RU2702962C1 - Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности - Google Patents
Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности Download PDFInfo
- Publication number
- RU2702962C1 RU2702962C1 RU2019105039A RU2019105039A RU2702962C1 RU 2702962 C1 RU2702962 C1 RU 2702962C1 RU 2019105039 A RU2019105039 A RU 2019105039A RU 2019105039 A RU2019105039 A RU 2019105039A RU 2702962 C1 RU2702962 C1 RU 2702962C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- reliability
- batches
- comparative evaluation
- products
- parameters
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий, и может быть использовано для сравнительной оценки качества и надежности партий изделий одного типа как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Технический результат - неразрушающий способ, позволяющий расширить область применения и повысить достоверность отбраковки полупроводниковых изделий по надежности по сравнению с существующими аналогичными способами. В способе сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности на одинаковых выборках из партий проводят измерения информативных параметров при комнатной температуре до и после испытаний на безотказность в течение 100 часов, затем сравнивают средние значения коэффициента увеличения информативного параметра/параметров для выборок. 2 табл.
Description
Предлагаемый способ относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (ППИ): диодов, транзисторов и интегральных схем, и может быть использован для сравнительной оценки качества и надежности партий изделий одного типа, как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.
Известен способ сравнительной оценки надежности партий транзисторов патент РФ №2226698 R 31/26, опубликован 10.04.2004, в соответствии с которым проводят выборочные испытания партий транзисторов воздействием электростатических разряд (ЭСР). На каждый транзистор выборки подают электростатические разряды потенциалом вдвое большим, чем допустимый по техническим условиям, затем каждый раз повышают на 20-30 В до появления параметрического или катастрофического отказа.
Наиболее близким к заявляемому изобретению способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий патент РФ №2538032 R 31/26, опубликован 10.01.2015, суть которого заключает в измерении значения интенсивности низкочастотного шума на транзисторах по выводам «эмиттер-база» и на интегральных схемах «вход-общая точка». Затем на каждое изделие подают не менее пяти импульсов ЭСР обоих полярностей потенциалом, допустимом по техническим условиям на выходы «эмиттер-база» транзисторов и «вход-общая точка» интегральных, схем имеющих наибольшую чувствительность к ЭСР и вновь измеряют значения низкочастотного шума, находят отношения значений НЧШ после воздействие ЭСР к начальному значению и по величине среднего значения этого отношения сравнивают надежность партии изделий.
Недостатка данного способа - использование ресурса изделия при разрушающих испытаниях.
Задача - повышение достоверности отбраковки полупроводниковых изделий и расширение области применения способа при неразрушающих испытаниях.
Для решения поставленной задачи в способе сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности, в соответствии с которым на одинаковых произвольных выборках из партий проводят измерения информативных параметров при комнатной температуре до испытаний на безотказность и после 100 ч испытаний, после чего сравнивают средние значения коэффициента увеличения информативного параметра/параметров.
Предлагаемый способ основан на измерении электрических информативных параметров изделий (в качестве которых выступают электрические характеристики, определяемые ТУ на конкретное полупроводниковое изделие) на одинаковых выборках из партий (количество партий не ограничено) до воздействия испытаний; испытания на безотказность в течение 100 часов в режиме, указанном в ТУ, с последующей выдержки в течение 2-х часов в нормальных условиях; контрольным замером тех же электрических информативных параметров изделий после испытаний; расчет коэффициентов информативных параметров, сравнение коэффициентов и вывод о сравнительной надежности партий.
Для эксперимента взяли по 10 шт. ИС типа 134РУ6 из двух партий и измерили два информативных параметра: выходное напряжение логического нуля UOL ≤ 0.4 В при выходном токе IOL = 8 мА и выходное напряжение логической единицы UOH ≥ 2,6 В - до и после испытаний на безотказность.
Результаты эксперимента представлены в таблице 1 и 2, здесь
Сравним по табл. 1 табл. 2 поведение параметра UOL, ограниченного значениями сверху 0,4 В. Видно, что по этому параметру партия 2 будет более надежной, т. к. K2ср2 = 0,874, т.е. менее 1, а значит, параметр UOL во второй партии не возрастает.
По параметру UOH, ограниченного значением 2,6 В снизу, видим, что партия 1 будет менее надежной, т. к. К3ср3 = 0,989, т. е. менее 1, а партия №2 будет более надежной, т.к. параметр UOH растет.
По обоим параметрам имеем, что партия 2 будет более надежной.
Claims (1)
- Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности, заключающийся в измерении электрических информативных параметров изделий (указанных в ТУ) на одинаковых произвольных выборках из партии до и после испытаний, отличающийся тем, что измерение информативных параметров изделия на одинаковых выборках из партий проводят при комнатной температуре в течение 100 часов по допустимым техническим условиям с последующей выдержкой в течение 2 часов в нормальных условиях и по сравнению среднего значения коэффициента увеличения информативного параметра/параметров делают вывод о сравнительной надежности партий ИС.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019105039A RU2702962C1 (ru) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019105039A RU2702962C1 (ru) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2702962C1 true RU2702962C1 (ru) | 2019-10-14 |
Family
ID=68280336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2019105039A RU2702962C1 (ru) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2702962C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2739480C1 (ru) * | 2020-05-20 | 2020-12-24 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Способ сравнительной оценки партий транзисторов по качеству и надежности |
RU2786050C1 (ru) * | 2021-10-15 | 2022-12-16 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный университет" | Способ разделения интегральных схем по надежности |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6184048B1 (en) * | 1999-11-03 | 2001-02-06 | Texas Instruments Incorporated | Testing method and apparatus assuring semiconductor device quality and reliability |
RU2381514C1 (ru) * | 2008-06-16 | 2010-02-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий |
RU2464583C2 (ru) * | 2009-11-17 | 2012-10-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах |
RU2490655C2 (ru) * | 2010-07-20 | 2013-08-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий |
RU2511617C2 (ru) * | 2011-10-04 | 2014-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий |
RU2538032C2 (ru) * | 2010-07-20 | 2015-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий |
-
2019
- 2019-02-22 RU RU2019105039A patent/RU2702962C1/ru active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6184048B1 (en) * | 1999-11-03 | 2001-02-06 | Texas Instruments Incorporated | Testing method and apparatus assuring semiconductor device quality and reliability |
RU2381514C1 (ru) * | 2008-06-16 | 2010-02-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий |
RU2464583C2 (ru) * | 2009-11-17 | 2012-10-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах |
RU2490655C2 (ru) * | 2010-07-20 | 2013-08-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий |
RU2538032C2 (ru) * | 2010-07-20 | 2015-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий |
RU2511617C2 (ru) * | 2011-10-04 | 2014-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2739480C1 (ru) * | 2020-05-20 | 2020-12-24 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Способ сравнительной оценки партий транзисторов по качеству и надежности |
RU2786050C1 (ru) * | 2021-10-15 | 2022-12-16 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный университет" | Способ разделения интегральных схем по надежности |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110140200B (zh) | 时间相关电介质击穿测试结构及其测试方法 | |
Jandhyala et al. | Clustering based techniques for I/sub DDQ/testing | |
US6674300B2 (en) | Method for testing a semiconductor integrated circuit when a difference between two consecutive current exceeds a threshold value | |
RU2702962C1 (ru) | Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности | |
RU2386975C1 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем | |
Guibane et al. | Investigation on the effectiveness of current supply testing methods in CMOS operational amplifiers | |
WO2003073114A1 (en) | Method and system for graphical evaluation of iddq measurements | |
US7009404B2 (en) | Method and device for testing the ESD resistance of a semiconductor component | |
RU2467339C2 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем | |
RU2538032C2 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий | |
RU2381514C1 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий | |
RU2311653C1 (ru) | Способ разделения аналоговых интегральных схем по надежности | |
RU2490655C2 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий | |
Esen et al. | A very low cost and highly parallel DfT method for analog and mixed-signal circuits | |
RU2511617C2 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий | |
RU2511633C2 (ru) | Способ отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня качества из партий изделий повышенной надежности | |
RU2492494C2 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем | |
RU2739480C1 (ru) | Способ сравнительной оценки партий транзисторов по качеству и надежности | |
JP2015152515A (ja) | 半導体集積回路故障診断方法 | |
Cacho et al. | Integrated test structures for reliability investigation under dynamic stimuli | |
JP2017059564A (ja) | 半導体ウエハーの検査方法及び半導体装置の製造方法 | |
US10546792B2 (en) | Method for manufacturing a semiconductor product wafer | |
RU2787306C1 (ru) | Способ сравнительной оценки стойкости партий интегральных схем к электростатическому разряду | |
RU2278392C1 (ru) | Способ разделения интегральных схем | |
RU2324194C1 (ru) | Способ разделения интегральных схем по надежности |