RU2581860C1 - Керамический материал с низкой диэлектрической проницаемостью - Google Patents
Керамический материал с низкой диэлектрической проницаемостью Download PDFInfo
- Publication number
- RU2581860C1 RU2581860C1 RU2015109374/03A RU2015109374A RU2581860C1 RU 2581860 C1 RU2581860 C1 RU 2581860C1 RU 2015109374/03 A RU2015109374/03 A RU 2015109374/03A RU 2015109374 A RU2015109374 A RU 2015109374A RU 2581860 C1 RU2581860 C1 RU 2581860C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ceramic material
- dielectric
- low permittivity
- dielectric constant
- ceramic
- Prior art date
Links
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 8
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- -1 enstantine Chemical compound 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011363 dried mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009774 resonance method Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/14—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/9607—Thermal properties, e.g. thermal expansion coefficient
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
Изобретение относится к радиоэлектронной технике. Технический результат изобретения заключается в получении плотного керамического материала с низкой диэлектрической проницаемостью ε′=4,2±0,2, сравнимой с органическими диэлектриками, с малыми диэлектрическими потерями tgδε≤7·10-4 и влагопоглощением менее 0,1%. Керамический материал с низкой диэлектрической проницаемостью содержит, вес. %: MgO 13,8-6,40; Al2O3 32,0-35,6; ZnO 0,2-13,5; SiO2 - остальное. 2 табл.
Description
Изобретение относится к радиоэлектронной технике и касается создания керамических материалов с низкой диэлектрической проницаемостью, предназначенных для использования в высокочастотном и сверхвысокочастотном диапазонах. Высокодобротные керамические материалы с диэлектрической проницаемостью от 5 до 140 обычно используются совместно с ферритовыми компонентами в вентилях, циркуляторах и фазовращателях, а также в качестве подложек для гибридных интегральных микросхем.
Основными характеристиками керамических материалов являются:
- заданная величина действительной составляющей комплексной диэлектрической относительной проницаемости на функциональной частоте - ε′;
- тангенс угла диэлектрических потерь - tgδε;
- плотность материала, г/см3 - ρ;
- влагопоглощение, % - W.
Для высокочастотных микроволновых применений керамический материал должен обладать малыми диэлектрическими потерями (tgδε≤7·10-4), плотностью, близкой к теоретической, и минимальным влагопоглощением (<0,1%)
В настоящее время не выявлено плотных керамических материалов с диэлектрической проницаемостью ниже чем ε′=4,7.
При необходимости использовать диэлектрик с меньшим значением ε′, применяют плавленый кварц с ε′=3,9±1. Однако из-за трудностей, возникающих при механической обработке изделий из кварца с высокой точностью, предпочтение отдают керамическим материалам.
В случае потребности материала с ε′=4 можно также использовать твердые органические диэлектрики, но по сравнению с керамическими диэлектриками, их диэлектрические потери гораздо выше, а температура размягчения очень низкая (~200°C). Эти факторы ограничивают их применение в СВЧ приборах.
Известны отечественные аналоги керамических материалов с наименьшей из известной диэлектрической проницаемости. Так в каталоге ОАО «НИИ «Феррит-Домен»» «Приборы. Изделия. Материалы» имеется материал 5К, а в ОСТ4ГО.023.600 органический диэлектрик СТ-4. Параметры этих материалов приведены в Таблице 1.
Среди зарубежных аналогов известен патент США №6094106, в котором предлагается диэлектрический фарфор с ε′=4,7-8,0, созданный на базе сложного оксида, содержащего Mg, Al, Si. Его состав по x, y, z меняется в значительных пределах:
xMgO·yAl2O3·zSiO2,
где 10≤x≤40; 10≤y≤40; 20≤z≤80.
Однако у этого материала большие диэлектрические потери tgδε=(0,8÷1)·10-3, которые объясняются тем, что кроме основной фазы кордиерита материал содержит набор сопутствующих фаз, таких как, форстерит, шпинель, энстантин, муллит. Для расширения технологических возможностей получения материала за счет увеличения температурного диапазона спекания керамики предлагается использовать оксиды элементов группы III периодической системы элементов Менделеева, т.е. Sc, Y, и все лантаноиды, особенно рекомендован Yb2O3 в количестве от 0,1 до 10% сверх весового состава. Однако даже в этом случае отсутствуют материалы с диэлектрической проницаемостью ниже 4,7 и малыми диэлектрическими потерями.
В патенте США №6440883 предложен основной состав керамики такой же, как в патенте №6094106, но материал дополнительно содержит окислы щелочных металлов, таких как K2O, в количестве не более 0,1% от общей массы керамики. Присутствие окислов щелочных металлов, образуя стеклофазу, способствуют снижению температуры спекания до 1450°C. Положительным результатом помимо снижения температуры спекания является также уменьшение диэлектрических потерь на отдельных составах. Среди примеров различного состава приводится также керамический материал с диэлектрическими свойствами: ε′=4,8 и tgδε=4·10-4, по своим свойствам соответствующий отечественному керамическому материалу 5К, разработанному ранее.
В патенте США №6684764 предложен диэлектрический фарфор, основной химический состав которого аналогичен составу материала патентов №6094106, №6440883, а кроме того, содержится редкоземельные элементы Tb, Dy, Ho, Er, Yb, и Lu и оксиды щелочноземельных металлов.
Сложный оксид xMgO·yAl2O3·zSiO2, в пределах значений x, y, z, указанных для патента №6094106, можно выразить в весовом процентном соотношении:
MgO=6,47-13,77;
Al2O3=16,38-59,0;5
SiO2=77,15-17,62.
Предложенный материал на основании рассмотренных примеров имеет следующие диэлектрические параметры:
где Q - добротность.
Среди рассмотренных зарубежных аналогов керамического материала с диэлектрической проницаемостью менее 4,7 получено не было.
Материал по патенту США №6864764 является наиболее близким аналогом заявленного изобретения по совокупности существенных признаков и достигаемому результату и взят за прототип.
Целью изобретения является получение плотного керамического материала с низкой диэлектрической проницаемостью, сравнимой с органическими диэлектриками, но с малыми диэлектрическими потерями tgδε≤7·10-4 и низким влагопоглощением (W<0,1%) для высокочастотного применения.
Для этого предлагается керамический материал, который содержит в качестве базового состава оксиды магния, алюминия и кремния, отличающийся тем, что он дополнительно содержит оксид цинка, при следующем соотношении компонентов, вес. %:
Оксид магния (MgO) - 13,8-6,40;
Оксид алюминия (Al2O3) - 32,0-35,6;
Оксид цинка (ZnO) - 0,2-13,5;
Оксид кремния (SiO2) - остальное.
Предлагаемый керамический материал получают по следующей технологии.
Исходные компоненты, взятые в необходимых соотношениях, перемешиваются в дистиллированной воде в шаровой мельнице в течение 20-24 часов при соотношении масса : шары : вода (м:ш:в), равном 1:2:2,5. В качестве мелющих тел используются алундовые цилиндры диаметром и высотой 12 мм. Высушенную смесь протирают через капроновые сита и синтезируют при температуре 1280-1300°C в течение 4-6 часов на воздухе. После чего шихта подвергается мокрому помолу по режиму, описанному выше.
Пресс-порошок готовится путем введения 1/5 части от веса шихты 1,5% раствора метилцеллюлозы. Спрессованные при удельном давлении 1 т/см2 образцы спекаются на воздухе при температуре 1320-1380°C в течение 2-4 часовой выдержки.
На спеченных образцах измерялись следующие параметры: плотность, диэлектрическая проницаемость, диэлектрические потери и влагопоглощение.
Плотность ρ определялась методом гидростатического взвешивания. Действительная составляющая комплексной диэлектрической относительной проницаемости (ε′) и тангенс угла диэлектрических потерь (tgδε) измерялись резонансным методом на частоте 6,5 ГГц на шлифованных дисках толщиной 2÷3 мм, полученных в результате спекания образцов. Влагопоглощение W рассчитывают по формуле:
где q0 - первоначальный вес, q1 - вес после 24 ч погружения в дистиллированную воду.
Примеры полученной керамики, их химический состав и электрофизические свойства приведены в таблице 2.
В примерах №1, 2, 3, 4, 5 даны химические составы в пределах заявленных процентных соотношений и соответствующие им электрофизические свойства, полученные в результате испытаний по стандартным методикам.
Пример №6. Увеличение содержания MgO и уменьшение ZnO, по сравнению с заявленными пределами, приводит к росту диэлектрической проницаемости.
Пример №7. Уменьшение содержание MgO и увеличение ZnO, по сравнению с заявленным пределами, приводит к увеличению диэлектрических потерь.
Пример №8. Увеличение содержания Al2O3, по сравнению с заявленными пределами, приводит к увеличению диэлектрической проницаемости и росту диэлектрических потерь.
Пример №9. Уменьшение содержания Al2O3, по сравнению с заявленными пределами, приводит к увеличению диэлектрических потерь, кроме того, становится невозможным получить хорошо спеченный материал, поэтому возрастает влагопоглощение.
Предлагаемое изобретение было создано в процессе выполнения тематического плана предприятия «Исследование возможности получения керамического материала с диэлектрической проницаемостью 
». В дальнейшем при соответствующей технологической отработке будет выпущена документация на данный керамический материал марки 4К.
Создание керамического материала с низкой диэлектрической проницаемостью позволит расширить номенклатуру материалов и создаваемых на их основе современных радиоэлектронных устройств.
Claims (1)
- Керамический материал с низкой диэлектрической проницаемостью, содержащий оксид магния, алюминия, кремния, отличающийся тем, что он содержит оксид цинка при следующем соотношении компонентов, вес. %:
Оксид магния (MgO) 13,8-6,40 Оксид алюминия (Al2O3) 32,0-35,6 Оксид цинка (ZnO) 0,2-13,5 Оксид кремния (SiO2) остальное
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015109374/03A RU2581860C1 (ru) | 2015-03-17 | 2015-03-17 | Керамический материал с низкой диэлектрической проницаемостью |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015109374/03A RU2581860C1 (ru) | 2015-03-17 | 2015-03-17 | Керамический материал с низкой диэлектрической проницаемостью |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2581860C1 true RU2581860C1 (ru) | 2016-04-20 |
Family
ID=56195035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015109374/03A RU2581860C1 (ru) | 2015-03-17 | 2015-03-17 | Керамический материал с низкой диэлектрической проницаемостью |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2581860C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2624475C1 (ru) * | 2016-05-23 | 2017-07-04 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Феррит-Домен" | Керамический материал |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2824090A1 (en) * | 2013-03-26 | 2015-01-14 | NGK Insulators, Ltd. | Glass/ceramic composite material |
-
2015
- 2015-03-17 RU RU2015109374/03A patent/RU2581860C1/ru active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2824090A1 (en) * | 2013-03-26 | 2015-01-14 | NGK Insulators, Ltd. | Glass/ceramic composite material |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JP 60137868 AБ 22.07.1985. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2624475C1 (ru) * | 2016-05-23 | 2017-07-04 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Феррит-Домен" | Керамический материал |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sayyadi-Shahraki et al. | Microwave dielectric properties and chemical compatibility with silver electrode of Li2TiO3 ceramic with Li2O–ZnO–B2O3 glass additive | |
| CN111925187A (zh) | 一种无铅高压中温烧结的锶铋钛基介质材料及制备方法 | |
| CN105347781A (zh) | 一种陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN107382313A (zh) | 一种超高品质因数、中低介电常数及近零温度系数的微波介质陶瓷及其制备方法 | |
| RU2581860C1 (ru) | Керамический материал с низкой диэлектрической проницаемостью | |
| KR101607582B1 (ko) | 유전체 자기 조성물, 유전체 자기, 전자 부품 및 통신 기기 | |
| US7208434B2 (en) | Dielectric ceramic composition of forsterite system for microwave and millimeter-wave application and method for forming the same | |
| JP2011116615A (ja) | アルミナ質焼結体 | |
| JP5481781B2 (ja) | 誘電体磁器 | |
| JP2009023895A (ja) | セラミックス基板及びその製造方法 | |
| CN104108930B (zh) | 一种在350℃以上使用的高温稳定型介电陶瓷及其制备方法 | |
| JP2005272199A (ja) | 低温焼成磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP2000313657A (ja) | 高耐電圧性アルミナ基焼結体 | |
| RU2624475C1 (ru) | Керамический материал | |
| JP2002068829A (ja) | 磁器および磁器の製造方法 | |
| JP2021138581A (ja) | セラミックス焼結体およびその製造方法 | |
| JPH06333429A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP5247294B2 (ja) | セラミック支持部材およびこれを用いた誘電体共振器 | |
| JP7315902B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| US10011533B2 (en) | Porcelain composition with nanosized ceramic oxides | |
| JP2005239446A (ja) | 磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP2011016682A (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法 | |
| CN108314437B (zh) | 一种低温烧结低介电常数陶瓷基板材料及制备方法 | |
| Chen et al. | The influence of ZrO2 doping on the microwave dielectric properties and microstructures of Bi2Mo2O9 ceramics | |
| Abhilash et al. | Novel glass free ceramic for LTCC applications |