RU2538032C2 - Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий - Google Patents

Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий Download PDF

Info

Publication number
RU2538032C2
RU2538032C2 RU2010130602/28A RU2010130602A RU2538032C2 RU 2538032 C2 RU2538032 C2 RU 2538032C2 RU 2010130602/28 A RU2010130602/28 A RU 2010130602/28A RU 2010130602 A RU2010130602 A RU 2010130602A RU 2538032 C2 RU2538032 C2 RU 2538032C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
batches
reliability
square
exposure
coefficient
Prior art date
Application number
RU2010130602/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2010130602A (ru
Inventor
Митрофан Иванович Горлов
Дмитрий Юрьевич Смирнов
Дмитрий Михайлович Жуков
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет"
Priority to RU2010130602/28A priority Critical patent/RU2538032C2/ru
Publication of RU2010130602A publication Critical patent/RU2010130602A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2538032C2 publication Critical patent/RU2538032C2/ru

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий ППИ (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ППИ как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятии - изготовителе радиоаппаратуры. Способ заключается в том, что на произвольных одинаковых выборках из партий производят измерение квадрата напряжения шума U ш 2 ¯
Figure 00000003
на частоте до 200 Гц до и после воздействия не менее чем пятью импульсами электростатического разряда обеих полярностей потенциалом, предельно допустимым по техническим условиям. Измерения проводят по выводам «эмиттер - база» транзисторов и «вход - общая точка» интегральных схем. Затем вычисляют значение коэффициента K = U ш э с р 2 ¯ / U ш н 2 ¯
Figure 00000002
, где U ш н 2 ¯
Figure 00000009
и U ¯ ш э с р 2 - значения квадрата напряжения шума до и после воздействия ЭСР, и по средним значениям коэффициента K для выборки сравнивают партии изделий. Технический результат заключается в расширении функциональных возможностей.

Description

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий ППИ (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ППИ как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях - изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.
Известен способ сравнительной оценки надежности партий транзисторов [1], в соответствии с которым проводят выборочные испытания партий транзисторов воздействием электростатических зарядов. На каждый транзистор выборки подают электростатические разряды потенциалом, вдвое большим, чем допустимый по техническим условиям, каждый раз повышая его на 20-30 В до появления параметрического или катастрофического отказа.
Недостаток данного способа - испытание является разрушающим.
Представленное изобретение направлено на устранение этого недостатка и повышение функциональных возможностей способа.
Предложенный способ сравнительной оценки партии ППИ основывается на измерении среднего значения коэффициента увеличения квадрата напряжения низкочастотного шума после воздействия электростатическим разрядом ЭСР, потенциалом, предельно допустимым по техническим условиям.
Способ осуществляется следующим образом: от каждой партии изделий одного типа (количество партий неограниченно) методом случайной выборки отбирают одинаковое количество изделий. У каждого из отобранных изделий измеряют значение интенсивности шума на частоте до 200 Гц на транзисторах по выводам «эмиттер - база» и на интегральных схемах по выводам «вход - общая точка» [2]. Затем на каждое изделие подают не менее пяти импульсов электростатических разрядов обеих полярностей потенциалом, допустимым по техническим условиям, на выводы «эмиттер - база» транзисторов и «вход - общая точка» интегральных схем, имеющие наибольшую чувствительность к ЭСР [3]. Вновь измеряют значение шума U ¯ ш э с р 2
Figure 00000001
, находят отношение K = U ш э с р 2 ¯ / U ш н 2 ¯
Figure 00000002
. Затем для каждой выборки находят среднее значение K, по величине которого оценивают надежность ППИ выборки, т.е. и партии изделий. Способ был опробован на выборках из двух партий интегральных схем типа ОРА735 (операционные усилители, выполненные по КМОП технологии). Измеренные значения и коэффициент K представлены в таблице.
№ ИС 1 партия 2 партия
Значение U ш 2 ¯
Figure 00000003
, мВ2
K Значение U ш 2 ¯
Figure 00000003
, мВ2
K
Начало измерений После ЭСР Начало измерений После ЭСР
1 3,07 5,00 1,63 3,42 5,34 1,56
2 3,25 5,18 1,59 3,00 4,73 1,57
3 2,77 4,53 1,64 2,68 4,56 1,70
4 2,64 4,66 1,77 3,26 4,92 1,51
5 3,10 4,64 1,50 3,08 5,08 1,65
6 2,62 4,34 1,66 2,98 4,83 1,62
Kср 1,63 Kср 1,60
Первая колонка представляет собой порядковый номер интегральной схемы. Во вторую и третью колонки занесены результаты измерения шума до и после воздействия ЭСР. В четвертой колонке представлены результаты расчета коэффициента K. Kср представляет собой среднее значение коэффициента K для данной выборки и определяется как K с р = Σ K n ,
Figure 00000004
где n - число интегральных схем. В последующих колонках представлены аналогичные результаты для выборки из второй партии интегральных схем. Из таблицы видно, что среднее значение коэффициента K для второй выборки меньше, чем для первой, поэтому считаем, что вторая партия более надежная.
Источники информации
1. Патент РФ №2226698, GOl R31/26 опубл 10.04.2004.
2. Горлов М.И., Ануфриев Л.И., Достанко А.К., Смирнов Д.Ю. диагностика твердотельных структур по параметрам низкочастотного шума - Мн.: Интеграл полиграф, 2006. - 112 с.
3. Горлов М.И., Емельянов А.В., Плебанович В.М. Электростатические заряды в электронике - Мн.: Бел. Наука, 2006 - 295 с.

Claims (1)

  1. Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых приборов, в соответствии с которым на произвольных одинаковых выборках из партий проводят измерение квадрата напряжения шума U ш 2 ¯
    Figure 00000005
    на частоте до 200 Гц на транзисторах по выводам «эмиттер - база» и на интегральных схемах по выводам «вход - общая точка», отличающийся тем, что измерение шума проводят до и после воздействия не менее чем пятью импульсами электростатического разряда напряжением, предельно допустимым по техническим условиям, затем вычисляют значение коэффициента увеличения квадрата напряжения низкочастотного шума
    K = U 2 ш э с р U 2 ш н ¯ ¯
    Figure 00000006
    ,
    где U 2 ¯ ш н
    Figure 00000007
    - значение квадрата напряжения шума до воздействия электростатическим разрядом, U 2 ш э с р ¯
    Figure 00000008
    - значение квадрата напряжения шума после воздействия электростатическим разрядом, после чего вычисляют средние значения коэффициента K для каждой выборки и по средним значениям сравнивают партии изделий.
RU2010130602/28A 2010-07-20 2010-07-20 Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий RU2538032C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010130602/28A RU2538032C2 (ru) 2010-07-20 2010-07-20 Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010130602/28A RU2538032C2 (ru) 2010-07-20 2010-07-20 Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010130602A RU2010130602A (ru) 2012-01-27
RU2538032C2 true RU2538032C2 (ru) 2015-01-10

Family

ID=45786267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010130602/28A RU2538032C2 (ru) 2010-07-20 2010-07-20 Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2538032C2 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2602416C1 (ru) * 2015-08-07 2016-11-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) Способ определения стойкости полупроводниковых приборов свч к воздействию ионизирующих излучений
RU2702962C1 (ru) * 2019-02-22 2019-10-14 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности
RU2813473C1 (ru) * 2023-07-06 2024-02-12 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по качеству и надежности

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4855672A (en) * 1987-05-18 1989-08-08 Shreeve Robert W Method and process for testing the reliability of integrated circuit (IC) chips and novel IC circuitry for accomplishing same
US6184048B1 (en) * 1999-11-03 2001-02-06 Texas Instruments Incorporated Testing method and apparatus assuring semiconductor device quality and reliability
RU2311653C1 (ru) * 2006-03-09 2007-11-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Способ разделения аналоговых интегральных схем по надежности
RU2386975C1 (ru) * 2008-11-11 2010-04-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4855672A (en) * 1987-05-18 1989-08-08 Shreeve Robert W Method and process for testing the reliability of integrated circuit (IC) chips and novel IC circuitry for accomplishing same
US6184048B1 (en) * 1999-11-03 2001-02-06 Texas Instruments Incorporated Testing method and apparatus assuring semiconductor device quality and reliability
RU2311653C1 (ru) * 2006-03-09 2007-11-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Способ разделения аналоговых интегральных схем по надежности
RU2386975C1 (ru) * 2008-11-11 2010-04-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2602416C1 (ru) * 2015-08-07 2016-11-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) Способ определения стойкости полупроводниковых приборов свч к воздействию ионизирующих излучений
RU2702962C1 (ru) * 2019-02-22 2019-10-14 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности
RU2813473C1 (ru) * 2023-07-06 2024-02-12 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по качеству и надежности

Also Published As

Publication number Publication date
RU2010130602A (ru) 2012-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102262206B (zh) pMOSFET器件负偏置温度不稳定性寿命预测方法
RU2538032C2 (ru) Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий
Devarakond et al. Concurrent device/specification cause–effect monitoring for yield diagnosis using alternate diagnostic signatures
WO2012082360A2 (en) Iddq testing of cmos devices
RU2386975C1 (ru) Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем
RU2490655C2 (ru) Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий
US8456169B2 (en) High speed measurement of random variation/yield in integrated circuit device testing
Sindia et al. Test and diagnosis of analog circuits using moment generating functions
RU2702962C1 (ru) Способ сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по надежности
RU2311653C1 (ru) Способ разделения аналоговых интегральных схем по надежности
RU2492494C2 (ru) Способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем
Kaur et al. Testing of low voltage two stage operational amplifier using oscillation test methodology
RU2511633C2 (ru) Способ отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня качества из партий изделий повышенной надежности
US20080204156A1 (en) Measuring threshold voltage of transistors in a circuit
RU2511617C2 (ru) Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий
JP2007165365A (ja) 半導体装置及びそのテスト方法
RU2324194C1 (ru) Способ разделения интегральных схем по надежности
RU2309418C2 (ru) Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности
RU2546998C2 (ru) Способ сравнительных испытаний по надежности партий интегральных схем
RU2381514C1 (ru) Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий
RU2739480C1 (ru) Способ сравнительной оценки партий транзисторов по качеству и надежности
RU2472171C2 (ru) Способ разбраковки полупроводниковых изделий
RU2309417C2 (ru) Способ определения потенциально ненадежных биполярных транзисторов
Bossers et al. Online univariate outlier detection in final test: A robust rolling horizon approach
RU2507525C2 (ru) Способ разделения транзисторов по надежности

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140930