RU2386975C1 - Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем - Google Patents
Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем Download PDFInfo
- Publication number
- RU2386975C1 RU2386975C1 RU2008144594/28A RU2008144594A RU2386975C1 RU 2386975 C1 RU2386975 C1 RU 2386975C1 RU 2008144594/28 A RU2008144594/28 A RU 2008144594/28A RU 2008144594 A RU2008144594 A RU 2008144594A RU 2386975 C1 RU2386975 C1 RU 2386975C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- batches
- reliability
- common point
- electrostatic discharges
- circuits
- Prior art date
Links
Landscapes
- General Factory Administration (AREA)
Abstract
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность способа заключается в том, что на произвольных выборках интегральных схем из партий проводят измерение значений динамических параметров до и после воздействия различными по полярности напряжениям пяти электростатических разрядов, предельно допустимом по техническим условиям, и температурного отжига при допустимой максимальной температуре кристалла, а электростатические разряды подают на каждую из пар выводов интегральной схемы: вход - общая точка, выход - общая точка, питание - общая точка, вход - выход, количество циклов воздействия электростатических разрядов и температурного отжига составляет не менее трех, по количеству отказавших интегральных схем делают вывод о сравнительной надежности партий интегральных схем. Технический результат заключается в создании неразрушающего испытания и повышении функциональных возможностей способа. 2 табл.
Description
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.
Известен способ сравнительной оценки надежности партий транзисторов [1], в соответствии с которым проводят выборочные испытания партий транзисторов воздействием электростатических разрядов. На каждый прибор выборки подают электростатические разряды потенциалом вдвое большим, чем допустимый по техническим условиям, каждый раз повышая его на 20-30 В до появления параметрического или катастрофического отказа.
Недостаток данного способа - испытание является разрушающим. Изобретение направлено на устранение этого недостатка и повышение функциональных возможностей способа.
Предложенный способ сравнительной оценки партий ИС основывается на измерении динамических параметров до и после воздействия электростатических разрядов (ЭСР) и термического отжига.
Способ осуществляется следующим образом: от каждой партии одного типа (количество партий не ограничено) методом случайной выборки отбирают по 10-20 схем.
Каждая из отобранных ИС за один цикл подвергается воздействию пяти ЭСР различной полярности максимально допустимой по техническим условиям величиной на каждую из пар выводов: вход - общая точка, выход - общая точка, питание - общая точка, вход - выход. После ИС отжигаются при максимально допустимой температуре перехода (кристалла) в течение 4-8 часов. ИС подвергаются воздействию не менее трех циклов воздействия ЭСР и отжига. По количеству отказавших ИС делают вывод о сравнительной надежности партий схем.
Способ был опробован на выборках по 10 шт. из двух партий ИС типа КР561ТМ2 (2 Д-триггера, выполненный на кремнии по технологии КМОП). Максимально допустимое воздействие ЭСР на эти ИС по ТУ составляет 100 В. Каждая из схем за один цикл подвергалась воздействию пяти ЭСР величиной 100 В различной полярности на каждую из пар выводов: вход - общая точка (выводы 3-7, 4-7, 5-7, 6-7), выход - общая точка (выводы 1-7, 2-7), питание - общая точка (выводы 14-7), вход выход (выводы 3-1, 4-1, 5-1, 6-1, 3-2, 4-2, 5-2, 6-2). Всего за один цикл проводилось 150 воздействий ЭСР. После каждого цикла ИС отжигали при температуре 125°C в течение 4 ч.
ИС подвергались воздействию трех циклов. Измерения динамических параметров - время переключения ИС tTLH и tTHL проводились по схеме измерения работоспособности ИС, приведенной в ТУ. Значение времен для выборки из 1-й партии приведены в табл.1 и 2.
| Таблица 1 | |||||
| Номер ИС | Значение tTLH, мкс, после | ||||
| Предварительного контроля | 1-го цикла | 2-го цикла | 3-го цикла | 4-го цикла | |
| 1 | 0,1 | 0,24 | 0,35 | 0,55 | 0,3 |
| 2 | 0,12 | 0,3 | 0,35 | 0,55 | 0,52 |
| 3 | 0,13 | 0,23 | 0,3 | 0,55 | 0,4 |
| 4 | 0,13 | 0,23 | 0,3 | 0,5 | 0,52 |
| 5 | 0,13 | 0,25 | 0,32 | 2,5 | 0,5 |
| 6 | 0,13 | 0,23 | 0,35 | отказ | |
| 7 | 0,13 | 0,25 | 0,3 | отказ | |
| 8 | 0,13 | 0,22 | 0,36 | 1 | 1 |
| 9 | 0,13 | 0,26 | 0,35 | 0,45 | 0,4 |
| 10 | 0,13 | отказ | |||
| Таблица 2 | |||||
| Номер ИС | Значение tTHL, мкс после | ||||
| Предварительного контроля | 1-го цикла | 2-го цикла | 3-го цикла | 4-го цикла | |
| 1 | 0,05 | 0,14 | 0,24 | 0,5 | 0,2 |
| 2 | 0,05 | 0,13 | 0,22 | 0,45 | 0,24 |
| 3 | 0,05 | 0,14 | 0,22 | 0,45 | 0,3 |
| 4 | 0,05 | 0,13 | 0,2 | 0,32 | 0,28 |
| 5 | 0,05 | 0,13 | 0,2 | 0,8 | 0,3 |
| 6 | 0,05 | 0,16 | 0,22 | отказ | |
| 7 | 0,05 | 0,13 | 0,24 | отказ | |
| 8 | 0,05 | 0,16 | 0,24 | 0,37 | 0,35 |
| 9 | 0,06 | 0,17 | 0,2 | 0,32 | 0,4 |
| 10 | 0,04 | отказ | |||
Видно из табл.1 и 2, что отказы произошли после 1-го (один отказ) и 3-го циклов (2 отказа), т.е. всего 3 отказа. Четвертый цикл был проведен для подтверждения достаточности для этих схем 3-х циклов.
Для выборки из 2-й партии воздействия 3-х циклов показало, что отказы произошли после 2-го цикла (2 отказа) и 3-го цикла (2 отказа), т.е. всего 4 отказа.
По полученным данным можно сделать вывод, что вторая партия менее надежная.
Источник информации
1. Патент РФ №2226698, G01R 31/26, опубл. 10.04.2004. Бюл. №10.
Claims (1)
- Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем, в соответствии с которым на произвольных выборках интегральных схем из партий проводят измерение значений динамических параметров до и после воздействия различными по полярности напряжениям пяти электростатических разрядов, предельно допустимом по техническим условиям, и температурного отжига при допустимой максимальной температуре кристалла, отличающийся тем, что электростатические разряды подают на каждую из пар выводов интегральной схемы: вход - общая точка, выход - общая точка, питание - общая точка, вход - выход, количество циклов воздействия электростатических разрядов и температурного отжига составляет не менее трех, по количеству отказавших интегральных схем делают вывод о сравнительной надежности партий интегральных схем.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008144594/28A RU2386975C1 (ru) | 2008-11-11 | 2008-11-11 | Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008144594/28A RU2386975C1 (ru) | 2008-11-11 | 2008-11-11 | Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2386975C1 true RU2386975C1 (ru) | 2010-04-20 |
Family
ID=46275319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008144594/28A RU2386975C1 (ru) | 2008-11-11 | 2008-11-11 | Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2386975C1 (ru) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2492494C2 (ru) * | 2010-07-20 | 2013-09-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем |
| RU2511617C2 (ru) * | 2011-10-04 | 2014-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий |
| RU2538032C2 (ru) * | 2010-07-20 | 2015-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий |
| RU2546998C2 (ru) * | 2012-04-19 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительных испытаний по надежности партий интегральных схем |
| RU2787306C1 (ru) * | 2022-05-25 | 2023-01-09 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Способ сравнительной оценки стойкости партий интегральных схем к электростатическому разряду |
-
2008
- 2008-11-11 RU RU2008144594/28A patent/RU2386975C1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2492494C2 (ru) * | 2010-07-20 | 2013-09-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем |
| RU2538032C2 (ru) * | 2010-07-20 | 2015-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий |
| RU2511617C2 (ru) * | 2011-10-04 | 2014-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий |
| RU2546998C2 (ru) * | 2012-04-19 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительных испытаний по надежности партий интегральных схем |
| RU2787306C1 (ru) * | 2022-05-25 | 2023-01-09 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Способ сравнительной оценки стойкости партий интегральных схем к электростатическому разряду |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7898277B2 (en) | Hot-electronic injection testing of transistors on a wafer | |
| RU2386975C1 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем | |
| CN102262206B (zh) | pMOSFET器件负偏置温度不稳定性寿命预测方法 | |
| CN1714295A (zh) | 集成电路接触缺陷的测试方法和测试装置 | |
| JP2007502402A (ja) | ゴールデンサンプルによるテスタ及びテストボードの較正 | |
| Johnsson et al. | Device failure from the initial current step of a CDM discharge | |
| Karmani et al. | Design and test challenges in Nano-scale analog and mixed CMOS technology | |
| US8941403B2 (en) | Semiconductor device and method of testing the same | |
| US10302694B2 (en) | Interposer based test program evaluation | |
| Erington et al. | Measuring propagation delays of critical paths using time-resolved LADA | |
| Putcha et al. | Smart-array for pipelined BTI characterization | |
| RU2381514C1 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий | |
| RU2311653C1 (ru) | Способ разделения аналоговых интегральных схем по надежности | |
| RU2538032C2 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий | |
| RU2702962C1 (ru) | Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности | |
| RU2490655C2 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий | |
| RU2511633C2 (ru) | Способ отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня качества из партий изделий повышенной надежности | |
| RU2365930C1 (ru) | Способ выделения интегральных схем повышенной надежности | |
| RU2464583C2 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах | |
| RU2492494C2 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем | |
| RU2324194C1 (ru) | Способ разделения интегральных схем по надежности | |
| RU2269790C1 (ru) | Способ выделения интегральных схем повышенной надежности | |
| RU2374658C1 (ru) | Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности | |
| Chen et al. | The study on application of HALT for DC/DC converter | |
| RU2511617C2 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20101112 |