем следующей формулы изобретения должен получить самую широкую интерпретацию для охвата всех таких модификаций и эквивалентных структур и функций.
Claims (25)
1. Устройство фотоэлектрического преобразования, имеющее светопринимающий элемент, расположенный на плоскости формирования изображения,
причем светопринимающий элемент включает в себя множество участков фотоэлектрического преобразования, выстроенных в первом направлении, параллельном плоскости формирования изображения, через изоляционный участок, и световодный участок, простирающийся по множеству участков фотоэлектрического преобразования,
и причем в первой плоскости, которая параллельна плоскости формирования изображения и которая пересекает световодный участок, наибольшая ширина световодного участка в первом направлении больше, чем наибольшая ширина световодного участка во втором направлении, параллельном плоскости формирования изображения и ортогональном первому направлению.
2. Устройство фотоэлектрического преобразования по п. 1,
в котором наибольшая ширина световодного участка в первом направлении во второй плоскости, которая параллельна плоскости формирования изображения и находится ближе к участкам фотоэлектрического преобразования, чем первая плоскость, меньше, чем наибольшая ширина в первой плоскости.
3. Устройство фотоэлектрического преобразования по п. 2,
в котором наибольшая ширина световодного участка в первом направлении больше, чем наибольшая ширина световодного участка во втором направлении во второй плоскости.
4. Устройство фотоэлектрического преобразования по п. 1,
в котором светопринимающий элемент имеет единственный участок выбора длины волны, простирающийся по множеству участков фотоэлектрического преобразования.
5. Устройство фотоэлектрического преобразования по п. 4, в котором:
WY≤3×λ/√(n1 2-n0 2),
где n1 представляет показатель преломления световодного участка в первой плоскости, n0 представляет показатель преломления изолирующего элемента, окружающего световодный участок, λ представляет первичную пропускаемую длину волны участка выбора длины волны, и WY представляет наибольшую ширину световодного участка во втором направлении в пределах первой плоскости.
6. Устройство фотоэлектрического преобразования по п. 5,
в котором WY≤2×λ/√(n1 2-n0 2).
7. Устройство фотоэлектрического преобразования по п. 1,
в котором светопринимающий элемент имеет участок конденсирования света, простирающийся по множеству участков фотоэлектрического преобразования.
8. Устройство фотоэлектрического преобразования по п. 1,
в котором световодный участок имеет переменное распределение показателя преломления.
9. Устройство фотоэлектрического преобразования по п. 1,
в котором наибольшая ширина световодного участка в первом направлении в первой плоскости в 1,05 или более раз больше, чем у световодного участка во втором направлении.
10. Устройство фотоэлектрического преобразования по п. 1,
в котором светопринимающие элементы включают в себя один или более первых светопринимающих элементов, расположенных в среднем участке светопринимающей области, где выстроены светопринимающие элементы, и один или более вторых светопринимающих элементов, расположенных в участке по периметру светопринимающей области, причем расстояние между центром тяжести участков конденсирования света первых светопринимающих элементов и центром тяжести участков конденсирования света вторых светопринимающих элементов меньше, чем между центром тяжести световодных участков первых светопринимающих элементов и центром тяжести световодных участков вторых светопринимающих элементов.
11. Система формирования изображений, содержащая:
устройство фотоэлектрического преобразования по любому из пп. 1-10,
причем формирование изображения и обнаружение фокуса посредством способа обнаружения сдвига фаз выполняются на основе сигналов, полученных от светопринимающих элементов.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014-114433 | 2014-06-02 | ||
| JP2014114433A JP6173259B2 (ja) | 2014-06-02 | 2014-06-02 | 光電変換装置および撮像システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2015120766A RU2015120766A (ru) | 2016-12-20 |
| RU2607727C2 true RU2607727C2 (ru) | 2017-01-10 |
Family
ID=53677566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015120766A RU2607727C2 (ru) | 2014-06-02 | 2015-06-01 | Устройство фотоэлектрического преобразования и система формирования изображений |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10403664B2 (ru) |
| JP (1) | JP6173259B2 (ru) |
| CN (1) | CN105280655B (ru) |
| BR (1) | BR102015012136A2 (ru) |
| DE (1) | DE102015107806B4 (ru) |
| GB (2) | GB2528565B (ru) |
| RU (1) | RU2607727C2 (ru) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6444066B2 (ja) * | 2014-06-02 | 2018-12-26 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像システム |
| JP6425427B2 (ja) * | 2014-06-16 | 2018-11-21 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法、撮像システム |
| WO2016103430A1 (ja) * | 2014-12-25 | 2016-06-30 | キヤノン株式会社 | ラインセンサ、画像読取装置、画像形成装置 |
| JP6738200B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2020-08-12 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| US10367113B2 (en) * | 2016-07-15 | 2019-07-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, imaging element, and imaging device |
| JP7140469B2 (ja) * | 2016-07-15 | 2022-09-21 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、および、撮像システム |
| JP6895724B2 (ja) * | 2016-09-06 | 2021-06-30 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
| JP6776079B2 (ja) * | 2016-09-27 | 2020-10-28 | 東芝情報システム株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| WO2018088281A1 (ja) * | 2016-11-14 | 2018-05-17 | パナソニック・タワージャズセミコンダクター株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP6667431B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2020-03-18 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム |
| JP6929057B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2021-09-01 | キヤノン株式会社 | 光電変換素子、撮像システム |
| JP2021005655A (ja) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および機器 |
| JP2021068788A (ja) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法、および撮像システム |
| JP2020188267A (ja) * | 2020-07-14 | 2020-11-19 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| CN115675029A (zh) * | 2022-09-06 | 2023-02-03 | 福耀玻璃工业集团股份有限公司 | 夹层玻璃组件及车辆 |
| JP2024058808A (ja) * | 2022-10-17 | 2024-04-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002314062A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Canon Inc | 固体撮像装置および撮像システム |
| JP2003244712A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Canon Inc | 撮像装置及びシステム |
| JP2009158800A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Nikon Corp | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
| WO2011001196A1 (en) * | 2009-07-02 | 2011-01-06 | Candela Microsystems (S) Pte., Ltd. | Light guide array for an image sensor |
| RU2426195C1 (ru) * | 2007-10-03 | 2011-08-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Устройство фотоэлектрического преобразования и система формирования изображения |
| GB2481651A (en) * | 2009-07-02 | 2012-01-04 | Candela Microsystems S Pte Ltd | Image sensor pixel |
Family Cites Families (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US317142A (en) * | 1885-05-05 | Sleeping-car seat | ||
| US31381A (en) * | 1861-02-12 | Improvement in seed-planters | ||
| US102651A (en) * | 1870-05-03 | Improved hay-carrier | ||
| US265384A (en) * | 1882-10-03 | Hoisting-machine | ||
| US166518A (en) * | 1875-08-10 | Improvement in devices for winding clocks | ||
| JP2007042801A (ja) | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
| EP1930950B1 (en) * | 2006-12-08 | 2012-11-07 | Sony Corporation | Solid-state image pickup device, method for manufacturing solid-state image pickup device, and camera |
| US8455811B2 (en) | 2007-12-28 | 2013-06-04 | Candela Microsystems (S) Pte. Ltd. | Light guide array for an image sensor |
| US7816641B2 (en) | 2007-12-28 | 2010-10-19 | Candela Microsystems (S) Pte. Ltd. | Light guide array for an image sensor |
| US20110031381A1 (en) | 2007-12-28 | 2011-02-10 | Hiok-Nam Tay | Light guide array for an image sensor |
| EP2133918B1 (en) | 2008-06-09 | 2015-01-28 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, drive method thereof and electronic apparatus |
| JP5521302B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2014-06-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
| JP5428451B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2014-02-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置 |
| JP5278165B2 (ja) | 2009-05-26 | 2013-09-04 | ソニー株式会社 | 焦点検出装置、撮像素子および電子カメラ |
| US7923799B2 (en) * | 2009-06-09 | 2011-04-12 | Aptina Imaging Corporation | Image sensors with light guides |
| TWI553844B (zh) | 2009-07-02 | 2016-10-11 | 邰祐南 | 影像感測器及形成影像感測器的方法 |
| JP5471117B2 (ja) | 2009-07-24 | 2014-04-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法並びにカメラ |
| MX2012005169A (es) | 2009-11-05 | 2012-09-12 | Hiok Nam Tay | Matriz optimizada de guías de luz para un sensor de imagen. |
| JP2011159858A (ja) | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、電子機器 |
| JP5506517B2 (ja) * | 2010-04-12 | 2014-05-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子 |
| JP2012038986A (ja) * | 2010-08-10 | 2012-02-23 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器 |
| JP5631168B2 (ja) * | 2010-11-17 | 2014-11-26 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子 |
| JP5631176B2 (ja) * | 2010-11-29 | 2014-11-26 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子及びカメラ |
| JP5812610B2 (ja) * | 2011-01-18 | 2015-11-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子及び固体撮像素子を有する撮像システム |
| JP5404732B2 (ja) | 2011-02-09 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換素子およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム |
| JP2012182426A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-09-20 | Canon Inc | 固体撮像装置、固体撮像装置を用いた撮像システム及び固体撮像装置の製造方法 |
| JP5393904B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2014-01-22 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP5372102B2 (ja) | 2011-02-09 | 2013-12-18 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像システム |
| JP5197823B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP6016396B2 (ja) * | 2011-03-24 | 2016-10-26 | キヤノン株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
| JP2013004635A (ja) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Canon Inc | 撮像素子、撮像装置、及び、形成方法 |
| CN103999221B (zh) * | 2011-12-22 | 2017-08-29 | 佳能株式会社 | 固态成像器件和成像装置 |
| JP2013157883A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Sony Corp | 固体撮像素子およびカメラシステム |
| CN104205332B (zh) * | 2012-03-30 | 2016-05-18 | 富士胶片株式会社 | 摄像元件以及摄像装置 |
| JP6124555B2 (ja) * | 2012-11-01 | 2017-05-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子及びそれを用いた測距装置 |
| JP2014216970A (ja) * | 2013-04-27 | 2014-11-17 | キヤノン株式会社 | 測距装置 |
| JP2014239290A (ja) * | 2013-06-06 | 2014-12-18 | ソニー株式会社 | 焦点検出装置、電子機器、製造装置、製造方法 |
| JP6235412B2 (ja) * | 2014-05-27 | 2017-11-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2017069553A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法及びカメラ |
-
2014
- 2014-06-02 JP JP2014114433A patent/JP6173259B2/ja active Active
-
2015
- 2015-05-19 DE DE102015107806.6A patent/DE102015107806B4/de active Active
- 2015-05-26 BR BR102015012136A patent/BR102015012136A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2015-05-29 US US14/726,148 patent/US10403664B2/en active Active
- 2015-06-01 RU RU2015120766A patent/RU2607727C2/ru active
- 2015-06-01 GB GB1509441.0A patent/GB2528565B/en active Active
- 2015-06-01 GB GB1700229.6A patent/GB2543679B/en active Active
- 2015-06-02 CN CN201510294240.1A patent/CN105280655B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002314062A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Canon Inc | 固体撮像装置および撮像システム |
| JP2003244712A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Canon Inc | 撮像装置及びシステム |
| RU2426195C1 (ru) * | 2007-10-03 | 2011-08-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Устройство фотоэлектрического преобразования и система формирования изображения |
| JP2009158800A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Nikon Corp | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
| WO2011001196A1 (en) * | 2009-07-02 | 2011-01-06 | Candela Microsystems (S) Pte., Ltd. | Light guide array for an image sensor |
| GB2481651A (en) * | 2009-07-02 | 2012-01-04 | Candela Microsystems S Pte Ltd | Image sensor pixel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105280655B (zh) | 2018-09-04 |
| DE102015107806B4 (de) | 2019-10-24 |
| JP6173259B2 (ja) | 2017-08-02 |
| CN105280655A (zh) | 2016-01-27 |
| RU2015120766A (ru) | 2016-12-20 |
| GB2543679B (en) | 2017-10-25 |
| GB2528565B (en) | 2017-08-02 |
| GB2528565A (en) | 2016-01-27 |
| US20150349011A1 (en) | 2015-12-03 |
| GB2543679A (en) | 2017-04-26 |
| JP2015228467A (ja) | 2015-12-17 |
| GB201700229D0 (en) | 2017-02-22 |
| US10403664B2 (en) | 2019-09-03 |
| BR102015012136A2 (pt) | 2016-08-02 |
| GB201509441D0 (en) | 2015-07-15 |
| DE102015107806A1 (de) | 2015-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2607727C2 (ru) | Устройство фотоэлектрического преобразования и система формирования изображений | |
| JP4740018B2 (ja) | 固体撮像装置、カメラおよび信号処理方法 | |
| JP5372102B2 (ja) | 光電変換装置および撮像システム | |
| JP6196911B2 (ja) | 固体撮像装置および撮像装置 | |
| JP5274678B2 (ja) | 光電変換素子、およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム | |
| JP6566734B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| US9780132B2 (en) | Image sensor and electronic device including the same | |
| KR20120092047A (ko) | 광전 변환 소자, 광전 변환 장치 및 촬상 시스템 | |
| US10276612B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus and image pickup system | |
| CN110890390B (zh) | 包括多个成像像素的图像传感器 | |
| US9159756B2 (en) | Solid-state imaging device and manufacturing method of the same | |
| JP6895724B2 (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
| CN110957336B (zh) | 具有衍射透镜的相位检测像素 | |
| KR102396031B1 (ko) | 이미지 센서 및 이를 구비하는 전자장치 |