RU2702962C1 - Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности - Google Patents

Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности Download PDF

Info

Publication number
RU2702962C1
RU2702962C1 RU2019105039A RU2019105039A RU2702962C1 RU 2702962 C1 RU2702962 C1 RU 2702962C1 RU 2019105039 A RU2019105039 A RU 2019105039A RU 2019105039 A RU2019105039 A RU 2019105039A RU 2702962 C1 RU2702962 C1 RU 2702962C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
reliability
batches
comparative evaluation
products
parameters
Prior art date
Application number
RU2019105039A
Other languages
English (en)
Inventor
Митрофан Иванович Горлов
Алексей Владимирович Арсентьев
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет"
Priority to RU2019105039A priority Critical patent/RU2702962C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2702962C1 publication Critical patent/RU2702962C1/ru

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий, и может быть использовано для сравнительной оценки качества и надежности партий изделий одного типа как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Технический результат - неразрушающий способ, позволяющий расширить область применения и повысить достоверность отбраковки полупроводниковых изделий по надежности по сравнению с существующими аналогичными способами. В способе сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности на одинаковых выборках из партий проводят измерения информативных параметров при комнатной температуре до и после испытаний на безотказность в течение 100 часов, затем сравнивают средние значения коэффициента увеличения информативного параметра/параметров для выборок. 2 табл.

Description

Предлагаемый способ относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (ППИ): диодов, транзисторов и интегральных схем, и может быть использован для сравнительной оценки качества и надежности партий изделий одного типа, как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.
Известен способ сравнительной оценки надежности партий транзисторов патент РФ №2226698 R 31/26, опубликован 10.04.2004, в соответствии с которым проводят выборочные испытания партий транзисторов воздействием электростатических разряд (ЭСР). На каждый транзистор выборки подают электростатические разряды потенциалом вдвое большим, чем допустимый по техническим условиям, затем каждый раз повышают на 20-30 В до появления параметрического или катастрофического отказа.
Наиболее близким к заявляемому изобретению способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий патент РФ №2538032 R 31/26, опубликован 10.01.2015, суть которого заключает в измерении значения интенсивности низкочастотного шума на транзисторах по выводам «эмиттер-база» и на интегральных схемах «вход-общая точка». Затем на каждое изделие подают не менее пяти импульсов ЭСР обоих полярностей потенциалом, допустимом по техническим условиям на выходы «эмиттер-база» транзисторов и «вход-общая точка» интегральных, схем имеющих наибольшую чувствительность к ЭСР и вновь измеряют значения низкочастотного шума, находят отношения значений НЧШ после воздействие ЭСР к начальному значению и по величине среднего значения этого отношения сравнивают надежность партии изделий.
Недостатка данного способа - использование ресурса изделия при разрушающих испытаниях.
Задача - повышение достоверности отбраковки полупроводниковых изделий и расширение области применения способа при неразрушающих испытаниях.
Для решения поставленной задачи в способе сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности, в соответствии с которым на одинаковых произвольных выборках из партий проводят измерения информативных параметров при комнатной температуре до испытаний на безотказность и после 100 ч испытаний, после чего сравнивают средние значения коэффициента увеличения информативного параметра/параметров.
Предлагаемый способ основан на измерении электрических информативных параметров изделий (в качестве которых выступают электрические характеристики, определяемые ТУ на конкретное полупроводниковое изделие) на одинаковых выборках из партий (количество партий не ограничено) до воздействия испытаний; испытания на безотказность в течение 100 часов в режиме, указанном в ТУ, с последующей выдержки в течение 2-х часов в нормальных условиях; контрольным замером тех же электрических информативных параметров изделий после испытаний; расчет коэффициентов информативных параметров, сравнение коэффициентов и вывод о сравнительной надежности партий.
Для эксперимента взяли по 10 шт. ИС типа 134РУ6 из двух партий и измерили два информативных параметра: выходное напряжение логического нуля UOL ≤ 0.4 В при выходном токе IOL = 8 мА и выходное напряжение логической единицы UOH ≥ 2,6 В - до и после испытаний на безотказность.
Результаты эксперимента представлены в таблице 1 и 2, здесь
Figure 00000001
Figure 00000002
Figure 00000003
Сравним по табл. 1 табл. 2 поведение параметра UOL, ограниченного значениями сверху 0,4 В. Видно, что по этому параметру партия 2 будет более надежной, т. к. K2ср2 = 0,874, т.е. менее 1, а значит, параметр UOL во второй партии не возрастает.
По параметру UOH, ограниченного значением 2,6 В снизу, видим, что партия 1 будет менее надежной, т. к. К3ср3 = 0,989, т. е. менее 1, а партия №2 будет более надежной, т.к. параметр UOH растет.
По обоим параметрам имеем, что партия 2 будет более надежной.

Claims (1)

  1. Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности, заключающийся в измерении электрических информативных параметров изделий (указанных в ТУ) на одинаковых произвольных выборках из партии до и после испытаний, отличающийся тем, что измерение информативных параметров изделия на одинаковых выборках из партий проводят при комнатной температуре в течение 100 часов по допустимым техническим условиям с последующей выдержкой в течение 2 часов в нормальных условиях и по сравнению среднего значения коэффициента увеличения информативного параметра/параметров делают вывод о сравнительной надежности партий ИС.
RU2019105039A 2019-02-22 2019-02-22 Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности RU2702962C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019105039A RU2702962C1 (ru) 2019-02-22 2019-02-22 Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019105039A RU2702962C1 (ru) 2019-02-22 2019-02-22 Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2702962C1 true RU2702962C1 (ru) 2019-10-14

Family

ID=68280336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019105039A RU2702962C1 (ru) 2019-02-22 2019-02-22 Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2702962C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2739480C1 (ru) * 2020-05-20 2020-12-24 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Способ сравнительной оценки партий транзисторов по качеству и надежности
RU2786050C1 (ru) * 2021-10-15 2022-12-16 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный университет" Способ разделения интегральных схем по надежности

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6184048B1 (en) * 1999-11-03 2001-02-06 Texas Instruments Incorporated Testing method and apparatus assuring semiconductor device quality and reliability
RU2381514C1 (ru) * 2008-06-16 2010-02-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий
RU2464583C2 (ru) * 2009-11-17 2012-10-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах
RU2490655C2 (ru) * 2010-07-20 2013-08-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий
RU2511617C2 (ru) * 2011-10-04 2014-04-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий
RU2538032C2 (ru) * 2010-07-20 2015-01-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6184048B1 (en) * 1999-11-03 2001-02-06 Texas Instruments Incorporated Testing method and apparatus assuring semiconductor device quality and reliability
RU2381514C1 (ru) * 2008-06-16 2010-02-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий
RU2464583C2 (ru) * 2009-11-17 2012-10-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах
RU2490655C2 (ru) * 2010-07-20 2013-08-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий
RU2538032C2 (ru) * 2010-07-20 2015-01-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий
RU2511617C2 (ru) * 2011-10-04 2014-04-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2739480C1 (ru) * 2020-05-20 2020-12-24 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Способ сравнительной оценки партий транзисторов по качеству и надежности
RU2786050C1 (ru) * 2021-10-15 2022-12-16 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный университет" Способ разделения интегральных схем по надежности

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110140200B (zh) 时间相关电介质击穿测试结构及其测试方法
Jandhyala et al. Clustering based techniques for I/sub DDQ/testing
US6674300B2 (en) Method for testing a semiconductor integrated circuit when a difference between two consecutive current exceeds a threshold value
RU2702962C1 (ru) Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности
RU2386975C1 (ru) Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем
Guibane et al. Investigation on the effectiveness of current supply testing methods in CMOS operational amplifiers
WO2003073114A1 (en) Method and system for graphical evaluation of iddq measurements
US7009404B2 (en) Method and device for testing the ESD resistance of a semiconductor component
RU2467339C2 (ru) Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем
RU2538032C2 (ru) Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий
RU2381514C1 (ru) Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий
RU2311653C1 (ru) Способ разделения аналоговых интегральных схем по надежности
RU2490655C2 (ru) Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий
Esen et al. A very low cost and highly parallel DfT method for analog and mixed-signal circuits
RU2511617C2 (ru) Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий
RU2511633C2 (ru) Способ отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня качества из партий изделий повышенной надежности
RU2492494C2 (ru) Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем
RU2739480C1 (ru) Способ сравнительной оценки партий транзисторов по качеству и надежности
JP2015152515A (ja) 半導体集積回路故障診断方法
Cacho et al. Integrated test structures for reliability investigation under dynamic stimuli
JP2017059564A (ja) 半導体ウエハーの検査方法及び半導体装置の製造方法
US10546792B2 (en) Method for manufacturing a semiconductor product wafer
RU2787306C1 (ru) Способ сравнительной оценки стойкости партий интегральных схем к электростатическому разряду
RU2278392C1 (ru) Способ разделения интегральных схем
RU2324194C1 (ru) Способ разделения интегральных схем по надежности