RU2511617C2 - Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий - Google Patents
Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий Download PDFInfo
- Publication number
- RU2511617C2 RU2511617C2 RU2011140386/28A RU2011140386A RU2511617C2 RU 2511617 C2 RU2511617 C2 RU 2511617C2 RU 2011140386/28 A RU2011140386/28 A RU 2011140386/28A RU 2011140386 A RU2011140386 A RU 2011140386A RU 2511617 C2 RU2511617 C2 RU 2511617C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- batches
- parameter
- reliability
- values
- semiconductor articles
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий ППИ (транзисторов, интегральных схем (ИС) и т.д.) и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ППИ как в процессе производства, так и при входном контроле на предприятии-изготовителе радиоэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что на произвольных одинаковых выборках из партий полупроводниковых изделий (не менее 25 штук от каждой партии) проводят измерение электрического информативного параметра до и после воздействия пятью импульсами ЭСР обеих полярностей, потенциалом, допустимым по техническим условиям, затем для последнего измерения вычисляют коэффициент конструктивно-технологического запаса для верхней и нижней норм параметра, далее находят среднее значение изменения величины информативного параметра. По значениям коэффициентов запаса и средних значений величин изменения информативного параметра оценивают сравнительную надежность двух партий. Технический результат: повышение функциональных возможностей способа.
Description
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий ППИ (транзисторов, интегральных схем (ИС) и т.д.) и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ППИ как в процессе производства, так и при входном контроле на предприятии-изготовителе радиоэлектронной аппаратуры.
Известен способ сравнительной оценки надежности партий ИС [1], в соответствии с которым на произвольных выборках интегральных схем из партий проводят измерение значений динамических параметров до и после воздействия различными по полярности напряжениям пяти электростатических разрядов, предельно допустимом по техническим условиям, и температурного отжига при допустимой максимальной температуре кристалла, а электростатические разряды подают на каждую из пар выводов интегральной схемы: вход - общая точка, выход - общая точка, питание - общая точка, вход - выход, количество циклов воздействия электростатических разрядов и температурного отжига составляет не менее трех, по количеству отказавших интегральных схем делают вывод о сравнительной надежности партий интегральных схем.
Недостаток данного способа - испытание является слишком трудоемким. Изобретение направлено на устранение недостатка и повышение функциональных возможностей способа.
Предложенный способ сравнительной оценки надежности партий ППИ по надежности основывается на измерении электрического информативного параметра X до и после воздействия пятью импульсами ЭСР обеих полярностей потенциалом, допустимым по техническим условиям, на выводы ИС в последовательности, оговариваемой в технических условиях на изделие, и сравнении двух величин: коэффициентов конструктивно-технологического запаса КВ для верхнего или КН для нижнего значения нормы информативного параметра и среднего значения изменения величины информативного параметра АХ после воздействия ЭСР.
Способ осуществляется следующим образом: от каждой партии ПЛИ (количество партий не ограничено) методом случайной выборки отбирают одинаковое количество изделий (не менее 25 от каждой партии) и измеряют значении информативного параметра. Затем проводят испытание изделий на чувствительность к ЭСР путем воздействия пятью ЭСР обеих полярностей напряжением, предельно допустимым по техническим условиям, на различные пары выводов. Для транзисторов это выводы: эмиттер-база; коллектор-база. Подача разрядов на выводы ИС осуществляется в последовательности, приведенной в таблице 1 [2].
Таблица 1 | ||
№ воздействия | Наименование выводов ИС | |
цифровых | аналоговых | |
1 | Вход - общая точка | Вход - общая точка |
2 | Выход - общая точка | Вход - выход |
3 | Вход - выход | Выход - общая точка |
4 | Питание - общая точка | Питание - общая точка |
У каждого изделия вновь измеряют значение информативного параметра в нормальных условиях (при давлении 760 мм рт.ст. и температуре 15-30°C), затем для последнего измерения (т.е. для значений параметра после воздействия ЭСР) вычисляют коэффициент конструктивно-технологического запаса по формуле для верхнего значения нормы параметра, или по формуле для нижнего значения нормы параметра, где ХВ, ТУ - верхнее значение нормы, оговоренное в технических условиях, ХН, ТУ - нижнее значение нормы, оговоренное в технических условиях, ХВ - верхнее значение параметра, определенное экспериментально, ХН - нижнее значение параметра, определенное экспериментально,
- среднее значение параметра в выборке [3], и значение изменения информативного параметра для каждого изделия в выборке по формуле ΔXi=|Xi-ХiЭСР|, где Хi - значение величины информативного параметра до воздействия ЭСР, ХiЭСР - значение величины информативного параметра после воздействия пятью импульсами ЭСР различной полярности, далее находят среднее значение изменения величины информативного параметра АХ для выборки. По значениям коэффициентов запаса и средних значений величин изменения информативного параметра оценивают сравнительную надежность двух партий.
Способ был опробован на выборках из двух партий цифровых интегральных схем типа 134ЛБ1. От каждой партии было отобрано методом случайной выборки по 25 схем и измерены значения выходного напряжения низкого уровня UOL каждой ИС. После воздействия пятью ЭСР обеих полярностей, величиной 200 В, допустимой техническими условиями, на каждую пару выводов, оговоренных в таблице 1, было вновь измерено значение выходного напряжения низкого уровня UOL каждой ИС. Измеренные значения UOL, а также значения изменения величины после ЭСР ΔUOL представлены в таблице 2.
Таблица 2 | ||||||
Партия 1 | Партия 2 | Партия 1 | Партия 2 | |||
№ ИС | UOL, В | UOL, В | ||||
Начало измерений | После ЭСР | Начало измерений | После ЭСР | ΔUOL, В | ΔUOL, В | |
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
1 | 0,19 | 0,18 | 0,14 | 0,11 | 0,01 | 0,03 |
2 | 0,13 | 0,12 | 0,12 | 0,13 | 0,01 | 0,01 |
3 | 0,17 | 0,17 | 0,12 | 0,14 | 0 | 0,02 |
4 | 0,16 | 0,16 | 0,15 | 0,12 | 0 | 0,03 |
5 | 0,17 | 0,16 | 0,16 | 0,14 | 0,01 | 0,02 |
6 | 0,16 | 0,16 | 0,15 | 0,14 | 0 | 0,01 |
7 | 0,18 | 0,17 | 0,15 | 0,14 | 0,01 | 0,01 |
8 | 0,19 | 0,18 | 0,15 | 0,21 | 0,01 | 0,06 |
9 | 0,18 | 0,16 | 0,17 | 0,16 | 0,02 | 0,01 |
10 | 0,14 | 0,13 | 0,22 | 0,16 | 0,01 | 0,06 |
11 | 0,15 | 0,11 | 0,15 | 0,16 | 0,04 | 0,01 |
12 | 0,18 | 0,17 | 0,17 | 0,14 | 0,01 | 0,03 |
13 | 0,19 | 0,18 | 0,19 | 0,20 | 0,01 | 0,01 |
14 | 0,17 | 0,16 | 0,21 | 0,18 | 0,01 | 0,03 |
15 | 0,17 | 0,17 | 0,19 | 0,17 | 0 | 0,02 |
16 | 0,15 | 0,14 | 0,18 | 0,15 | 0,01 | 0,03 |
17 | 0,14 | 0,14 | 0,13 | 0,12 | 0 | 0,01 |
18 | 0,14 | 0,13 | 0,15 | 0,14 | 0,01 | 0,01 |
19 | 0,16 | 0,15 | 0,23 | 0,14 | 0,01 | 0,09 |
20 | 0,17 | 0,15 | 0,16 | 0,21 | 0,02 | 0,05 |
21 | 0,18 | 0,17 | 0,16 | 0,15 | 0,01 | 0,01 |
22 | 0,14 | 0,14 | 0,16 | 0,14 | 0 | 0,02 |
23 | 0,18 | 0,18 | 0,15 | 0,13 | 0 | 0,02 |
24 | 0,18 | 0,16 | 0,14 | 0,14 | 0,02 | 0 |
25 | 0,17 | 0,16 | 0,19 | 0,17 | 0,01 | 0,02 |
|
0,166 | 0,158 | 0,164 | 0,152 | 0,0096 | 0,0248 |
Из таблицы 2 выбраны наибольшие значения UOL для каждой выборки и посчитаны средние значения этого параметра. Значение параметра, указанное в технических условиях, одинаково для обеих выборок и равно UOLTУ≤0,3 В. Далее были посчитаны коэффициенты запаса для верхней нормы используемого параметра после воздействия ЭСР и средние значения изменения параметра UOL для каждой выборки. Коэффициенты запаса и средние значения изменения величины UOL равны КВ1ЭСР=4,58 и ΔUOL1=0,0096 для первой выборки и КВ2ЭСР=1,25 и ΔUOL2=0,0248 для второй выборки. Из полученного результата можно сделать вывод, что первая партия более надежна, чем вторая, так как коэффициент запаса после воздействия ЭСР для выборки из первой партии больше, чем для выборки из второй партии, а среднее значение изменения величины информативного параметра для выборки из первой партии меньше, чем для выборки из второй партии.
Источники информации
1. Патент РФ №2386975 G01R 31/26, опубл. 20.04.2010.
2. Горлов М.И., Ануфриев А.В., Воронцов И.В. Воздействие электростатических зарядов на изделия полупроводниковой электроники и радиоэлектронной аппаратуры // Воронеж: Воронежский государственный университет. 1987. - 160 с.
3. Горлов М.И., Ануфриев Л.И. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых изделий в процессе серийного производства // Мн.: Бестпринт, 2003. - 202 с.
Claims (1)
- Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий, в соответствии с которым на произвольных одинаковых выборках (не менее 25 изделий) из партий проводят измерение электрического информативного параметра до и после воздействия пятью импульсами электростатического разряда обеих полярностей, отличающийся тем, что после воздействия электростатического разряда вычисляют коэффициент конструктивно-технологического запаса для верхней или нижней норм параметра и среднее значение изменения информативного параметра, по значениям коэффициента конструктивно-технологического запаса и среднего значения изменения параметра делают вывод о сравнительной надежности партий полупроводниковых изделий.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011140386/28A RU2511617C2 (ru) | 2011-10-04 | 2011-10-04 | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011140386/28A RU2511617C2 (ru) | 2011-10-04 | 2011-10-04 | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2011140386A RU2011140386A (ru) | 2013-04-10 |
RU2511617C2 true RU2511617C2 (ru) | 2014-04-10 |
Family
ID=49151723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011140386/28A RU2511617C2 (ru) | 2011-10-04 | 2011-10-04 | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2511617C2 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2702962C1 (ru) * | 2019-02-22 | 2019-10-14 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности |
RU2786050C1 (ru) * | 2021-10-15 | 2022-12-16 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный университет" | Способ разделения интегральных схем по надежности |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4816753A (en) * | 1987-05-21 | 1989-03-28 | Advanced Research And Applications Corporation | Method for reliability testing of integrated circuits |
RU2168735C2 (ru) * | 1999-04-05 | 2001-06-10 | РНИИ "Электронстандарт" | Способ отбора изделий электронной техники по стойкости или надежности |
RU2374658C1 (ru) * | 2008-06-02 | 2009-11-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности |
RU2381514C1 (ru) * | 2008-06-16 | 2010-02-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий |
RU2386975C1 (ru) * | 2008-11-11 | 2010-04-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем |
-
2011
- 2011-10-04 RU RU2011140386/28A patent/RU2511617C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4816753A (en) * | 1987-05-21 | 1989-03-28 | Advanced Research And Applications Corporation | Method for reliability testing of integrated circuits |
RU2168735C2 (ru) * | 1999-04-05 | 2001-06-10 | РНИИ "Электронстандарт" | Способ отбора изделий электронной техники по стойкости или надежности |
RU2374658C1 (ru) * | 2008-06-02 | 2009-11-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности |
RU2381514C1 (ru) * | 2008-06-16 | 2010-02-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий |
RU2386975C1 (ru) * | 2008-11-11 | 2010-04-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2702962C1 (ru) * | 2019-02-22 | 2019-10-14 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности |
RU2786050C1 (ru) * | 2021-10-15 | 2022-12-16 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный университет" | Способ разделения интегральных схем по надежности |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2011140386A (ru) | 2013-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007502402A (ja) | ゴールデンサンプルによるテスタ及びテストボードの較正 | |
RU2511617C2 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий | |
RU2386975C1 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем | |
RU2702962C1 (ru) | Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности | |
KR102114103B1 (ko) | 산화물 반도체 박막 검사장치 및 산화물 반도체 박막 검사방법 | |
RU2490655C2 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий | |
RU2511633C2 (ru) | Способ отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня качества из партий изделий повышенной надежности | |
RU2538032C2 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий | |
RU2365930C1 (ru) | Способ выделения интегральных схем повышенной надежности | |
RU2311653C1 (ru) | Способ разделения аналоговых интегральных схем по надежности | |
RU2374658C1 (ru) | Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности | |
RU2326394C1 (ru) | Способ повышения надежности партий полупроводниковых изделий | |
RU2467339C2 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем | |
RU2546998C2 (ru) | Способ сравнительных испытаний по надежности партий интегральных схем | |
US20160146883A1 (en) | Device and method of detecting signal delay | |
JP2017059564A (ja) | 半導体ウエハーの検査方法及び半導体装置の製造方法 | |
RU2492494C2 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем | |
RU2269790C1 (ru) | Способ выделения интегральных схем повышенной надежности | |
RU2739480C1 (ru) | Способ сравнительной оценки партий транзисторов по качеству и надежности | |
RU2381514C1 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий | |
RU2278392C1 (ru) | Способ разделения интегральных схем | |
CN113534033A (zh) | 测试机台的校准方法及校准系统 | |
RU2515372C2 (ru) | Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности | |
RU2529675C2 (ru) | Способ разделения интегральных схем "по надежности" | |
RU2813473C1 (ru) | Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по качеству и надежности |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20141005 |